專利名稱：雙層ito的布線結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及ITO的布線結構，特別是涉及一種雙層ITO的布線結構。
背景技術：
所謂ITO (銦錫氧化物)是一種用于生產液晶顯示器的關鍵材料，目前，其在儀器儀表、計算機、電子表、游戲機和家用電器等領域都有了極為廣泛的應用。近年來市場上大熱的電容式觸摸屏也是利用ITO來完成偵測觸摸的動作，而電容觸摸屏上ITO的布線一般是雙層，其主要原理是利用人體電場，當使用者觸摸時，表面行或列的交叉處感應單元的互電容(也稱耦合電容)會有變化，根據(jù)上述變化最終可檢測出觸摸點的具體位置。常見的雙層ITO的結構是菱形結構，其雙層ITO分別布設在玻璃基板的同側面上，為了避免電極之間的互相導通，所以需要在玻璃基板上設置橋接點，這樣就可將雙層ITO 布設在玻璃基板的同一側面上。雖然上述方法實現(xiàn)了偵測觸摸的動作，但由于采用菱形結構，難免會帶來多指觸控偵測不穩(wěn)定、電源噪聲干擾較大、畫線效果不佳的問題，因此亟需加以改善，為廣大用戶提供一種感應更加靈敏的ITO的布線結構來解決以上問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明主要解決的技術問題是提供一種雙層ITO的布線結構，能夠改善傳統(tǒng)電容式觸控結構偵測靈敏度不高的問題，線性度更高。為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的一個技術方案是提供一種雙層ITO的布線結構，所述每層ITO上設有若干行及若干列觸控電極，每行或每列觸控電極由若干個相同的菱形電極相連組成，所述菱形電極的對角線方向分別向內凹陷形成兩個空隙。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明結構簡單，能夠改善傳統(tǒng)電容式觸控結構偵測靈敏度不高的問題，明顯提高了 ITO層的靈敏度和線性度。


圖I是本發(fā)明雙層ITO的布線結構一較佳實施例的結構示意 圖2是所示菱形電極的結構示意附圖中各部件的標記如下1、ITO層，10、觸控電極，101、菱形電極，102、空隙。
具體實施例方式下面結合附圖對本發(fā)明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本發(fā)明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。請參閱圖I和圖2，本發(fā)明實施例包括
一種雙層ITO的布線結構，所述每層ITO上設有若干行及若干列觸控電極10，每行及每列觸控電極10相互交叉相間排列，所述觸控電極10之間具有一定的空隙。所述每行或每列觸控電極10由若干個相同的菱形電極101相連組成，所述菱形電極101的對角線方向分別向內凹陷形成兩個空隙102，每層ITO上的所述每行及每列觸控電極10呈中心對稱結構排布。所述每行或每列觸控電極10中的菱形電極101之間以長條狀電極相互連接，在所述每行及每列觸控電極的交叉處，所述菱形電極101以橋接的方式相互連接，即每行觸控電極10與每列觸控電極10之間保持電氣絕緣。下面具體介紹所述菱形電極101的結構，請參閱圖2，所述菱形電極101的一對對角沿對角線方向向內凹陷形成兩個空隙102，所述空隙102呈長方 形，其寬度與該觸摸屏的保護層厚度相同，兩個空隙102之間的距離與所述菱形電極101之間的連接部的寬度相同。所述空隙102的頂端可以是直線型、弧形或者梯形等形狀，根據(jù)設計工藝的不同需求而定，而不限于如圖2所示的形狀。所述菱形電極101向內凹陷的方向與相鄰兩個菱形電極101相連的方向相互垂直。與傳統(tǒng)的觸控電極10的菱形結構相比,所述菱形電極101的結構有效降低了觸控電極10的負載電容，減少了觸控電極10的充放電時間，進而提高了 ITO層I的偵測靈敏度和線性度。以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內。
權利要求
1.一種雙層ITO的布線結構，所述每層ITO上設有若干行及若干列觸控電極，其特征在于，每行或每列觸控電極由若干個相同的菱形電極相連組成，所述菱形電極的對角沿對角線方向分別向內凹陷形成兩個空隙。
2.根據(jù)權利要求I所述的雙層ITO的布線結構，其特征在于，每行觸控電極與每列觸控電極相互交叉相間排列。
3.根據(jù)權利要求I或2所述的雙層ITO的布線結構，其特征在于，每層ITO層上的所述若干行及若干列觸控電極的排布呈對稱結構。
4.根據(jù)權利要求2所述的雙層ITO的布線結構，其特征在于，在每行或每列觸控電極的交叉處，所述菱形電極以橋接的方式相互連接。
5.根據(jù)權利要求I所述的雙層ITO的布線結構，其特征在于，所述菱形電極向內凹陷的方向與相鄰兩個菱形電極相連的方向相互垂直。
6.根據(jù)權利要求I所述的雙層ITO的布線結構，其特征在于，所述空隙的形狀呈長方形。
7.根據(jù)權利要求6所述的雙層ITO的布線結構，其特征在于，所述空隙的頂端可以是直線型、弧形或者梯形等形狀。
8.根據(jù)權利要求I所述的雙層ITO的布線結構，其特征在于，兩個空隙之間的距離與所述菱形電極之間的連接部的寬度相同。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種雙層ITO的布線結構，所述每層ITO上設有若干行及若干列觸控電極，每行或每列觸控電極由若干個相同的菱形電極相連組成，所述菱形電極的對角沿對角線方向分別向內凹陷形成兩個空隙。通過上述方式，本發(fā)明能夠改善傳統(tǒng)電容式觸控結構偵測靈敏度不高的問題，明顯提高了ITO層的靈敏度和線性度。
文檔編號G06F3/041GK102778973SQ20121022081
公開日2012年11月14日 申請日期2012年6月29日 優(yōu)先權日2012年6月29日
發(fā)明者張開立 申請人:蘇州瀚瑞微電子有限公司