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      一種射頻芯片雙極連接片的制作方法

      文檔序號:6345631閱讀:358來源:國知局
      專利名稱:一種射頻芯片雙極連接片的制作方法
      技術領域
      一種射頻芯片雙極連接片技術領域
      本實用新型涉及一種的射頻芯片雙極連接片。背景技術
      傳統(tǒng)的射頻芯片雙極連接片體的結構,是鋁箔(銅箔)制做的芯片左、右部連接 片,各連接芯片的導電柱腳,芯片經導電膠固定在芯片左、右部連接片上,鋁箔(銅箔)制做 的芯片左、右部連接片背面設置有一 PET層,所述PET層為射頻芯片雙極連接片體提供了強 度穩(wěn)定功能。在使用時連接片用導電膠固定在射頻天線上,但是由于導電膠在固化期內需 要保持恒定的壓力,需要較長的時間,芯片連接片與天線的固定封裝速度慢,而且芯片連接 片與天線的接觸電阻不穩(wěn)定,影響正常使用。因為芯片連接片上面有PET層的電氣阻隔,無法采用電焊的方法把芯片連接片和 天線層電焊在一起。以上所述問題值得改進。
      實用新型內容本實用新型的目的在于針對上述技術缺陷,提供一種新型的射頻芯片雙極連接 片,本實用新型在PET層上有一個孔,點焊電極通過該孔對芯片連接片和射頻天線實現(xiàn)電 氣連接,實施焊接。本實用新型的技術方案如下所述一種射頻芯片雙極連接片,包括射頻芯片的左、 右部連接片,所述左、右部連接片各連接芯片的導電柱腳,射頻芯片左、右部連接片背面設 置有一 PET層,其特征在于,所述PET層上在射頻芯片左右連接片的位置各設置一個孔。根據(jù)上述結構的本實用新型,使芯片在左右連接片上不需要導電膠連接,而是通 過芯片連接片PET層上的左右兩個孔,點焊電極壓在芯片連接片上,點焊電流通過電極,芯 片連接片與天線層實現(xiàn)電氣連接,而且點焊連接的電阻極小,性能穩(wěn)定,大大的提高了射頻 讀寫功能產品的可靠性。
      附圖1為現(xiàn)有技術的射頻芯片雙極連接片體與天線連接的結構示意圖;附圖2為本實用新型的平面結構示意圖;附圖3為本實用新型的側面結構示意圖,即A-A向視圖;附圖4為本實用新型的使用狀態(tài)示意圖。在圖中,1、芯片左連接片;2、芯片右連接片;3、芯片;4、PET層;5、孔;7、天線的基 底;8、點焊電極;9、天線部電極;11、射頻信號腔;12、左部射頻天線;13、右部射頻天線。
      具體實施方式
      以下結合附圖以及實施方式對本實用新型進行進一步的描述[0014]如圖1所示的現(xiàn)有技術的射頻芯片雙極連接片體與天線連接的結構示意圖,傳統(tǒng) 的射頻芯片雙極連接片體的結構,是鋁箔(銅箔)制做的芯片左、右部連接片1、2,各連接芯 片3的一個導電柱腳,芯片3經導電膠固定在鋁箔(銅箔)制做的芯片左、右部連接片1、 2上,鋁箔(銅箔)制做的芯片左、右部連接片1、2背面設置有一層PET層4,所述PET層4 為射頻芯片雙極連接片體提供了強度穩(wěn)定功能,在使用時需要采用導電膠,將所述的芯片 連接片固定在左部射頻天線12和右部射頻天線13上,但是由于導電膠在固化期內保持恒 定的壓力,并且需要較長的時間,不僅固定封裝速度慢,而且芯片連接片與左部射頻天線12 和右部射頻天線13的接觸電阻不穩(wěn)定,影響正常使用。如圖2、3、4所示,本實用新型的射頻芯片雙極連接片,包括射頻芯片的左、右部連 接片1、2,所述左、右部連接片1、2各連接芯片3的一個導電柱腳,射頻芯片左、右部連接片 1、2背面設置有一層PET層4,其特征在于,所述PET層4上在射頻芯片左右部的位置各設 置有一個孔5。本實用新型的使用參見圖4,通過孔5,點焊電極8、9分別分別將芯片左連接片1 和左部射頻天線12,芯片右連接片2和右部射頻天線13相壓并通過電流焊接在一起。
      權利要求1. 一種射頻芯片雙極連接片,包括射頻芯片的左、右部連接片,所述左、右部連接片各 連接芯片的導電柱腳,射頻芯片左、右部連接片背面設置有一 PET層,其特征在于,所述PET 層上在射頻芯片左右連接片的位置各設置一個孔。
      專利摘要本實用新型公開了一種射頻芯片雙極連接片,包括射頻芯片的左、右部連接片,所述左、右部連接片各連接芯片的導電柱腳,射頻芯片左、右部連接片背面設置有一PET層,其特征在于,所述PET層上在射頻芯片左右連接片的位置各設置一個孔,本實用新型使芯片在左右連接片上不需要導電膠連接,而是通過連接片PET層上的左右兩個孔,點焊電極壓在芯片連接片上,點焊電流通過電極,芯片連接片與天線層實現(xiàn)電氣連接,而且點焊連接的電阻極小,性能穩(wěn)定,大大的提高了射頻讀寫功能產品的可靠性。
      文檔編號G06K19/077GK201838021SQ20102054469
      公開日2011年5月18日 申請日期2010年9月27日 優(yōu)先權日2010年9月27日
      發(fā)明者焦林 申請人:焦林
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