專利名稱：Gds文件的擴展方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體技術領域，特別涉及一種GDS文件的擴展方法。
背景技術：
在集成電路工藝中，通常在完成集成電路的設計后，會產(chǎn)生⑶S文件(GraphicData Stream,圖形數(shù)據(jù)流文件),它是一個包括集成電路布局的二進制文件。⑶S文件包含層級結構，層級結構包括由頂層單元以及非頂層單元，頂層單元和非頂層單元中還包括圖形層和標簽，其中圖形層可以是半導體器件中的有源區(qū)、硅柵、金屬層、通孔等，而標簽是一種文本數(shù)據(jù)，通過標簽來標識端口名稱，一個端口就是一個單元用于和別的單元相連接的金屬。隨著半導體工藝尺寸的逐漸減小，在做工藝尺寸更小(如O. 162微米工藝)的芯片設計時，常常需要從工藝尺寸較大(如O. 18微米工藝)的GDS文件中選用部分單元；而對于另外一部分比較敏感的電路，如一些模擬電路等，就不能直接使用O. 18微米工藝的GDS文件中的設計，而是需要先將其放大(放大1. 11倍)再使用。這樣在芯片設計完成后，這個⑶S文件中有些部分是和O. 18微米工藝一樣大的設計，而有些部分是經(jīng)過放大后的設計。然后用這個GDS文件去生成掩膜版數(shù)據(jù)文件時，再統(tǒng)一縮小為原來的90%，這樣原來和O. 18微米工藝一樣大的單元就變成O. 162微米工藝，而原來放大過的單元在縮小時抵消了變化，使得這些單元內(nèi)的圖形層和原先O. 18微米工藝時一樣大。現(xiàn)有的GDS文件的擴展方法中，待擴展的單元中的接觸孔和通孔在放大后需要恢復原來的大小，其中所述接觸孔圖形層和通孔圖形層都是確定大小的正方形。例如，一個接觸孔，在放大以前左下角坐標為(xl，yl)，右上角坐標為(x2，y2)，放大倍數(shù)是m，邊長是d，其中xl、yl、x2、y2、d是整數(shù)，但m不是整數(shù)。放大以后，左下角坐標為((m*xl)取整，(m*yl)取整)，右上角坐標((m*x2)取整，(m*y2)取整)，為了使其大小恢復成原來的大小，每個邊還需要往里面回縮((m-l)*d/2)取整。在上述計算過程中，有兩步取整，而且每個點的坐標值分別計算，由于放大的倍數(shù)m不是整數(shù)，原本的坐標值乘以m后得到的不是整數(shù)，需要四舍五入取整，因此放大以后，可能因為一個坐標值取整時舍掉了尾數(shù)，而另一個坐標值進一位成為更大的數(shù)，使得兩個點位置相差一個格點，而這樣的接觸孔是不符合尺寸要求的。因此為了避免接觸孔/通孔尺寸發(fā)生一個格點的變化，必須經(jīng)過額外的處理?，F(xiàn)有的處理方法是，假設接觸孔邊長是180納米，通孔邊長是260納米，放大倍數(shù)是1. 11。那么該接觸孔放大后的邊長以及回縮尺寸為對于接觸孔180納米*1. 11 =199. 8納米，每條邊長兩端分別回縮的尺寸為(1. 11-1)*180納米/2 = 9. 9納米。對于通孔:260納米*1. 11 = 288. 6納米，每條邊長兩端分別回縮的尺寸為(1. 11-1) *260納米/2=14. 3納米。為了保證上述所有數(shù)值在全過程中都為準確值，沒有舍入誤差，該方法會首先對這個GDS文件進行處理，不使用I納米作為格點，而是使用O.1納米作為格點。放大的過程在這個新⑶S文件上進行。上述放大和回縮計算結束以后，把這個⑶S再進行一次處理，恢復使用I納米作為格點。那么只要保證前面的步驟都是準確的，沒有舍入誤差，而只有最后恢復原始格點數(shù)值這一個步驟存在舍入誤差，那么從數(shù)學上可以證明，這個通孔的尺寸就和放大之前的大小完全一樣，不會有這一個格點的誤差。但是這個方法需要兩次改變格點的大小，每次改變格點大小，整個GDS文件所有的坐標值都需要重新計算，絕不限于接觸孔和通孔。而且每個接觸孔和通孔都是四個頂點分別獨立進行全部計算，其中有大量的乘法計算是重復的，這就給計算速度帶來巨大影響。另一方面，由于在所述待擴展單元進行放大之前需要將所述待擴展單元的層級結構打平，即所有隸屬于所述待擴展單元的子單元都不存在。那么原本隸屬于所述子單元的標簽將上升到所述待擴展單元這一級，使得所述待擴展單元中不僅包括原有的標簽，還包括了原本隸屬于子單元的標簽。在進行后續(xù)版圖與電路的物理驗證(LVS，layout vsschematic)時，這些原本屬于所述待擴展單元的子單元的標簽將無法通過驗證，因此為了使打平了層級結構的待擴展單元通過LVS驗證，需要在被打平了的待擴展單元里只保留原來就隸屬于所述待擴展單元的標簽，而去除所有來自于其子單元的標簽?，F(xiàn)有的方法是利用EDA (Electronic Design Automation,電子設計自動化)工具的功能，通過各種操作組合來實現(xiàn)上述目的。例如，在把所述待擴展單元打平以后，先刪除所有標簽，無論該標簽原來就隸屬于所述待擴展單元還是來自于其子單元，全部刪除以后，再把原本就隸屬于所述待擴展單元的標簽復制過來。這樣的方法需要大量人工操作，效率較低，而且發(fā)生錯誤的幾率很高。更多關于⑶S文件的描述可以參考公開號為US6237133B1的美國專利申請文件Mask pattern data creation method and system that are not subject to data streamdata format limitations (不受數(shù)據(jù)流的數(shù)據(jù)格式限制的掩模圖形數(shù)據(jù)創(chuàng)建方法和系統(tǒng))。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種簡單方便且處理效率高的GDS文件的擴展方法。為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供了一種GDS文件的擴展方法，包括提供待擴展的GDS文件，所述待擴展的GDS文件包括以層級結構形式存儲的多個待擴展單元，所述待擴展單元中至少一個為頂層待擴展單元；將所述待擴展的GDS文件復制到中間GDS文件中；其中，對于標簽，僅復制直接隸屬于待擴展層級的所述待擴展單元的標簽；將所有處于前述層級結構中非頂層的所述待擴展單元變更為頂層待擴展單元；變更層級后，依照設定的放大參數(shù)擴展中間GDS文件中所有頂層待擴展單元中的圖形層，以形成目標GDS文件?？蛇x地，所述僅復制直接隸屬于待擴展層級的所述待擴展單元的標簽是通過包括下述步驟的方法實現(xiàn)的當掃描到標簽，判斷所述標簽是否直接隸屬于待擴展層級的所述待擴展單元；其中，所述待擴展層級采用預設運行參數(shù)予以指示；將直接隸屬于所述待擴展層級的待擴展單元的標簽復制到所述中間GDS文件中?？蛇x地，待擴展層級的所述待擴展單元是所述頂層待擴展單元?？蛇x地，所述將所有處于前述層級結構中非頂層的所述待擴展單元變更為頂層待擴展單元；包括確定所述非頂層的所述待擴展單元中的圖形層的坐標值；以所述頂層待擴展單元的坐標系為基準，轉(zhuǎn)換所述非頂層的所述待擴展單元中的圖形層的坐標值，以確定所述圖形層在所述頂層待擴展單元的坐標系中的坐標值?？蛇x地，所述圖形層包括通孔圖形層或者接觸孔圖形層，所述通孔圖形層或者接觸孔圖形層呈正方形；所述變更層級后，依照設定的放大參數(shù)擴展中間GDS文件中所有頂層待擴展單元中的圖形層，以形成目標GDS文件包括將所述通孔圖形層或者所述接觸孔圖形層的任意一個頂點的坐標值乘以所述放大參數(shù)；基于所述通孔圖形層或者所述接觸孔圖形層的邊長以及所述放大參數(shù)確定輔助參數(shù)；根據(jù)已乘以所述放大參數(shù)后的頂點的坐標值加上所述輔助參數(shù)確定所述頂點的新坐標值；基于所述頂點的新坐標值以及所述通孔圖形層或者所述接觸孔圖形層的邊長確定除所述頂點外的其他頂點的新坐標值，以形成目標GDS文件中的通孔圖形層或者接觸孔圖形層?？蛇x地，所述圖形層還包括其他圖形層，所述其他圖形層為非通孔圖形層和非接觸孔圖形層；所述變更層級后，依照設定的放大參數(shù)擴展中間GDS文件中所有頂層待擴展單元中的圖形層，以形成目標GDS文件包括將所述頂層待擴展單元中的圖形層的各個頂點的坐標值分別乘以所述放大參數(shù)，得到各個頂點的新坐標值；基于所述新坐標值確定的圖形層以形成目標⑶S文件?？蛇x地，所述放大參數(shù)根據(jù)所述待擴展的GDS文件適用的工藝尺寸以及所述目標⑶S文件適用的工藝尺寸之間的比例確定。可選地，所述目標⑶S文件適用的工藝尺寸小于所述待擴展的⑶S文件適用的工藝尺寸。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明技術方案具有以下有益效果通過僅復制直接隸屬于頂層待擴展單元的標簽到中間GDS文件，提高了待擴展單元中刪除標簽的處理效率，同時也降低了發(fā)生錯誤的幾率。進一步地，再將所有處于層級結構中非頂層的待擴展單元變更為頂層待擴展單元，變更層級后，根據(jù)預設的放大參數(shù)擴展中間GDS文件中所有頂層待擴展單元中圖形層，以形成目標GDS文件。本技術方案不需要改變GDS文件的格點的大小，減少了重新計算坐標值的過程，提高了處理效率。


圖1是本發(fā)明的一種GDS文件的擴展方法的具體實施方式
的流程示意圖；圖2是本發(fā)明的一種GDS文件的擴展方法中所述GDS文件的層級結構示意圖。
具體實施例方式針對現(xiàn)有技術中的問題，發(fā)明人經(jīng)過研究，提供了一種GDS文件的擴展方法，如圖I所示的是本發(fā)明的一種GDS文件的擴展方法的具體實施方式
的流程示意圖，參考圖1，所述擴展方法包括步驟S1:提供待擴展的GDS文件，所述待擴展的GDS文件包括以層級結構形式存儲的多個待擴展單元，所述待擴展單元中至少一個為頂層待擴展單元。具體地，所述GDS文件是以層級結構形式存儲多個待擴展單元的，結合參考圖2所示的GDS文件的層級結構示意圖，所述待擴展單元包括頂層單元(如頂層單元I)、非頂層單元(如第一級子單元11、第一級子單元11’ )。其中，所述頂層單元就是沒有其他單元把它作為子單元調(diào)用，非頂層單元就是被其他單元(可以是頂層單元、也可以是其他非頂層單元)調(diào)用的子單元(如第二級子單元111’被第一級子單元11’調(diào)用)。進一步地，所述頂層單元和非頂層單元中包括圖形層(如隸屬于頂層單元I的圖形層12、圖形層12’;隸屬于第一級子單元的圖形層112’)和標簽(如隸屬于頂層單元I的標簽Jia、Y1、Bing、Ding ;隸屬于第一級子單元的標簽Portl),其中所述圖形層可以是有源區(qū)、硅柵、金屬層或者通孔；所述標簽是一種文本數(shù)據(jù)，一個標簽只有一個坐標點，作為它的位置。通過標簽來標識端口名稱，而一個端口就是一個單元用于和別的單元相連接的金屬。本實施例中，在使用所述GDS文件，所述待擴展單元包括至少一個頂層待擴展單元。在其他實施例中，所述待擴展單元還可以是隸屬于頂層單元的一個或者多個子單元。步驟S2 :將所述待擴展的GDS文件復制到中間GDS文件中；其中，對于標簽，僅復制直接隸屬于待擴展層級的所述待擴展單元的標簽。具體地，其中將所述待擴展的GDS文件復制到中間GDS文件中的過程包括在所述待擴展的GDS文件中，至少包括待擴展單元，則將所述待擴展單元復制到中間GDS文件中，在后續(xù)步驟S4中將對所述待擴展單元進行擴展；若是不需要擴展的單元(或者說非待擴展單元)則直接將該單元復制到中間GDS文件，在后續(xù)步驟中就不需要再對其進行擴展。對于標簽僅復制直接隸屬于待擴展層級的所述待擴展單元的標簽，具體包括I)當掃描到標簽，判斷所述標簽是否直接隸屬于待擴展層級的所述待擴展單元；其中，所述待擴展層級采用預設運行參數(shù)予以指示。具體地，在本實施例中，通過預設運行參數(shù)指示待擴展層級的待擴展單元。例如，在GDS文件中可以為層級結構中的每一層設置標識號，進而為每一層中的每個單元設置標識號，那么就可以將這些標識號作為所述運行參數(shù)，從而通過所述運行參數(shù)指示待擴展層級的待擴展單元。進一步地，在掃描所述⑶S文件的整個層級結構過程中，當掃描到一個標簽時，則根據(jù)預設運行參數(shù)判斷該標簽是否直接隸屬于所述待擴展層級的待擴展單元；依此類推，直到掃描完所有的標簽為止。2)將直接隸屬于所述待擴展層級的待擴展單元的標簽復制到所述中間GDS文件中。具體地，根據(jù)上述步驟I)的判斷結果，將直接隸屬于所述待擴展層級的待擴展單元的標簽復制到所述中間GDS文件中。其中所述待擴展層級的待擴展單元是頂層待擴展單元或者隸屬于所述頂層待擴展單元的下一級單元。相應地，對于那些不直接隸屬于所述待擴展層級的待擴展單元的標簽則不再復制到所述中間GDS文件中。這樣得到的所述中間GDS文件與所述待擴展的GDS文件相比,所有位于所述待擴展單元的下一級子單元中標簽都被刪除了。與現(xiàn)有技術相比，本技術方案無須逐一打開每一個待擴展單元，只要在掃描⑶S文件時，運行包含預設運行參數(shù)的指令就可以把不直接隸屬于所述待擴展層級的待擴展單元的標簽刪除，而且運行這些指令也不啟動任何圖形界面，所以運行速度也很快。需要說明的是，在實際應用中，通常本步驟在僅復制直接隸屬于待擴展層級的所述待擴展單元的標簽時，還將生成用于執(zhí)行后續(xù)步驟的小程序腳本，其具體生成過程并不影響本發(fā)明的實質(zhì)，在此不作贅述。步驟S3 :將所有處于前述層級結構中非頂層的所述待擴展單元變更為頂層待擴展單元。具體地，本步驟包括I)確定所述非頂層的所述待擴展單元中的圖形層的坐標值。所述GDS文件中的每個單元都有自己的坐標系，隸屬于這個單元內(nèi)的所有圖形層都有坐標值。需要說明的是，通常⑶S文件中的坐標值都是以整數(shù)形式存儲的，相應地，所述⑶S文件中將定義這個文件的格點(grid)數(shù)據(jù)，例如是I納米，那么所述⑶S文件中所有的坐標值都是I納米的整數(shù)倍。2)以所述頂層待擴展單元的坐標系為基準，轉(zhuǎn)換所述非頂層的所述待擴展單元中的圖形層的坐標值，以確定所述圖形層在所述頂層待擴展單元的坐標系中的坐標值。由于在⑶S文件中，所述層級結構中的每個單元都有自己的坐標系，因此在將非頂層的所述待擴展單元變更為頂層待擴展單元過程中，由于需要去除所述頂層待擴展單元的層級結構，那么需要將原本非頂層的所述待擴展單元內(nèi)的圖形層的坐標值變換成以所述頂層待擴展單元的坐標系為基準的坐標值，從而確定所述圖形層在所述頂層待擴展單元的坐標系中的坐標值。換句話說，就是使隸屬于所述頂層待擴展單元下的所有非頂層的所述待擴展單元(頂層待擴展單元的所有子單元)內(nèi)的圖形層都使其直接隸屬于所述頂層待擴展單元，通?？梢韵却_定所述非頂層的所述待擴展單元的坐標系的坐標原點在所述頂層待擴展單元的坐標系內(nèi)的坐標值，以確定兩個坐標系的坐標值的線性變化關系，然后再根據(jù)所述線性變化關系將所述非頂層的所述待擴展單元中的圖形層的坐標值轉(zhuǎn)換成以所述頂層待擴展單元的坐標系為基準的坐標值。但在實際應用中，并不限于上述方法。步驟S4 :變更層級后，依照設定的放大參數(shù)擴展中間GDS文件中所有頂層待擴展單元中的圖形層，以形成目標GDS文件。具體地，在本發(fā)明實施例中，所述圖形層通常包括通孔圖形層或者接觸孔圖形層以及其他圖形層，其中所述其他圖形層為非通孔圖形層和非接觸孔圖形層，例如金屬層、硅柵、有源區(qū)等。進一步地，所述接觸孔圖形層是指半導體工藝中連接第一金屬層和多晶硅(或者有源區(qū))的孔，所述通孔層是指半導體工藝中連接不同金屬層的孔，例如連接第一金屬層和第二金屬層的孔或者連接第二金屬層和第三金屬層的孔等。根據(jù)GDS文件進行擴展的設計規(guī)則，接觸孔圖形層和通孔圖形層都必須是確定大小的正方形，同時所有頂層待擴展單元中的接觸孔圖形層和通孔圖形層都必須在放大以后恢復成原來的大小。因此，本步驟將根據(jù)所述圖形層是通孔圖形層或者接觸孔圖形層還是其他圖形層分別實現(xiàn)第一實施例若所述圖形層包括通孔圖形層或者接觸孔圖形層，本步驟包括I)將所述通孔圖形層或者所述接觸孔圖形層的任意一個頂點的坐標值乘以所述放大參數(shù)。在本發(fā)明實施例中，所述放大參數(shù)根據(jù)所述待擴展的GDS文件適用的工藝尺寸以及所述目標GDS文件適用的工藝尺寸之間的比例確定。而且，隨著半導體工藝尺寸逐漸變小，因此通常所述目標GDS文件適用的工藝尺寸小于所述待擴展的GDS文件適用的工藝尺寸。例如，所述待擴展的GDS文件適用的工藝尺寸是65納米，所述目標GDS文件適用的工藝尺寸是55納米，那么所述放大參數(shù)為65/55 = 13/11。例如，設所述任意一個頂點的坐標值為A(xl、yl)，放大參數(shù)為m。那么根據(jù)所述放大參數(shù)對坐標值作放大計算后，A’ = m*A = (m*xl、m*yl)。2)基于所述通孔圖形層或者所述接觸孔圖形層的邊長以及所述放大參數(shù)確定輔助參數(shù)。由于所述通孔圖形層或者所述接觸孔圖形層在放大以后還需要恢復到原來的大小，因此，根據(jù)步驟I)將任意一個頂點的坐標值乘以所述放大參數(shù)后還需要作向內(nèi)回縮的計算。其中所述輔助參數(shù)即為所述向內(nèi)回縮的回縮量，發(fā)明人經(jīng)過研究得出，所述輔助參數(shù)可以基于所述通孔圖形層或者所述接觸孔圖形層的邊長(設為d)以及上述放大參數(shù)(設為m)所確定,那么輔助參數(shù)為(m-l)*d/2。3)根據(jù)已乘以所述放大參數(shù)后的頂點的坐標值加上所述輔助參數(shù)確定所述頂點的新坐標值。根據(jù)步驟I)和2)的計算結果，可以確定所述頂點的新坐標值為m*A+(m_l)*d/2。4)基于所述頂點的新坐標值以及所述通孔圖形層或者所述接觸孔圖形層的邊長確定除所述頂點外的其他頂點的新坐標值，以形成目標GDS文件中的通孔圖形層或者接觸孔圖形層。根據(jù)上述步驟I)至3)確定了所述通孔圖形層或者接觸孔圖形層中一個頂點的新坐標值，那么由于所述通孔圖形層或者所述接觸孔圖形層是正方形，因此只需要在所述新坐標值的基礎上加減邊長即可確定除所述已確定的頂點以外的其他頂點的新坐標值，從而形成目標GDS文件中的通孔圖形層或者接觸孔圖形層?？梢钥闯觯?jīng)過上述步驟I)至4)后所形成的目標⑶S文件中的通孔圖形層或者接觸孔圖形層的大小和原來待擴展的GDS文件中的通孔圖形層或者接觸孔圖形層一樣。但是由于經(jīng)過放大計算，所述通孔圖形層或者接觸孔圖形層的中心點位置將發(fā)生變化，而所述中心點位置與目標GDS文件所設定要求相符。第二實施例若所述圖形層還包括其他圖形層，所述其他圖形層為非通孔圖形層和非接觸孔圖形層，那么對于其他圖形層，本步驟包括I)將所述頂層待擴展單元中的圖形層的各個頂點的坐標值分別乘以所述放大參數(shù)，得到各個頂點的新坐標值。2)基于所述新坐標值確定的圖形層以形成目標⑶S文件?？梢钥闯?，對于不是通孔圖形層或者接觸孔圖形層的其他圖形層而言，其計算過程更為簡單，只需要將其他圖形層中的各個頂點的坐標值分別乘以所述放大參數(shù)即可得到各個頂點的新坐標值。其中，所述放大參數(shù)同樣是根據(jù)所述待擴展的GDS文件適用的工藝尺寸以及所述目標GDS文件適用的工藝尺寸之間的比例確定。進一步地，通常所述目標GDS文件適用的工藝尺寸小于所述待擴展的GDS文件適用的工藝尺寸。與現(xiàn)有技術相比，本技術方案無須改變GDS文件中的格點大小，仍能保證通孔和/或接觸孔的尺寸是準確的，而且也不需要逐個單元分別打開，在中間GDS文件中所有頂層待擴展單元中的圖形層復制到目標GDS文件過程中，只要將圖形層的坐標值根據(jù)上述實施例進行計算即可，從而節(jié)省了大量重復的計算。此外，在實際應用中，上述計算過程可以通過命令行執(zhí)行，不需要啟動任何圖形界面，所以也進一步提高了運行速度。本技術方案在將待擴展的GDS文件形成目標GDS文件的過程中，通過僅復制直接隸屬于頂層待擴展單元的標簽到中間GDS文件，提高了待擴展單元中刪除標簽的處理效率，同時也降低了發(fā)生錯誤的幾率。進一步地，再將所有處于層級結構中非頂層的待擴展單元變更為頂層待擴展單元，變更層級后，根據(jù)預設的放大參數(shù)擴展中間GDS文件中所有頂層待擴展單元中圖形層，以形成目標GDS文件。本技術方案不需要改變GDS文件的格點的大小，減少了重新計算坐標值的過程，提高了處理效率。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領域技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術內(nèi)容對本發(fā)明技術方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術方案的保護范圍。
權利要求
1.一種⑶S文件的擴展方法，其特征在于，包括 提供待擴展的GDS文件，所述待擴展的GDS文件包括以層級結構形式存儲的多個待擴展單元，所述待擴展單元中至少一個為頂層待擴展單元； 將所述待擴展的GDS文件復制到中間GDS文件中；其中，對于標簽，僅復制直接隸屬于待擴展層級的所述待擴展單元的標簽； 將所有處于前述層級結構中非頂層的所述待擴展單元變更為頂層待擴展單元； 變更層級后，依照設定的放大參數(shù)擴展中間GDS文件中所有頂層待擴展單元中的圖形層，以形成目標⑶S文件。
2.根據(jù)權利要求1所述的GDS文件的擴展方法，其特征在于，所述僅復制直接隸屬于待擴展層級的所述待擴展單元的標簽是通過包括下述步驟的方法實現(xiàn)的 當掃描到標簽，判斷所述標簽是否直接隸屬于待擴展層級的所述待擴展單元；其中，所述待擴展層級采用預設運行參數(shù)予以指示； 將直接隸屬于所述待擴展層級的待擴展單元的標簽復制到所述中間GDS文件中。
3.根據(jù)權利要求1所述的GDS文件的擴展方法，其特征在于，待擴展層級的所述待擴展單元是所述頂層待擴展單元。
4.根據(jù)權利要求1所述的GDS文件的擴展方法，其特征在于，所述將所有處于前述層級結構中非頂層的所述待擴展單元變更為頂層待擴展單元；包括 確定所述非頂層的所述待擴展單元中的圖形層的坐標值； 以所述頂層待擴展單元的坐標系為基準，轉(zhuǎn)換所述非頂層的所述待擴展單元中的圖形層的坐標值，以確定所述圖形層在所述頂層待擴展單元的坐標系中的坐標值。
5.根據(jù)權利要求4所述的GDS文件的擴展方法，其特征在于，所述圖形層包括通孔圖形層或者接觸孔圖形層，所述通孔圖形層或者接觸孔圖形層呈正方形；所述變更層級后，依照設定的放大參數(shù)擴展中間GDS文件中所有頂層待擴展單元中的圖形層，以形成目標GDS文件包括 將所述通孔圖形層或者所述接觸孔圖形層的任意一個頂點的坐標值乘以所述放大參數(shù)； 基于所述通孔圖形層或者所述接觸孔圖形層的邊長以及所述放大參數(shù)確定輔助參數(shù)； 根據(jù)已乘以所述放大參數(shù)后的頂點的坐標值加上所述輔助參數(shù)確定所述頂點的新坐標值； 基于所述頂點的新坐標值以及所述通孔圖形層或者所述接觸孔圖形層的邊長確定除所述頂點外的其他頂點的新坐標值，以形成目標GDS文件中的通孔圖形層或者接觸孔圖形層。
6.根據(jù)權利要求5所述的GDS文件的擴展方法，其特征在于，所述圖形層還包括其他圖形層，所述其他圖形層為非通孔圖形層和非接觸孔圖形層；所述變更層級后，依照設定的放大參數(shù)擴展中間GDS文件中所有頂層待擴展單元中的圖形層，以形成目標GDS文件包括 將所述頂層待擴展單元中的圖形層的各個頂點的坐標值分別乘以所述放大參數(shù)，得到各個頂點的新坐標值； 基于所述新坐標值確定的圖形層以形成目標GDS文件。
7.根據(jù)權利要求5或6所述的GDS文件的擴展方法，其特征在于，所述放大參數(shù)根據(jù)所述待擴展的GDS文件適用的工藝尺寸以及所述目標GDS文件適用的工藝尺寸之間的比例確定。
8.根據(jù)權利要求7所述的GDS文件的擴展方法，其特征在于，所述目標GDS文件適用的工藝尺寸小于所述待擴展的GDS文件適用的工藝尺寸。
全文摘要
一種GDS文件的擴展方法，包括提供待擴展的GDS文件，所述GDS文件包括以層級結構形式存儲的多個待擴展單元，所述待擴展單元中至少一個為頂層待擴展單元；將所述待擴展的GDS文件復制到中間GDS文件中；其中，對于標簽，僅復制直接隸屬于待擴展層級的所述待擴展單元的標簽；將所有處于前述層級結構中非頂層的所述待擴展單元變更為頂層待擴展單元；變更層級后，依照設定的放大參數(shù)擴展中間GDS文件中所有頂層待擴展單元中的圖形層，以形成目標GDS文件。本技術方案提高了擴展GDS文件的處理效率。
文檔編號G06F17/50GK103034644SQ201110298649
公開日2013年4月10日 申請日期2011年9月30日 優(yōu)先權日2011年9月30日
發(fā)明者陳智濤 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司