專利名稱：供接收感應(yīng)信號傳輸?shù)挠嬎阍O(shè)備使用的護(hù)罩的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
所公開的實施例涉及能夠接收感應(yīng)信號的移動計算設(shè)備。特別地，所公開的實施例涉及供接收感應(yīng)信號傳輸?shù)挠嬎阍O(shè)備使用的護(hù)罩(shield)。
背景技術(shù)：
眾所周知，在磁感應(yīng)中，在存在電導(dǎo)體的情況下，可以利用變化的磁通密度來產(chǎn)生電流。靜磁體(例如條形磁體)不會感生此類電流，因為此類磁體不具有時變磁場。時變磁場中感應(yīng)電流的一種常見實施方式是變壓器。在典型的變壓器設(shè)計中，一個繞組中的交變 (AC或時變)電流會在鐵芯中感生時變磁場。這又會在輸出繞組中感生不同的電流。


圖1為圖示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的兩個計算設(shè)備的代表圖，為了使一個設(shè)備能夠向另一設(shè)備提供功率和/或數(shù)據(jù)信號，可以使這兩個計算設(shè)備相接觸。圖2為根據(jù)一個或多個實施例而配置的計算設(shè)備的簡圖。圖3A圖示供包括一個或多個線圈的設(shè)備使用的感應(yīng)護(hù)罩的一個實施例。圖;3B圖示根據(jù)一個實施例的高磁導(dǎo)材料的層。圖3C圖示根據(jù)另一個實施例的高磁導(dǎo)材料的另一層。圖4A圖示根據(jù)另一個實施例的位于外殼結(jié)構(gòu)的內(nèi)層上的感應(yīng)護(hù)罩。圖4B圖示圖4A的一個實施例的變化形式，其中hi Mu層被構(gòu)造為非平面或多層結(jié)構(gòu)。圖5圖示根據(jù)一個實施例的感應(yīng)護(hù)罩的又另一個實施例。圖6A為根據(jù)一個實施例的供由兩個計算設(shè)備共享的感應(yīng)信號傳送系統(tǒng)使用的護(hù)罩的俯視透視圖。圖6B為圖6A沿線A-A的側(cè)橫截面視圖。圖6C為圖6A沿線B-B的側(cè)橫截面視圖。圖6D重復(fù)圖6C，但具有附加為圖解的代表性磁通導(dǎo)管(conduit)。圖6E圖示一個替代變化形式，其中使用三葉形的Hi MU層614，代替四葉形的Hi
MU層。圖7A和7B圖示本文中所描述的其他實施例的一個變化形式。
圖8A為根據(jù)另一個實施例的計算系統(tǒng)的簡圖，其中塢站包括感應(yīng)護(hù)罩。圖8B圖示具有保護(hù)設(shè)備主體中的組件的感應(yīng)護(hù)罩的塢站。圖9A為根據(jù)一個實施例的由計算設(shè)備和塢站組成的計算系統(tǒng)的簡圖。圖9B圖示根據(jù)一個實施例的圖9A的一個實施例的一個變化形式。圖9C圖示圖9B的一個實施例的一個變化形式，其中為塢站提供電護(hù)罩作為垂直元件。圖IOA到圖IOC圖示根據(jù)另一個實施例的基底材料中芯(core)的使用。圖IlA和圖IlB圖示當(dāng)在計算設(shè)備的后表面上使用金屬徽標(biāo)時消除功率損耗的技術(shù)。
具體實施例方式本文中所描述的實施例包括能夠從兼容設(shè)備處接收或向其傳輸感應(yīng)信號的計算設(shè)備。此計算設(shè)備包括感應(yīng)護(hù)罩，該感應(yīng)護(hù)罩保護(hù)外部設(shè)備和/或設(shè)備的組件免受不需要的磁感應(yīng)電氣效應(yīng)的影響。本文中所描述的實施例提供感應(yīng)護(hù)罩，其用于保護(hù)與另一計算設(shè)備感應(yīng)耦合的計算設(shè)備。特別地，本文中所描述的實施例提供感應(yīng)護(hù)罩，以保護(hù)從另一設(shè)備接收感應(yīng)傳輸信號的設(shè)備的電路或電子元件免受感應(yīng)傳輸該信號的設(shè)備的磁場影響。若一種材料的磁導(dǎo)率是空氣磁導(dǎo)率的數(shù)百(例如300)倍，則在本文中其被視為具有高磁導(dǎo)率。如本文所述，若此類材料具有低電導(dǎo)率，則此類材料可以被用作低磁阻磁通路線導(dǎo)架(flux path guide)。作為替代，若作出努力以對感應(yīng)渦流進(jìn)行限制，則具有高磁導(dǎo)率但還表現(xiàn)出高電導(dǎo)率的候選磁通路線材料可以被用作低磁阻磁通路線導(dǎo)架。特別地，此類高導(dǎo)電/高磁導(dǎo)率材料可以在結(jié)構(gòu)上被配置為通過例如在材料中形成槽或孔、減小材料厚度或通過使用多層層壓技術(shù)來用作磁阻相對較低的磁通導(dǎo)架。本文中所描述的許多實施例應(yīng)用在任意兩個感應(yīng)耦合且承載電路或電子元件的設(shè)備之間。在某些實施例中，這兩個設(shè)備對應(yīng)于移動計算設(shè)備和塢站(或塢)。但是，其他配置和設(shè)備可以根據(jù)本文中所描述的實施例進(jìn)行配置。本文中所描述的某些實施例通?？赡苄枰褂糜嬎銠C，包括處理資源和存儲資源。例如，本文中所描述的系統(tǒng)可以實施于服務(wù)器或網(wǎng)絡(luò)服務(wù)上。此類服務(wù)器可以通過網(wǎng)絡(luò)諸如因特網(wǎng)，或者通過網(wǎng)絡(luò)(諸如蜂窩網(wǎng)絡(luò)和因特網(wǎng))的組合，而連接并且由用戶使用。或者，本文中所描述的一個或多個實施例可以全部或部分地在本地實施于計算機(例如臺式機、蜂窩電話、個人數(shù)字助理或膝上型計算機)上。因此，存儲器資源、處理資源和網(wǎng)絡(luò)資源均可以與本文中所描述的任何實施例的建立、使用或執(zhí)行結(jié)合使用(包括與任何方法的執(zhí)行及任何系統(tǒng)的實現(xiàn)結(jié)合使用)。此外，本文中所描述的某些實施例可以通過使用可由一個或多個處理器執(zhí)行的指令而實施。這些指令可以承載在計算機可讀介質(zhì)上。以下在圖中所示機器提供了處理資源及計算機可讀介質(zhì)的實例，用于實施本發(fā)明實施例的指令可在所述介質(zhì)上承載和/或執(zhí)行。特別地，本發(fā)明實施例中所示的多個機器包括用于保持?jǐn)?shù)據(jù)和指令的各種形式的存儲器以及(多個)處理器。計算機可讀介質(zhì)的實例包括永久存儲器存儲設(shè)備，例如個人計算機或服務(wù)器上的硬盤驅(qū)動器。計算機存儲介質(zhì)的其他實例包括便攜式存儲單元，例如CD或DVD單元、閃存(例如承載于許多移動電話和個人數(shù)字助理(PDA)上)和磁存儲器。計算機、 終端及支持網(wǎng)絡(luò)的設(shè)備(例如，諸如移動電話的移動設(shè)備)全都是利用處理器、存儲器以及存儲在計算機可讀介質(zhì)上的指令的機器和設(shè)備的實例。概述。圖1為圖示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的兩個計算設(shè)備的代表圖，為了使一個設(shè)備能夠向另一設(shè)備提供功率和/或數(shù)據(jù)信號，可以使這兩個計算設(shè)備相接觸。本文中所描述的多個實施例(包括諸如關(guān)于圖1所描述的一個實施例)提到移動計算設(shè)備(“MCD”)及塢站(“dock”)作為為了在不使用傳統(tǒng)插入式或機械耦合的連接器的情況下進(jìn)行功率/數(shù)據(jù)傳送而互相接觸的兩個設(shè)備。但是，不同類型的設(shè)備(例如便攜式設(shè)備及附屬設(shè)備)可以用于本文中所描述的實施例。在為許多所描述的實施例提供的實例中，這兩個設(shè)備可以對應(yīng)于，例如，MCD和MCD的附屬設(shè)備。在一種實施方式中，MCD是具有蜂窩數(shù)據(jù)和電話功能的多功能設(shè)備，而附屬設(shè)備則對應(yīng)于，例如，塢站(用于通信和供電)、背馱式(背負(fù)式)附件、投光器、音箱或耳機站。作為蜂窩電話/數(shù)據(jù)功能的補充或替代，MCD可以包括，例如，用作媒體播放器、相機或錄像機、全球定位單元、超便攜式個人計算機、膝上型計算機或多功能計算設(shè)備的功能。本文中所描述的許多其他實例和實施方式包括三個或更多設(shè)備通過一個或多個無連接器式連接而互相連接的實施例。因此，系統(tǒng)100包括由塢站120支撐或以其它方式保持的MCD 110。MCD 110被支撐的方式可能有所不同。此外，如關(guān)于一個或多個實施例所述，MCD在塢站上的取向可以由用戶出于配置一個或兩個設(shè)備的操作或行為的目的而更改。根據(jù)所示的一個實施例的取向，MCD 110在塢站120上以沿其長度軸(L)部分直立位置受到支撐。此類取向可以對應(yīng)于“豎向(portrait)”位置。在替代的取向是可能的一個實施例中，“橫向(landscape)”位置，或介于豎向與橫向位置之間的位置是可能的。根據(jù)一個實施例，塢站120利用物理支撐結(jié)構(gòu)(未顯示)，例如擱架、平臺、鉤子或機械保持特征，來將MCD 110保持在入塢(docked)或配對位置。在另一個實施例中，塢站120 和/或MCD 110可以包括或提供磁力扣，以確保倚靠塢站保持MCD。系統(tǒng)100的MCD 110和塢站120被感應(yīng)啟用，以使得一個或兩個設(shè)備能向另一設(shè)備感應(yīng)傳輸功率或數(shù)據(jù)。每個設(shè)備可以包括感應(yīng)資源，以實現(xiàn)感應(yīng)信號的傳輸和/或接收。 特別地，MCD包括從塢站120接收感應(yīng)信號的組件集105。同樣，塢站120可以包括用于向 MCD 110感應(yīng)傳輸功率和/或數(shù)據(jù)信號的資源121。例如，塢站120可以與電源出口或另一計算機(例如臺式計算機)匹配，以擴(kuò)展功率和/或數(shù)據(jù)信號。資源121可以包括電路或硬件，例如AC/DC轉(zhuǎn)換器和調(diào)節(jié)器。為了使得塢站120能夠從個人計算機或其他計算站接收電功率，為塢站120提供一個包括物理連接器端口的實施方式，例如提供有通用串行總線 (USB)連接器。此外，塢站120可以包括數(shù)據(jù)獲取功能，其通過計算機的連接器端口、無線端口(例如蜂窩、WiMax連接和藍(lán)牙)、因特網(wǎng)端口和媒體饋送(例如通過電視諧調(diào)器和電纜提供)提供。如圖1的一個實施例所示，MCD 100具有厚度為(t)的外殼殼體112。外殼殼體 112可用于保持MCD 110的內(nèi)部組件，例如電路板、處理器、存儲器或顯示組裝件的組件。組件集105可以承載組件(如下所述)以使得設(shè)備(i)能從塢站120接收感應(yīng)傳輸；(ii)和/ 或傳輸感應(yīng)信號(功率或數(shù)據(jù))。在一個實施例中，組件集105包括用于將電信號轉(zhuǎn)換到磁場(反之亦然)的電路元件、處理器和一個或多個線圈。如關(guān)于許多實施例所述，MCD 110的組件集105包括感應(yīng)護(hù)罩115，該護(hù)罩保護(hù)MCD 的其他元件免受塢站120在產(chǎn)生感應(yīng)信號時所生成的磁場的影響。特別地，由塢站120生成的磁場可能在MCD的電氣元件中引起渦流或側(cè)電流(side current)。為處理此類交叉電流，一個或多個實施例提供使用感應(yīng)護(hù)罩115，以阻止或抑制MCD 110的磁場到達(dá)或影響 MCD 110的其他組件(包括不用于與塢站120進(jìn)行感應(yīng)信號發(fā)送的組件)。圖2為根據(jù)一個或多個實施例而配置的計算設(shè)備200的簡圖。在圖2中，計算設(shè)備200包括外殼210，該外殼具有為定位一個或多個磁線圈220而構(gòu)造的外觀212。磁線圈 220可以向/從另一設(shè)備(例如，諸如圖1中所示的塢站)傳輸/接收感應(yīng)信號。磁線圈220 在磁場下操作，該磁場在磁線圈220上感生電流。外殼210以與線圈220的操作磁場和線圈不同的接近性來保持電路211和電氣組件213。本文中所描述的實施例認(rèn)識到磁場的存在可以在除線圈220之外的電路/組件中感生電流或其他不希望的電氣影響。此類電氣影響可能損壞電路或電氣元件，減少其使用壽命或干擾設(shè)備其他操作。因此，實施例提供使用感應(yīng)護(hù)罩230，其可保護(hù)電路211和/或組件213免受不需要的磁干擾的影響。在某些實施例中，電路211和組件213對應(yīng)于射頻接收器和發(fā)射器，當(dāng)存在感應(yīng)感生的噪聲時，其遭受相當(dāng)?shù)男阅軗p失。更進(jìn)一步來說，感應(yīng)護(hù)罩提高了感應(yīng)能量傳送系統(tǒng)的效率。在某些實施例中，感應(yīng)護(hù)罩230包含多層材料，包括絕緣(熱或電)材料和/或具有高磁導(dǎo)率的材料。感應(yīng)護(hù)罩230的各層還可以包括不同的幾何形(盤形、環(huán)形、矩形、T形(三葉形)、十字形(四葉形)等。)感應(yīng)護(hù)罩的各層還可以包括不同的三維等高線。例如，某些實施例提供具有高磁導(dǎo)率(Hi MU)的材料，其被定形以延伸三維(X，Y, Z)上的長度。圖3A圖示供包括一個或多個線圈320、322的設(shè)備使用的感應(yīng)護(hù)罩的一個實施例。 在一個實施例中，感應(yīng)護(hù)罩310的各層中的至少一些為盤形。在一個實施例中，感應(yīng)護(hù)罩包括(i)絕緣盤；340 (通常為可選)，(^)^ MU基底材料；342 ；和(iii)絕緣墊；344。可選地， 該堆中也可以提供電絕緣層346，以保護(hù)不受電場(與磁通相關(guān))的影響。在其他實施例中， 感應(yīng)護(hù)罩可以包括更多或更少的層和/或不同的材料層。如關(guān)于許多實施例所述，感應(yīng)護(hù)罩310可以被用作可作用于設(shè)備磁路的磁通導(dǎo)管。在某些實施例中，感應(yīng)護(hù)罩可以形成延伸至其他設(shè)備的磁通導(dǎo)管的一部分，以便載送或分布磁通。Hi MU材料342可以具有若干形式、成分或結(jié)構(gòu)。在一個實施例中，Hi MU材料342對于磁通是高磁導(dǎo)的，以便提供低磁阻磁通路線。更進(jìn)一步來說，在某些實施例中，Hi MU材料342表征為低磁阻和高電阻。這些各個層可以縮至一個厚度，以形成感應(yīng)護(hù)罩310。許多其他配置是可能的，包括所使用的層的數(shù)量和類型的變化以及各層的幾何形的變化。作為圖3A的一個實施例的一個變化形式并參考該實施例，圖:3B描繪Hi MU材料 382層，該層包括最小化感應(yīng)渦流的弧形邊緣和/或切槽。另一個實例，參考圖3C，一個實施例提供感應(yīng)護(hù)罩310，其基本上由具有針對磁通的高磁導(dǎo)率、低磁阻和高電阻的材料層392提供。此類材料的一個實例是Finemet。使用此類材料消除了對切槽或其他層的需要。如關(guān)于圖6A及相關(guān)實施例所述，使用材料392 (例如Finemet)可以承載不同的幾何形配置。例如，在所示的實施方式中，材料392為三葉形。 在替代變化形式中，相同的材料可以被置于采用雙葉(即條形)或四葉(例如十字形)形式的計算設(shè)備外殼的表面內(nèi)。如圖3C (及圖;3B中)所描繪的材料允許高效的防感應(yīng)耦合噪聲的平且薄的層。在一個實施方式中，所使用的一個或多個Finemet層的厚度約小于100微米，具體來說是小于 40微米，或者更具體地說是厚度為18微米左右。在某些實施例中，使用兩個或多個Finemet 層(或使用其他具有類似厚度的適用材料)。圖4A圖示根據(jù)另一個實施例的位于外殼結(jié)構(gòu)內(nèi)層上的感應(yīng)護(hù)罩。在圖4A中，感應(yīng)護(hù)罩410可定位得位于設(shè)備外殼404內(nèi)部，以便與外殼背面的內(nèi)面405相鄰。與圖3A的實施例一樣，感應(yīng)護(hù)罩410被定位得位于線圈420下方，以便隔開線圈和電路/電氣組件411、 413或在其之間提供間隔。在所示的一個實施例中，感應(yīng)護(hù)罩包括兩層(i)Hi Mu層414， 以及(ii)垂直位于線圈420和Hi Mu層414之間的可選的絕緣體416。圖4B圖示圖4A的一個實施例的一個變化形式，其中Hi Mu層414被構(gòu)造為非平面或多層的。具體而言，在所示的一個實施方式中，Hi Mu層414可以被定形以在Z方向(朝向外殼表面)延伸(或包括延伸部415)。圖5圖示根據(jù)一個實施例的感應(yīng)護(hù)罩的又另一個實施例。根據(jù)另一個實施例，感應(yīng)護(hù)罩位于外殼結(jié)構(gòu)的內(nèi)層上。具體而言，圖5描繪持有感應(yīng)護(hù)罩510的計算設(shè)備500，其包括Hi Mu層520。在一個實施例中，Hi層520由以下特性表征高磁導(dǎo)率、低磁阻以及高電阻(以便不成為電導(dǎo)體)。由于具有高電阻，材料層520可在存在磁場時最小化渦流。在一個實施例中，材料520為納米晶材料Finemet。實施方式顯示使用了至少一個線圈530。 在一個實施方式中，鐵氧體盤(或類似材料)534被提供為線圈530的中心。鐵氧體片(tab) 540定位得位于表面附近，以使相對設(shè)備上的磁力扣能扣住計算設(shè)備500。圖6A至6C圖示根據(jù)一個或多個實施例的供由兩個計算設(shè)備共享的感應(yīng)信號傳送系統(tǒng)使用的護(hù)罩。在一個實施例中，計算設(shè)備610 (圖6B)和塢站620 (圖6B)耦合，以實現(xiàn)感應(yīng)信號傳送。如所描繪的，計算設(shè)備610可包括基本上如關(guān)于圖5的一個實施例所述的感應(yīng)護(hù)罩。因此，計算設(shè)備610包括一個或多個磁線圈612、Hi MU層614以及鐵片616。 塢站620 (圖6B及圖6C)包括鐵氧體芯(分布為兩個或更多元件642)以及用于兩個設(shè)備 (與感應(yīng)信號傳送分離出來)磁耦合的磁體648 (圖6B)。參考圖6A，Hi MU層614為四葉或十字形，且分布在計算設(shè)備中。計算設(shè)備610 (圖6B)被構(gòu)造為使得片616與塢站620 (圖 6B)上對應(yīng)的磁體648 (圖6B)對準(zhǔn)。塢站620包括位于鐵氧體結(jié)構(gòu)(顯示為元件642、644) 之間的兩個線圈(未顯示)(不過可以提供更多或更少的線圈)。圖6B是圖6A沿線A-A的側(cè)橫截面視圖，顯示與磁體648對準(zhǔn)的片616。片616與磁體648使兩個設(shè)備互相磁耦合。圖6C為圖6A沿線B-B的側(cè)橫截面視圖，顯示塢站620上的鐵氧體結(jié)構(gòu)642、644 相對于計算設(shè)備610的對準(zhǔn)。除了其它目的外，鐵氧體芯實現(xiàn)磁通導(dǎo)管的形成。具體而言， 磁通導(dǎo)管會引導(dǎo)用于在設(shè)備間傳輸感應(yīng)信號的磁通，以便保護(hù)任一設(shè)備上的電路和電氣組件免受否則會在感應(yīng)信號傳送中產(chǎn)生的不良電氣效應(yīng)的影響。由于用于傳輸感應(yīng)信號的磁場必須變化，因此導(dǎo)管載送的磁通可以交變。圖6D重復(fù)圖6C，但具有附加為圖解的代表性磁通導(dǎo)管650。如圖所示，磁通導(dǎo)管 650的極性交變。如給定的實例中所示(i)左部650具有逆時針方向的磁通，其穿過Hi MU 層614的中心并經(jīng)過左側(cè)鐵氧體芯642 ； (ii)右部652具有順時針方向的磁通，其通過HiMU層614的中心并經(jīng)過右側(cè)鐵氧體芯644。在下一實例中，磁通可以轉(zhuǎn)換極性，因此通過左部650的磁通為順時針方向；而通過右部652的磁通為逆時針方向。進(jìn)一步參考圖6D的一個實施例，一個實施例提供形成開口 670，其在Hi MU層614 的中心處或其附近提供。開口 670可用于在兩個設(shè)備未精確配對時糾正磁通的偏斜。具體而言，例如，當(dāng)計算設(shè)備610放置得與塢站620稍微偏移而未對準(zhǔn)時，所產(chǎn)生的磁通的左部 650或右部652可能不對稱，使得磁通導(dǎo)管不那么有效。在此類情況下，開口 670的存在有助于650部及652部更為對稱或更加對準(zhǔn)。作為形成開口 670的替代，替代變化形式包括代替開口的磁體。使用磁體代替開口 670同樣用于集中磁場650和652相應(yīng)部分或使其更為對稱。圖6E圖示一個替代變化形式，其中使用三葉形的Hi MU層614代替四葉形的Hi MU層。三葉形結(jié)構(gòu)對形成基本如圖6D所示的磁通導(dǎo)管有效。此外，三葉形結(jié)構(gòu)可節(jié)省計算設(shè)備外殼內(nèi)的空間。作為另一變化形式，也可部署雙葉形Hi MU變化形式。也可使用其他幾何形，如盤形或圓盤形。圖7A和7B圖示本文中所描述的其他實施例的一個變化形式。圖7A中，計算設(shè)備承載感應(yīng)護(hù)罩710，其包含位于電絕緣體714 (可選)上的導(dǎo)電護(hù)罩712，接著是Hi MU材料 716以及另一絕緣體718。線圈720和722可在感應(yīng)護(hù)罩710的下面上提供(鄰近于外殼表面723)。圖7B中顯示了一個變化形式，其中Hi MU材料716具有垂直維度717 (如關(guān)于圖 4B的一個實施例所述)。圖8A為根據(jù)另一個實施例的計算系統(tǒng)的簡圖，其中塢站包括一個感應(yīng)護(hù)罩。系統(tǒng) 800包括計算設(shè)備810和塢站820。塢站820包括可保持計算設(shè)備外殼背面的接收表面或平臺。為了實現(xiàn)感應(yīng)信號傳送，塢站820包括磁線圈822，所述線圈被調(diào)制成產(chǎn)生足夠在計算設(shè)備810的線圈812上感生電流的交變或變化信號。在所示的一個實施例中，計算設(shè)備810 和塢站820中的每一個包括保護(hù)外部或表面組件(或設(shè)備)免受電磁干擾的感應(yīng)護(hù)罩。在一個實施例中，塢站820的感應(yīng)護(hù)罩對應(yīng)于或包含Hi MU材料830、832，其具有低磁阻、高電阻，且能夠保持其電/磁特性而無飽和。在一個實施例中，塢站820的Hi MU材料832被定形以包括垂直維度段834。該段834被定形，以匹配或?qū)?yīng)于塢站主體的周邊壁824。感應(yīng)護(hù)罩832包括平臺835。平臺835與段834的結(jié)合可用來構(gòu)造感應(yīng)護(hù)罩。如圖8B所示，塢站820上的感應(yīng)護(hù)罩可以減少或消除電磁干擾，例如聯(lián)邦電信委員會所定義的B類(CLASS B)干擾。圖9A為根據(jù)實施例的包含計算設(shè)備和塢站的計算系統(tǒng)的簡圖。在圖9A中，計算設(shè)備910包括Hi MU層912、絕緣體914以及一個或多個線圈918。塢站920包括一個或多個線圈922、絕緣體924以及對應(yīng)的高M(jìn)U層926。如關(guān)于圖8A的一個實施例所述，高M(jìn)U層 926包括使其能用作磁通導(dǎo)管的垂直部分928，以屏蔽位于高M(jìn)U層擬6下的組件。如關(guān)于一個或多個其他實施例所述，高M(jìn)U層擬6可以由Finemet或其他類似材料形成。圖9B圖示根據(jù)一個實施例的圖9A的一個實施例的一個變化形式。在圖9B中，計算設(shè)備930和塢站940 (可通過線圈感應(yīng)耦合)中的每一個提供有電護(hù)罩。具體而言，計算設(shè)備930 (其可以包括其他實施例中所述的感應(yīng)護(hù)罩)包括導(dǎo)電護(hù)罩932、一個或多個絕緣體層934以及一個如關(guān)于其他實施例所述的感應(yīng)護(hù)罩(例如高M(jìn)U層)。同樣，塢站940包括電護(hù)罩942 (下方高M(jìn)U層)，其由絕緣體944隔開。
圖9C圖示圖9B的一個實施例的一個變化形式，其中塢站940的電護(hù)罩942，被提
供為垂直元件。圖IOA到圖IOC圖示根據(jù)另一個實施例的基底材料中芯的使用。如關(guān)于圖6D所述，如本文中所描述的感應(yīng)護(hù)罩可以包括用于實現(xiàn)形成磁通導(dǎo)管以將磁通從受保護(hù)的區(qū)域載送或屏蔽開來的特征。如根據(jù)許多實施例進(jìn)一步描述的，高M(jìn)U元件(例如Finement)可以作為感應(yīng)護(hù)罩和磁通導(dǎo)管的一個元件。圖IOA和圖IOB圖示一個感應(yīng)護(hù)罩(以盤形顯示)， 其中螺柱(stud)1012位于徑向邊緣上和中心中。螺柱可以對應(yīng)于形成或位于高M(jìn)U基底層 1010上的凸起元件。高M(jìn)U基底層1010載送磁通(當(dāng)發(fā)生感應(yīng)信號傳送時)。螺柱1012徑向向外并在Z方向(朝向其他計算設(shè)備)引導(dǎo)磁通上流通，而當(dāng)極點交變時，接收磁通(Z方向)并引導(dǎo)磁通向內(nèi)然后再次通過中心螺柱向外引導(dǎo)。圖IOC圖示一個替代配置，其中高 MU層1022的結(jié)構(gòu)位于一個或多個周邊芯元件(例如鐵)10 之上或與之鄰近，且進(jìn)一步鄰近于一個促進(jìn)磁通的導(dǎo)管的中心芯10M。磁通路線此時以交變方式穿過芯元件(以及高M(jìn)U 元件)。關(guān)于圖IOA到圖IOC的實施例，螺柱(尤其是中心螺柱)的存在還提供了附加好處， 即可在發(fā)生失準(zhǔn)時將磁通牽引到中心對稱。例如，如關(guān)于圖6B的一個實施例所述，當(dāng)兩個設(shè)備在感應(yīng)耦合時出現(xiàn)略微失準(zhǔn)，則該失準(zhǔn)會導(dǎo)致磁通不對稱，進(jìn)一步導(dǎo)致功率損耗并引起不需要的電氣效應(yīng)。但是，鐵氧體芯的使用，例如，可用作一個機制，通過該機制，磁通甚至可以在失準(zhǔn)情況下被牽弓丨或居中。外部考慮事宜。本文中所描述的實施例認(rèn)識到設(shè)備外表面上存在金屬可以在該設(shè)備與另一設(shè)備感應(yīng)耦合時引起不需要的電氣效應(yīng)。例如，在移動計算設(shè)備的背景中，從工業(yè)設(shè)計角度來看，通常希望設(shè)備上具有金屬徽標(biāo)或字樣。但是，由于金屬導(dǎo)電，因此其可能從感應(yīng)充電電路中帶走功率。圖IlA和圖IlB圖示當(dāng)在計算設(shè)備的后表面上使用金屬徽標(biāo)時消除功率損耗的一個策略。圖IlA圖示一個典型徽標(biāo)。成圈(looped)字母(“P”和“A”)的存在會從磁場中帶走額外的功率。為減少此類效應(yīng)，圖IlB顯示可以在成圈字母中切出小槽。在外表面上有金屬(包括金屬字母和徽標(biāo))時克服功率損耗的另一技術(shù)是使用真空噴鍍技術(shù)形成此類金屬裝飾。此類技術(shù)沉積非常薄的金屬層，其可減小金屬每個長度的電導(dǎo)率。反過來，這會減少金屬字樣可對通過感應(yīng)信號傳送來供電的電路造成的損耗量。此外，通過使用非導(dǎo)電性真空鍍膜金屬(NCVM)，可以將徽標(biāo)制作的十分有吸引力， 同時將其對充電電路的影響降到最低。更進(jìn)一步，徽標(biāo)的字母可以策略性地放置。具體而言，單獨字母或字母組可以放置得遠(yuǎn)離充電電路磁極，而不是放置在成對極點之間。這最小化通過字母的直接磁通通道，進(jìn)而最小化感應(yīng)電流量。本文中所描述的實施例預(yù)期可擴(kuò)展至本文中所描述的各個元件和概念，但與其他概念、觀點或系統(tǒng)無關(guān)，且本文中所描述的實施例預(yù)期包括本申請中各處所述的元件的組合。雖然本發(fā)明的例證實施例在本文中參考附圖進(jìn)行了詳盡描述，但應(yīng)理解本發(fā)明不限于這些精確實施例。同樣，許多修改和變化形式對所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將顯而易見。因此，預(yù)期本發(fā)明的范圍由以下權(quán)利要求書及其等效物來限定。此外，預(yù)期特定特征(無論是單獨描述的還是作為一個實施例的一部分描述的)可以與其他實施例的其它單獨描述的特征或部分相結(jié)合，即使所述其他特征和實施例沒有提到此特定特征。因此，未對結(jié)合進(jìn)行描述不應(yīng)妨礙發(fā)明人對此類結(jié)合主張權(quán)利。
權(quán)利要求
1.一種計算設(shè)備，包含 夕卜殼；組件集，其用于實現(xiàn)接收從另一設(shè)備傳輸?shù)母袘?yīng)信號，所述組件集至少部分包含于所述外殼中；以及感應(yīng)護(hù)罩，其定位得鄰近于所述外殼的殼體，以保護(hù)所述外殼中的一個或多個電氣元件免受用于傳輸感應(yīng)信號的磁通的影響。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述感應(yīng)護(hù)罩包含具有高磁導(dǎo)率的材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述感應(yīng)護(hù)罩包含具有低磁阻及高電阻的材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述感應(yīng)護(hù)罩包括Finemet。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述Finemet具有打孔的中心區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述Finemet在其中心區(qū)域中具有磁體。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述Finemet被定形以在中心區(qū)域附近包括四葉。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述Finemet被定形以具有三葉和中心區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述感應(yīng)護(hù)罩包含多個層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進(jìn)一步包含提供電場護(hù)罩的一個或多個層，其位于被保護(hù)免受磁通影響的一個或多個電氣元件與所述感應(yīng)護(hù)罩之間·10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述感應(yīng)護(hù)罩包含具有高磁導(dǎo)率的材料和中心開口。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述感應(yīng)護(hù)罩包含具有高磁導(dǎo)率的材料和中心芯元件。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中所述感應(yīng)護(hù)罩包含具有高磁導(dǎo)率的材料、中心芯元件以及一個或多個周邊芯元件。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述材料為盤形。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中所述材料包括多個徑向切縫。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述組件集包括一個或多個線圈，且其中所述計算設(shè)備在其外殼上包括背面，所述感應(yīng)護(hù)罩定位得鄰近于所述背面。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述計算設(shè)備對應(yīng)于塢站，且其中所述組件集包括位于所述塢站的接收表面上的一個或多個線圈。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中所述計算設(shè)備包括保持所述一個或多個線圈的一個或多個芯元件。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中所述一個或多個線圈元件對應(yīng)于鐵氧體結(jié)構(gòu)。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中所述感應(yīng)護(hù)罩包括延伸至另一設(shè)備的垂直部分，該另一設(shè)備將被接收于塢站上且在該塢站上感應(yīng)地配對。
20.一種計算系統(tǒng)，包含一對計算設(shè)備，所述對中的每個設(shè)備都包括一個或多個磁線圈以使該計算設(shè)備能夠傳輸或接收來自所述對中的另一設(shè)備的感應(yīng)信號；其中所述對中的至少一個計算設(shè)備包括感應(yīng)護(hù)罩，以保護(hù)該設(shè)備的一個或多個電氣元件免受用于從或向該設(shè)備傳輸感應(yīng)信號的磁通的影響。
全文摘要
本文中所描述的實施例包括能夠與其他計算設(shè)備進(jìn)行感應(yīng)信號傳送的計算設(shè)備。此類計算設(shè)備被提供有護(hù)罩，該護(hù)罩保護(hù)該設(shè)備及其他組件免受因感應(yīng)信號傳送而產(chǎn)生的電磁干擾及不需要的電氣影響。
文檔編號G06F3/033GK102362563SQ200980157753
公開日2012年2月22日 申請日期2009年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月1日
發(fā)明者勒爾 M., 查特吉 M., 科爾布里奇 M., 克魯伊曼斯 W. 申請人:惠普開發(fā)有限公司