專利名稱：電容式觸控面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本揭示內(nèi)容是有關(guān)于一種面板，且特別是有關(guān)于一種電容式觸控面板。
背景技術(shù)：
觸控面板在近年來觸控式電子裝置如手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)廣受歡迎的潮流下，成為當(dāng)紅的科技之一。其中，電容式的觸控面板可藉由形成于顯示面板中的傳感器感測(cè)面板上因觸壓產(chǎn)生的電容變化造成的電壓降，進(jìn)而由處理芯片計(jì)算出觸控的位置所在。然而這些傳感器需要藉由許多走線來傳遞感測(cè)的結(jié)果至處理芯片以進(jìn)行計(jì)算。這些走線常由于在觸控面板制程中，會(huì)于其整體上方披覆保護(hù)結(jié)構(gòu)，而產(chǎn)生走線與走線間的跨線電容效應(yīng)。跨線電容的產(chǎn)生將會(huì)對(duì)感測(cè)結(jié)果的傳遞產(chǎn)生極大的影響，進(jìn)一步使處理芯片無法依據(jù)正確的感測(cè)結(jié)果計(jì)算而影響偵測(cè)的靈敏度。因此，如何設(shè)計(jì)一個(gè)新的電容式觸控面板，以避免跨線間的電容效應(yīng)影響偵測(cè)結(jié)果，提升靈敏度，乃為此一業(yè)界亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本揭示內(nèi)容的一態(tài)樣是在提供一種電容式觸控面板，包含復(fù)數(shù)偵測(cè)單元、 處理模組以及走線區(qū)域。復(fù)數(shù)偵測(cè)單元，分布于顯示區(qū)域中，用以偵測(cè)電容變化以產(chǎn)生偵測(cè)結(jié)果。處理模組用以根據(jù)偵測(cè)結(jié)果判斷觸控位置。走線區(qū)域位于顯示區(qū)域周邊，包含復(fù)數(shù)走線以及復(fù)數(shù)中空間隔。走線用以連接偵測(cè)單元以及處理模組，以使處理模組自走線接收等偵測(cè)單元偵測(cè)的偵測(cè)結(jié)果，各走線包含形成于其上的絕緣層以及保護(hù)層。中空間隔形成于每二走線間。依據(jù)本揭示內(nèi)容一實(shí)施例，中空間隔是藉由蝕刻絕緣層以及保護(hù)層形成。依據(jù)本揭示內(nèi)容另一實(shí)施例，其中該空間隔的介電系數(shù)接近1。依據(jù)本揭示內(nèi)容又一實(shí)施例，其中絕緣層以及保護(hù)層是包覆走線。依據(jù)本揭示內(nèi)容再一實(shí)施例，其中走線延伸至顯示區(qū)域。絕緣層延伸至顯示區(qū)域， 以提供走線延伸至顯示區(qū)域的部份以及偵測(cè)單元間一絕緣作用。保護(hù)層延伸至顯示區(qū)域， 以提供走線延伸至顯示區(qū)域的部份一保護(hù)作用。依據(jù)本揭示內(nèi)容更具有的一實(shí)施例，其中處理模組是形成于軟性電路板上。依據(jù)本揭示內(nèi)容再具有的一實(shí)施例，絕緣層的材質(zhì)為硅氮化物或硅氧化物。走線的材質(zhì)為金屬。應(yīng)用本揭示內(nèi)容的優(yōu)點(diǎn)是在于藉由走線間的中空間隔，大幅降低走線間所產(chǎn)生的跨線電容效應(yīng)，可有效降低整體走線的容阻值，提高電容式觸控面板的靈敏度以及線寬設(shè)計(jì)的彈性，而輕易地達(dá)到上述的目的。


為讓本揭示內(nèi)容的上述和其它目的、特征、優(yōu)點(diǎn)與實(shí)施例能更明顯易懂，所附圖式的說明如下
圖1為本揭示內(nèi)容的一實(shí)施例中的一電容式觸控面板的俯視圖； 圖2為本揭示內(nèi)容一實(shí)施例中，圖1所繪示的走線區(qū)域其中二走線沿線段A-A’的剖面圖；以及
圖3為本揭示內(nèi)容又一實(shí)施例中，圖1所繪示的走線區(qū)域其中二走線沿線段A-A’的剖面圖。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參照?qǐng)D1。圖1為本揭示內(nèi)容的一實(shí)施例中的一電容式觸控面板1的俯視圖。 電容式觸控面板1包含復(fù)數(shù)偵測(cè)單元10、處理模組12以及走線區(qū)域14。偵測(cè)單元10分布于顯示區(qū)域100中。顯示區(qū)域100即為電容式觸控面板1中具有像素電極(未繪示)以產(chǎn)生顯示畫面予使用者觀看的區(qū)域。于不同實(shí)施例中，顯示區(qū)域100 可由驅(qū)動(dòng)電路(未繪示)或是其它方式將數(shù)據(jù)傳送至顯示區(qū)域100的像素電極以進(jìn)行顯示。于一實(shí)施例中，偵測(cè)單元10可為如圖1所示的菱形狀偵測(cè)墊以縱向與橫向交錯(cuò)設(shè)置于顯示區(qū)域100中。于其它實(shí)施例中，亦可由其它配置方式設(shè)置偵測(cè)單元10。偵測(cè)單元 10于一實(shí)施例中可由導(dǎo)電玻璃形成，并用以偵測(cè)此顯示區(qū)域100中，由于使用者的觸控輸入造成的電容變化以產(chǎn)生偵測(cè)結(jié)果。處理模組12可進(jìn)一步根據(jù)偵測(cè)單元10的偵測(cè)結(jié)果來判斷上述觸控輸入的觸控位置。于一實(shí)施例中，處理模組12是電性連接于軟性電路板(未繪示)上。走線區(qū)域14位于顯示區(qū)域100周邊，包含復(fù)數(shù)走線140以及復(fù)數(shù)中空間隔142。 請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2。圖2為本揭示內(nèi)容一實(shí)施例中，圖1所繪示的走線區(qū)域14其中二走線140 沿線段A-A’的剖面圖。走線140用以連接偵測(cè)單元10以及處理模組12。于一實(shí)施例中， 走線140本身的材質(zhì)可為利于信號(hào)傳導(dǎo)的金屬，連接至處理模組12所位于的軟性電路板上的接腳，并進(jìn)一步藉由軟性電路板與處理模組12產(chǎn)生電性連接，以使處理模組12自走線 140接收等偵測(cè)單元10所產(chǎn)生的偵測(cè)結(jié)果。于一實(shí)施例中，上述的電容變化可造成一電壓降信號(hào)形式的偵測(cè)結(jié)果，以使此電壓降信號(hào)經(jīng)由走線140傳遞至處理模組12。于其它實(shí)施例中，電容變化亦可能產(chǎn)生其它形式的信號(hào)以經(jīng)由走線140傳遞至處理模組12。走線140可進(jìn)一步包含形成于其上的絕緣層20以及保護(hù)層22。其中，絕緣層20 的材質(zhì)于不同的實(shí)施例中可為硅氮化物(如SiNx)、硅氧化物(如SiOx)或其它介電材質(zhì)。中空間隔142形成于每二走線140間。如圖2所示，在兩條走線140中間形成有中空間隔142。于一實(shí)施例中，走線140、絕緣層20以及保護(hù)層22是延伸至顯示區(qū)域100 中。走線140與偵測(cè)單元10進(jìn)行電性連接以接收偵測(cè)結(jié)果并傳遞至處理模組12。絕緣層 20延伸至顯示區(qū)域100的部份提供走線140延伸至顯示區(qū)域100的部份及偵測(cè)單元10間的絕緣，并于其上形成連接孔(未繪示)，使偵測(cè)單元10及走線140僅藉由連接孔連接。而保護(hù)層22延伸至顯示區(qū)域100則形成于絕緣層20上方以提供整體結(jié)構(gòu)一個(gè)保護(hù)作用。一實(shí)施例中，顯示區(qū)域100以及走線區(qū)域14的絕緣層20是一起形成的，且顯示區(qū)域100與走線區(qū)域14內(nèi)的保護(hù)層22是一起形成。舉例來說，電容式觸控面板1的上述結(jié)構(gòu)可由四道光罩制程，以形成第一層的金屬走線140、第二層的絕緣層20、僅于顯示區(qū)域100中的第三層偵測(cè)單元10以及第四層保護(hù)層22。在上述四層結(jié)構(gòu)完成后，可再對(duì)走線區(qū)域14進(jìn)行一蝕刻制程，以將各走線140間的部份挖空，以形成上述中空間隔142的結(jié)構(gòu)。走線140間的跨線電容可由下列式子表示
C = ￡x (Afd)
其中C為跨線電容f力介電常數(shù)，d為走線間距，A則為走線的面積。當(dāng)未進(jìn)行對(duì)絕緣層20以及保護(hù)層22的蝕刻時(shí)，走線140間的介質(zhì)為絕緣層20以及保護(hù)層22的物質(zhì)。以絕緣層20為例，如其材質(zhì)為硅氮化物，則其介電常數(shù)￡約為7。如為硅氧化物，則其介電常數(shù)￡約為4。而形成中空間隔142后，走線140間的介質(zhì)即為空氣?？諝獾慕殡姵?shù)^接近 1。因此，本揭示內(nèi)容中，走線140間的中空間隔142可使走線140的跨線電容大幅下降。走線140間跨線電容的大幅下降，可進(jìn)一步使整體走線140的時(shí)間常數(shù)(亦即整體走線的電容值R與電阻值C的乘積RC)下降。因此，偵測(cè)單元10根據(jù)電容變化所產(chǎn)生的偵測(cè)結(jié)果在經(jīng)過走線140傳遞至處理模組12時(shí)，其反應(yīng)將較快，且損耗較低，信號(hào)衰竭的情形可大為改善。并且，以往在為減少信號(hào)延遲效應(yīng)或面積考慮而欲縮減走線寬度時(shí)，常因走線寬度變窄而提高走線電阻值，進(jìn)而影響時(shí)間常數(shù)，而無法進(jìn)行過多的縮減。在跨線電容下降的情形下，走線140的阻值將可提高許多，走線140的寬度將可大幅縮減而使得電容式觸控面板1的走線設(shè)計(jì)更具有彈性。請(qǐng)參照?qǐng)D3。圖3為本揭示內(nèi)容又一實(shí)施例中，圖1所繪示的走線區(qū)域14其中二走線140沿線段A-A’的剖面圖。于本實(shí)施例中，絕緣層20及保護(hù)層22更進(jìn)一步包覆走線140。本實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)，可由控制蝕刻絕緣層20及保護(hù)層22的制程完成，以在保留部份走線140周邊的絕緣層20及保護(hù)層22下，蝕刻走線140間大部份的絕緣層20及保護(hù)層 22，以使中空間隔142形成于走線140間。因此，本實(shí)施例中的走線區(qū)域14，在藉由中空間隔142達(dá)到上述降低跨線電容的功效時(shí)，仍可藉由覆蓋住走線140的少部份絕緣層20及保護(hù)層22達(dá)到完整的保護(hù)效果。需注意的是，上述關(guān)于電容式觸控面板1的制程的敘述僅為其中的一可能的實(shí)施態(tài)樣，于其它實(shí)施例中，亦可采用其它形式的制程實(shí)現(xiàn)如圖2所繪示的結(jié)構(gòu)。應(yīng)用本揭示內(nèi)容的優(yōu)點(diǎn)是在于藉由走線間的中空間隔，大幅降低走線間所產(chǎn)生的跨線電容效應(yīng)，可有效降低整體走線的容阻值，提高電容式觸控面板的靈敏度以及線寬設(shè)計(jì)的彈性。雖然本揭示內(nèi)容已以實(shí)施方式公開如上，然其并非用以限定本揭示內(nèi)容，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本揭示內(nèi)容的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤飾，因此本揭示內(nèi)容的保護(hù)范圍當(dāng)視前述的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種電容式觸控面板，其特征在于，包含復(fù)數(shù)偵測(cè)單元，分布于一顯示區(qū)域中，用以偵測(cè)一電容變化以產(chǎn)生一偵測(cè)結(jié)果； 一處理模組，用以根據(jù)該偵測(cè)結(jié)果判斷一觸控位置；以及一走線區(qū)域，位于該顯示區(qū)域周邊，包含復(fù)數(shù)走線，用以連接該等偵測(cè)單元以及該處理模組，以使該處理模組自該等走線接收該等偵測(cè)單元偵測(cè)的該偵測(cè)結(jié)果，各該等走線包含形成于其上的一絕緣層以及一保護(hù)層； 以及復(fù)數(shù)中空間隔，形成于每二該等走線間。
2.如權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板，其特征在于，該等中空間隔是藉由蝕刻該絕緣層以及該保護(hù)層形成。
3.如權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板，其特征在于，該中空間隔的一介電系數(shù)接近1。
4.如權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板，其特征在于，該絕緣層以及該保護(hù)層是包覆該等走線。
5.如權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板，其特征在于，該等走線延伸至該顯示區(qū)域。
6.如權(quán)利要求5所述的電容式觸控面板，其特征在于，該絕緣層延伸至該顯示區(qū)域，并包含以置于該等走線延伸至該顯示區(qū)域的部份以及該等偵測(cè)單元間。
7.如權(quán)利要求5所述的電容式觸控面板，其特征在于，該保護(hù)層延伸至該顯示區(qū)域，以提供該等走線延伸至該顯示區(qū)域的部份一保護(hù)作用。
8.如權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板，其特征在于，該處理模組是形成于一軟性電路板上。
9.如權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板，其特征在于，該絕緣層的材質(zhì)為一硅氮化物或一硅氧化物。
10.如權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板，其特征在于，該等走線的材質(zhì)為金屬。
全文摘要
一種電容式觸控面板，包含復(fù)數(shù)偵測(cè)單元、處理模組以及走線區(qū)域。復(fù)數(shù)偵測(cè)單元，分布于顯示區(qū)域中，用以偵測(cè)電容變化以產(chǎn)生偵測(cè)結(jié)果。處理模組用以根據(jù)偵測(cè)結(jié)果判斷觸控位置。走線區(qū)域位于顯示區(qū)域周邊，包含復(fù)數(shù)走線以及復(fù)數(shù)中空間隔。走線用以連接偵測(cè)單元以及處理模組，以使處理模組自走線接收等偵測(cè)單元偵測(cè)的偵測(cè)結(jié)果，各走線包含形成于其上的絕緣層以及保護(hù)層。中空間隔形成于每二走線間。
文檔編號(hào)G06F3/044GK102243556SQ20111015872
公開日2011年11月16日 申請(qǐng)日期2011年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月14日
發(fā)明者蘇圣中, 蔡乙誠 申請(qǐng)人:中華映管股份有限公司, 華映視訊(吳江)有限公司