基于虛擬樣機技術(shù)的中壓真空滅弧室內(nèi)部磁場的真空滅弧室仿真方法及裝置制造方法
【專利摘要】基于虛擬樣機技術(shù)的中壓真空滅弧室內(nèi)部磁場的真空滅弧室仿真方法及裝置，涉及一種仿真方法及裝置。為了解決采用目前的真空滅弧室內(nèi)部磁場的仿真方法，在建立模型后，若連續(xù)更改仿真模型參數(shù)則影響了延長了滅弧室的設計周期的問題。它通過VC++6.0開發(fā)軟件對Pro/Engineer軟件進行功能拓展，建立了用于真空滅弧室內(nèi)部磁場的仿真分析的虛擬樣機，將仿真模型直接導入虛擬樣機中，進行滅弧室內(nèi)部磁場的仿真計算，并且根據(jù)仿真結(jié)果分析觸頭的開距、觸頭的形狀和結(jié)構(gòu)等因素對滅弧室內(nèi)部磁場的影響，從而確定真空滅弧室的最優(yōu)結(jié)構(gòu)設置參數(shù)。它用于仿真真空滅弧室。
【專利說明】基于虛擬樣機技術(shù)的中壓真空滅弧室內(nèi)部磁場的真空滅弧
室仿真方法及裝置【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種仿真方法及裝置，特別涉及一種基于虛擬樣機技術(shù)的中壓真空滅弧室內(nèi)部磁場的真空滅弧室仿真方法及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]虛擬樣機技術(shù)的優(yōu)越性:隨著經(jīng)濟貿(mào)易發(fā)展的全球化，縮短產(chǎn)品的開發(fā)周期、提高產(chǎn)品的質(zhì)量、降低產(chǎn)品的成本、提高對市場反應的靈活性等方面已經(jīng)是在激烈的市場競爭中取得勝利的必要條件。但是，傳統(tǒng)中壓斷路器設計的步驟是:首先，對市場進行調(diào)研，從而確定初步的設計方案；然后，根據(jù)簡單的經(jīng)驗公式完成產(chǎn)品的設計，并進行相關計算；最后，制作樣機，并且進行試驗驗證，進而確定最終的設計方案。但是這種設計往往不能一次性達到產(chǎn)品最終的要求，當在驗證實驗中發(fā)現(xiàn)設計的缺陷時，設計者就必須要重新修改設計，并且制作新的樣機。通過反復制作樣機和實驗驗證，設計才能最終達到產(chǎn)品的要求，但是這個設計可能不是最佳的。所以，傳統(tǒng)的設計方法存在著設計周期長、設計成本高，對市場反應不靈活等缺點。虛擬樣機技術(shù)是一種以分析解決產(chǎn)品的性能和實現(xiàn)優(yōu)化設計為目標的高新技術(shù)，它完美的克服了傳統(tǒng)設計方法的種種弊端。依靠這一高新技術(shù)，設計人員可以首先利用三維圖形技術(shù)在計算機中制作設計對象的三維虛擬樣機，然后利用可視化仿真軟件完成虛擬樣機的各種物理性能的仿真分析，甚至可以在虛擬環(huán)境中進行在現(xiàn)實環(huán)境中難以或者根本無法進行的試驗，快速分析各設計方案的優(yōu)劣，最終獲得最佳的設計方案。而且，這種技術(shù)可以將設計人員的想象與經(jīng)驗融合在設計中，給設計人員提供了極大的發(fā)揮空間。虛擬樣機技術(shù)由于具有開發(fā)周期短、設計質(zhì)量和設計效率高、對市場反應靈活等優(yōu)勢，所以被廣泛地應用到了新產(chǎn)品的研發(fā)設計之中。
[0003]研究中壓真空滅弧室內(nèi)部磁場分布的重要性:近年來中壓真空斷路器得到了長足的發(fā)展，特別是在12kV等級已占絕對優(yōu)勢。而滅弧室內(nèi)部磁場的分布決定了中壓真空斷路器的開斷性能。在真空滅弧室的發(fā)展過程中，引入磁場來控制真空電弧的形態(tài)，在提高滅弧室的開斷性能方面起到了重要作用。橫向磁場的應用，曾經(jīng)使真空滅弧室的開斷能力得到了很大程度地提高。但是與橫向磁場相比，縱向磁場對抑制真空滅弧室內(nèi)部大電流電弧的收縮、降低電弧電壓、防止觸頭表面的燒蝕以及提高弧后介質(zhì)恢復強度等方面都具有良好的效果。相應的真空滅弧室的杯狀縱磁觸頭結(jié)構(gòu)對其內(nèi)部穩(wěn)態(tài)磁場和瞬態(tài)磁場的影響很大。目前的真空滅弧室內(nèi)部磁場的仿真方法都是在仿真軟件中建立模型，一旦由于設計需要而研究滅弧室的某些參數(shù)(如觸頭開距、觸頭形狀及結(jié)構(gòu))對滅弧室內(nèi)部磁場分布的影響，從而需要連續(xù)更改仿真模型參數(shù)，就只能不斷重新建立模型，以致于影響了延長了滅弧室的設計周期的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的 目的是為了解決目前的真空滅弧室內(nèi)部磁場的仿真方法都是采用在仿真軟件中建立模型的方式，一旦由于設計需要而研究滅弧室的某些參數(shù)對滅弧室內(nèi)部磁場分布的影響，從而需要連續(xù)更改仿真模型參數(shù)，就只能不斷重新建立模型，以致于延長了滅弧室的設計周期的問題，本發(fā)明提供一種基于虛擬樣機技術(shù)的中壓真空滅弧室內(nèi)部磁場的真空滅弧室仿真方法及裝置。
[0005]本發(fā)明的基于虛擬樣機技術(shù)的中壓真空滅弧室內(nèi)部磁場的真空滅弧室仿真方法，
[0006]它包括如下步驟:
[0007]用于運用Pro/Engineer軟件建立待仿真的真空滅弧室的模型的步驟；
[0008]所述真空滅弧室的模型包括真空滅弧室整體結(jié)構(gòu)的模型、真空滅弧室靜端組件模型、真空滅弧室動端組件模型和真空滅弧室屏蔽罩模型；
[0009]用于采用Pro/Engineer軟件和VC++6.0開發(fā)軟件建立真空滅弧室模型的內(nèi)部磁場的仿真分析的虛擬樣機的步驟，
[0010]用于將待仿真的真空滅弧室的結(jié)構(gòu)設置參數(shù)同時導入到所述虛擬樣機中，進行真空滅弧室內(nèi)部磁場的仿真計算，得到真空滅弧室內(nèi)部磁場的仿真分布結(jié)果的步驟；
[0011]用于改變虛擬樣機中待仿真的真空滅弧室觸頭的開距、觸頭的形狀和結(jié)構(gòu)，結(jié)合獲得的相應的真空滅弧室內(nèi)部磁場，確定待仿真的真空滅弧室的最優(yōu)結(jié)構(gòu)設置參數(shù)的步驟。
[0012]本發(fā)明的優(yōu)點在于:本發(fā)明通過VC++6.0開發(fā)軟件對Pro/Engineer軟件進行了二次開發(fā)，建立了用于真空滅弧室內(nèi)部磁場的仿真分析的虛擬樣機，將仿真模型直接導入虛擬樣機中，進行滅弧室內(nèi)部磁場的仿真計算，并且根據(jù)仿真結(jié)果分析觸頭的開距、觸頭的形狀和結(jié)構(gòu)等因素對滅弧室內(nèi)部磁場的影響，從而確定真空滅弧室的最優(yōu)結(jié)構(gòu)設置參數(shù)。與現(xiàn)有的仿真方法對比，利用本發(fā)明的裝置及方法結(jié)合能使中壓真空滅弧室內(nèi)部磁場分布的仿真過程更加簡單、快捷，從而大大縮短了滅弧室的設計周期，提高了仿真分析的效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為采用本發(fā)明的方法在電流峰值時刻兩種情況下沿X軸徑向的縱向磁場分布曲線。
[0014]圖2為采用本發(fā)明的方法在電流峰值時刻杯指與水平面夾角為25°和27°時的電弧中心平面沿X軸徑向的縱向磁場分布曲線。
【具體實施方式】
[0015]【具體實施方式】一:本實施方式所述的基于虛擬樣機技術(shù)的中壓真空滅弧室內(nèi)部磁場的真空滅弧室仿真方法，它包括如下步驟:
[0016]用于運用Pro/Engineer軟件建立待仿真的真空滅弧室的模型的步驟；
[0017]所述真空滅弧室的模型包括真空滅弧室整體結(jié)構(gòu)的模型、真空滅弧室靜端組件模型、真空滅弧室動端組件模型和真空滅弧室屏蔽罩模型；
[0018]用于采用Pro/Engineer軟件和VC++6.0開發(fā)軟件建立真空滅弧室模型的內(nèi)部磁場的仿真分析的虛擬樣機的步驟，
[0019]用于將待仿真的真空滅弧室的結(jié)構(gòu)設置參數(shù)同時導入到所述虛擬樣機中，進行真空滅弧室內(nèi)部磁場的仿真計算，得到真空滅弧室內(nèi)部磁場的仿真分布結(jié)果的步驟；[0020]用于改變虛擬樣機中待仿真的真空滅弧室觸頭的開距觸頭的形狀和結(jié)構(gòu)，結(jié)合獲得的相應的真空滅弧室內(nèi)部磁場，確定待仿真的真空滅弧室的最優(yōu)結(jié)構(gòu)設置參數(shù)的步驟。
[0021]將上述的仿真模型的建立、模型參數(shù)的設置、模型的導入、仿真計算、模型參數(shù)的重新設置等步驟統(tǒng)一起來的過程即為中壓真空滅弧室的虛擬樣機技術(shù)的實現(xiàn)過程。
[0022]【具體實施方式】二:本實施方式是對【具體實施方式】一所述的基于虛擬樣機技術(shù)的中壓真空滅弧室內(nèi)部磁場的真空滅弧室仿真方法的進一步限定，所述用于采用Pro/Engineer軟件和VC++6.0開發(fā)軟件建立真空滅弧室模型的內(nèi)部磁場的仿真分析的虛擬樣機的步驟為:
[0023]采用VC++6.0開發(fā)軟件對Pro/Engineer軟件功能拓展的步驟；
[0024]采用拓展功能后的Pro/Engineer軟件實現(xiàn)如下步驟:
[0025]獲取建立真空滅弧室模型中的對象指針的步驟；根據(jù)對象指針獲取相應對象的數(shù)據(jù)的步驟；
[0026]顯示獲取相應對象的數(shù)據(jù)的步驟；
[0027]輸入重新設置對象指針的數(shù)據(jù)的步驟；
[0028]根據(jù)輸入的對象指針的數(shù)據(jù)更新真空滅弧室模型中相關變量和相應對象的數(shù)據(jù)的步驟；
[0029]保存更新后的真空滅弧室模型的步驟。
[0030]【具體實施方式】三:本實施方式是對【具體實施方式】一所述的基于虛擬樣機技術(shù)的中壓真空滅弧室內(nèi)部磁場的真空滅弧室仿真方法的進一步限定，所述中壓真空滅弧室為12kV/3150A/40kA 真空滅弧室。
[0031]本實施方式針對某種12kV/3150A/40kA真空滅弧室樣品進行了外觀測繪，在完成了滅弧室的解剖之后，對其內(nèi)部進行了測繪，并且采用Pro/Engineer軟件對該真空滅弧室進行了建模:
[0032]( I)真空滅弧室整體模型的建立
[0033]真空滅弧室的整體結(jié)構(gòu)是真空斷路器的最重要的部件。它主要由靜觸頭、動觸頭、屏蔽罩、波紋管和外殼等零件組成。
[0034](2)真空滅弧室靜端組件模型和動端組件模型的建立
[0035]真空滅弧室靜端組件模型分別由靜導電桿、靜端觸頭、靜端套接、端部屏蔽罩以及靜端法蘭組成。
[0036]真空滅弧室動端組件模型分別由動導電桿、動端觸頭、動端套接、波紋管以及端部屏蔽罩組成。其中，觸頭部分是真空滅弧室內(nèi)最為重要的元件，它決定了真空滅弧室的開斷能力和電氣壽命，就接觸方式而言，目前真空斷路器的觸頭系統(tǒng)都是對接式的。
[0037]本實施方式所述的真空滅弧室樣品的觸頭主要由觸頭片、觸頭座、觸頭支撐三部分組成。
[0038](3)真空滅弧室屏蔽罩模型的建立
[0039]在觸頭周圍設置屏蔽罩，其主要作用為以下四點:防止由于絕緣外殼被電弧生成物污染而引起的絕緣強度的降低；有利于電弧熄滅后介質(zhì)強度的迅速恢復；可以使滅弧室內(nèi)部的電壓均勻分布。
[0040]Pro/Engineer軟件雖然具有強大的三維造型功能,但是由于它是通用的設計軟件，所以沒有對某種特定的產(chǎn)品提供專門的開發(fā)模塊，使得之前的設計資源不能被充分的利用。因此，為了提高設計效率，對Pro/Engineer軟件的功能進行拓展，從而達到能夠提供特定產(chǎn)品的專用模塊的目的，就必須進行Pro/Engineer軟件的二次開發(fā)。
[0041]Pro/Engineer軟件自帶的Pro/Toolkit個性化開發(fā)工具包(應用程序接口)提供了強大的二次開發(fā)功能，由于它提供了大量的C語言庫函數(shù)，所以外部應用程序能夠安全有效地訪問Pro/Engineer軟件的應用程序與數(shù)據(jù)庫，從而完成了 C語言程序與Pro/Engineer軟件的無縫連接。而且,Pro/Toolkit還封裝了許多Pro/Engineer軟件底層的庫函數(shù)與頭文件，用戶可以借助第三方編譯環(huán)境對其進行調(diào)試。因此，本專利采用VC++6.0開發(fā)軟件對Pro/Engineer軟件進行二次開發(fā)。
[0042]( I)三維參數(shù)化設計的基本原理
[0043]參數(shù)化設計的基本原理是:將程序控制與三維模型結(jié)合起來，從而得到所需的三維實體模型。具體的過程為:首先，建立某種產(chǎn)品的三維模型；然后，根據(jù)零件具體的設計要求設置可以控制模型大小和形狀的設計參數(shù)；最后，對零件的設計參數(shù)進行編程，從而實現(xiàn)設計參數(shù)的檢索、修改以及新三維模型的再生的功能，并且提供人機交互界面。
[0044](2)參數(shù)化建模的步驟
[0045]參數(shù)化建模主要分為三個步驟:創(chuàng)建模型、創(chuàng)建參數(shù)和關系式和產(chǎn)品模型的參數(shù)化驅(qū)動。首先，根據(jù)模型的特征，在Pro/Engineer軟件中創(chuàng)建模型的主體,根據(jù)模型尺寸草繪圖形。其次，在Pro/Engineer軟件的輔助設計工具中創(chuàng)立參數(shù)和關系式。最后，在Pro/Engineer軟件的輔助設計工具中進行模型的參數(shù)化驅(qū)動。在啟動Pro/Engineer軟件平臺后，用戶需要注冊應用程序，同時裝載產(chǎn)品的三維模型，調(diào)用輔助工具。由于人機界面中參數(shù)名的含義十分明確，所以很容易在界面中修改相關的參數(shù)值，然后單擊“確定”按鈕，生成新的三維模型。
[0046](3)程序的實現(xiàn)
[0047]本發(fā)明采用同步模式對Pro/Engineer軟件進行開發(fā),將參數(shù)化應用程序通過動態(tài)鏈接庫集成到Pro/Engineer軟件的應用系統(tǒng)中。首先，在VC++6.0開發(fā)軟件中設計人機交互界面；然后，軟件向?qū)ё詣由蒑FC/DLL框架程序，并對應用程序進行初始化；最后，在已經(jīng)生成的框架中設置編譯環(huán)境以及完成CPP程序的編寫，編譯程序，并且完成可以被Pro/Engineer軟件調(diào)用的DAT文件的編寫。
[0048]I)界面的設計
[0049]具有人機交互功能的可視化界面的設計是在VC++6.0開發(fā)軟件提供的對話框編輯器中完成的。具體操作過程分為三步，分別為:插入對話框資源、在對話框中添加控件、設置對話框與所添加控件的相關屬性。對話框可以通過菜單進行調(diào)用，也可以根據(jù)需要動態(tài)調(diào)節(jié)對話框的尺寸和結(jié)構(gòu)，從而將不同的內(nèi)容顯示出來。菜單由Pro/Toolkit提供的相關函數(shù)進行設計，集成在Pro/Engineer軟件的菜單條中。
[0050]為了簡化計算，應用于磁場仿真分析的虛擬樣機中只包括“觸頭座”、“觸頭片”、“觸頭支撐”、“靜導電桿”和“動導電桿”，所以在參數(shù)化建模時只建立觸頭座”、“觸頭片”、“觸頭支撐”、“靜導電桿”和“動導電桿”的參數(shù)化模型?！胺抡婺Ｐ汀辈藛螜谥泄卜譃椤按艌龇抡婺Ｐ汀币患壸硬藛?，在一級子菜單中又分為“靜導電桿”、“動導電桿”、“觸頭座”等選項。單擊菜單欄中“仿真模型”，然后在所示的下拉菜單中選擇“觸頭座”選項，彈出“觸頭座”參數(shù)化設計界面對話框。用戶可以根據(jù)需要在對話框中輸入各個尺寸參數(shù)，點擊“確定”按鈕后在Pro/Engineer軟件環(huán)境中得到所要的“觸頭座”三維模型。2)應用程序的創(chuàng)建及其初始化
[0051]應用程序的創(chuàng)建及其初始化主要包括以下三個方面的內(nèi)容:首先，按照Pro/Toolkit應用程序在Pro/Engineer軟件環(huán)境中運行的要求，設計初始化接口程序user_initialize O函數(shù)和終止程序user_terminate O函數(shù)；其次,根據(jù)設計功能的需求,設計Pro/Toolkit應用程序的主體部分，這里包括一個或多個CPP程序，從而完成應用程序所需要達到的預定功能；最后，完成對話框資源文件(.res)和菜單信息文件(message.txt)的編與。
[0052]3) CPP程序的開發(fā)流程
[0053]采用面向?qū)ο驝++語言編寫CPP程序,并且充分利用了 MFC (Microsoft FundationClasses)所提供的所有類庫，從而降低了程序的復雜程度。程序的開發(fā)流程為:首先，獲取三維模型中的對象指針；然后，顯示并設置對象的相關參數(shù)信息，更新模型；最后，檢驗模型是否滿足設計要求，如果滿足，則完成設計并保存模型。
[0054]完成CPP程序的編寫之后，編譯程序，生成DLL文件。并將DLL文件的信息與菜單文件的信息寫入DAT文件，在Pro/Engineer軟件的輔助工具中調(diào)用DAT文件，進入?yún)?shù)化界面，在人機交互的界面中就可以完成對模型的修改。以“觸頭座”模型為例，將“觸頭座”模型的杯指與水平面的夾角由25°修改為30°。
[0055]真空滅弧室內(nèi)部縱向磁場分布影響因素的分析:
[0056]( I)觸頭支撐對磁場分布的影響
[0057]在之前的仿真計算中，中壓真空滅弧室的觸頭內(nèi)部是有觸頭支撐的，為了研究觸頭支撐對電弧中心平面縱向磁場分布的影響，在其他計算條件不變的情況下，分別對觸頭座中有無觸頭支撐進行對比計算。圖1為:在電流峰值時刻，兩種情況下的電弧中心平面沿X軸徑向的縱向磁場分布曲線.[0058]從圖1中可以看出:當去掉觸頭支撐后，電弧中心平面的磁感應強度略微增大。這是因為:觸頭支撐的材料為不銹鋼，不銹鋼的電導率雖小于銅，但仍會起到一定的分流作用。
[0059](2)觸頭的杯指與水平面的夾角對磁場分布的影響:
[0060]觸頭的杯指與水平面的夾角決定了電流的方向，從而對電弧中心平面縱向磁場的分布造成一定影響。在之前的仿真中，真空滅弧室內(nèi)部的觸頭的杯指與水平面的夾角為25°，為了研究觸頭的杯指與水平面夾角對電弧中心平面縱向磁場分布的影響，在其他計算條件不變的情況下，分別改變觸頭的杯指與水平面的夾角，使其變?yōu)?7°，進行對比計算。利用本實施方式獲取電流峰值時刻兩種情況下的電弧中心平面沿X軸徑向的縱向磁場分布曲線。所述分布曲線為杯指與水平面夾角為25°和27°時電流峰值時刻電弧中心平面縱向磁場分布曲線，如圖2，從圖2中可以看出:觸頭的杯指與水平面的夾角越小，電弧中心平面的縱向磁感應強度越大。這是因為:當觸頭的杯指與水平面的夾角小時，杯中電流的水平分量要大于杯指與水平面的夾角大時的情形，從而導致電弧中心平面的縱向磁場強度上升。
[0061]【具體實施方式】四:本實施方式為基于虛擬樣機技術(shù)的中壓真空滅弧室內(nèi)部磁場的真空滅弧室仿真裝置，它包括如下裝置:
[0062]用于運用Pro/Engineer軟件建立待仿真的真空滅弧室的模型的裝置；
[0063]所述真空滅弧室的模型包括真空滅弧室整體結(jié)構(gòu)的模型、真空滅弧室靜端組件模型、真空滅弧室動端組件模型和真空滅弧室屏蔽罩模型；
[0064]用于采用Pro/Engineer軟件和VC++6.0開發(fā)軟件建立真空滅弧室模型的內(nèi)部磁場的仿真分析的虛擬樣機的裝置；
[0065]用于將待仿真的真空滅弧室的結(jié)構(gòu)設置參數(shù)同時導入到所述虛擬樣機中，進行真空滅弧室內(nèi)部磁場的仿真計算，得到真空滅弧室內(nèi)部磁場的仿真分布結(jié)果的裝置；
[0066]用于改變虛擬樣機中待仿真的真空滅弧室觸頭的開距、觸頭的形狀和結(jié)構(gòu)，結(jié)合獲得的相應的真空滅弧室內(nèi)部磁場，確定待仿真的真空滅弧室的最優(yōu)結(jié)構(gòu)設置參數(shù)的裝置。
[0067]【具體實施方式】五:本實施方式是對【具體實施方式】四所述的基于虛擬樣機技術(shù)的中壓真空滅弧室內(nèi)部磁場的真空滅弧室仿真裝置的進一步限定，所述中壓真空滅弧室為12kV/3150A/40kA 真空滅弧室。
【權(quán)利要求】
1.基于虛擬樣機技術(shù)的中壓真空滅弧室內(nèi)部磁場的真空滅弧室仿真方法，其特征在于，它包括如下步驟: 用于運用Pro/Engineer軟件建立待仿真的真空滅弧室的模型的步驟； 所述真空滅弧室的模型包括真空滅弧室整體結(jié)構(gòu)的模型、真空滅弧室靜端組件模型、真空滅弧室動端組件模型和真空滅弧室屏蔽罩模型； 用于采用Pro/Engineer軟件和VC++6.0開發(fā)軟件建立真空滅弧室模型的內(nèi)部磁場的仿真分析的虛擬樣機的步驟， 用于將待仿真的真空滅弧室的結(jié)構(gòu)設置參數(shù)同時導入到所述虛擬樣機中，進行真空滅弧室內(nèi)部磁場的仿真計算，得到真空滅弧室內(nèi)部磁場的仿真分布結(jié)果的步驟； 用于改變虛擬樣機中待仿真的真空滅弧室觸頭的開距、觸頭形狀和結(jié)構(gòu)，結(jié)合獲得的相應的真空滅弧室內(nèi)部磁場，確定待仿真的真空滅弧室的最優(yōu)結(jié)構(gòu)設置參數(shù)的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于虛擬樣機技術(shù)的中壓真空滅弧室內(nèi)部磁場的真空滅弧室仿真方法，其特征在于，所述用于采用Pro/Engineer軟件和VC++6.0開發(fā)軟件建立真空滅弧室模型的內(nèi)部磁場的仿真分析的虛擬樣機的步驟為: 采用VC++6.0開發(fā)軟件對Pro/Engineer軟件功能拓展的步驟； 采用拓展功能后的Pro/Engineer軟件實現(xiàn)如下步驟: 獲取建立真空滅弧室模型中的對象指針的步驟；根據(jù)對象指針獲取相應對象的數(shù)據(jù)的步驟； 顯示獲取相應對象的數(shù)據(jù)的步驟； 輸入重新設置對象指針的數(shù)據(jù)的步驟； 根據(jù)輸入的對象指針的數(shù)據(jù)更新真空滅弧室模型中相關變量和相應對象的數(shù)據(jù)的步驟； 保存更新后的真空滅弧室模型的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于虛擬樣機技術(shù)的中壓真空滅弧室內(nèi)部磁場的真空滅弧室仿真方法，所述中壓真空滅弧室為12kV/3150A/40kA真空滅弧室。
4.基于虛擬樣機技術(shù)的中壓真空滅弧室內(nèi)部磁場的真空滅弧室仿真裝置，其特征在于，它包括如下裝置: 用于運用Pro/Engineer軟件建立待仿真的真空滅弧室的模型的裝置； 所述真空滅弧室的模型包括真空滅弧室整體結(jié)構(gòu)的模型、真空滅弧室靜端組件模型、真空滅弧室動端組件模型和真空滅弧室屏蔽罩模型； 用于采用Pro/Engineer軟件和VC++6.0開發(fā)軟件建立真空滅弧室模型的內(nèi)部磁場的仿真分析的虛擬樣機的裝置， 用于將待仿真的真空滅弧室的結(jié)構(gòu)設置參數(shù)同時導入到所述虛擬樣機中，進行真空滅弧室內(nèi)部磁場的仿真計算，得到真空滅弧室內(nèi)部磁場的仿真分布結(jié)果的裝置； 用于改變虛擬樣機中待仿真的真空滅弧室觸頭的開距、觸頭的形狀和結(jié)構(gòu)，結(jié)合獲得的相應的真空滅弧室內(nèi)部磁場，確定待仿真的真空滅弧室的最優(yōu)結(jié)構(gòu)設置參數(shù)的裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于虛擬樣機技術(shù)的中壓真空滅弧室內(nèi)部磁場的真空滅弧室仿真裝置， 所述中壓真空滅弧室為12kV/3150A/40kA真空滅弧室。
【文檔編號】G06F17/50GK103530481SQ201310534523
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年11月1日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月1日
【發(fā)明者】孫巍, 張大為, 張洪達, 孫晨 申請人:國家電網(wǎng)公司, 黑龍江省電力科學研究院