信息處理設(shè)備及其控制方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及一種信息處理設(shè)備及其控制方法。根據(jù)本發(fā)明的方面的信息處理設(shè)備包括層疊在包含CPU的SoC裸片上的寬IO存儲(chǔ)器裝置；檢測(cè)所述寬IO存儲(chǔ)器裝置中所包括的多個(gè)存儲(chǔ)器的溫度；在轉(zhuǎn)變?yōu)槭‰娔Ｊ綍r(shí)，基于檢測(cè)到的溫度來(lái)指定溫度較低的存儲(chǔ)器作為所述省電模式中要優(yōu)先使用的存儲(chǔ)器；以及將從所述省電模式恢復(fù)為正常模式所用的信息存儲(chǔ)在所指定的存儲(chǔ)器中。
【專(zhuān)利說(shuō)明】信息處理設(shè)備及其控制方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種包括層疊在包含CPU的SoC裸片(die)上的寬(wide) IO存儲(chǔ)器裝置的信息處理設(shè)備及其控制方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在包括諸如微處理器等的CPU的信息處理設(shè)備中，經(jīng)常使用DRAM來(lái)進(jìn)行用于執(zhí)行OS和各種應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)以及用于執(zhí)行圖像處理的數(shù)據(jù)的臨時(shí)存儲(chǔ)。DRAM連接至CPU或SoC(片上系統(tǒng))等并且被使用。此外，近年來(lái)，伴隨著信息處理設(shè)備的多功能化/高功能化，DRAM所需的存儲(chǔ)器帶寬的量已經(jīng)增加。由于此，根據(jù)諸如DDR3或DDR4等的標(biāo)準(zhǔn)，已經(jīng)通過(guò)提高存儲(chǔ)器訪問(wèn)期間的時(shí)鐘頻率來(lái)增加存儲(chǔ)器帶寬的量。此外，作為另一方法，通過(guò)包括連接至CPU或ASIC (專(zhuān)用集成電路)的多個(gè)DRAM通道來(lái)預(yù)留存儲(chǔ)器帶寬。然而，增加時(shí)鐘頻率和采用多個(gè)存儲(chǔ)器通道會(huì)導(dǎo)致電力消耗增加，這將引起新的問(wèn)題。
[0003]有鑒于此，作為下一代DRAM標(biāo)準(zhǔn)的寬IO目前受到關(guān)注。寬IO是通過(guò)使用基于TSV (Through-Silicon Vias，硅直通孔)的3D層疊技術(shù)在SoC裸片的上方放置DRAM芯片來(lái)構(gòu)成。寬IO的特征包括能夠以512位的寬數(shù)據(jù)寬度獲得最大為12.8GB/s (千兆字節(jié)/秒)以上的寬帶寬，并且由于訪問(wèn)頻率被抑制為低頻率而具有低的電力消耗。此外，通過(guò)采用TSV,與傳統(tǒng)的PoP (Package on Package,疊層封裝)相比,可以使封裝大小更加薄型化和小型化。此外，作為針對(duì)由于在SoC封裝內(nèi)層疊存儲(chǔ)器所引起的熱的對(duì)策，內(nèi)置有用于檢測(cè)存儲(chǔ)器溫度的溫度傳感器，并且自刷新速度根據(jù)檢測(cè)到的溫度而改變。此外，在該結(jié)構(gòu)中，將512位的數(shù)據(jù)寬度分割成128位的四個(gè)通道并且單獨(dú)控制各通道。例如，將通道I和通道2置于自刷新?tīng)顟B(tài)而使用通道3和通道4進(jìn)行正常存儲(chǔ)器訪問(wèn)等的方法的使用是可以的。US2012/0018885中公開(kāi)了這種寬IO所用的基本結(jié)構(gòu)和基本訪問(wèn)方法。
[0004]另一方面，針對(duì)防止全球變暖而減少CO2排放量的要求、以及針對(duì)降低具有諸如圖像掃描、打印和復(fù)制等的多個(gè)功能的以MFP (數(shù)字多功能裝置)為代表的信息處理設(shè)備的電力消耗的要求已經(jīng)增加。傳統(tǒng)上在MFP中設(shè)置了省電模式從而實(shí)現(xiàn)低電力消耗。該省電模式通過(guò)在不進(jìn)行諸如打印等的處理的狀態(tài)下的待機(jī)期間、停止向不工作的區(qū)域的電力供給來(lái)實(shí)現(xiàn)低電力消耗。另外，還實(shí)現(xiàn)了能夠縮短從省電模式恢復(fù)為正常模式所用的時(shí)間的省電模式。具體地，采用通過(guò)以下所述的過(guò)程(A)和(B)來(lái)降低MFP的電力消耗的暫停模式。
[0005](A)將表示CPU和RAM等的工作狀態(tài)的狀態(tài)數(shù)據(jù)(寄存器、RAM數(shù)據(jù)等)存儲(chǔ)在處于自刷新?tīng)顟B(tài)的RAM中。
[0006](B)停止向例如不是自刷新對(duì)象的RAM的電力供給。
[0007]由于因某種恢復(fù)觸發(fā)(操作面板按鈕的按下或計(jì)時(shí)器所引起的周期性啟動(dòng))等而導(dǎo)致CPU接收到中斷，因此進(jìn)行從暫停模式向正常模式的恢復(fù)。在恢復(fù)為正常模式的情況下，通過(guò)使表示CPU和RAM等的工作狀態(tài)并且至此為止已存儲(chǔ)在處于自刷新?tīng)顟B(tài)的RAM中的狀態(tài)數(shù)據(jù)、返回至在轉(zhuǎn)變?yōu)闀和ＤＪ街霸摖顟B(tài)數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)的位置(RAM)，然后重新開(kāi)始處理，來(lái)縮短恢復(fù)時(shí)間。[0008]寬IO的層疊結(jié)構(gòu)在結(jié)構(gòu)上易受熱影響。例如，如果SoC裸片的特定區(qū)域和放置在該特定區(qū)域上方的層上的寬IO的DRAM芯片同時(shí)激活，則激活部分的溫度有時(shí)局部上升。該溫度上升伴隨有半導(dǎo)體中的漏電流呈指數(shù)上升并且電力消耗增大。另外，DRAM通過(guò)將電荷儲(chǔ)存在各單元所包括的電容器中來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。由于這些電容器利用半導(dǎo)體中的漏電流自然放電，因此對(duì)于DRAM而言，需要通過(guò)進(jìn)行刷新操作來(lái)對(duì)電容器充電，從而保留所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。該充電的放電依賴于DRAM的溫度，并且溫度越高，放電速度越快。因此，如果DRAM的溫度變高，則需要增加刷新頻率。結(jié)果，造成由刷新操作引起的電力消耗的增加。這導(dǎo)致占處于自刷新?tīng)顟B(tài)的RAM的電力消耗的大部分的暫停模式中的電力消耗增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]為了解決傳統(tǒng)技術(shù)中的問(wèn)題，本發(fā)明的一個(gè)方面提供進(jìn)一步降低在使用寬IO存儲(chǔ)器的情況下的暫停模式中的電力消耗的技術(shù)。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種信息處理設(shè)備，其包括層疊在包含CPU的SoC裸片上的寬IO存儲(chǔ)器裝置，所述信息處理設(shè)備還包括:溫度檢測(cè)單元，用于檢測(cè)所述寬IO存儲(chǔ)器裝置中所包括的多個(gè)存儲(chǔ)器的溫度；指定單元，用于在所述信息處理設(shè)備要轉(zhuǎn)變?yōu)槭‰娔Ｊ降那闆r下，基于所述溫度檢測(cè)單元所檢測(cè)到的溫度來(lái)指定所述多個(gè)存儲(chǔ)器中溫度較低的存儲(chǔ)器作為所述省電模式中要優(yōu)先使用的存儲(chǔ)器；以及存儲(chǔ)控制單元，用于將所述信息處理設(shè)備從所述省電模式恢復(fù)為正常模式所用的信息存儲(chǔ)在所述指定單元所指定的存儲(chǔ)器中。
[0011 ] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種信息處理設(shè)備，其包括層疊在包含CPU的SoC裸片上的寬IO存儲(chǔ)器裝置，所述信息處理設(shè)備還包括:計(jì)算單元，用于在所述信息處理設(shè)備要轉(zhuǎn)變?yōu)槭‰娔Ｊ降那闆r下，計(jì)算在通過(guò)分割所述SoC裸片的區(qū)域所獲得的多個(gè)區(qū)域中的各區(qū)域在所述省電模式中產(chǎn)生的發(fā)熱量；指定單元，用于指定所述寬IO存儲(chǔ)器裝置所包括的多個(gè)存儲(chǔ)器中、位于所述計(jì)算單元所計(jì)算出的發(fā)熱量較小的區(qū)域上方的存儲(chǔ)器，作為所述省電模式中要優(yōu)先使用的存儲(chǔ)器；以及存儲(chǔ)控制單元，用于將所述信息處理設(shè)備從所述省電模式恢復(fù)為正常模式所用的信息存儲(chǔ)在所述指定單元所指定的存儲(chǔ)器中。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種信息處理設(shè)備的控制方法，所述信息處理設(shè)備包括層疊在包含CPU的SoC裸片上的寬IO存儲(chǔ)器裝置，所述控制方法包括以下步驟:溫度檢測(cè)步驟，檢測(cè)所述寬IO存儲(chǔ)器裝置中所包括的多個(gè)存儲(chǔ)器的溫度；指定步驟，在所述信息處理設(shè)備要轉(zhuǎn)變?yōu)槭‰娔Ｊ降那闆r下，基于所述溫度檢測(cè)步驟中所檢測(cè)到的溫度來(lái)指定所述多個(gè)存儲(chǔ)器中溫度較低的存儲(chǔ)器作為所述省電模式中要優(yōu)先使用的存儲(chǔ)器；以及存儲(chǔ)控制步驟，將所述信息處理設(shè)備從所述省電模式恢復(fù)為正常模式所用的信息存儲(chǔ)在所述指定步驟中所指定的存儲(chǔ)器中。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種信息處理設(shè)備的控制方法，所述信息處理設(shè)備包括層疊在包含CPU的SoC裸片上的寬IO存儲(chǔ)器裝置，所述控制方法包括以下步驟:計(jì)算步驟，在所述信息處理設(shè)備要轉(zhuǎn)變?yōu)槭‰娔Ｊ降那闆r下，計(jì)算在通過(guò)分割所述SoC裸片的區(qū)域所獲得的多個(gè)區(qū)域中的各區(qū)域在所述省電模式中產(chǎn)生的發(fā)熱量；指定步驟，指定所述寬IO存儲(chǔ)器裝置所包括的多個(gè)存儲(chǔ)器中、位于所述計(jì)算步驟中所計(jì)算出的發(fā)熱量較小的區(qū)域上方的存儲(chǔ)器，作為所述省電模式中要優(yōu)先使用的存儲(chǔ)器；以及存儲(chǔ)控制步驟，將所述信息處理設(shè)備從所述省電模式恢復(fù)為正常模式所用的信息存儲(chǔ)在所述指定步驟中所指定的存儲(chǔ)器中。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的方面，可以通過(guò)使用寬IO的各存儲(chǔ)器中溫度較低的存儲(chǔ)器進(jìn)行控制從而轉(zhuǎn)變?yōu)槭‰娔Ｊ?，?lái)降低存儲(chǔ)器刷新頻率并減少漏電流。這樣使得能夠降低處于省電模式的寬IO存儲(chǔ)器裝置的電力消耗。
[0015]通過(guò)以下(參考附圖)對(duì)典型實(shí)施例的說(shuō)明，本發(fā)明的其它特征將變得明顯。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的MFP(數(shù)字多功能裝置)的整體結(jié)構(gòu)的框圖。
[0017]圖2A和2B是示出根據(jù)第一實(shí)施例的寬IO SDRAM的構(gòu)造的模式圖。
[0018]圖3是示出根據(jù)第一實(shí)施例的寬IO控制器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的框圖。
[0019]圖4是用于說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施例的寄存器的結(jié)構(gòu)的圖。
[0020]圖5是用于說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施例的示出分配至SDRAM的地址區(qū)域的地址映射的圖。
[0021]圖6是根據(jù)第一實(shí)施例的SoC封裝的俯瞰圖。
[0022]圖7是用于說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施例的MFP中的、CPU所進(jìn)行的用以獲取表示利用溫度傳感器測(cè)量到的溫度的溫度信息的處理的流程圖。
[0023]圖8A和8B是用于說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施例的MFP中的、用于在CPU使MFP轉(zhuǎn)變?yōu)闀和ＤＪ降那闆r下確定暫停模式中要使用的SDRAM的處理的流程圖。
[0024]圖9是示出第一實(shí)施例中的溫度傳感器所檢測(cè)到的溫度信息的示例的圖。
[0025]圖10是用于說(shuō)明在根據(jù)第一實(shí)施例的MFP的CPU使MFP從暫停模式恢復(fù)為正常模式的情況下的處理的流程圖。
[0026]圖11是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的MFP的操作單元、HDD、R0M和裝置I/F的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的框圖。
[0027]圖12A是示出構(gòu)成寬IO SDRAM的各SDRAM與SoC裸片的區(qū)域之間的關(guān)系的圖。
[0028]圖12B是示出在將SoC裸片的各區(qū)域分割成6X6個(gè)區(qū)域的情況下的各區(qū)域的位置關(guān)系的圖。
[0029]圖13是用于說(shuō)明以相對(duì)值示出將根據(jù)第二實(shí)施例的MFP的各塊分配在圖12B所示的SoC裸片的分割區(qū)域中的何處、以及各區(qū)域激活時(shí)的發(fā)熱量的表的圖。
[0030]圖14是示出用于在根據(jù)第二實(shí)施例的MFP的CPU使MFP轉(zhuǎn)變?yōu)闀和ＤＪ降那闆r下確定要使用的SDRAM的處理的流程圖。
[0031]圖15是用于說(shuō)明用于在根據(jù)第三實(shí)施例的MFP的CPU使MFP轉(zhuǎn)變?yōu)闀和ＤＪ降那闆r下確定要使用的SDRAM的處理的流程圖。
[0032]圖16是用于說(shuō)明用于在根據(jù)第三實(shí)施例的MFP的CPU使MFP轉(zhuǎn)變?yōu)闀和ＤＪ降那闆r下確定要使用的SDRAM的處理的流程圖。
[0033]圖17是用于說(shuō)明用于在根據(jù)第三實(shí)施例的MFP的CPU使MFP轉(zhuǎn)變?yōu)闀和ＤＪ降那闆r下確定要使用的SDRAM的處理的流程圖。
[0034]圖18是用于說(shuō)明用于在根據(jù)第三實(shí)施例的MFP的CPU使MFP轉(zhuǎn)變?yōu)闀和ＤＪ降那闆r下確定要使用的SDRAM的處理的流程圖。
[0035]圖19是示出第三實(shí)施例中的溫度傳感器所檢測(cè)到的溫度信息的示例的圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0036]以下將參考附圖來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。要注意，以下實(shí)施例并不意圖限制所附權(quán)利要求書(shū)的范圍，并且并非這些實(shí)施例所述的特征的所有組合對(duì)于本發(fā)明的解決方式而目都是必需的。
[0037]作為應(yīng)用了本發(fā)明的信息處理設(shè)備的示例，以下在實(shí)施例中將說(shuō)明具有諸如掃描、打印和復(fù)制等的多個(gè)功能的MFP (數(shù)字多功能裝置)。
[0038]第一實(shí)施例
[0039]圖1是示出根據(jù)實(shí)施例的MFP(數(shù)字多功能裝置)的整體結(jié)構(gòu)的框圖。
[0040]MFP100具有作為圖像輸入裝置的掃描器116和作為圖像輸出裝置的打印機(jī)引擎117，并且這兩者經(jīng)由裝置接口(I/F) 107連接至系統(tǒng)總線118。在CPUlOl的控制下，MFP100可以進(jìn)行使用掃描器116的原稿圖像的掃描和使用打印機(jī)引擎117的打印。此外，MFP100連接至LAN114和公用電話交換網(wǎng)絡(luò)(PSTN) 115，并且可以輸入和輸出圖像數(shù)據(jù)以及與經(jīng)由LANl 14和PSTNl 15連接至LAN或PSTN的外部裝置有關(guān)的裝置信息。
[0041]CPUlOl通過(guò)利用存儲(chǔ)在R0M106中的引導(dǎo)程序執(zhí)行從HDD105載入寬IO SDRAMl 13的程序來(lái)控制該MFP100的操作。操作單元102具有諸如觸摸面板或鍵盤(pán)等的輸入單元以及顯示單元，接收來(lái)自用戶的指示，并且使顯示單元向用戶顯示消息和處理結(jié)果等。網(wǎng)絡(luò)I/F103例如由LAN卡來(lái)實(shí)現(xiàn)，并且經(jīng)由LANl 14與外部裝置進(jìn)行裝置信息和圖像數(shù)據(jù)的輸入/輸出。調(diào)制解調(diào)器104經(jīng)由PSTN115與外部裝置進(jìn)行控制信息和圖像數(shù)據(jù)的輸入/輸出。HDD (硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器)105存儲(chǔ)OS和各種應(yīng)用程序等，并且保持輸入圖像數(shù)據(jù)等。R0M106存儲(chǔ)引導(dǎo)程序和各種數(shù)據(jù)。裝置I/F107連接至打印機(jī)引擎117和掃描器116，并且與掃描器116、打印機(jī)引擎117和系統(tǒng)總線118進(jìn)行圖像數(shù)據(jù)傳輸所用的處理。
[0042]編輯圖像處理單元108對(duì)圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行諸如旋轉(zhuǎn)和大小調(diào)整、顏色處理、裁切/掩模、二值轉(zhuǎn)換、多值轉(zhuǎn)換和白紙確定等的各種圖像處理。打印圖像處理單元109對(duì)要輸出至打印機(jī)引擎117的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行與打印機(jī)引擎117相對(duì)應(yīng)的圖像處理等。掃描圖像處理單元110對(duì)從掃描器116輸入的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行諸如校正、加工和編輯等的各種處理。光柵圖像處理器(RIP) 111將頁(yè)面描述語(yǔ)言(TOL)代碼繪制成圖像數(shù)據(jù)。
[0043]寬IO控制器112將來(lái)自CPUlOl和圖像處理單元108~110等的存儲(chǔ)器訪問(wèn)命令轉(zhuǎn)換成利用寬IO SDRAMl 13能夠解釋的命令，并且訪問(wèn)寬IO SDRAMl 13?寬IO SDRAMl13存儲(chǔ)CPUlOl要執(zhí)行的程序，并且提供CPUlOl工作所用的系統(tǒng)工作存儲(chǔ)器。另外，寬IOSDRAM113還是用于臨時(shí)存儲(chǔ)輸入圖像數(shù)據(jù)的圖像存儲(chǔ)器。如圖1所示，系統(tǒng)總線118連接上述各裝置和CPU101，并且在這些之間傳送控制信號(hào)和數(shù)據(jù)等。
[0044]圖2A和2B是示出根據(jù)本實(shí)施例的寬IO SDRAMl 13的構(gòu)造的模式圖，其中圖2A是從側(cè)面觀看到的寬IO SDRAM和SoC裸片的側(cè)視圖，并且圖2B是頂視圖。
[0045]在本實(shí)施例中，SoC裸片201包括CPU101、裝置I/F107、RIPlll和圖像處理單元108~110等。寬IO SDR`AM芯片202~205層疊在SoC裸片201上并且經(jīng)由硅直通孔(TSV) 206連接至SoC裸片201。根據(jù)所需存儲(chǔ)器容量，最多可以層疊四層的寬IO SDRAM芯片，并且在圖2A中示出層疊四層的示例。SoC封裝207將SoC裸片201和寬IO SDRAM芯片202?205容納在一個(gè)封裝體內(nèi)。如圖2B所示，在SoC裸片201和寬IO SDRAM芯片202?205的中央部配置有寬IO SDRAM I/F208。
[0046]圖3是示出根據(jù)本實(shí)施例的寬IO控制器112的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的框圖。
[0047]在圖3中，寬IO控制器112連接在如圖1所示的系統(tǒng)總線118和寬IO SDRAMl 13之間。寬IO控制器112連接至圖1中未示出的溫度傳感器309?312。
[0048]SDRAM301?304是設(shè)置在寬IO SDRAMl 13中的四個(gè)存儲(chǔ)器并且如圖3所示各自包括專(zhuān)用接口(I/F)。專(zhuān)用I/F與如上所述層疊在SoC裸片201上的寬IO SDRAM芯片202?205的四個(gè)通道相對(duì)應(yīng)。此外，專(zhuān)用I/F與圖2B中的寬IO SDRAM I/F208相對(duì)應(yīng)。存儲(chǔ)器控制器305?308可以單獨(dú)控制針對(duì)SDRAM301?304的電源電壓以及時(shí)鐘信號(hào)的供給和終止。各存儲(chǔ)器控制器305?308通過(guò)將來(lái)自系統(tǒng)總線118的存儲(chǔ)器訪問(wèn)命令轉(zhuǎn)換成SDRAM能夠解釋的命令來(lái)訪問(wèn)相應(yīng)連接的SDRAM。溫度傳感器309?312測(cè)量SDRAM301?304中的相應(yīng)SDRAM的溫度。
[0049]寄存器I/F313經(jīng)由寄存器專(zhuān)用總線(未示出)接收來(lái)自CPUlOl的訪問(wèn)。寄存器314存儲(chǔ)溫度獲取I/F315從溫度傳感器309?312獲取到的溫度信息以及CPUlOl所設(shè)置的針對(duì)存儲(chǔ)器控制器305?308的操作模式設(shè)置信息。在溫度獲取I/F315檢測(cè)到來(lái)自后面將說(shuō)明的溫度信息存儲(chǔ)寄存器402 (圖4)的溫度信息獲取請(qǐng)求的情況下，溫度獲取I/F315向后面所述的溫度傳感器指定寄存器401 (圖4)所指定的溫度傳感器發(fā)出用于獲取溫度信息的命令。由此，溫度獲取I/F315從相應(yīng)的溫度傳感器獲取到溫度信息。溫度獲取I/F315將獲取到的溫度信息存儲(chǔ)至(后面所述的)溫度信息存儲(chǔ)寄存器402。
[0050]圖4是用于說(shuō)明根據(jù)本實(shí)施例的寄存器314的結(jié)構(gòu)的圖。
[0051]寄存器314具有溫度傳感器指定寄存器401、溫度信息存儲(chǔ)寄存器402和存儲(chǔ)器控制器操作模式設(shè)置寄存器403?406。溫度傳感器指定寄存器401是存儲(chǔ)用于指定在CPUlOl要獲取溫度傳感器的溫度信息的情況下要作為對(duì)象的溫度傳感器的信息。由于將使用設(shè)置有四個(gè)溫度傳感器的示例來(lái)說(shuō)明本實(shí)施例，因此本實(shí)施例可以由2位的寄存器構(gòu)成，并且可以利用2位的各狀態(tài)指定四個(gè)溫度傳感器中的各溫度傳感器。
[0052]在輸入來(lái)自CPUlOl的溫度信息獲取請(qǐng)求的情況下，溫度信息存儲(chǔ)寄存器402向溫度獲取I/F315作出請(qǐng)求以獲取溫度傳感器指定寄存器401所指定的溫度傳感器的溫度信息。此外，溫度信息存儲(chǔ)寄存器402存儲(chǔ)從溫度獲取I/F315獲取到的溫度信息，并且根據(jù)來(lái)自CPUlOl的溫度信息讀出請(qǐng)求來(lái)輸出所存儲(chǔ)的溫度信息。
[0053]圖9是示出本實(shí)施例中的表示從溫度傳感器309?312獲取到的SDRAM301?304的溫度的溫度信息的示例的圖。圖9示出以下:與存儲(chǔ)器通道4相對(duì)應(yīng)并且溫度由溫度傳感器312來(lái)測(cè)量的SDRAM304具有最高溫度，而與存儲(chǔ)器通道I相對(duì)應(yīng)并且溫度由溫度傳感器309來(lái)測(cè)量的SDRAM301具有最低溫度。
[0054]存儲(chǔ)器控制器操作模式設(shè)置寄存器403?406分別是用于設(shè)置存儲(chǔ)器控制器305?308的操作模式的寄存器。存儲(chǔ)器控制器操作模式設(shè)置寄存器403?406分別存儲(chǔ)與針對(duì)SDRAM301?304的存儲(chǔ)器控制有關(guān)的設(shè)置值。這里，與存儲(chǔ)器控制有關(guān)的設(shè)置值的示例包括針對(duì)SDRAM301?304的刷新操作的時(shí)間間隔和與存儲(chǔ)器訪問(wèn)有關(guān)的定時(shí)參數(shù)等。注意，存儲(chǔ)器控制器操作模式設(shè)置寄存器403設(shè)置存儲(chǔ)器控制器305的操作模式，并且存儲(chǔ)器控制器操作模式設(shè)置寄存器404設(shè)置存儲(chǔ)器控制器306的操作模式。此外，存儲(chǔ)器控制器操作模式設(shè)置寄存器405設(shè)置存儲(chǔ)器控制器307的操作模式，并且存儲(chǔ)器控制器操作模式設(shè)置寄存器406設(shè)置存儲(chǔ)器控制器308的操作模式。
[0055]圖5是用于說(shuō)明根據(jù)本實(shí)施例的表示分配至SDRAM301?304的地址區(qū)域的地址映射的圖。
[0056]在本實(shí)施例中，向SDRAM301分配地址區(qū)域1，向SDRAM302分配地址區(qū)域2，向SDRAM303分配地址區(qū)域3，并且向SDRAM304分配地址區(qū)域4。然而，地址區(qū)域的大小不限于圖5所示的大小。注意，將上述的CPUlOl的程序載入SDRAM301的地址區(qū)域I。
[0057]圖6是用于簡(jiǎn)化圖2A和2B中的寬IO SDRAM芯片202?205和SoC裸片201的物理位置關(guān)系的說(shuō)明的SoC封裝207的俯瞰圖。
[0058]SoC裸片201包括CPUlOl、裝置I/F107、RIP111和前述的圖像處理單元108?110等。圖2B中的通道(存儲(chǔ)器通道)I?4與SoC封裝207的平面的左上部分、右上部分、左下部分和右下部分相對(duì)應(yīng)。此外，這四個(gè)部分同樣與圖3中的SDRAM301?304相對(duì)應(yīng)。如上所述，寬IO SDRAM113是層疊在SoC裸片201上的存儲(chǔ)器。另外，在本實(shí)施例中，如圖6所示，將SDRAM301?304中的各裝置按四層疊加在SoC裸片201的四部分上。溫度傳感器309?312內(nèi)置于SDRAM301?304中的各裝置以使得可以測(cè)量各存儲(chǔ)器的內(nèi)部溫度。然而，這僅是示例，并且各SDRAM的配置和溫度傳感器不限于圖6。此外，溫度傳感器309?312可以設(shè)置在SoC裸片201內(nèi)，或者這些溫度傳感器可以設(shè)置在寬IO SDRAMl 13的存儲(chǔ)器內(nèi)。
[0059]圖7是示出根據(jù)本實(shí)施例的MFP100中的、CPUlOl所進(jìn)行的用以獲取表示溫度傳感器309?312測(cè)量到的SDRAM301?304的溫度的溫度信息的處理過(guò)程的流程圖。由于在本實(shí)施例中MFP100包括四個(gè)溫度傳感器，因此圖7的流程圖示出用于從四個(gè)溫度傳感器309?312獲取溫度信息的處理。注意，預(yù)先將用于執(zhí)行該處理的程序安裝在HDD105中。在MFP100中，通過(guò)CPUlOl將程序從HDD105載入SDRAM301并且執(zhí)行所載入的程序來(lái)實(shí)現(xiàn)該處理。
[0060]首先，在步驟S701中，CPUlOl將“00”寫(xiě)入溫度傳感器指定寄存器401。在本實(shí)施例中，SoC封裝207包括四個(gè)溫度傳感器。由于此，為了指定這些溫度傳感器，CPUlOl使這些溫度傳感器與溫度傳感器指定寄存器401中的設(shè)置值按以下方式相關(guān)聯(lián)。也就是說(shuō)，使溫度傳感器指定寄存器401中的值、S卩“00”、“01”、“10”和“11”分別與溫度傳感器309?312相關(guān)聯(lián)。因而，在步驟S701中，CPUlOl將“00”寫(xiě)入溫度傳感器指定寄存器401從而指定溫度傳感器309。
[0061]接著，進(jìn)入步驟S702，CPUlOl向溫度信息存儲(chǔ)寄存器402發(fā)出溫度信息讀出請(qǐng)求并且獲取溫度傳感器309所測(cè)量到的表示SDRAM301的溫度的溫度信息。這里，如上所述，在檢測(cè)到來(lái)自CPUlOl的讀出請(qǐng)求時(shí)，溫度信息存儲(chǔ)寄存器402從溫度傳感器指定寄存器401所指定的溫度傳感器獲取溫度信息。此外，溫度信息存儲(chǔ)寄存器402將獲取到的溫度信息作為響應(yīng)于來(lái)自CPUlOl的讀出請(qǐng)求的應(yīng)答數(shù)據(jù)輸出至CPU101。因而，在步驟S702中，CPUlOl從溫度傳感器309獲取溫度信息。
[0062]接著，進(jìn)入步驟S703，CPU101將“01”寫(xiě)入溫度傳感器指定寄存器401，從而獲取溫度傳感器301所測(cè)量到的表示SDRAM302的溫度的溫度信息。隨后，進(jìn)入步驟S704，CPUlOl向溫度信息存儲(chǔ)寄存器402發(fā)出溫度信息讀出請(qǐng)求并且從溫度傳感器310獲取溫度信息。
[0063]接著，進(jìn)入步驟S705，CPUlOl將“ 10”寫(xiě)入溫度傳感器指定寄存器401，從而獲取溫度傳感器311所測(cè)量到的表示SDRAM303的溫度的溫度信息。隨后，進(jìn)入步驟S706，CPUlOl向溫度信息存儲(chǔ)寄存器402發(fā)出溫度信息讀出請(qǐng)求并且從溫度傳感器311獲取溫度信息。
[0064]接著，進(jìn)入步驟S707，CPU101將“11”寫(xiě)入溫度傳感器指定寄存器401，從而獲取溫度傳感器312所測(cè)量到的表示SDRAM304的溫度的溫度信息。隨后，進(jìn)入步驟S708，CPUlOl向溫度信息存儲(chǔ)寄存器402發(fā)出溫度信息讀出請(qǐng)求并且從溫度傳感器312獲取溫度信息。
[0065]根據(jù)上述處理，CPUlOl可以獲取各溫度傳感器所測(cè)量到的表示各SDRAM或各通道的溫度的溫度信息。
[0066]圖8A和8B是用于說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施例的MFP100中的、用于在CPUlOl使MFP100轉(zhuǎn)變?yōu)闀和ＤＪ?省電模式)的情況下確定暫停模式中要使用的SDRAM的處理的流程圖。也就是說(shuō)，在CPUlOl接收到用于轉(zhuǎn)變?yōu)闀和ＤＪ降挠|發(fā)之后并且在轉(zhuǎn)變?yōu)闀和ＤＪ街皥?zhí)行該流程圖。用于轉(zhuǎn)變?yōu)闀和ＤＪ降挠|發(fā)的示例包括來(lái)自操作單元102的指示和來(lái)自網(wǎng)絡(luò)I/F103的指示。CPUlOl讀取載入寬IO SDRAMl 13的程序并且執(zhí)行圖8A和8B的這些流程圖所示的處理。
[0067]首先，在步驟S801中，CPUlOl獲取溫度傳感器309?312檢測(cè)到的溫度信息。該溫度信息的獲取是根據(jù)圖7的流程圖所示的處理來(lái)進(jìn)行的。在以下將說(shuō)明的本實(shí)施例中，假定所獲取到的溫度信息包括諸如圖9所示的值等的值。也就是說(shuō)，溫度傳感器309檢測(cè)到的溫度為50°C，溫度傳感器310檢測(cè)到的溫度為60°C，溫度傳感器311檢測(cè)到的溫度為650C，并且溫度傳感器312檢測(cè)到的溫度為70°C。
[0068]接著，進(jìn)入步驟S802，CPU101基于步驟S801中獲取到的溫度信息來(lái)指定溫度最低的SDRAM。在本實(shí)施例中，如圖9所示，步驟S801中獲取到的溫度信息中的最低溫度是溫度傳感器309檢測(cè)到的50°C。因此，可以指定SDRAM301作為溫度最低的SDRAM。
[0069]接著，進(jìn)入步驟S803，CPUlOl判斷在步驟S802中指定的溫度最低的SDRAM的地址區(qū)域中是否可以保留能夠存儲(chǔ)狀態(tài)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器區(qū)域。也就是說(shuō)，CPUlOl判斷在分配至SDRAM301的地址為0x0000_0000?0x2000_0000的區(qū)域中是否可以保留狀態(tài)數(shù)據(jù)所需的存儲(chǔ)器區(qū)域。在步驟S803中，在判斷為可以保留存儲(chǔ)器區(qū)域的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S804。在步驟S804中，CPUlOl通過(guò)在步驟S802中指定的SDRAM的地址區(qū)域中保留所需的存儲(chǔ)器區(qū)域來(lái)確定溫度最低的SDRAM作為暫停模式中要使用的SDRAM，并且該過(guò)程進(jìn)入步驟S805。
[0070]接著，在步驟S805中，CPUlOl判斷在暫停模式中要使用的SDRAM中是否已經(jīng)存在狀態(tài)數(shù)據(jù)。在存在狀態(tài)數(shù)據(jù)的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S807，并且在不存在狀態(tài)數(shù)據(jù)的情況下，CPUlOl進(jìn)行用以使?fàn)顟B(tài)數(shù)據(jù)移動(dòng)至?xí)和ＤＪ街幸褂玫腟DRAM的存儲(chǔ)控制，然后該過(guò)程進(jìn)入步驟S807。此時(shí)，即使?fàn)顟B(tài)數(shù)據(jù)分散在多個(gè)SDRAM之間，也同樣使?fàn)顟B(tài)數(shù)據(jù)移動(dòng)。在步驟S807中，CPUlOl將表示暫停模式中要使用的SDRAM的信息和與存儲(chǔ)有狀態(tài)數(shù)據(jù)的地址有關(guān)的信息(以下稱為“恢復(fù)參考信息”)存儲(chǔ)在HDD105中。接著，進(jìn)入步驟S808，CPUlOl停止向暫停模式中不使用的SDRAM的電力供給。然后，進(jìn)入步驟S809，CPUlOl將暫停模式中要使用的SDRAM的操作模式改變?yōu)樽运⑿聽(tīng)顟B(tài)。具體地，CPUlOl在圖4的存儲(chǔ)器控制器操作模式設(shè)置寄存器403?406中的所需寄存器中設(shè)置表示自刷新的值。因而，存儲(chǔ)器控制器305?308中的相應(yīng)存儲(chǔ)器控制器使相應(yīng)SDRAM的操作模式改變?yōu)樽运⑿聽(tīng)顟B(tài)。注意，在此時(shí)需要將多個(gè)SDRAM的操作模式改變?yōu)樽运⑿聽(tīng)顟B(tài)的情況下，可以同時(shí)改變這些操作模式或者可以按設(shè)置的時(shí)間間隔改變這些操作模式。
[0071]另一方面，在步驟S803中，在CPUlOl判斷為在步驟S802中指定的SDRAM的地址區(qū)域中無(wú)法保留能夠存儲(chǔ)狀態(tài)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器區(qū)域的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S810。在步驟S810中，CPUlOl基于步驟S801中獲取到的溫度信息來(lái)指定溫度第二低的SDRAM。在本實(shí)施例中，根據(jù)圖9的第二低的溫度為溫度傳感器310檢測(cè)到的60°C。因而，可以指定SDRAM302作為溫度第二低的SDRAM。然后，進(jìn)入步驟S811，CPUlOl判斷在步驟S802和S810中指定的溫度最低和溫度第二低的SDRAM的地址區(qū)域中是否可以保留能夠存儲(chǔ)狀態(tài)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器區(qū)域。也就是說(shuō)，CPUlOl判斷在分配至SDRAM301和302的地址為0x0000_0000?0x4000,0000的區(qū)域中是否可以保留狀態(tài)數(shù)據(jù)所需的存儲(chǔ)器區(qū)域。在步驟S811中CPUlOl判斷為可以保留存儲(chǔ)器區(qū)域的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S812，并且CPUlOl在溫度最低和溫度第二低的SDRAM的地址區(qū)域中保留所需的存儲(chǔ)器區(qū)域。然后，將溫度最低和溫度第二低的SDRAM確定作為暫停模式中要使用的SDRAM，并且該過(guò)程進(jìn)入步驟S805。
[0072]另一方面，在步驟S811中，在CPUlOl判斷為在溫度最低和溫度第二低的SDRAM中無(wú)法保留所需的存儲(chǔ)器區(qū)域的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S813，并且CPUlOl基于步驟S801中獲取到的溫度信息來(lái)指定溫度第三低的SDRAM。在本實(shí)施例中，圖9中的第三低的溫度是溫度傳感器311檢測(cè)到的65°C。因而，可以指定SDRAM303作為溫度第三低的SDRAM。接著，進(jìn)入步驟S814，CPUlOl判斷在步驟S802、S810和S813中指定的溫度最低?溫度第三低的SDRAM的地址區(qū)域中是否可以保留能夠存儲(chǔ)狀態(tài)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器區(qū)域。也就是說(shuō)，CPUlOl判斷在分配至SDRAM301、302和303的地址為0x0000_0000?0x6000_0000的區(qū)域中是否可以保留狀態(tài)數(shù)據(jù)所需的存儲(chǔ)器區(qū)域。在CPUlOl判斷為可以保留存儲(chǔ)器區(qū)域的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S815，并且CPUlOl在溫度最低?溫度第三低的SDRAM的地址區(qū)域中保留所需的存儲(chǔ)器區(qū)域，由此將溫度最低?溫度第三低的SDRAM確定作為暫停模式中要使用的SDRAM，并且該過(guò)程進(jìn)入步驟S805。
[0073]另一方面，在步驟S814中，在CPUlOl中判斷為無(wú)法保留狀態(tài)數(shù)據(jù)所需的存儲(chǔ)器區(qū)域的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S816。在步驟S816中，CPUlOl在分配至溫度最低?溫度第四低的SDRAM301?304的地址區(qū)域中保留狀態(tài)數(shù)據(jù)所需的存儲(chǔ)器區(qū)域，由此確定暫停模式中要使用的SDRAM，并且該過(guò)程進(jìn)入步驟S809。這里，分配至SDRAM301?304的區(qū)域是地址為 0x0000_0000 ?0x8000_0000 的區(qū)域。
[0074]根據(jù)如上所述的本實(shí)施例，將寬IO存儲(chǔ)器裝置中的溫度最低的SDRAM的地址區(qū)域確定作為暫停模式中要優(yōu)先使用的地址區(qū)域。因而，獲得了能夠減少暫停模式中的存儲(chǔ)器溫度上升的影響的優(yōu)點(diǎn)。
[0075]圖10是用于說(shuō)明在根據(jù)第一實(shí)施例的MFP100中的CPUlOl使MFP100從暫停模式恢復(fù)為正常模式的情況下的處理的流程圖。在CPUlOl接收到用于恢復(fù)為正常模式的觸發(fā)之后并且在恢復(fù)為正常模式之前執(zhí)行該處理。用以恢復(fù)為正常模式的觸發(fā)的示例包括來(lái)自操作單元102的指示和來(lái)自網(wǎng)絡(luò)I/F103的作業(yè)接收。CPUlOl載入R0M106中所存儲(chǔ)的程序并且執(zhí)行圖10的流程圖所示的處理，并且CPUlOl讀取載入寬IO SDRAMl 13的程序并且執(zhí)行步驟S1004的處理。
[0076]首先，在步驟S1001中，CPUlOl讀出并獲取HDD105中所存儲(chǔ)的恢復(fù)參考信息。接著，進(jìn)入步驟S1002，CPU101參考步驟SlOOl中讀出的恢復(fù)參考信息中所包括的表示暫停模式中使用的SDRAM的信息，并且指定暫停模式中使用的SDRAM。如使用圖8A和8B的流程圖所述，將狀態(tài)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在暫停模式中使用的SDRAM中。接著，進(jìn)入步驟S1003，CPUlOl將暫停模式中使用的SDRAM的操作模式改變?yōu)檎２僮髂Ｊ?。這通過(guò)在圖4所示的存儲(chǔ)器控制器操作模式設(shè)置寄存器403?406中的所需存儲(chǔ)器中設(shè)置表示正常操作模式的值來(lái)實(shí)現(xiàn)。因而，存儲(chǔ)器控制器305?308將相應(yīng)SDRAM的操作模式改變?yōu)檎２僮髂Ｊ?。注意，在需要將多個(gè)SDRAM的操作模式改變?yōu)檎ＤＪ降那闆r下，可以同時(shí)改變這些操作模式或者可以按設(shè)置的時(shí)間間隔改變這些操作模式。
[0077]接著，進(jìn)入步驟S1004，CPUlOl參考恢復(fù)參考信息中所包括的與存儲(chǔ)有狀態(tài)數(shù)據(jù)的地址相關(guān)的信息，并且從SDRAM讀出該狀態(tài)數(shù)據(jù)。然后，進(jìn)入步驟S1005，CPUlOl參考該狀態(tài)數(shù)據(jù)，通過(guò)進(jìn)行恢復(fù)為正常模式所需的處理來(lái)完成該恢復(fù)操作。注意，恢復(fù)所需的處理包括將狀態(tài)數(shù)據(jù)中所存儲(chǔ)的值寫(xiě)入用于示出CPUlOl中所包括的CPU狀態(tài)的寄存器中、以及用于在轉(zhuǎn)變?yōu)闀和ＤＪ街爸匦麻_(kāi)始CPUlOl當(dāng)時(shí)正在執(zhí)行的程序的預(yù)處理。
[0078]根據(jù)如上所述的本實(shí)施例，在MFP100轉(zhuǎn)變?yōu)闀和ＤＪ降那闆r下，通過(guò)優(yōu)先溫度低的SDRAM中的地址區(qū)域來(lái)保留用于存儲(chǔ)狀態(tài)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器區(qū)域。由于此，可以進(jìn)一步防止溫度高的SDRAM的溫度上升，因此可以降低電力消耗，并且可以縮短恢復(fù)為正常模式所需的時(shí)長(zhǎng)。
[0079]第二實(shí)施例
[0080]接著將說(shuō)明本發(fā)明的第二實(shí)施例。在第二實(shí)施例中，使用圖13所示的SoC裸片201的各區(qū)域中的布局信息和發(fā)熱量信息來(lái)計(jì)算暫停模式中要使用的發(fā)熱量小的區(qū)域。然后，對(duì)存儲(chǔ)器區(qū)域進(jìn)行分配以使得優(yōu)先使用該區(qū)域上方的寬IO SDRAM。以下說(shuō)明關(guān)注本實(shí)施例和上述第一實(shí)施例之間的不同之處。注意，根據(jù)第二實(shí)施例的MFP100的結(jié)構(gòu)與上述第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同，因此將不重復(fù)針對(duì)該結(jié)構(gòu)的說(shuō)明。
[0081]圖11是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的MFP100的操作單元102、HDD105、R0M106和裝置I/F107的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的框圖。操作單元102、HDD105和R0M106各自包括諸如顯示控制器1102、SATA控制器1104和閃速ROM控制器1106等的各種類(lèi)型的通用I/F控制器。同樣包括了由上述的通用I/F控制器1102、1104和1106控制的作為通用裝置的示例的顯示單元1101、SATA HDD1103和閃速R0M1105等。此外，在裝置I/F107中包括掃描器I/F1107和打印機(jī)I/F1108，從而與掃描器116和打印機(jī)引擎117交換控制信號(hào)和圖像數(shù)據(jù)。
[0082]圖12A是示出構(gòu)成寬IO SDRAMl 13的SDRAM301?304與SoC裸片201的各區(qū)域之間的關(guān)系的圖，并且圖12B是示出在將SoC裸片201的區(qū)域分割成6X6個(gè)區(qū)域的情況下的各區(qū)域的位置關(guān)系的圖。如上所述，SDRAM301?304層疊在SoC裸片201的四個(gè)區(qū)域的上方，并且如圖12A所示，這些區(qū)域是區(qū)域A?D。此外，各區(qū)域A?D進(jìn)一步被分割成3X3個(gè)區(qū)域，并且如圖12B所示，這些分割區(qū)域是Al?A9、B1?B9、C1?C9和Dl?D9。由于這些區(qū)域激活而產(chǎn)生的熱被傳遞至位于這些區(qū)域上方的SDRAM301?304并且對(duì)電力消耗產(chǎn)生大的影響。
[0083]圖13是用于說(shuō)明以相對(duì)值示出將根據(jù)第二實(shí)施例的MFP100的各塊(圖1)分配在圖12B所示的SoC裸片201的分割區(qū)域中的何處、以及在各區(qū)域激活時(shí)的(每單位時(shí)間的)發(fā)熱量的表的圖。這里，與圖1中的各塊相對(duì)應(yīng)的電路配置在SoC裸片201上，并且圖12A和12B所示的各區(qū)域的發(fā)熱量根據(jù)這些電路激活而改變。
[0084]根據(jù)圖12A、12B和13，由于CPUlOl橫跨區(qū)域A6、B1、B2、B4和B5而布局，因此如果CPUlOl在工作中，則這些區(qū)域激活。因此，圖12B中的區(qū)域A每單位時(shí)間生成“I”單位的熱，并且區(qū)域B每單位時(shí)間生成“10”單位的熱。此外，由于打印圖像處理單元109橫跨區(qū)域B8、Cl、C2、C4、C5和C6而布局，因此如果打印圖像處理單元109工作，則這些區(qū)域激活。因此，圖12B中的區(qū)域B每單位時(shí)間生成“2”單位的熱，并且區(qū)域C每單位時(shí)間生成“11”單位的熱。圖13所示的信息是在SoC裸片201的設(shè)計(jì)期間預(yù)先獲取到的并且存儲(chǔ)在R0M106或?qū)扞O SDRAMl 13中。更具體地，獲得與圖1中的各功能塊被分配至的區(qū)域有關(guān)的信息作為SoC裸片201的設(shè)計(jì)期間的布局信息。另外，各區(qū)域激活時(shí)的發(fā)熱量是使用SoC裸片201的設(shè)計(jì)期間的熱模擬等所獲得的。
[0085]圖14是示出用于在根據(jù)第二實(shí)施例的MFPlOO中的CPUlOl使MFP100轉(zhuǎn)變?yōu)闀和ＤＪ降那闆r下確定要使用的SDRAM的處理的流程圖。換句話說(shuō)，在CPUlOl接收到用于轉(zhuǎn)變?yōu)闀和ＤＪ降挠|發(fā)之后并且在轉(zhuǎn)變?yōu)闀和ＤＪ街皥?zhí)行該流程圖。用于轉(zhuǎn)變?yōu)闀和ＤＪ降挠|發(fā)的示例包括來(lái)自操作單元102的指示和來(lái)自網(wǎng)絡(luò)I/F103的指示。CPUlOl讀取載入寬IO SDRAMl 13的程序并且執(zhí)行將使用圖14的流程圖來(lái)說(shuō)明的處理。
[0086]首先，在步驟S1401中，在接收到用于轉(zhuǎn)變?yōu)闀和ＤＪ降挠|發(fā)時(shí)，CPUlOl提取在處于暫停模式時(shí)要激活的功能塊。然后，進(jìn)入步驟S1402，CPUlOl基于與所提取的功能塊有關(guān)的信息并且基于圖13的表來(lái)計(jì)算圖12B所示的各區(qū)域A?D的發(fā)熱量。然后，CPUlOl指定位于發(fā)熱量最小的區(qū)域上方的SDRAM。
[0087]接著，進(jìn)入步驟S1403，CPU101判斷在步驟S1402中指定的位于發(fā)熱量最小的區(qū)域上方的SDRAM的地址區(qū)域中是否可以保留能夠存儲(chǔ)狀態(tài)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器區(qū)域。換句話說(shuō)，在例如使用SDRAM301的情況下，CPUlOl判斷在地址為0x0000_0000?0x2000_0000的區(qū)域中是否可以保留狀態(tài)數(shù)據(jù)所需的存儲(chǔ)器區(qū)域。在判斷為可以保留存儲(chǔ)器區(qū)域的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S1404，并且CPUlOl在位于發(fā)熱量最小的區(qū)域上方的SDRAM的地址區(qū)域中保留狀態(tài)數(shù)據(jù)所需的存儲(chǔ)器區(qū)域。然后，將該SDRAM確定作為暫停模式中要使用的SDRAM。然后，執(zhí)行以下在步驟S805?S809中示出的處理。注意，這些處理與圖SB所示的處理相同，因此將不重復(fù)針對(duì)這些處理的說(shuō)明。
[0088]另一方面，在步驟S1403中，在CPUlOl判斷為在步驟S1402中指定的SDRAM中無(wú)法保留所需的存儲(chǔ)器區(qū)域的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S1405。在步驟S1405中，CPUlOl基于步驟S1402中所計(jì)算出的與區(qū)域A?D的發(fā)熱量有關(guān)的信息來(lái)獲得發(fā)熱量第二小的區(qū)域，并且指定位于該區(qū)域上方的SDRAM。接著，進(jìn)入步驟S1406，CPUlOl判斷在位于步驟S1402和S1405中所指定的發(fā)熱量最小和發(fā)熱量第二小的區(qū)域上方的寬IO SDRAM中是否可以保留所需的存儲(chǔ)器區(qū)域。換句話說(shuō)，在例如使用SDRAM301和302的情況下，判斷在地址為0x0000_0000?0x4000_0000的區(qū)域中是否可以保留狀態(tài)數(shù)據(jù)所需的存儲(chǔ)器區(qū)域。在判斷為可以保留這些存儲(chǔ)器區(qū)域的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S1407，并且CPUlOl在發(fā)熱量最小和發(fā)熱量第二小的SDRAM的地址區(qū)域中保留所需的存儲(chǔ)器區(qū)域。然后，將位于發(fā)熱量最小和發(fā)熱量第二小的區(qū)域上方的SDRAM確定作為暫停模式中要使用的SDRAM。然后，該過(guò)程進(jìn)入步驟S805，并且將不重復(fù)針對(duì)S805及其之后的處理的說(shuō)明。
[0089]另一方面，在步驟S1406中，在CPUlOl判斷為在步驟S1405中指定的SDRAM中無(wú)法保留所需大小的存儲(chǔ)器區(qū)域的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S1408。在步驟S1408中，CPUlOl基于步驟S1402中所計(jì)算出的與區(qū)域A?D的發(fā)熱量有關(guān)的信息來(lái)指定位于發(fā)熱量第三小的區(qū)域上方的SDRAM。然后，進(jìn)入步驟S1409，CPUlOl判斷在步驟S1402、S1405和S1408中指定的SDRAM的地址區(qū)域中是否可以保留能夠存儲(chǔ)狀態(tài)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器區(qū)域。換句話說(shuō)，在SDRAM301?303的情況下，判斷在地址為0x0000_0000?0x6000_0000的區(qū)域中是否可以保留狀態(tài)數(shù)據(jù)所需的存儲(chǔ)器區(qū)域。在判斷為可以保留存儲(chǔ)器區(qū)域的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S1410，并且CPUlOl在位于發(fā)熱量最小?發(fā)熱量第三小的區(qū)域上方的SDRAM的地址區(qū)域中保留存儲(chǔ)器區(qū)域。因而，CPUlOl將位于發(fā)熱量最小?發(fā)熱量第三小的區(qū)域上方的SDRAM確定作為暫停模式中要使用的SDRAM，并且該過(guò)程進(jìn)入步驟S805。將不重復(fù)針對(duì)S805及其之后的處理的說(shuō)明。
[0090]另外，在步驟S1409中，在CPUlOl判斷為無(wú)法保留所需大小的存儲(chǔ)器區(qū)域的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S1411。在步驟S1411中，CPUlOl在分配至發(fā)熱量最小?發(fā)熱量第四小的區(qū)域上方的SDRAM301?304的地址中保留狀態(tài)數(shù)據(jù)所需的存儲(chǔ)器區(qū)域，并且將這些SDRAM確定作為暫停模式中要使用的SDRAM，然后該過(guò)程進(jìn)入步驟S809。注意，將不重復(fù)針對(duì)S809及其之后的處理的說(shuō)明。
[0091]接著，將使用暫停模式的具體示例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明各處理。在本實(shí)施例中，將說(shuō)明使用來(lái)自網(wǎng)絡(luò)I/F103的指示作為用于從正常模式轉(zhuǎn)變?yōu)闀和ＤＪ降挠|發(fā)的示例。
[0092]CPU101、網(wǎng)絡(luò)I/F103、R0M106和寬IO控制器112是在網(wǎng)絡(luò)I/F103所指示的轉(zhuǎn)變?yōu)闀和ＤＪ街蟮臓顟B(tài)下要使用的功能塊，并且在步驟S1401中提取這些功能塊。接著，在步驟S1402中，參考與所提取的功能塊有關(guān)的信息以及圖13的表來(lái)計(jì)算區(qū)域A?D的發(fā)熱量。在上述功能塊工作時(shí)，基于圖13的表中的信息來(lái)激活區(qū)域4649、81、82、84、85、86、B7、B9和C3。因而，在由于來(lái)自網(wǎng)絡(luò)I/F103的指示而要轉(zhuǎn)變?yōu)榈臅和ＤＪ街?，?jì)算SoC裸片201的區(qū)域A?D中產(chǎn)生的相對(duì)熱量，得到A=3、B=15、C=I和D=0。這里，在由于來(lái)自網(wǎng)絡(luò)I/F103的指示而要轉(zhuǎn)變?yōu)榈臅和ＤＪ街?，得出以?在SoC裸片201的區(qū)域中產(chǎn)生的熱量存在區(qū)域D <區(qū)域C <區(qū)域A <區(qū)域B的關(guān)系。因此，CPUlOl判斷是否可以保留存儲(chǔ)器區(qū)域，并且按步驟S1403?S1411所示的順序保留存儲(chǔ)器區(qū)域。例如，在步驟S1404中可以保留針對(duì)區(qū)域D的SDRAM304的情況下，在步驟S805中CPUlOl判斷在SDRAM304中是否存在狀態(tài)數(shù)據(jù)。在不存在狀態(tài)數(shù)據(jù)的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S806，并且CPUlOl使?fàn)顟B(tài)數(shù)據(jù)移動(dòng)至SDRAM304。然后，在步驟S807中，CPUlOl將恢復(fù)參考信息存儲(chǔ)在HDD105中，并且在步驟S808中，CPUlOl隨后停止向SDRAM301、302和303的電力供給。然后，進(jìn)入步驟S809，CPUlOl將SDRAM304的操作模式改變?yōu)樽运⑿聽(tīng)顟B(tài)。
[0093]另外，在MFP100從暫停模式恢復(fù)為正常模式的情況下的處理與圖10所示的流程圖相同。
[0094]根據(jù)如上所述的第二實(shí)施例，針對(duì)SoC裸片201的各區(qū)域計(jì)算在暫停模式下要激活的功能塊中產(chǎn)生的熱量的總和。此外，優(yōu)先保留位于發(fā)熱量小的區(qū)域上方的寬IO SDRAM作為暫停模式中要使用的存儲(chǔ)器區(qū)域。因而，可以通過(guò)盡可能地避免使用與由于在暫停模式下激活而發(fā)熱的SoC的區(qū)域相同的區(qū)域中所包括的寬IO SDRAM來(lái)抑制存儲(chǔ)器溫度上升。通過(guò)如此，可以防止暫停模式下的局部溫度的急劇上升，并且可以降低暫停模式下的電力消耗并縮短恢復(fù)為正常模式所需的時(shí)間。[0095]第三實(shí)施例
[0096]接著，將說(shuō)明用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的第三實(shí)施例。第三實(shí)施例說(shuō)明在確定要使用的存儲(chǔ)器區(qū)域時(shí)、在如以上第一實(shí)施例和第二實(shí)施例所述的溫度和發(fā)熱量相同的情況下確定存儲(chǔ)器區(qū)域的方法。以下的說(shuō)明關(guān)注第一實(shí)施例和本實(shí)施例之間的不同之處。
[0097]圖15?18是示出用于在根據(jù)第三實(shí)施例的MFP100的CPUlOl使MFP100轉(zhuǎn)變?yōu)闀和ＤＪ降那闆r下確定要使用的SDRAM的處理的流程圖。也就是說(shuō)，在CPUlOl接收到用于轉(zhuǎn)變?yōu)闀和ＤＪ降挠|發(fā)之后并且在轉(zhuǎn)變?yōu)闀和ＤＪ街皥?zhí)行該流程圖。用于轉(zhuǎn)變?yōu)闀和ＤＪ降挠|發(fā)的示例包括來(lái)自操作單元102的指示和來(lái)自網(wǎng)絡(luò)I/F103的指示。CPUlOl讀取載入寬IO SDRAMl 13的程序并且進(jìn)行圖15?19的流程圖所述的處理。
[0098]首先，在步驟S1501中，CPUlOl獲取溫度傳感器檢測(cè)到的溫度信息。如使用圖7的流程圖所述進(jìn)行利用CPUlOl的溫度信息的獲取。接著，進(jìn)入步驟S1502，CPUlOl基于步驟S1501中獲取到的溫度信息來(lái)指定溫度最低的SDRAM。然后，進(jìn)入步驟S1503，CPUlOl判斷在步驟S1502中指定的溫度最低的SDRAM的地址區(qū)域中是否可以保留能夠存儲(chǔ)狀態(tài)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器區(qū)域。這里，在判斷為可以保留存儲(chǔ)器區(qū)域的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S1504，并且CPUlOl判斷是否多個(gè)SDRAM具有最低溫度。在判斷為并非多個(gè)SDRAM具有最低溫度的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S1505，并且CPUlOl在溫度最低的SDRAM的地址區(qū)域中保留狀態(tài)數(shù)據(jù)所需的存儲(chǔ)器區(qū)域，因而將該SDRAM確定作為暫停模式中要使用的SDRAM。之后，該過(guò)程進(jìn)入步驟S805?S809所示的處理。由于這些處理與使用圖SB所述的處理相同，因此不重復(fù)針對(duì)這些處理的說(shuō)明。
[0099]另一方面，在步驟S1504中，在CPUlOl判斷為多個(gè)SDRAM具有最低溫度的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S1506，并且CPUlOl判斷在溫度最低的SDRAM中是否存在狀態(tài)數(shù)據(jù)。這里，在判斷為存在狀態(tài)數(shù)據(jù)的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S1507，并且CPUlOl將狀態(tài)數(shù)據(jù)存在的SDRAM中的地址區(qū)域保留作為存儲(chǔ)狀態(tài)數(shù)據(jù)要優(yōu)先使用的存儲(chǔ)器區(qū)域。因而，將狀態(tài)數(shù)據(jù)存在的SDRAM指定作為暫停模式中要使用的SDRAM。之后，該過(guò)程進(jìn)入步驟S807，但將不重復(fù)針對(duì)該步驟的說(shuō)明。
[0100]在步驟S1506中，在CPUlOl判斷為在溫度最低的SDRAM中不存在狀態(tài)數(shù)據(jù)的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S1508。在步驟S1508中，CPUlOl根據(jù)預(yù)先確定的優(yōu)先順序來(lái)在多個(gè)SDRAM中保留存儲(chǔ)器區(qū)域，由此確定暫停模式中要使用的SDRAM。這里，可以將表示優(yōu)先順序的信息存儲(chǔ)在HDD105或R0M106中并且利用CPUlOl來(lái)獲取。之后，該過(guò)程進(jìn)入步驟S806，并且將不重復(fù)針對(duì)該步驟的說(shuō)明。
[0101]接著，在步驟S1503中，在CPUlOl判斷為在分配至步驟S1502中指定的溫度最低的SDRAM的地址區(qū)域中無(wú)法保留所需大小的存儲(chǔ)器區(qū)域的情況下，該過(guò)程進(jìn)入圖16的步驟S1509。在步驟S1509中，CPUlOl基于步驟S1501中獲取到的溫度信息來(lái)指定溫度第二低的SDRAM0接著，進(jìn)入步驟S1510，CPUlOl判斷在步驟S1502和S1509中指定的溫度最低和溫度第二低的SDRAM的地址區(qū)域中是否可以保留能夠存儲(chǔ)狀態(tài)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器區(qū)域。在判斷為可以保留存儲(chǔ)器區(qū)域的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S1511，并且CPUlOl判斷是否多個(gè)SDRAM具有第二低溫度。在判斷為并非多個(gè)SDRAM具有第二低溫度的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S1512，并且CPUlOl在溫度最低和溫度第二低的SDRAM的地址區(qū)域中保留存儲(chǔ)器區(qū)域。因而，將溫度最低和溫度第二低的SDRAM確定作為暫停模式中要使用的SDRAM。之后，該過(guò)程進(jìn)入步驟S805，并且將不重復(fù)針對(duì)該步驟的說(shuō)明。
[0102]另一方面，在步驟S1511中，在CPUlOl判斷為多個(gè)SDRAM具有第二低溫度的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S1513，并且CPUlOl判斷在溫度第二低的SDRAM中是否存在狀態(tài)數(shù)據(jù)。這里，在判斷為存在狀態(tài)數(shù)據(jù)的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S1514，并且CPUlOl將狀態(tài)數(shù)據(jù)存在的SDRAM的地址區(qū)域保留作為要優(yōu)先使用的存儲(chǔ)器區(qū)域。因而，CPUlOl將狀態(tài)數(shù)據(jù)存在的SDRAM確定作為暫停模式中要使用的SDRAM。之后，該過(guò)程進(jìn)入步驟S807，并且將不重復(fù)針對(duì)該過(guò)程的說(shuō)明。
[0103]在步驟S1513中，在CPUlOl判斷為在溫度第二低的SDRAM中不存在狀態(tài)數(shù)據(jù)的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S1515，并且CPUlOl根據(jù)預(yù)先確定的優(yōu)先數(shù)序保留存儲(chǔ)器區(qū)域，由此確定暫停模式中要使用的SDRAM?？梢詫⒈硎驹搩?yōu)先順序的信息存儲(chǔ)在HDD105或R0M106中并且利用CPUlOI來(lái)獲取。之后，該過(guò)程進(jìn)入步驟S806，并且將不重復(fù)針對(duì)該過(guò)程的說(shuō)明。
[0104]在步驟S1510中，在CPUlOl判斷為無(wú)法保留存儲(chǔ)器區(qū)域的情況下，該過(guò)程進(jìn)入圖17的步驟S1516。在步驟S1516中，CPUlOl基于步驟S1501中獲取到的溫度信息來(lái)指定溫度第三低的SDRAM。接著，進(jìn)入步驟S1517，CPUlOl判斷在步驟S1502、S1509和S1516中指定的溫度最低?溫度第三低的SDRAM的地址區(qū)域中是否可以保留能夠存儲(chǔ)狀態(tài)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器區(qū)域。在判斷為可以保留存儲(chǔ)器區(qū)域的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S1518，并且CPUlOl判斷是否多個(gè)SDRAM具有第三低溫度。這里，在判斷為并非多個(gè)SDRAM具有第三低溫度的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S1519。在步驟S1519中，CPUlOl在溫度最低?溫度第三低的SDRAM的地址區(qū)域中保留狀態(tài)數(shù)據(jù)所需的存儲(chǔ)器區(qū)域。因而，將溫度最低?溫度第三低的SDRAM確定作為暫停模式中要使用的SDRAM。之后，該過(guò)程進(jìn)入步驟S805，并且將不重復(fù)針對(duì)該過(guò)程的說(shuō)明。
[0105]另一方面，在步驟S1518中，在CPUlOl判斷為多個(gè)SDRAM具有第三低溫度的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S1520，并且CPUlOl判斷在溫度第三低的SDRAM中是否存在狀態(tài)數(shù)據(jù)。這里，在判斷為存在狀態(tài)數(shù)據(jù)的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S1521，并且CPUlOl將狀態(tài)數(shù)據(jù)存在的SDRAM的地址區(qū)域保留作為要優(yōu)先使用的存儲(chǔ)器區(qū)域。因而，CPUlOl將狀態(tài)數(shù)據(jù)存在的SDRAM確定作為暫停模式中要使用的SDRAM。之后，該過(guò)程進(jìn)入步驟S807，并且將不重復(fù)針對(duì)該步驟的說(shuō)明。
[0106]在步驟S1520中，在CPUlOI判斷為在溫度第三低的SDRAM中不存在狀態(tài)數(shù)據(jù)的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S1522，并且CPUlOl根據(jù)預(yù)先確定的優(yōu)先順序保留存儲(chǔ)器區(qū)域，由此確定暫停模式中要使用的SDRAM?？梢詫⒈硎驹搩?yōu)先順序的信息存儲(chǔ)在HDD105或R0M106中并且利用CPUlOI來(lái)獲取。之后，該過(guò)程進(jìn)入步驟S806，并且將不重復(fù)針對(duì)該步驟的說(shuō)明。
[0107]在步驟S1517中，在CPUlOl判斷為無(wú)法保留存儲(chǔ)器區(qū)域的情況下，該過(guò)程進(jìn)入步驟S1523，并且CPUlOl在溫度最低?溫度第四低的SDRAM301?304的地址區(qū)域中保留存儲(chǔ)器區(qū)域。之后，該過(guò)程進(jìn)入步驟S805，并且由于步驟S805及其之后的處理與上述相同，因此將不重復(fù)針對(duì)該處理的說(shuō)明。
[0108]接著，將使用獲取到的溫度信息的具體值來(lái)詳細(xì)說(shuō)明各處理。在本實(shí)施例中，假定獲取到的溫度信息為諸如圖19所示的值等的值，并且以下給出針對(duì)該溫度信息的說(shuō)明。也就是說(shuō)，假定溫度傳感器309檢測(cè)到的溫度為50°C，溫度傳感器310檢測(cè)到的溫度為50°C，溫度傳感器311檢測(cè)到的溫度為65°C，并且溫度傳感器312檢測(cè)到的溫度為70°C。另外，假定地址0x0000_1000是狀態(tài)數(shù)據(jù)所需的存儲(chǔ)器區(qū)域的量，并且狀態(tài)數(shù)據(jù)存在于SDRAM301中。
[0109]首先，在圖15的步驟S1501中，CPUlOl獲取諸如圖19所示的溫度信息等的溫度信息。接著，在步驟S1502中，CPUlOl判斷為溫度最低的SDRAM是SDRAM301和302。接著，在步驟 S1503 中，CPUlOl 判斷在分配至 SDRAM301 和 302 的地址為 0x0000_0000 ?0x4000_0000的區(qū)域中是否可以保留能夠存儲(chǔ)狀態(tài)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器區(qū)域。在本實(shí)施例中，由于可以保留存儲(chǔ)器區(qū)域、并且多個(gè)SDRAM即SDRAM301和302具有最低溫度，因此該過(guò)程進(jìn)入步驟S1506，并且CPUlOl判斷在SDRAM301或302中是否存在狀態(tài)數(shù)據(jù)。由于在本實(shí)施例中在SDRAM301中存在狀態(tài)數(shù)據(jù)，因此該過(guò)程進(jìn)入步驟S1507，并且CPUlOl在狀態(tài)數(shù)據(jù)存在的SDRAM301的地址數(shù)據(jù)中保留存儲(chǔ)器區(qū)域。然后，該過(guò)程進(jìn)入圖18的步驟S807，并且CPU將恢復(fù)參考信息存儲(chǔ)在HDD105中，并且在步驟S808中，CPUlOl停止向SDRAM302、303和304的電力供給。此外，在步驟S809中，CPUlOl將SDRAM301的操作模式改變?yōu)樽运⑿聽(tīng)顟B(tài)。
[0110]注意，MFP100所使用的從暫停模式恢復(fù)為正常模式的方法與以上所述的圖10中示出的流程圖的方法相同。
[0111]此外，與第二實(shí)施例相同，在基于SoC裸片201的發(fā)熱量來(lái)確定要使用的SDRAM時(shí)，在多個(gè)區(qū)域具有相同發(fā)熱量的情況下同樣地執(zhí)行該處理。
[0112]根據(jù)如上所述的本實(shí)施例，在多個(gè)SDRAM具有相同溫度或多個(gè)區(qū)域具有相同發(fā)熱量的情況下，將狀態(tài)數(shù)據(jù)存在的SDRAM確定作為暫停模式中要使用的存儲(chǔ)器。由于如此可以避免狀態(tài)數(shù)據(jù)在存儲(chǔ)器空間內(nèi)的移動(dòng)，因此可以降低伴隨著數(shù)據(jù)的移動(dòng)的電力消耗。
[0113]第四實(shí)施例
[0114]考慮CPUlOl在暫停模式中使用計(jì)時(shí)器(未示出)以周期性地選擇暫停模式中要使用的SDRAM的第四實(shí)施例?？梢酝ㄟ^(guò)與圖8和14所示的流程圖的處理相同的處理來(lái)執(zhí)行用于選擇暫停模式中要使用的SDRAM的方法。
[0115]因而，即使在暫停模式中SDRAM的溫度狀態(tài)改變的情況下，也可以通過(guò)抑制SDRAM的溫度上升來(lái)降低電力消耗。
[0116]其它實(shí)施例
[0117]還可以通過(guò)讀出并執(zhí)行存儲(chǔ)裝置上所記錄的程序以進(jìn)行上述實(shí)施例的功能的系統(tǒng)或設(shè)備的計(jì)算機(jī)(或者CPU或MPU等的裝置)以及通過(guò)以下方法來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的方面，其中，由系統(tǒng)或設(shè)備的計(jì)算機(jī)通過(guò)例如讀出并執(zhí)行存儲(chǔ)裝置上所記錄的程序以進(jìn)行上述實(shí)施例的功能，來(lái)進(jìn)行該方法的步驟。為了該目的，例如，經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)或者從用作存儲(chǔ)裝置的各種類(lèi)型的記錄介質(zhì)(例如，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì))向計(jì)算機(jī)提供該程序。
[0118]盡管已經(jīng)參考典型實(shí)施例說(shuō)明了本發(fā)明，但是應(yīng)該理解，本發(fā)明不限于所公開(kāi)的典型實(shí)施例。所附權(quán)利要求書(shū)的范圍符合最寬的解釋?zhuān)园羞@類(lèi)修改、等同結(jié)構(gòu)和功倉(cāng)泛。
【權(quán)利要求】
1.一種信息處理設(shè)備，其包括層疊在包含CPU的SoC裸片上的寬IO存儲(chǔ)器裝置，所述信息處理設(shè)備還包括: 溫度檢測(cè)單元，用于檢測(cè)所述寬IO存儲(chǔ)器裝置中所包括的多個(gè)存儲(chǔ)器的溫度； 指定單元，用于在所述信息處理設(shè)備要轉(zhuǎn)變?yōu)槭‰娔Ｊ降那闆r下，基于所述溫度檢測(cè)單元所檢測(cè)到的溫度來(lái)指定所述多個(gè)存儲(chǔ)器中溫度較低的存儲(chǔ)器作為所述省電模式中要優(yōu)先使用的存儲(chǔ)器；以及 存儲(chǔ)控制單元，用于將所述信息處理設(shè)備從所述省電模式恢復(fù)為正常模式所用的信息存儲(chǔ)在所述指定單兀所指定的存儲(chǔ)器中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息處理設(shè)備，其中， 在無(wú)法將所述信息全部存儲(chǔ)在所述多個(gè)存儲(chǔ)器中的一個(gè)存儲(chǔ)器內(nèi)的情況下，所述指定單元還指定溫度次低的存儲(chǔ)器作為所述省電模式中要使用的存儲(chǔ)器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息處理設(shè)備，其中， 在存在溫度最低的多個(gè)存儲(chǔ)器的情況下，所述指定單元指定所述溫度最低的多個(gè)存儲(chǔ)器中已存儲(chǔ)有所述信息的存儲(chǔ)器作為所述省電模式中要使用的存儲(chǔ)器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的信息處理設(shè)備，其中，所述信息處理設(shè)備還包括: 控制單元，用于在所述信息處理設(shè)備要轉(zhuǎn)變?yōu)樗鍪‰娔Ｊ降那闆r下，將所述指定單元所指定的存儲(chǔ)器設(shè)置為自刷新?tīng)顟B(tài)，并且停止向所述指定單元沒(méi)有指定的各存儲(chǔ)器的電力供給。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的信息處理設(shè)備，其中，所述信息處理設(shè)備還包括: 存儲(chǔ)單元，用于在所述信息處理設(shè)備要轉(zhuǎn)變?yōu)樗鍪‰娔Ｊ降那闆r下，存儲(chǔ)與由所述存儲(chǔ)控制單元存儲(chǔ)了所述信息的存儲(chǔ)器有關(guān)的恢復(fù)參考信息。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的信息處理設(shè)備，其中， 所述寬IO存儲(chǔ)器裝置由多個(gè)存儲(chǔ)器通道構(gòu)成，并且所述多個(gè)存儲(chǔ)器配置在所述存儲(chǔ)器通道中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的信息處理設(shè)備，其中， 所述多個(gè)存儲(chǔ)器中的各存儲(chǔ)器具有用于檢測(cè)溫度的溫度傳感器，以及 所述溫度檢測(cè)單元基于所述溫度傳感器所檢測(cè)到的溫度來(lái)檢測(cè)所述多個(gè)存儲(chǔ)器的各個(gè)溫度。
8.一種信息處理設(shè)備，其包括層疊在包含CPU的SoC裸片上的寬IO存儲(chǔ)器裝置，所述信息處理設(shè)備還包括: 計(jì)算單元，用于在所述信息處理設(shè)備要轉(zhuǎn)變?yōu)槭‰娔Ｊ降那闆r下，計(jì)算在通過(guò)分割所述SoC裸片的區(qū)域所獲得的多個(gè)區(qū)域中的各區(qū)域在所述省電模式中產(chǎn)生的發(fā)熱量； 指定單元，用于指定所述寬IO存儲(chǔ)器裝置所包括的多個(gè)存儲(chǔ)器中、位于所述計(jì)算單元所計(jì)算出的發(fā)熱量較小的區(qū)域上方的存儲(chǔ)器，作為所述省電模式中要優(yōu)先使用的存儲(chǔ)器；以及 存儲(chǔ)控制單元，用于將所述信息處理設(shè)備從所述省電模式恢復(fù)為正常模式所用的信息存儲(chǔ)在所述指定單兀所指定的存儲(chǔ)器中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的信息處理設(shè)備，其中， 在無(wú)法將所述信息全部存儲(chǔ)在所述多個(gè)存儲(chǔ)器中的一個(gè)存儲(chǔ)器內(nèi)的情況下，所述指定單元還指定位于發(fā)熱量次小的區(qū)域上方的存儲(chǔ)器。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的信息處理設(shè)備，其中， 在存在發(fā)熱量最小的多個(gè)區(qū)域的情況下，所述指定單元指定位于所述發(fā)熱量最小的多個(gè)區(qū)域上方的多個(gè)存儲(chǔ)器中已存儲(chǔ)有所述信息的存儲(chǔ)器作為所述省電模式中要使用的存儲(chǔ)器。
11.根據(jù)權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的信息處理設(shè)備，其中，所述信息處理設(shè)備還包括: 控制單元，用于在所述信息處理設(shè)備要轉(zhuǎn)變?yōu)樗鍪‰娔Ｊ降那闆r下，將所述指定單元所指定的存儲(chǔ)器設(shè)置為自刷新?tīng)顟B(tài)，并且停止向所述指定單元沒(méi)有指定的各存儲(chǔ)器的電力供給。
12.根據(jù)權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的信息處理設(shè)備，其中，所述信息處理設(shè)備還包括: 存儲(chǔ)單元，用于在所述信息處理設(shè)備要轉(zhuǎn)變?yōu)樗鍪‰娔Ｊ降那闆r下，存儲(chǔ)與由所述存儲(chǔ)控制單元存儲(chǔ)了所述信息的存儲(chǔ)器有關(guān)的恢復(fù)參考信息。
13.根據(jù)權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的信息處理設(shè)備，其中， 所述寬IO存儲(chǔ)器裝置由多個(gè)`存儲(chǔ)器通道構(gòu)成，并且所述多個(gè)存儲(chǔ)器配置在所述存儲(chǔ)器通道中。
14.一種信息處理設(shè)備的控制方法，所述信息處理設(shè)備包括層疊在包含CPU的SoC裸片上的寬IO存儲(chǔ)器裝置，所述控制方法包括以下步驟: 溫度檢測(cè)步驟，檢測(cè)所述寬IO存儲(chǔ)器裝置中所包括的多個(gè)存儲(chǔ)器的溫度； 指定步驟，在所述信息處理設(shè)備要轉(zhuǎn)變?yōu)槭‰娔Ｊ降那闆r下，基于所述溫度檢測(cè)步驟中所檢測(cè)到的溫度來(lái)指定所述多個(gè)存儲(chǔ)器中溫度較低的存儲(chǔ)器作為所述省電模式中要優(yōu)先使用的存儲(chǔ)器；以及 存儲(chǔ)控制步驟，將所述信息處理設(shè)備從所述省電模式恢復(fù)為正常模式所用的信息存儲(chǔ)在所述指定步驟中所指定的存儲(chǔ)器中。
15.—種信息處理設(shè)備的控制方法,所述信息處理設(shè)備包括層疊在包含CPU的SoC裸片上的寬IO存儲(chǔ)器裝置，所述控制方法包括以下步驟: 計(jì)算步驟，在所述信息處理設(shè)備要轉(zhuǎn)變?yōu)槭‰娔Ｊ降那闆r下，計(jì)算在通過(guò)分割所述SoC裸片的區(qū)域所獲得的多個(gè)區(qū)域中的各區(qū)域在所述省電模式中產(chǎn)生的發(fā)熱量； 指定步驟，指定所述寬IO存儲(chǔ)器裝置所包括的多個(gè)存儲(chǔ)器中、位于所述計(jì)算步驟中所計(jì)算出的發(fā)熱量較小的區(qū)域上方的存儲(chǔ)器，作為所述省電模式中要優(yōu)先使用的存儲(chǔ)器；以及 存儲(chǔ)控制步驟，將所述信息處理設(shè)備從所述省電模式恢復(fù)為正常模式所用的信息存儲(chǔ)在所述指定步驟中所指定的存儲(chǔ)器中。
【文檔編號(hào)】G06F13/18GK103729050SQ201310475654
【公開(kāi)日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2013年10月12日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月12日
【發(fā)明者】富秀療 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社