高靈敏度射頻標(biāo)簽的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及射頻識別（RFID,RadioFrequencyIdentification）【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地說是一種能夠?qū)崿F(xiàn)在標(biāo)簽材質(zhì)不變的情況下，較大的提高標(biāo)簽增益，進(jìn)而提升標(biāo)簽讀取靈敏度的高靈敏度射頻標(biāo)簽，包括芯片以及與芯片相連接的外部線圈，其特征在于還設(shè)有與外部線圈并聯(lián)的匹配電路，所述匹配電路中設(shè)有電容，電容的兩端分別與外部線圈的兩端相連接，所述匹配電路中設(shè)有串聯(lián)的電容、電阻，匹配電路兩端分別與外部線圈的兩端相連接，所述匹配電路中設(shè)有并聯(lián)的電容和電阻，匹配電路的兩端分別與外部線圈的兩端相連接，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有可實現(xiàn)標(biāo)簽小尺寸化、增益高、性能好的優(yōu)點。
【專利說明】局靈敏度射頻標(biāo)簽
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及射頻識別(RFID, Radio Frequency Identification)【技術(shù)領(lǐng)域】,具體地說是一種能夠?qū)崿F(xiàn)在標(biāo)簽材質(zhì)不變的情況下，較大的提高標(biāo)簽增益，進(jìn)而提升標(biāo)簽讀取靈敏度的高靈敏度射頻標(biāo)簽。
【背景技術(shù)】
[0002]射頻識別是一種非接觸的自動識別技術(shù)，射頻識別系統(tǒng)主要包括讀寫器、天線以及待讀取的射頻標(biāo)簽。工作時讀寫器通過天線向外發(fā)射磁場，射頻標(biāo)簽通過與磁場進(jìn)行互感獲取能量被激活，被激活后射頻標(biāo)簽內(nèi)的信息會通過磁場返回給天線以及讀寫器，讀寫器會根據(jù)接收到的信號進(jìn)行解碼，解碼后的信息即為標(biāo)簽信息。
[0003]現(xiàn)有的射頻標(biāo)簽主要包括外部線圈和芯片兩部分，其中外部線圈通過將導(dǎo)線繞成一定圈數(shù)后形成，產(chǎn)生一定的電感量，與芯片內(nèi)部電容相互配合，將標(biāo)簽頻率諧振在13.56M。射頻標(biāo)簽的性能和標(biāo)簽尺寸與標(biāo)簽的Q值有關(guān)，一般來說標(biāo)簽尺寸越大，標(biāo)簽性能越好。
[0004]但是在一些應(yīng)用領(lǐng)域，如洗衣行業(yè)需要將標(biāo)簽縫入衣服內(nèi)、學(xué)生出入安全管理領(lǐng)域需要將標(biāo)簽做成?；諛邮?、運(yùn)動計時項目中用的跑步標(biāo)簽以及其他各種資產(chǎn)管理項目中，需要在標(biāo)簽尺寸相對固定的情況下標(biāo)簽?zāi)軌蜻_(dá)到較高的性能。高頻標(biāo)簽的性能取決于高頻標(biāo)簽的線圈尺寸、標(biāo)簽的增益等，一般來說，高頻標(biāo)簽的外部線圈的面積越大，標(biāo)簽在磁場區(qū)域內(nèi)互感吸收的能量越大，標(biāo)簽越容易被激活；標(biāo)簽的增益越大，標(biāo)簽被激活所需要的能量越小，標(biāo)簽的性能越高。在面積一定的情況下，如果需要增加標(biāo)簽的性能，則需提高標(biāo)簽的增益。在現(xiàn)有技術(shù)中，外部線圈的材質(zhì)以及線徑確定后，標(biāo)簽的增益基本確定，無法較好的提高標(biāo)簽增益，標(biāo)簽的性能較差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中射頻標(biāo)簽增益低、性能差的問題，提出一種能夠較大的提高標(biāo)簽增益，進(jìn)而提升標(biāo)簽讀取靈敏度的高靈敏度射頻標(biāo)簽。
[0006]本發(fā)明可以通過以下措施達(dá)到:
一種高靈敏度射頻標(biāo)簽，包括芯片以及與芯片相連接的外部線圈，其特征在于還設(shè)有與外部線圈并聯(lián)的匹配電路。
[0007]本發(fā)明所述芯片可以采用任何15693系列芯片，其中芯片內(nèi)部設(shè)有用于處理磁場信號的信號處理電路以及與信號處理電路相連接的用于存儲射頻標(biāo)簽信息的EEPR0M。
[0008]本發(fā)明中所述匹配電路中設(shè)有電容，電容的兩端分別與外部線圈的兩端相連接，實現(xiàn)與外部線圈并聯(lián)，進(jìn)而在工作時配合外部線圈諧振至13.56MHz。
[0009]本發(fā)明中所述匹配電路中設(shè)有串聯(lián)的電容、電阻，匹配電路兩端分別與外部線圈的兩端相連接，實現(xiàn)與外部線圈并聯(lián)，進(jìn)而在工作時配合外部線圈諧振至13.56MHz。
[0010]本發(fā)明中所述匹配電路中設(shè)有并聯(lián)的電容和電阻，匹配電路的兩端分別與外部線圈的兩端相連接，實現(xiàn)與外部線圈并聯(lián)，進(jìn)而在工作時配合外部線圈諧振至13.56MHz。
[0011]本發(fā)明中芯片通過焊盤與外部線圈相連接，所述外部線圈由導(dǎo)線繞制而成，在工作時產(chǎn)生電感量。
[0012]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點:
1.實現(xiàn)標(biāo)簽小尺寸化:通過提高標(biāo)簽的增益，提升了標(biāo)簽的性能，從而在相同的性能條件下減小了標(biāo)簽的尺寸。
[0013]2.標(biāo)簽的增益高、性能好；通過增加匹配電路，提高了標(biāo)簽的增益，進(jìn)而大大減少了激活標(biāo)簽所需要的能量，提升了標(biāo)簽的性能。
[0014]【專利附圖】

【附圖說明】:
附圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]附圖2是本發(fā)明中匹配電路的一種結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]附圖3是本發(fā)明中匹配電路的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]附圖4是本發(fā)明中匹配電路的第三種結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]附圖標(biāo)記:外部線圈1、匹配電路2、芯片3、焊盤4。
[0019]【具體實施方式】:
下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。
[0020]如附圖1所示，本發(fā)明提出了一種高靈敏度射頻標(biāo)簽，包括芯片3以及與芯片3相連接的外部線圈1，其特征在于還設(shè)有與外部線圈I并聯(lián)的匹配電路2。
[0021]本發(fā)明所述芯片可以采用任意15693芯片，其中設(shè)有用于處理磁場信號的信號處理電路以及與信號處理電路相連接的用于存儲射頻標(biāo)簽信息的EEPR0M。
[0022]如附圖2所示，本發(fā)明中所述匹配電路2中設(shè)有電容，匹配電路2的兩端分別與外部線圈I的兩端相連接，實現(xiàn)與外部線圈I并聯(lián)，進(jìn)而在工作時配合外部線圈I諧振至13.56MHz ο
[0023]如附圖3所示，本發(fā)明中所述匹配電路2中設(shè)有串聯(lián)的電容、電阻，匹配電路2兩端分別與外部線圈I的兩端相連接，實現(xiàn)與外部線圈I并聯(lián)，進(jìn)而在工作時配合外部線圈I諧振至13.56MHz O
[0024]如附圖4所示，本發(fā)明中所述匹配電路2中設(shè)有并聯(lián)的電容和電阻，匹配電路2的兩端分別與外部線圈I的兩端相連接，實現(xiàn)與外部線圈I并聯(lián)，進(jìn)而在工作時配合外部線圈諧振至13.56MHz O
[0025]本發(fā)明中芯片3通過焊盤4與外部線圈I相連接，所述外部線圈I由導(dǎo)線繞制而成，在工作時產(chǎn)生電感量。
[0026]本發(fā)明在使用時，由于芯片3的內(nèi)部電容一定，故如需將標(biāo)簽諧振在13.56MHZ，所需的外部線圈I 一定，匹配電路2通過與芯片3并聯(lián)，變相增加了芯片3的內(nèi)部電容，使得同等條件下標(biāo)簽外部線圈I的圈數(shù)可以減少，線圈內(nèi)阻減少；匹配電路2通過與外部線圈I并聯(lián)，電阻部分與線圈并聯(lián)后，變相減小了外部線圈I的內(nèi)阻；從而使標(biāo)簽Q值提升，標(biāo)簽Q值提升以后，激活標(biāo)簽所需的能量變少，因此標(biāo)簽性能提升。
[0027]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，有可實現(xiàn)標(biāo)簽小尺寸化、增益高、性能好等優(yōu)點。
[0028]本發(fā)明的實施例公布的是其較佳的實施方式，但并不限于此。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員極易根據(jù)上述實施例，領(lǐng)會本發(fā)明的精神，并做出不同的引申和產(chǎn)業(yè)化，但只要不脫離本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高靈敏度射頻標(biāo)簽，包括芯片以及與芯片相連接的外部線圈，其特征在于還設(shè)有與外部線圈并聯(lián)的匹配電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高靈敏度射頻標(biāo)簽，其特征在于所述芯片采用15693芯片，其中設(shè)有用于處理磁場信號的信號處理電路以及與信號處理電路相連接的用于存儲射頻標(biāo)簽信息的EEPROM。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高靈敏度射頻標(biāo)簽，其特征在于所述匹配電路中設(shè)有電容，電容的兩端分別與外部線圈的兩端相連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高靈敏度射頻標(biāo)簽，其特征在于所述匹配電路中設(shè)有串聯(lián)的電容、電阻，匹配電路兩端分別與外部線圈的兩端相連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高靈敏度射頻標(biāo)簽，其特征在于所述匹配電路中設(shè)有并聯(lián)的電容和電阻，匹配電路的兩端分別與外部線圈的兩端相連接。
【文檔編號】G06K19/077GK103530683SQ201310538695
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年11月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月5日
【發(fā)明者】孫杰林, 劉成永, 任永濤, 梁軍偉, 高明 申請人:威海北洋電氣集團(tuán)股份有限公司