專利名稱：具有改進(jìn)的空間模式的高功率vcsel的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及豎直腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)，其包括光學(xué)增益介質(zhì)，該光學(xué)增益介質(zhì)布置于第一分布式布拉格反射器(DBR)與第二分布式布拉格反射器之間，所述第一 DBR和所述第二 DBR形成激光腔且被設(shè)計(jì)成允許所述激光腔中的自容式(self-contained) 激光發(fā)射，且所述第二 DBR對(duì)于在所述激光腔中諧振的激光輻射是部分透明的；以及光學(xué)元件，其布置于所述激光腔的光軸上所述激光腔外的所述第二 DBR的側(cè)部上，所述光學(xué)元件具有朝向所述第二 DBR的凹表面且凹表面被設(shè)計(jì)成將穿過(guò)第二 DBR的激光輻射的一部分反射回到激光腔內(nèi)。在紅外波長(zhǎng)范圍內(nèi)發(fā)射的VCSEL裝置在光學(xué)通信應(yīng)用中相當(dāng)普遍。這種 VCSEL裝置的激光腔包括分布式布拉格反射器的兩個(gè)堆疊，它們?cè)谶m合的基板上外延 (epitaxially)生長(zhǎng)且其封閉由若干量子阱組成的增益區(qū)。DBR層還接管將電流饋送到增益區(qū)內(nèi)的任務(wù)。因此，DBR之一通常是η摻雜的且另一個(gè)為ρ摻雜的。一個(gè)DBR被設(shè)計(jì)成對(duì)于在激光腔中諧振的激光輻射而言是高度反射的，通常P-DBR具有>99. 9%的反射率，而另一個(gè)對(duì)于激光輻射是部分透明的，允許有效地向外耦合并因此也允許反饋到激光腔內(nèi)。VCSEL的較大優(yōu)勢(shì)歸因于其表面發(fā)射性質(zhì)。這允許VCSEL大量的晶片級(jí)生產(chǎn)和測(cè)試，這使低成本生產(chǎn)過(guò)程成為可能。而且，VCSEL的輸出功率可經(jīng)由發(fā)射表面區(qū)域以特定程度進(jìn)行縮放。通過(guò)形成VCSEL陣列而實(shí)現(xiàn)更大輸出功率。
背景技術(shù)：
為了利用VCSEL實(shí)現(xiàn)更高輸出功率，必須提供大的有效面積。但這些大型VCSEL遭受處于更高階空間模式的發(fā)射，此外遭受空間模式分配對(duì)于裝置中饋電電流的強(qiáng)依賴性。更高階空間模式可為環(huán)形且因此在對(duì)稱軸上并不具有任何強(qiáng)度。類似這樣的性能對(duì)于這樣的應(yīng)用是十分關(guān)鍵的即，其中激光二極管的光必須聚焦到特定小的焦點(diǎn)從而以受控方式遞送熱或光功率至物體上小的點(diǎn)。此外，激光模式對(duì)于電流的強(qiáng)依賴性僅允許特別選定的運(yùn)行點(diǎn)來(lái)維持穩(wěn)定發(fā)射模式且因此不是非常實(shí)用的?？朔@些困難的標(biāo)準(zhǔn)方法是減小向外耦合的DBR的反射率且添加外鏡以形成激光腔。這種具有外鏡的修改的VCSEL然后被稱作豎直延伸的腔表面發(fā)射激光器(VECSEL)。 其受益于高輸出功率和明確限定的激光發(fā)射的模式分布。這種激光器可甚至實(shí)現(xiàn)單個(gè)橫向模式的激光發(fā)射。中間DBR的反射率減小使得將不發(fā)生無(wú)外部反饋的激光發(fā)射。隨著將中間DBR的反射率減小到在無(wú)外部光學(xué)反饋情況下激光器不會(huì)運(yùn)行的值，系統(tǒng)的復(fù)雜性顯著地增加，因?yàn)轭~外的外鏡必須以很高精確度對(duì)準(zhǔn)。該裝置與外境的組合也必須小心地安裝且在系統(tǒng)對(duì)準(zhǔn)之后，其必須被固定以用于任何隨后應(yīng)用。由于這些原因，在晶片級(jí)上確定該系統(tǒng)的特征是不可能的。因此使用VECSEL來(lái)代替VCSEL給生產(chǎn)過(guò)程添加了復(fù)雜性。外鏡相對(duì)于半導(dǎo)體裝置對(duì)準(zhǔn)的很小公差需要單個(gè)VECSEL 二極管的復(fù)雜的對(duì)準(zhǔn)和生產(chǎn)過(guò)程，并因此在形成VECSEL 二極管陣列時(shí)需要甚至更復(fù)雜且因此更昂貴的對(duì)準(zhǔn)過(guò)程。因此，通過(guò)添加外腔而省略了VECSEL的獨(dú)特性質(zhì)的大部分，如晶片規(guī)模生產(chǎn)和測(cè)試。US6, 661，829B2描述了一種VCSEL，其包括反饋構(gòu)件，該反饋構(gòu)件將在外部發(fā)射自激光腔的光的一部分反射回到該腔內(nèi)。反饋構(gòu)件充當(dāng)用于激光諧振器的凹面鏡。通過(guò)適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)和布置該反饋構(gòu)件，VCSEL主要以單個(gè)基本橫向模式運(yùn)行。反饋構(gòu)件可為凸透鏡結(jié)構(gòu)的內(nèi)透鏡表面且附連到VCSEL裝置上。以VCSEL結(jié)構(gòu)的典型尺寸計(jì)算，反饋構(gòu)件的反射表面的曲率半徑R與反饋構(gòu)件與增益介質(zhì)之間的距離d的比值R/d在本文中在20與50之間的范圍內(nèi)。反饋構(gòu)件將在外部發(fā)射自激光腔的激光輻射的一部分饋送回到諧振器內(nèi)且因此影響激光發(fā)射性能，特別地影響原始模式。這種激光設(shè)計(jì)適合于允許主要處于基本橫向模式的激光振蕩。為了實(shí)現(xiàn)高功率運(yùn)行，此文提出增加振蕩孔徑和反饋構(gòu)件的有效直徑和曲率半徑中的至少一個(gè)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種高功率VCSEL裝置，其以令人滿意的模式分配和以甚至更高的功率水平的穩(wěn)定性來(lái)發(fā)射激光輻射。這個(gè)目的由權(quán)利要求1的VCSEL裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)。這個(gè)VCSEL裝置的有利實(shí)施例是從屬權(quán)利要求的主題或者在說(shuō)明書(shū)的隨后部分中描述。所提出的VCSEL裝置包括布置于第一 DBR與第二 DBR之間的光學(xué)增益介質(zhì)，所述第一 DBR和第二 DBR形成激光腔且被設(shè)計(jì)成允許所述激光腔中的自容式激光發(fā)射。第二 DBR 對(duì)于激光腔中諧振的激光輻射是部分透明的。因此第二 DBR形成激光腔的向外耦合鏡且對(duì)于激光輻射仍具有足夠高的反射系數(shù)以允許自容式的激光發(fā)射，即，在由兩個(gè)DBR限定的激光腔內(nèi)無(wú)任何外部光學(xué)反饋的情況下發(fā)射激光。DBR和增益介質(zhì)可以以已知方式由適當(dāng)?shù)膶佣询B來(lái)形成。光學(xué)元件布置于激光腔的光軸上激光腔外的所述第二 DBR的側(cè)部上。光學(xué)元件具有朝向所述第二 DBR的凹表面且被設(shè)計(jì)成將發(fā)射透過(guò)第二 DBR的激光輻射的一部分反射回到激光腔內(nèi)。為了實(shí)現(xiàn)高功率輸出，凹表面的曲率半徑R與所述凹表面和增益介質(zhì)之間的距離d的比值R/d在1與2之間的范圍內(nèi)。所提出的VCSEL裝置基于常用的VCSEL，其具有形成激光腔的兩個(gè)DBR的典型反射率以允許這個(gè)VCSEL的已呈自容式的激光發(fā)射而無(wú)需任何另外的光學(xué)反饋。優(yōu)選弱外部光學(xué)反饋被添加到這種VCSEL設(shè)計(jì)，以減小該裝置的有效面積中基本模式的點(diǎn)大小且也減小激光器的發(fā)射的橫向模式的數(shù)量。通過(guò)添加外部光學(xué)裝置實(shí)現(xiàn)外部反饋，外部光學(xué)裝置具有小反射率的凹表面，反射率優(yōu)選地彡40%,以足以引起某些弱外部反饋到達(dá)VCSEL的激光腔內(nèi)。作為設(shè)計(jì)具有高反射外鏡和中間DBR的減小的反射率的VECSEL的替代，具有大約 20%至30%反射率的低反射表面足以將光耦合回到激光腔內(nèi)并足以引入某種反饋，造成空間模式階的減小。通過(guò)選擇反射表面到增益介質(zhì)的距離d(該距離在光軸上測(cè)量)和反射表面的曲率半徑R使得比值R/d在1與2之間，提供大增益面積裝置，其在實(shí)現(xiàn)激光發(fā)射的高功率輸出的同時(shí)實(shí)現(xiàn)所需空間模式的減小和穩(wěn)定。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，作為上述現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)中所提出的增加比值R/d的替代，減小此比值對(duì)于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的是至關(guān)重要的。所提出的VCSEL結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)是，發(fā)現(xiàn)可以以大公差對(duì)準(zhǔn)光學(xué)元件以便改進(jìn)模式分布以及 VCSEL裝置的效率。這完全不同于VECSEL的外鏡對(duì)準(zhǔn)所必需的高精確度且因此仍允許這種 VCSEL裝置在晶片級(jí)上的制造和測(cè)試。
在所提出的VCSEL裝置的一個(gè)實(shí)施例中，朝向第二 DBR的凹表面是光學(xué)透鏡的內(nèi)表面。這種透鏡可用于聚焦、準(zhǔn)直或發(fā)散由VCSEL裝置發(fā)射的激光束。為了實(shí)現(xiàn)激光輻射的一部分適當(dāng)?shù)胤瓷浠氐郊す馇粌?nèi)，此透鏡的外表面優(yōu)選地被適當(dāng)?shù)赝扛?。在另一?shí)施例中，例如在上部DBR頂部上向前發(fā)射的VCSEL的情況下，光學(xué)元件直接附連到VCSEL上。為此，光學(xué)元件由對(duì)激光輻射的波長(zhǎng)透明的光學(xué)透明材料設(shè)計(jì)而成，且在頂部形成作為該元件內(nèi)表面的反射表面，即，凸出地成形以形成凹反射內(nèi)表面。為了實(shí)現(xiàn)激光腔內(nèi)足夠大的反饋區(qū)域以用于高功率輸出，反射表面與增益介質(zhì)之間的距離應(yīng)足夠高以允許反射表面足夠大的曲率半徑。優(yōu)選地，反射表面與增益介質(zhì)之間的距離彡1mm，通常在Imm與4mm之間且優(yōu)選地在1. 5mm與3. Omm之間。對(duì)于許多應(yīng)用，提出的若干VCSEL裝置在共同基板上并排地排列以形成VCSEL陣列。這些VCSEL陣列可用于例如加熱或干燥應(yīng)用，用于快速熱處理或食品處理。另一重要應(yīng)用是在印刷技術(shù)領(lǐng)域。在此領(lǐng)域，VCSEL陣列優(yōu)選地用于利用激光輻射來(lái)生成圖像(用于僅印刷一次或者以優(yōu)選方式印刷多次)，特別地用于成像、記錄或?qū)懭胗∷⒔Y(jié)構(gòu)(printing form)，印刷結(jié)構(gòu)諸如印刷板或滾筒的印刷表面。VCSEL陣列可集成在印刷基板處理設(shè)備(特別是印刷機(jī))中，或者集成在印刷結(jié)構(gòu)處理設(shè)備(特別是板設(shè)置機(jī))中。這種機(jī)器或設(shè)備的實(shí)例可見(jiàn)于 Kipphan, Handbook of Print Media, Springer-Verlag, Berlin, 2001, 4. 3 章(Computer to Plate/to Cylinder/to Screen)禾口 4. 4 章(Computer to Press/Direct Imaging)。在一優(yōu)選實(shí)施例中，該機(jī)器是處理片的平版膠印機(jī)且VCSEL陣列用于印刷機(jī)中以使安裝于機(jī)器的印刷結(jié)構(gòu)滾筒上的平版印刷板成像。在另一優(yōu)選實(shí)施例中，該機(jī)器是與印刷機(jī)分離的成像設(shè)備且VCSEL陣列用于該成像設(shè)備中以使安裝于該設(shè)備的成像滾筒上的平版印刷板成像。參考下文描述的實(shí)施例，本發(fā)明的這些和其它方面將會(huì)清楚明白并得以闡明。


下文的示范性實(shí)施例參考附圖示出所提出的VCSEL裝置的實(shí)例，而不限制由權(quán)利要求所限定的保護(hù)范圍。附圖示出
圖1根據(jù)本發(fā)明的裝置的第一實(shí)施例的示意圖； 圖2根據(jù)本發(fā)明的裝置的第二實(shí)施例的示意圖； 圖3根據(jù)本發(fā)明的裝置的示范性陣列的示意圖。
具體實(shí)施例方式圖1示出所提出的VCSEL裝置的第一實(shí)例的示意圖。在此實(shí)施例中，由與VCSELl 間隔開(kāi)放置的曲面鏡來(lái)實(shí)現(xiàn)弱反饋，VCSELl僅在圖1中示意性地示出。在VCSELl的上部 DBR上的限制層2形成用于所發(fā)射的激光輻射的孔徑，激光束6在附圖中被標(biāo)示出。在此實(shí)例中形成用于反饋的反射表面的光學(xué)元件是被涂覆的微透鏡4。該涂層可為如Ta2O5和 SiO2或類似材料的適當(dāng)介電層的堆疊。此微透鏡4附連到厚度為200 μ m的玻璃塊3上。在 VCSELl與此玻璃塊3之間的空氣間隙是3mm。微透鏡被涂覆成使得內(nèi)表面5對(duì)激光輻射具有30%的反射率，使得由VCSELl發(fā)射的激光輻射的30%反饋到激光腔內(nèi)。這改進(jìn)且穩(wěn)定了 VCSEL內(nèi)的空間模式分布。內(nèi)反射表面5的曲率半徑是3. 3mm。
利用這種裝置，例如對(duì)于80 μ m的有效面積的直徑，在激光發(fā)射遠(yuǎn)場(chǎng)中VCSEL的空間模式從在對(duì)稱軸上無(wú)強(qiáng)度的環(huán)形較高階模式變成最大強(qiáng)度集中于對(duì)稱軸上的模式?？臻g模式分配并非單個(gè)模式，而是足以用于必須將光遞送到小焦點(diǎn)的大多數(shù)應(yīng)用中。令人驚奇的是，外部光學(xué)元件(即，玻璃塊3)與微透鏡4的對(duì)準(zhǔn)并非十分關(guān)鍵，這不同于豎直延伸的腔表面發(fā)射激光器(VECSEL)的領(lǐng)域中的文獻(xiàn)和常識(shí)所預(yù)期的那樣，在豎直延伸的腔表面發(fā)射激光器(VECSEL)中輸出功率和空間模式分布十分關(guān)鍵地取決于外鏡的對(duì)準(zhǔn)，從而對(duì)準(zhǔn)的公差很小。與此相反，為了對(duì)準(zhǔn)所提出的低反射反饋，可使用低成本的標(biāo)準(zhǔn)工具和攝像機(jī)，這顯著地簡(jiǎn)化了對(duì)準(zhǔn)過(guò)程。對(duì)于具有80 μ m的有效面積的直徑的VCSEL裝置而言，在該裝置前方的涂覆的微透鏡的士50μπι位移(在豎直和水平方向)的對(duì)準(zhǔn)公差內(nèi)實(shí)現(xiàn)最佳空間模式減小。這種VCSEL裝置的另一優(yōu)點(diǎn)在于使用VCSEL結(jié)構(gòu)的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)而無(wú)需重新設(shè)計(jì)該結(jié)構(gòu)來(lái)采用所提出的VCSEL概念。于是可以僅通過(guò)添加小的外部反射率，即適當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)元件來(lái)改變完成的VCSEL的模式分布。引入到激光束內(nèi)的額外反射率將激光束的部分反射回到 VCSEL結(jié)構(gòu)內(nèi)，S卩，反射到激光腔內(nèi)，該額外反射率不會(huì)顯著地影響激光輸出的強(qiáng)度。其甚至部分地改進(jìn)了性能，因?yàn)槠錅p小了閾值電流并將熱拐點(diǎn)(thermal roll-over)移動(dòng)至更高的電流。激光發(fā)射的空間模式在整個(gè)VCSEL裝置的運(yùn)行區(qū)域上穩(wěn)定直到熱拐點(diǎn)。通過(guò)使用射線矩陣方法來(lái)計(jì)算激光器的諧振器并與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相比較，可提取反饋的設(shè)計(jì)指導(dǎo)。此過(guò)程可幫助設(shè)計(jì)反饋的實(shí)際參數(shù)，因?yàn)楸M管外部反饋很弱，仍采用穩(wěn)定諧振器的理論。將利用射線矩陣方法計(jì)算的激光束的模式腰部(mode waist)與利用弱反饋的空間模式測(cè)量的實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行比較得到以下結(jié)論特定模式腰部(取決于該裝置的實(shí)際參數(shù))與低階且所有強(qiáng)度集中于對(duì)稱軸上的經(jīng)優(yōu)化的且穩(wěn)定的模式相關(guān)。此模型因此可用于預(yù)測(cè)用于外部反饋的諧振器設(shè)計(jì)，諸如最佳距離和光學(xué)反射器的曲率半徑，其比值R/d必須被選在1與2之間。從上文所述，顯然VCSEL本身(即，無(wú)外部光學(xué)元件)的設(shè)計(jì)可以以本領(lǐng)域中已知的相同方式選擇。因此，這種設(shè)計(jì)的實(shí)例并未在本專利申請(qǐng)中描述，因?yàn)樗鼈兪潜绢I(lǐng)域技術(shù)人員的常識(shí)。在允許高輸出功率輸出的同時(shí)，源自模式改進(jìn)和穩(wěn)定的問(wèn)題的解決方案的另一益處是設(shè)計(jì)低反射光學(xué)元件使得此元件可直接安裝(例如，膠合或結(jié)合)到VCSEL或甚至 VCSEL陣列的發(fā)射表面上以形成混合包裝的可能性。為此，用于安裝在激光器頂部的微透鏡優(yōu)選地為平凸型，具有抵靠VCSEL結(jié)構(gòu)定位的平側(cè)以用于很簡(jiǎn)單的安裝。這種裝置的實(shí)例在圖2中示意性地描繪。此圖示出基于下部DBR 9、增益介質(zhì)8和上部DBR7以及電接觸件 10和層結(jié)構(gòu)11的典型VCSEL設(shè)計(jì)，該層結(jié)構(gòu)11包括基板，VCSEL結(jié)構(gòu)在基板上生長(zhǎng)。此為所謂的背側(cè)或底部發(fā)射VCSEL，其將激光輻射發(fā)射透過(guò)對(duì)于該波長(zhǎng)透明的基板。在此層結(jié)構(gòu) 11頂部上附連平凹微透鏡4。此微透鏡4的上內(nèi)表面5形成用于弱反饋的凹反射表面。虛線指示激光發(fā)射的光錐。在圖2的實(shí)施例中，凹反射表面5與增益介質(zhì)8之間的距離被選為大約2mm，而微透鏡(即，凹反射表面5)的曲率半徑被選為2. 3mm。這種裝置可以以晶片級(jí)形成從而實(shí)現(xiàn)VCSEL裝置的陣列，其中涂覆的微透鏡結(jié)構(gòu)在頂部。這種VCSEL裝置的陣列在圖3中示范性地示出。在權(quán)利要求中，詞語(yǔ)“包括”并不排除其它元件或步驟，且不定冠詞“一”并不排除多個(gè)。在互不相同的從屬權(quán)利要求中陳述特定措施這一起碼事實(shí)并不表示不能使用這些措施的組合來(lái)取得益處。舉例而言，外部元件并不限于使用透鏡，而是也可包括例如與VCSEL 的一部分間隔開(kāi)的凹面鏡的實(shí)例。權(quán)利要求中的附圖標(biāo)記不應(yīng)被理解為限制這些權(quán)利要求的范圍。 元件列表
1 VCSEL 2限制層 3玻璃塊 4微透鏡 5內(nèi)反射表面 6激光束 7上部DBR 8增益介質(zhì) 9下部DBR 10電接觸件 11層結(jié)構(gòu)
權(quán)利要求
1.一種VCSEL裝置，其包括光學(xué)增益介質(zhì)(8)，其布置于第一 DBR(9)與第二 DBR(7)之間， 所述第一、第二 DBR(7，9)形成激光腔且被設(shè)計(jì)成允許所述激光腔中的自容式激光發(fā)射，且所述第二 DBR(7)對(duì)于在所述激光腔中諧振的激光輻射是部分透明的；以及， 光學(xué)元件，其布置于所述激光腔的光軸上所述激光腔外的所述第二 DBR(7)的側(cè)部上， 所述光學(xué)元件具有朝向所述第二 DBR(7)的凹表面( 且凹表面( 被設(shè)計(jì)成將透過(guò)所述第二 DBR(7)發(fā)射的激光輻射的一部分反射回到所述激光腔內(nèi)，其中所述凹表面( 的曲率半徑R與所述凹表面( 和所述增益介質(zhì)(8)之間的距離d的比值R/d在1與2之間的范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VCSEL裝置，其中，朝向所述第二 DBR(7)的所述凹表面(5)對(duì)于所述激光輻射具有20%與30%之間的反射率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的VCSEL裝置，其中，朝向所述第二 DBR(7)的所述凹表面(5)是微透鏡⑷的內(nèi)表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的VCSEL裝置， 其中，所述微透鏡(4)是平凸透鏡。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的VCSEL裝置，其中，朝向所述第二 DBR(7)的所述凹表面(5)是安裝在所述第二 DBR(7)上的光學(xué)元件的內(nèi)表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VCSEL裝置，其中，所述凹表面(5)與所述增益介質(zhì)⑶之間的所述距離> 1mm。
7.—種VCSEL陣列，其包括在共同基板(11)上的若干根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的VCSEL裝置。
8.一種利用激光輻射來(lái)生成圖像，特別是用于使印刷結(jié)構(gòu)成像的裝置，該裝置包括至少一個(gè)根據(jù)權(quán)利要求7所述的VCSEL陣列。
9.利用激光輻射將根據(jù)權(quán)利要求7所述的VCSEL陣列用于生成圖像，特別地用于使印刷結(jié)構(gòu)成像的用途。
10.印刷基板處理設(shè)備，特別是印刷機(jī)，其包括至少一個(gè)根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置。
11.印刷結(jié)構(gòu)處理設(shè)備，特別是板設(shè)置機(jī)，其包括至少一個(gè)根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種VCSEL裝置，其包括布置于第一DBR(9)與第二DBR(7)之間的光學(xué)增益介質(zhì)(8)。第一DBR和第二DBR形成激光腔且被設(shè)計(jì)成允許所述激光腔中的自容式激光發(fā)射，所述第二DBR(7)對(duì)于在激光腔中諧振的激光輻射是部分透明的。光學(xué)元件布置于激光腔的光軸上激光腔外的第二5DBR(7)的側(cè)部上。光學(xué)元件具有朝向第二DBR(7)的凹表面(5)且凹表面(5)被設(shè)計(jì)成將透過(guò)第二DBR(7)發(fā)射的激光輻射的一部分反射回到激光腔內(nèi)。凹表面(5)的曲率半徑R與凹表面(5)和增益介質(zhì)(8)之間的距離d的比值R/d在1與2之間的范圍10內(nèi)。利用所提出的VCSEL裝置，實(shí)現(xiàn)了具有改進(jìn)的模式分配和模式穩(wěn)定性的高功率輸出。
文檔編號(hào)G06K15/12GK102246367SQ200980149700
公開(kāi)日2011年11月16日 申請(qǐng)日期2009年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月10日
發(fā)明者S. 科爾布 J., 米勒 M., 溫特施泰因 S., 恩斯特 U. 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司