射頻識(shí)別標(biāo)簽芯片自動(dòng)失諧穩(wěn)壓電路的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種射頻識(shí)別標(biāo)簽芯片自動(dòng)失諧穩(wěn)壓電路，包括天線、片外匹配網(wǎng)絡(luò)、整流及電源產(chǎn)生模塊、接收和發(fā)送模塊、數(shù)字基帶控制模塊及存儲(chǔ)單元，其特點(diǎn)在于在所述的片外匹配網(wǎng)絡(luò)和所述的整流及電源產(chǎn)生模塊之間增加了自動(dòng)失諧片內(nèi)匹配網(wǎng)絡(luò)，該自動(dòng)失諧片內(nèi)匹配網(wǎng)絡(luò)由電壓反饋電路、壓控阻抗變換單元及電壓控制開(kāi)關(guān)第一MOS管構(gòu)成。本發(fā)明能主動(dòng)地調(diào)節(jié)片內(nèi)匹配網(wǎng)絡(luò)參數(shù)，穩(wěn)定所需工作電壓范圍。
【專(zhuān)利說(shuō)明】射頻識(shí)別標(biāo)簽芯片自動(dòng)失諧穩(wěn)壓電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路。特別是一種射頻識(shí)別標(biāo)簽芯片自動(dòng)失諧穩(wěn)壓電路。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，CMOS工藝已能制造應(yīng)用于微波波段的芯片,射頻電路能集成到大規(guī)模數(shù)字電路的芯片上。以CMOS工藝制造的低成本無(wú)線系統(tǒng)將會(huì)開(kāi)拓出更為寬廣的應(yīng)用領(lǐng)域。射頻標(biāo)簽就是一個(gè)前景非常好的應(yīng)用領(lǐng)域。
[0003]當(dāng)1973年條形碼被推出時(shí)，其
【發(fā)明者】曾經(jīng)預(yù)言:25年以后，將有一種新的技術(shù)來(lái)替代條形碼?，F(xiàn)在，射頻標(biāo)簽已經(jīng)走到人們面前。它不僅僅是條形碼的簡(jiǎn)單替換品，更能綜合無(wú)線通訊、微電子、互聯(lián)網(wǎng)等最新信息技術(shù)，對(duì)所有社會(huì)產(chǎn)品進(jìn)行從生產(chǎn)、銷(xiāo)售、使用甚至回收處理進(jìn)行全過(guò)程監(jiān)控管理，極大地提高整個(gè)社會(huì)的運(yùn)轉(zhuǎn)效率。
[0004]射頻標(biāo)簽的工作頻段包括，1:低頻標(biāo)簽工作頻率在30kHz - 300kHz,典型的工作頻率有:125kHz，133kHz。2:高頻標(biāo)簽工作頻率在3MHz — 30MHz，典型的工作頻率為13.56MHz ο 3:超高頻標(biāo)簽工作頻率大于400MHz，典型工作頻率為915MHz、2.45GHz、5.8GHz。
[0005]一個(gè)完整的射頻標(biāo)簽通常包括:天線1，片外匹配網(wǎng)絡(luò)2，整流及電源產(chǎn)生模塊3，接收及發(fā)送4，數(shù)字基帶模塊及存儲(chǔ)單元5。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種射頻識(shí)別標(biāo)簽芯片自動(dòng)失諧穩(wěn)壓電路，該電路能主動(dòng)地調(diào)節(jié)片內(nèi)匹配網(wǎng)絡(luò)參數(shù)，穩(wěn)定所需工作電壓范圍。
[0007]本發(fā)明的技術(shù)解決方案如下:
[0008]一種射頻識(shí)別標(biāo)簽芯片自動(dòng)失諧穩(wěn)壓電路，包括天線、片外匹配網(wǎng)絡(luò)、整流及電源產(chǎn)生模塊、接收和發(fā)送模塊、數(shù)字基帶控制模塊及存儲(chǔ)單元，其特點(diǎn)在于在所述的片外匹配網(wǎng)絡(luò)和所述的整流及電源產(chǎn)生模塊之間增加了自動(dòng)失諧片內(nèi)匹配網(wǎng)絡(luò)，該自動(dòng)失諧片內(nèi)匹配網(wǎng)絡(luò)由電壓反饋電路、壓控阻抗變換單元及電壓控制開(kāi)關(guān)第一 MOS管構(gòu)成:
[0009]所述的電壓反饋電路，由電阻、第二 MOS管、第三MOS管、第四MOS管構(gòu)成，所述的電阻的一端接所述的整流及電源產(chǎn)生模塊的電壓輸出端，所述的電阻的另一端接所述的第二 MOS管的漏極，第二 MOS管的柵極與漏極相連，第三MOS管的柵極與漏極相連，所述的第四MOS管的柵極與漏極相連，所述的第二 MOS管的源極接第三MOS管的漏極、第三MOS管的源極接第四MOS管的漏極，第四MOS管的源極接地，所述的第二 MOS管的柵極與所述的第一MOS管的柵極相連；
[0010]所述的壓控阻抗變換單元由可變電阻和可變電容并聯(lián)組成，所述的可變電阻和可變電容的一端接地，另一端接所述的第一 MOS管的源極相連；
[0011]所述的第一 MOS管的漏極經(jīng)所述的片外匹配網(wǎng)絡(luò)接所述的天線。
[0012]本發(fā)明的技術(shù)效果如下:
[0013]本發(fā)明射頻識(shí)別標(biāo)簽芯片自動(dòng)失諧穩(wěn)壓電路能自動(dòng)檢測(cè)整流及電源產(chǎn)生模塊產(chǎn)生的電壓，調(diào)整自動(dòng)失諧片內(nèi)匹配網(wǎng)絡(luò)匹配參數(shù)，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定所需工作電壓。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1是射頻識(shí)別電子標(biāo)簽芯片的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)
[0015]圖2是本發(fā)明射頻識(shí)別標(biāo)簽芯片自動(dòng)失諧穩(wěn)壓電路結(jié)構(gòu)圖
[0016]圖3本發(fā)明自動(dòng)失諧片內(nèi)匹配網(wǎng)絡(luò)6的結(jié)構(gòu)圖
[0017]圖4本發(fā)明中電壓反饋電路7的結(jié)構(gòu)圖
[0018]圖5壓控阻抗變換單元8的結(jié)構(gòu)圖
[0019]圖6本發(fā)明自動(dòng)失諧片內(nèi)匹配網(wǎng)絡(luò)6電路具體實(shí)施例示意圖【具體實(shí)施方式】
[0020]下面通過(guò)實(shí)施例進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明，但不應(yīng)以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0021]先請(qǐng)參閱圖2，由圖可見(jiàn)，本發(fā)明射頻識(shí)別標(biāo)簽芯片自動(dòng)失諧穩(wěn)壓電路是在現(xiàn)有射頻識(shí)別電子標(biāo)簽芯片的結(jié)構(gòu)圖1增加自動(dòng)失諧片內(nèi)匹配網(wǎng)絡(luò)6構(gòu)成的，圖3為本發(fā)明自動(dòng)失諧片內(nèi)匹配網(wǎng)絡(luò)6結(jié)構(gòu)圖，所述的自動(dòng)失諧片內(nèi)匹配網(wǎng)絡(luò)6由電壓反饋電路7、壓控阻抗變換單元8及電壓控制開(kāi)關(guān)MOS管Ml組成。
[0022]所述的電壓反饋電路7結(jié)構(gòu)圖如圖4所示，由電阻Rl，分壓MOS管M2、M3、M4組成，輸入為整流及電源產(chǎn)生模塊3產(chǎn)生的電源電壓,輸出為輸出控制電壓。
[0023]所述的壓控阻抗變換單元8結(jié)構(gòu)圖如圖5所示，由壓控可變電阻R2及壓控可變電容Cl通過(guò)一定的連接方式組成。
[0024]圖6為本發(fā)明自動(dòng)失諧片內(nèi)匹配網(wǎng)絡(luò)6 —個(gè)實(shí)施例的電路圖，在圖6中，電阻R1、M2、M3、M4組成的電壓反饋電路，監(jiān)測(cè)整流及電源產(chǎn)生模塊3生成的電壓并且提供偏置電壓給MOS管Ml的柵級(jí)，控制壓控阻抗變換單元可變電阻R2、可變電容Cl，自動(dòng)改變R2、Cl的阻抗值，第一 MOS管Ml的漏級(jí)接天線端。
[0025]本發(fā)明射頻識(shí)別標(biāo)簽芯片自動(dòng)失諧穩(wěn)壓電路，包括天線1、片外匹配網(wǎng)絡(luò)2、整流及電源產(chǎn)生模塊3、接收和發(fā)送模塊4、數(shù)字基帶控制模塊及存儲(chǔ)單元5，在所述的片外匹配網(wǎng)絡(luò)2和所述的整流及電源產(chǎn)生模塊3之間增加了自動(dòng)失諧片內(nèi)匹配網(wǎng)絡(luò)6，該自動(dòng)失諧片內(nèi)匹配網(wǎng)絡(luò)6由電壓反饋電路7、壓控阻抗變換單元8及電壓控制開(kāi)關(guān)第一 MOS管Ml構(gòu)成:
[0026]所述的電壓反饋電路7，由電阻R1、第二 MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4構(gòu)成，所述的電阻Rl的一端接所述的整流及電源產(chǎn)生模塊3的電壓輸出端，所述的電阻Rl的另一端接所述的第二 MOS管M2的漏極，第二 MOS管M2的柵極與漏極相連，第三MOS管M3的柵極與漏極相連，所述的第四MOS管M4的柵極與漏極相連，所述的第二 MOS管M2的源極接第三MOS管M3的漏極、第三MOS管M3的源極接第四MOS管M4的漏極，第四MOS管M4的源極接地，所述的第二 MOS管M2的柵極與所述的第一 MOS管Ml的柵極相連；
[0027]所述的壓控阻抗變換單元8由可變電阻R2和可變電容Cl并聯(lián)組成，所述的可變電阻R2和可變電容Cl的一端接地，另一端接所述的第一 MOS管Ml的源極相連；
[0028]所述的第一 MOS管Ml的漏極經(jīng)所述的片外匹配網(wǎng)絡(luò)2接所述的天線I。
[0029]實(shí)驗(yàn)表明，本發(fā)明電路能自動(dòng)改變自動(dòng)失諧片天線端口的阻抗特性，達(dá)到穩(wěn)定所需工作電壓的效果。
【權(quán)利要求】
1.一種射頻識(shí)別標(biāo)簽芯片自動(dòng)失諧穩(wěn)壓電路，包括天線(I)、片外匹配網(wǎng)絡(luò)(2)、整流及電源產(chǎn)生模塊(3)、接收和發(fā)送模塊(4)、數(shù)字基帶控制模塊及存儲(chǔ)單元(5)，其特征在于在所述的片外匹配網(wǎng)絡(luò)(2)和所述的整流及電源產(chǎn)生模塊(3)之間增加了自動(dòng)失諧片內(nèi)匹配網(wǎng)絡(luò)(6)，該自動(dòng)失諧片內(nèi)匹配網(wǎng)絡(luò)(6)由電壓反饋電路(7)、壓控阻抗變換單元(8)及電壓控制開(kāi)關(guān)第一 MOS管(Ml)構(gòu)成: 所述的電壓反饋電路(7)，由電阻(R1)、第二 MOS管(M2)、第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)構(gòu)成，所述的電阻(Rl)的一端接所述的整流及電源產(chǎn)生模塊(3)的電壓輸出端，所述的電阻(Rl)的另一端接所述的第二 MOS管(M2)的漏極，第二 MOS管(M2)的柵極與漏極相連，第三MOS管(M3)的柵極與漏極相連，所述的第四MOS管(M4)的柵極與漏極相連，所述的第二 MOS管(M2)的源極接第三MOS管(M3)的漏極、第三MOS管(M3)的源極接第四MOS管(M4)的漏極，第四MOS管(M4)的源極接地，所述的第二 MOS管(M2)的柵極與所述的第一MOS管(Ml)的柵極相連； 所述的壓控阻抗變換單元(8)由可變電阻(R2)和可變電容(Cl)并聯(lián)組成，所述的可變電阻(R2)和可變電容(Cl)的一端接地，另一端接所述的第一 MOS管(Ml)的源極相連；所述的第一 MOS管(Ml)的漏極`經(jīng)所述的片外匹配網(wǎng)絡(luò)(2)接所述的天線(I)。
【文檔編號(hào)】G06K19/077GK103606003SQ201310652366
【公開(kāi)日】2014年2月26日 申請(qǐng)日期:2013年12月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月5日
【發(fā)明者】李強(qiáng), 楊曉飛 申請(qǐng)人:上海坤銳電子科技有限公司, 沈陽(yáng)市海洋智能產(chǎn)業(yè)有限公司