專利名稱：：基于數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)的集成電路版圖優(yōu)化方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及微電子
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別是一種集成電路的版圖優(yōu)化方法，可用于提高集成電路芯片的制造成品率。
背景技術(shù)：
：隨著大規(guī)模集成電路VLSI技術(shù)進(jìn)入到90nm和65nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)工藝，隨機(jī)缺陷引起的成品率損失越來越嚴(yán)重。由于在90納米及以下的標(biāo)準(zhǔn)制造環(huán)境下，難以克服隨機(jī)缺陷引起的成品率損失，因此依賴設(shè)計(jì)減少成品率損失的成品率設(shè)計(jì)成為提高成品率的有效方法。在進(jìn)行成品率設(shè)計(jì)時(shí)，要求在設(shè)計(jì)階段，特別是版圖設(shè)計(jì)階段，考慮引起隨機(jī)成品率損失的缺陷信息，并根據(jù)該信息改進(jìn)設(shè)計(jì)，減少成品率損失。通常聯(lián)系成品率損失和設(shè)計(jì)的關(guān)鍵參數(shù)是關(guān)鍵面積和缺陷密度，關(guān)鍵面積體現(xiàn)了設(shè)計(jì)版圖對制造缺陷的敏感程度，缺陷密度則反映了缺陷在晶片上的空間分布特性。利用缺陷信息，即利用缺陷分布信息，改變版圖布線以減少關(guān)鍵面積是版圖優(yōu)化的主要任務(wù)。由于集成電路IC制造工藝中的真實(shí)缺陷輪廓是非規(guī)則形狀，且在90納米工藝下，缺陷在金屬區(qū)域和空白區(qū)域的密度不同，因此，在版圖優(yōu)化設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)充分考慮缺陷的這種形狀和分布特征。目前與缺陷分布有關(guān)的版圖優(yōu)化技術(shù)中，或者僅考慮規(guī)則的圓形缺陷形狀、或者只考慮缺陷的空間粒徑分布，使成品率設(shè)計(jì)即版圖優(yōu)化設(shè)計(jì)不夠精確。為了獲得精確的版圖優(yōu)化效果，迫切需要新的版圖優(yōu)化方法以改進(jìn)缺陷引起的成品率損失。發(fā)明的內(nèi)容本發(fā)明的目的在于克服已有方法的不足，提供一種基于數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)的集成電路版圖優(yōu)化方法，使版圖優(yōu)化設(shè)計(jì)更加切實(shí)可行和精確，為進(jìn)一步提升成品率鑒定基礎(chǔ)。實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的技術(shù)方案是對不同類型的隨機(jī)缺陷使用不同的版圖優(yōu)化方法，具體過程如下a.將待優(yōu)化的集成電路各層平面版圖按線網(wǎng)編號；b.對于平面版圖上各線網(wǎng)對，提取由冗余物缺陷引起的短路帯權(quán)關(guān)鍵面積；c.對所提取的短路帯權(quán)關(guān)鍵面積按遞減順序排序，并依據(jù)排序順序依次對版圖進(jìn)行第一次優(yōu)化，即改變版圖的線網(wǎng)對間的距離，以減少短路帶權(quán)關(guān)鍵面積d.對于平面版圖上各線網(wǎng)，提取由丟失物缺陷引起的開路帯權(quán)關(guān)鍵面積；e.對于所提取的開路帯權(quán)關(guān)鍵面積，按遞減順序排序，并依據(jù)排序結(jié)果依次對版圖進(jìn)行第二次優(yōu)化，即加寬線網(wǎng)，使其開路帶權(quán)關(guān)鍵面積減少；f.重復(fù)過程b到e，直到優(yōu)化完各層平面版圖，獲得滿意的預(yù)測成品率。上述的集成電路版圖優(yōu)化方法，其中步驟a所述的將待優(yōu)化的集成電路各層平面版圖按線網(wǎng)編號，按如下過程進(jìn)行al.將版圖解碼形成兩色的多層平面版a2.將各層平面版圖轉(zhuǎn)化為二值a3.按列遞增的順序賦予二值圖中各連通區(qū)域即線網(wǎng)以編號。上述的集成電路版圖優(yōu)化方法，其中步驟b所述的提取由冗余物缺陷引起的短路帯權(quán)關(guān)鍵面積，按如下過程進(jìn)行bl對己標(biāo)識的線網(wǎng)，確定各線網(wǎng)對的可視性；b2.計(jì)算每一對可視線網(wǎng)對(N,，N2)的短路帯權(quán)關(guān)鍵面積<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>式中，4(H^V,，W2)=(^SDfXdiVp7VJ-SN,-SN2)UN,，如果*0禾卩SN2#0ASZYU'A^TVJ,否則>W2=^幼n,HW2>)門W2'u為并運(yùn)算符號，n為交運(yùn)算符號，力SZYH，jV,，A^是線網(wǎng)N,對隨機(jī)缺陷d(Xc，Yc)的數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)膨脹運(yùn)算和線網(wǎng)N2對隨機(jī)缺陷d(Xc,Yc)的數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)膨脹運(yùn)算的交集，A(J^，U,，iV2)為線網(wǎng)對(yV"間的短路關(guān)鍵面積，P.(X。，Y。)為缺陷d(Xc，Yc)在線網(wǎng)對(1AO間的空白區(qū)域M上的概率，#為當(dāng)前工序?qū)尤毕莸募?，d(Xc，Yc)為任意形狀的缺陷，(Xc,Yc)為缺陷的形心，KJ為缺陷t/"c,!^在粒徑上發(fā)生的概率，4、,(^,^2)為線網(wǎng)對(NhN2)的帯權(quán)關(guān)鍵面積。上述的集成電路版圖優(yōu)化方法，其中步驟c所述的改變版圖的線網(wǎng)對間的距離，是在不改變線路性能的前提下，移動線網(wǎng)使線網(wǎng)對的短路帶權(quán)關(guān)鍵面積最?。簧鲜龅募呻娐钒鎴D優(yōu)化方法，其中步驟d所述的對于平面版圖上各線網(wǎng)，提取由丟失物缺陷引起的開路帶權(quán)關(guān)鍵面積，按如下過程進(jìn)行dl.設(shè)定行結(jié)構(gòu)元素h，使得h所含元素的個(gè)數(shù)大于版圖中的最大線寬所含元素的個(gè)數(shù)，用h和線網(wǎng)N進(jìn)行數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)開運(yùn)算，得到所述線網(wǎng)N的垂直線網(wǎng)部分；d2.設(shè)定列結(jié)構(gòu)元素v，使得h所含元素的個(gè)數(shù)大于版圖中的最大線寬所含元素的個(gè)數(shù)，用v和線網(wǎng)N進(jìn)行數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)開運(yùn)算，得到所述線網(wǎng)N的水平線網(wǎng)部分；d3.用Sobel算子求得水平邊緣信息yVK和垂直線網(wǎng)的邊緣信息vV〃；d4.區(qū)分水平線網(wǎng)為上邊緣yV&和下邊緣/VW，區(qū)分垂直線網(wǎng)為左邊緣yV"和右邊緣鄉(xiāng)；d5.對于上述所述的水平線網(wǎng)的上邊緣NVu和下邊緣NVd和丟失物缺陷c/6Tc,7c，進(jìn)行數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)膨脹運(yùn)算，對其膨脹運(yùn)算的結(jié)果取交集，獲得水平線網(wǎng)的開路關(guān)鍵面積掘；d6.對于所述的垂直線網(wǎng)的左邊緣A^、右邊緣yW,和丟失物缺陷r^進(jìn)行數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)膨脹運(yùn)算，對其膨脹運(yùn)算的結(jié)果取交集，獲得水平線網(wǎng)的開路關(guān)鍵面積^ov;d7.將所述水平線網(wǎng)的開路關(guān)鍵面積JW和垂直線網(wǎng)的開路關(guān)鍵面積」ov求和得到線網(wǎng)N的開路關(guān)鍵面積v4o(JTc,;Kc,A0;d8.根據(jù)缺陷的分布特征，按照如下公式計(jì)算線網(wǎng)N的開路帯權(quán)關(guān)鍵面積式中，PM(Xd)為缺陷d(Xc，Yc)在線網(wǎng)N上的概率，#為當(dāng)前工序?qū)尤毕莸募?，D(Jc,W為任意形狀的缺陷，WX,We抓(Jc,化)為缺陷的形心，尸rXKJ為缺陷"0^rd的粒徑發(fā)生的概率，Jo(Ic,yc，7V)為線網(wǎng)yV的開路關(guān)鍵面積，4,(^，^)為帯權(quán)開路關(guān)鍵面積。上述的集成電路版圖優(yōu)化方法，其中步驟e所述對于開路帯權(quán)關(guān)鍵面積，是在不改變線路性能的前提下，加寬線網(wǎng)寬度，使線網(wǎng)的開路帶權(quán)關(guān)鍵面積最小。本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)1.本發(fā)明由于充分考慮制造的工藝信息，既考慮微粒粒徑分布，也考慮微粒在晶片上的密度變化，使缺陷的表征更加精細(xì)。2.本發(fā)明由于使用隨機(jī)形狀缺陷，使缺陷的表征更符合其自然形態(tài)。3.本發(fā)明由于將數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)理論用于帯權(quán)關(guān)鍵面積提取中，使實(shí)現(xiàn)的并行性成為可能。4.本發(fā)明由于對各線網(wǎng)的帯權(quán)關(guān)鍵面積排序，因而，能給出具體的版圖優(yōu)化位置，使設(shè)計(jì)版圖的優(yōu)化更直觀可行。實(shí)驗(yàn)表明用本發(fā)明的方法比現(xiàn)有的方法精度高，簡單易行。為使本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下面結(jié)合附圖實(shí)施例對本發(fā)明具體實(shí)施方式作詳細(xì)說明。圖1是本發(fā)明版圖優(yōu)化方法的流程圖；圖2是本發(fā)明的版圖標(biāo)記示意圖；圖3是本發(fā)明的短路關(guān)鍵面積示意；圖4是本發(fā)明帯權(quán)短路最大關(guān)鍵面積對應(yīng)的線網(wǎng)示意圖5是本發(fā)明對最大線網(wǎng)優(yōu)化后的版圖示意圖6是本發(fā)明對優(yōu)化后的版圖形成的短路關(guān)鍵面積示意圖7是本發(fā)明實(shí)驗(yàn)所用版圖的水平布線版圖8是本發(fā)明實(shí)驗(yàn)所用版圖的垂直布線版圖9是本發(fā)明對圖7版圖形成的水平布線版圖開路關(guān)鍵面積示意圖。具體實(shí)施例方式參照圖1，本發(fā)明實(shí)施的版圖優(yōu)化方法是在已收集的與各層集成電路工藝相關(guān)的缺陷特征參數(shù)基礎(chǔ)上，對缺陷參數(shù)進(jìn)行表征，然后根據(jù)輸入集成電路芯片的平面版圖，優(yōu)化不同工序?qū)拥钠矫姘鎴D。與各層工藝相關(guān)的缺陷特征參數(shù)一般包括缺陷形狀、缺陷粒徑分布、缺陷空間分布特性。本發(fā)明的實(shí)施例是根據(jù)已分析的缺陷數(shù)據(jù)，可直觀的優(yōu)化集成電路的版圖，具體過程如下第一步，將待估計(jì)的集成電路各層平面版圖按線網(wǎng)編號。首先，將版圖解碼形成兩色的多層平面版圖；然后，將各層平面版圖轉(zhuǎn)化為二值圖；最后，按列遞增的順序賦予二值圖中各連通區(qū)域即線網(wǎng)以編號，如圖2所示。圖2是已轉(zhuǎn)換的二值平面版圖，有13個(gè)連通區(qū)域，即13個(gè)線網(wǎng)，其按列編號為1…13。第二步，對已標(biāo)識的線網(wǎng)，確定各線網(wǎng)對的可視性。首先，確定各線網(wǎng)的最大行值和最小行值、最大列值和最小列值。如圖2中，13個(gè)線網(wǎng)的最大行值和最小行值、最大列值和最小列值如表1所示，表1中第一行表示線網(wǎng)1的最小行值為18、最大行值為110、最小列值為24、最大列值為523，其它行的值與之類似，分別代表線網(wǎng)2到線網(wǎng)13的特征值。表l線網(wǎng)特征值<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>然后，判斷各線網(wǎng)對的可視性。在判斷各線網(wǎng)對的可視性時(shí)，為了便于實(shí)現(xiàn)，轉(zhuǎn)化其為判斷各線網(wǎng)對的不可視性，從而剔除不可視的線網(wǎng)對，其余的線網(wǎng)對就成為可視線網(wǎng)對。不可視線網(wǎng)對的判斷準(zhǔn)則如下如果第j線網(wǎng)的最大行與第k個(gè)線網(wǎng)的最小行之差大于缺陷的高度，且第j線網(wǎng)的最大列與第k線網(wǎng)的最小列之差大于寬度，則線網(wǎng)j和線網(wǎng)k是不可視的。如對圖2所示版圖的線網(wǎng)1和線網(wǎng)5，由表l的第一行和第五行可見，線網(wǎng)1的最小行值為18、最大行值為110、最小列值為24、最大列值為523，線網(wǎng)5的最小行值為72、最大行值為245、最小列值為104、最大列值為263。那么線網(wǎng)5的最大行值與線網(wǎng)1的最小行值之差為163，線網(wǎng)5的最大列值與線網(wǎng)1的最小列值之差為239。設(shè)缺陷的高度為45、寬度為55，因?yàn)?63>45，239>55，因此線網(wǎng)1和線網(wǎng)5是不可視的。同理可獲得其它線網(wǎng)對的不可視性。對于版圖2的線網(wǎng)，各線網(wǎng)對的可視性如表2。表2線網(wǎng)對的可視性，其中1表示可視，0表示不可視<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>第三步，按照如下公式計(jì)算可視線網(wǎng)對(K，N2)的短路帯權(quán)關(guān)鍵面積<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>(1)式中，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>u為并運(yùn)算符號，n為交運(yùn)算符號，W/YA，&,W;，;vJ是線網(wǎng)N,對隨機(jī)缺陷d(Xc,Yc)的數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)膨脹運(yùn)算和線網(wǎng)N2對隨機(jī)缺陷d(Xc，Yc)的數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)膨脹運(yùn)算的交集，4(A,;rd，Ag為線網(wǎng)對D間的短路關(guān)鍵面積，P,(Xc，Y。)為缺陷d(Xc，Yc)在線網(wǎng)對(〃"/V》間的空白區(qū)域N,上的概率，#為當(dāng)前工序?qū)尤毕莸募希琩(Xc,Yc)為任意形狀的缺陷，WO;,i^e私(Xc,Yc)為缺陷的形心，尸o;k,為缺陷i^在粒徑上發(fā)生的概率，4,,、.(^,^2)為線網(wǎng)對(N"N2)的帯權(quán)關(guān)鍵面積。上述所述的按公式(1)計(jì)算可視線網(wǎng)對(k，N2)的短路帯權(quán)關(guān)鍵面積時(shí)分為以下兩步進(jìn)行。1.計(jì)算可視線網(wǎng)對(NbN2)的短路關(guān)鍵面積。輸入任意形狀冗余物缺陷信息d(Xc，Yc)，其中(Xc,Yc)為缺陷的形心，則按下式計(jì)算可視線網(wǎng)對(NbN2)的短路關(guān)鍵面積，'f^SAXcJC'Ay-SN'-SNJUNp如果SN,-0禾卩SN2^04S'(U,^)=，爿s/Y^，《.，m,;vJ,否則如圖3中白色區(qū)域是用該方法求出的各可視線網(wǎng)對的關(guān)鍵面積示意圖。如表3為缺陷為40*40時(shí)對于圖2所示版圖的可視線網(wǎng)求出的關(guān)鍵面積Ca的值。表3各線網(wǎng)對的關(guān)鍵面積(單位為u2,u為度量單位)<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>2.計(jì)算每一對可視線網(wǎng)對(NbN2)的帯權(quán)短路關(guān)鍵面積。在獲得可視線網(wǎng)對(Nt,N2)的短路關(guān)鍵面積^(Xe,i;，A^，7^)后，輸入缺陷粒徑概率,Fc^和缺陷在線網(wǎng)對(N,，N.2)間的空間概率幾(/,&)，利用公式4W，W)=S(4(zc，:^,A^，Ag嚇(xc,;rc廣/u義c,R))可獲得帶權(quán)關(guān)鍵面積。如對于圖2所示的版圖，為了簡化計(jì)算，假設(shè)各缺陷的粒徑概率和空間分布概率相等，那么取60個(gè)缺陷，計(jì)算出的帯權(quán)關(guān)鍵面積A^值如表4所示。表4帶權(quán)短路關(guān)鍵加積v4塩(A^，A^)(u2)<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>第四步，根據(jù)帶權(quán)短路關(guān)鍵面積大小對版圖進(jìn)行第一次優(yōu)化。首先，對各帯權(quán)短路關(guān)鍵面積進(jìn)行排序，獲得最大帯權(quán)短路關(guān)鍵面積對應(yīng)的線網(wǎng)對；然后加大線網(wǎng)對間的間距；最后重復(fù)第三步和第四步，直到得到滿意的版圖優(yōu)化結(jié)果為止。對表4排序，得出最大帯權(quán)關(guān)鍵面積為64884u2，與之對應(yīng)的線網(wǎng)對為(10，11)和(5,6)，如圖2中的線網(wǎng)5、線網(wǎng)6、線網(wǎng)9和線網(wǎng)10。將原始版圖中線網(wǎng)5與線網(wǎng)6距離增大，線網(wǎng)9與線網(wǎng)10間距離增大如圖4所不，獲得其關(guān)鍵面積形狀如圖5白色區(qū)域所示。用同樣分布的缺陷，計(jì)算帯權(quán)關(guān)鍵面積并排序可知線網(wǎng)5與線網(wǎng)6間的帯權(quán)短路關(guān)鍵面積為47199u2，其值比原始版圖帯權(quán)短路關(guān)鍵面積最大值小了17685u2。對于優(yōu)化后的版圖，再次利用步驟第三步，此時(shí)帯權(quán)關(guān)鍵面積的最大值對應(yīng)于線網(wǎng)對(3，4)和(3,9)，很明顯線網(wǎng)對(3,4)和(3,9)是當(dāng)前的候選優(yōu)化線網(wǎng)對。重復(fù)上述過程，就可以實(shí)現(xiàn)版圖的優(yōu)化設(shè)計(jì)。第五步，對于丟失物缺陷，提取帯權(quán)開路關(guān)鍵面積。首先，設(shè)定行結(jié)構(gòu)元素h，使得h所含元素的個(gè)數(shù)大于版圖中的最大線寬所含元素的個(gè)數(shù)，用h和線網(wǎng)N進(jìn)行數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)開運(yùn)算，得到所述線網(wǎng)N的垂直線網(wǎng)部分。對圖2所述的版圖，用1行30列的行結(jié)構(gòu)元素和其進(jìn)行開運(yùn)算，獲得的垂直線網(wǎng)如圖6所示。其次，設(shè)定列結(jié)構(gòu)元素v，使得h所含元素的個(gè)數(shù)大于版圖中的最大線寬所含元素的個(gè)數(shù)，用v和線網(wǎng)N進(jìn)行數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)開運(yùn)算，得到所述線網(wǎng)N的水平線網(wǎng)部分。對圖2所述的版圖，用1列30行的行結(jié)構(gòu)元素和其進(jìn)行開運(yùn)算，獲得的水平線網(wǎng)如圖7所示。最后，用Sobel算子求得水平邊緣信息〃K和垂直線網(wǎng)的邊緣信息vV〃；區(qū)分水平線網(wǎng)為上邊緣yVKt;和下邊緣AW，區(qū)分垂直線網(wǎng)為左邊緣M^和右邊緣yv私；對于上述所述的水平線網(wǎng)的上邊緣NVu和下邊緣NVd和丟失物缺陷t^Jc,》W進(jìn)行數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)膨脹運(yùn)算，對其膨脹運(yùn)算的結(jié)果取交集，獲得水平線網(wǎng)的開路關(guān)鍵面積^^;對于所述的垂直線網(wǎng)的左邊緣yv"、右邊緣yv私和丟失物缺陷^zac,》W進(jìn)行數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)膨脹運(yùn)算，對其膨脹運(yùn)算的結(jié)果取交集，獲得水平線網(wǎng)的開路關(guān)鍵面積^ov;將所述水平線網(wǎng)的開路關(guān)鍵面積^o/和垂直線網(wǎng)的開路關(guān)鍵面積」ov求和得到線網(wǎng)N的開路關(guān)鍵面積jo(JTc，;Tc,AO。如圖2版圖對應(yīng)的垂直版圖如圖6所示，水平版圖如圖7所示，其對應(yīng)的開路關(guān)鍵面積形狀如圖8和圖9中白色區(qū)域所示，通過圖8和圖9求和獲得各線網(wǎng)的開路關(guān)鍵面積^oCYc，;Kc,AO。如對于35*35的矩形缺陷，版圖2的各線網(wǎng)的開路關(guān)鍵面積值如表5所示。表5線網(wǎng)的開路關(guān)鍵面積(u2)<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>2.計(jì)算帯權(quán)開路關(guān)鍵面積。輸入缺陷粒徑概率/Y義c,;rc)和缺陷在線網(wǎng)上的空間概率尸m(尤c利用如下公式獲得帯權(quán)開路關(guān)鍵面積，即如對于圖2所示的版圖，為了簡化計(jì)算，假設(shè)各缺陷的粒徑概率和空間分布概率相等，利用公式(2)計(jì)算出的帶權(quán)關(guān)鍵面積如表6所示。表6線網(wǎng)的開路關(guān)鍵面積(1000u2)<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>第六步，根據(jù)開路帯權(quán)關(guān)鍵面積大小對版圖進(jìn)行第二次優(yōu)化首先，對各帯權(quán)開路關(guān)鍵面積進(jìn)行排序，獲得最大帯權(quán)關(guān)鍵面積對應(yīng)的線網(wǎng)；然后加寬線網(wǎng)；最后重復(fù)第五步和第六步，直到得到滿意的版圖優(yōu)化效果為止。對表6排序，得出最大帯權(quán)開路關(guān)鍵面積為163000u2，與之對應(yīng)為線網(wǎng)1。加寬線網(wǎng)1部分導(dǎo)線得圖12，用同樣分布的缺陷，獲得其開路關(guān)鍵面積如表7所示，可見線網(wǎng)I部分為帶權(quán)開路關(guān)鍵面積最大值，其值為127000u2，其值比原始版圖開路關(guān)鍵面積最大值小36000u2。對于優(yōu)化后的版圖，再次利用步驟第四步和第五步，此時(shí)關(guān)鍵面積的最大值對應(yīng)于線網(wǎng)2，很明顯線網(wǎng)2是當(dāng)前的候選優(yōu)化布線。重復(fù)上述第五步和第六步，直到獲得滿意的預(yù)測成品率。表7線網(wǎng)1加寬后的開路關(guān)鍵面積(1000u2)<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>權(quán)利要求1.一種基于數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)的集成電路版圖優(yōu)化方法，包括如下過程a.將待估計(jì)的集成電路各層平面版圖按線網(wǎng)編號；b.對于平面版圖上各線網(wǎng)對，提取由冗余物缺陷引起的短路帶權(quán)關(guān)鍵面積；c.對所提取的短路帶權(quán)關(guān)鍵面積按線網(wǎng)對排序，并依據(jù)排序順序依次對版圖進(jìn)行第一次優(yōu)化，即改變版圖的線網(wǎng)對間的距離，以減少短路帶權(quán)關(guān)鍵積；d.對于平面版圖上各線網(wǎng)，提取由丟失物缺陷引起的開路帶權(quán)關(guān)鍵面積；e.對于所提取的開路帶權(quán)關(guān)鍵面積，按線網(wǎng)排序，并依據(jù)排序結(jié)果依次對版圖進(jìn)行第二次優(yōu)化，即加寬線網(wǎng)，使其開路待權(quán)關(guān)鍵面積減少；f.重復(fù)過程b到e，直到優(yōu)化完各層平面版圖為止。2.根據(jù)權(quán)利1所述的方法，其中步驟a所述的將待估計(jì)的集成電路各層平面版圖按線網(wǎng)編號，按如下過程進(jìn)行al.將版圖解碼形成兩色的多層平面版圖；a2.將各層平面版圖轉(zhuǎn)化為二值圖；a3.按列遞增的順序賦予二值圖中各連通區(qū)域即線網(wǎng)以編號。3.根據(jù)權(quán)利1所述的方法，其中步驟b所述的提取由冗余物缺陷引起的短路帯權(quán)關(guān)鍵面積，按如下過程進(jìn)行bl.對已標(biāo)識的線網(wǎng)，確定各線網(wǎng)對的可視性；b2.計(jì)算每一對可視線網(wǎng)對(N,，N2)的短路帯權(quán)關(guān)鍵面積jsss(M，7V2)為<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>式中，'(^SD(Xd,W,'iVJ層SN,-SN2)UNp如果SN,7tO和SN2#0^SD(Xc,;Tc，A^iVJ,否則<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>，u為并運(yùn)算符號，門為交運(yùn)算符號，AWYU。，A^,A^是線網(wǎng)Ni對隨機(jī)缺陷d(Xc,Yc)的數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)膨脹運(yùn)算和線網(wǎng)N2對隨機(jī)缺陷d(Xc，Yc)的數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)膨脹運(yùn)算的交集，4PC,A^,W2)為線網(wǎng)對(M，yV,)間的短路關(guān)鍵面積，P.(X"Yc)為缺陷d(Xc,Yc)在線網(wǎng)對(〃〃yV》間的空白區(qū)域N.上的概率，#為當(dāng)前工序?qū)尤毕莸募希琩(Xc，Yc)為任意形狀的缺陷，yje乾(Xc,Yc)為缺陷的形心，尸fXKJ為缺陷J"c,yd在粒徑上發(fā)生的概率，4,,(^,^2)為線網(wǎng)對(N,，N》的帶權(quán)關(guān)鍵面積。4.根據(jù)權(quán)利1所述的方法，其中步驟c所述的改變版圖的線網(wǎng)對間的距離，是在不改變線路性能的前提下，移動線網(wǎng)位置，使線網(wǎng)對的短路帶權(quán)關(guān)鍵面積最小。5.根據(jù)權(quán)利1所述的方法，其中步驟d所述的對于平面版圖上各線網(wǎng)，提取由丟失物缺陷引起的開路帯權(quán)關(guān)鍵面積，按如下過程進(jìn)行dl.設(shè)定行結(jié)構(gòu)元素h，使得h所含元素的個(gè)數(shù)大于版圖中的最大線寬所含元素的個(gè)數(shù)，用h和線網(wǎng)N進(jìn)行數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)開運(yùn)算，得到所述線網(wǎng)N的垂直線網(wǎng)部分；d2.設(shè)定列結(jié)構(gòu)元素v，使得h所含元素的個(gè)數(shù)大于版圖中的最大線寬所含元素的個(gè)數(shù)，用v和線網(wǎng)N進(jìn)行數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)開運(yùn)算，得到所述線網(wǎng)N的水平線網(wǎng)部分；d3.用Sobel算子求得水平邊緣信息/VK和垂直線網(wǎng)的邊緣信息；W;;d4.區(qū)分水平線網(wǎng)為上邊緣yV)^和下邊緣yVW，區(qū)分垂直線網(wǎng)為左邊緣T^和右邊緣線；d5.對于所述的水平線網(wǎng)的上邊緣NVu和下邊緣NVd和丟失物缺陷^"c,7c,進(jìn)行數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)膨脹運(yùn)算，對其膨脹運(yùn)算的結(jié)果取交集，獲得水平線網(wǎng)的開路關(guān)鍵面積d6.對于所述的垂直線網(wǎng)的左邊緣tV"、右邊緣/V佑和丟失物缺陷d^c,W做數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)膨脹運(yùn)算，對其膨脹運(yùn)算的結(jié)果取交集，獲得水平線網(wǎng)的開路關(guān)鍵面積^ov;d7.將所述水平線網(wǎng)的開路關(guān)鍵面積Jo/z和垂直線網(wǎng)的開路關(guān)鍵面積Jov求和得到線網(wǎng)N的開路關(guān)鍵面積力o(Xc,yc,A0;d8.根據(jù)缺陷的分布特征，按照如下公式計(jì)算線網(wǎng)N的開路帯權(quán)關(guān)鍵面積式中，Pm(足Tc)為缺陷d(Xc,Yc)在線網(wǎng)N上的概率，i/為當(dāng)前工序?qū)尤毕莸募?，D(Zc,Fc)為任意形狀的缺陷，KJe抓(/c,Kc)為缺陷的形心，尸(Xr^為缺陷J^的粒徑發(fā)生的概率，七(A,yc,7V)為線網(wǎng)/v的開路關(guān)鍵面積，4(WpW2)為帯權(quán)開路關(guān)鍵面積。6.根據(jù)權(quán)利1所述的方法，其中步驟e所述對于開路帯權(quán)關(guān)鍵面積，是在不改變線路性能的前提下，加寬線網(wǎng)寬度，使線網(wǎng)的開路帶權(quán)關(guān)鍵面積最小。全文摘要本發(fā)明公開了一種利用數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)優(yōu)化集成電路版圖的方法，主要解決現(xiàn)有優(yōu)化方法精確度低和非直觀性的問題。本發(fā)明采用對不同類型的缺陷使用不同的版圖優(yōu)化方法，具體過程是將待估計(jì)的集成電路各層平面版圖按線網(wǎng)編號；對于冗余物缺陷，提取短路帶權(quán)關(guān)鍵面積；對短路帶權(quán)關(guān)鍵面積按線網(wǎng)對排序，根據(jù)排序結(jié)果，對版圖進(jìn)行第一次優(yōu)化；對于丟失物缺陷，提取開路帶權(quán)關(guān)鍵面積；對于開路帶權(quán)關(guān)鍵面積，按線網(wǎng)排序，根據(jù)排序結(jié)果，對版圖進(jìn)行第二次優(yōu)化。本發(fā)明具有版圖優(yōu)化精確度高簡單易行的優(yōu)點(diǎn)，可用于在微電子
技術(shù)領(lǐng)域：
對集成電路版圖的優(yōu)化，進(jìn)一步提升集成電路的成品率。文檔編號G06F17/50GK101419643SQ20081023178公開日2009年4月29日申請日期2008年10月17日優(yōu)先權(quán)日2008年10月17日發(fā)明者敏方,王俊平,躍郝申請人:西安電子科技大學(xué)