非接觸式ic卡防御中繼攻擊的系統(tǒng)及方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種非接觸式IC卡防御中繼攻擊的系統(tǒng)及方法，涉及信息安全領(lǐng)域，該系統(tǒng)包括非接觸式IC卡和讀卡器，讀卡器向非接觸式IC卡發(fā)送3次磁場強(qiáng)度并記錄發(fā)送時(shí)間，非接觸式IC卡檢測3次讀卡器的實(shí)際磁場強(qiáng)度，將實(shí)際磁場強(qiáng)度與接收到的對應(yīng)磁場強(qiáng)度進(jìn)行對比，判斷是否受到攻擊；同時(shí)，讀卡器計(jì)算接收到的非接觸式IC卡返回正常指令的時(shí)間差，與對應(yīng)的磁場強(qiáng)度改變時(shí)間差進(jìn)行比較，判斷是否受到攻擊；受到攻擊時(shí)，非接觸式IC卡發(fā)出異常指令，讀卡器終止通信并發(fā)出報(bào)警信號。本發(fā)明能夠有效防御非接觸式IC卡受到中繼攻擊，保證非接觸式IC卡的安全；適用范圍比較廣泛，成本較低，使用比較方便。
【專利說明】非接觸式ic卡防御中繼攻擊的系統(tǒng)及方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及信息安全領(lǐng)域，具體涉及一種非接觸式1C卡防御中繼攻擊的系統(tǒng)及方法。
【背景技術(shù)】
[0002]非接觸式IC(Integrated Circuit Card,集成電路卡)卡又稱射頻卡，由1C芯片、感應(yīng)天線組成，封裝在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的PVC (Poly Vinyl Chloride,聚氯乙烯)卡片內(nèi)。非接觸式1C卡能夠與讀卡器通過無線電波完成讀寫操作。參見1所示，讀卡器不斷向周圍發(fā)出一組固定頻率的電磁波，非接觸式1C卡靠近讀寫器時(shí)，在電磁波的激勵(lì)下，非接觸式1C卡被激活并進(jìn)行收發(fā)信息和讀寫操作。由于非接觸式1C卡收發(fā)信息和讀寫操作均通過無線電波完成，非接觸式1C卡能夠在卡片持有者完全不知情的情況下完成操作，使得中繼攻擊有機(jī)可乘。
[0003]中繼攻擊(Relay Attack)又稱接力攻擊，屬于中間人攻擊的一種，參見2所示，攻擊者能夠通過中繼攻擊設(shè)備在非接觸式1C卡與讀卡器之間構(gòu)建一個(gè)雙向、無線的信息交換通道。使非接觸式1C卡在持卡人不知情時(shí)就已經(jīng)與讀卡器進(jìn)行了交互，完成了卡的使用，造成持卡人的損失。由于任何人都可以依此制造中繼攻擊設(shè)備，且采用此通信協(xié)議的非接觸式1C卡均不能抵御中繼攻擊的侵入。
[0004]現(xiàn)有的非接觸式1C卡在使用時(shí)存在以下缺陷:現(xiàn)有的非接觸式1C卡通常采用IS014443標(biāo)準(zhǔn)，IS014 443標(biāo)準(zhǔn)是一種公開的通信協(xié)議，IS014443標(biāo)準(zhǔn)能夠被中繼攻擊設(shè)備采用，因此中繼攻擊設(shè)備能夠侵入非接觸式1C卡，非接觸式1C卡在使用時(shí)存在安全隱患。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是為了克服上述【背景技術(shù)】的不足，提供一種非接觸式1C卡防御中繼攻擊的系統(tǒng)及方法，能夠有效防御非接觸式1C卡受到中繼攻擊，保證非接觸式1C卡的安全；適用范圍比較廣泛，成本較低，使用比較方便。
[0006]為達(dá)到以上目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案是:
[0007]本發(fā)明提供的非接觸式1C卡防御中繼攻擊的系統(tǒng)，包括非接觸式1C卡和讀卡器，所述非接觸式1C卡與讀卡器建立非接觸式通信連接，非接觸式1C卡檢測到讀卡器的磁場強(qiáng)度為第一實(shí)際磁場強(qiáng)度H1，讀卡器向非接觸式1C卡發(fā)送H1，并開始計(jì)時(shí)，等待非接觸式1C卡應(yīng)答；非接觸式1C卡將接收到的磁場強(qiáng)度定義為第一接收磁場強(qiáng)度Η1’，再計(jì)算H1與Η1’之間的差值ΛΗ1，判斷Λ H1是否大于H1的10%，如果是，非接觸式1C卡向讀卡器返回受到攻擊的異常指令，終止通信；如果否，非接觸式1C卡向讀卡器返回第一正常指令ml ；
[0008]讀卡器接收到ml，并記錄接收到ml的時(shí)間T1，然后將磁場強(qiáng)度調(diào)整為第二實(shí)際磁場強(qiáng)度H2，并將調(diào)整的時(shí)間段記錄為tl ;非接觸式1C卡檢測到讀卡器的磁場強(qiáng)度為第二實(shí)際磁場強(qiáng)度H2，讀卡器向非接觸式1C卡發(fā)送H2，并開始計(jì)時(shí)，等待非接觸式1C卡應(yīng)答；非接觸式1C卡將接收到的磁場強(qiáng)度定義為第二接收磁場強(qiáng)度H2'，再計(jì)算H2與H2'之間的差值ΛΗ2，判斷ΛH2是否大于H2的10%，如果是，非接觸式1C卡向讀卡器返回受到攻擊的異常指令，終止通信；如果否，非接觸式1C卡向讀卡器返回第二正常指令m2 ；
[0009]讀卡器收到m2后，記錄接收到m2的時(shí)間Τ2，計(jì)算Τ2與Τ1之間的差值ΛΤ1，再計(jì)算ΛΤ1與tl之間的差值A(chǔ)tl，判斷Atl是否大于tl的5%，如果是，非接觸式1C卡向讀卡器返回 受到攻擊的異常指令，終止通信；如果否，將磁場強(qiáng)度調(diào)整為第三實(shí)際磁場強(qiáng)度H3，并將調(diào)整的時(shí)間段記錄為t2 ;非接觸式1C卡檢測到讀卡器的磁場強(qiáng)度為第三實(shí)際磁場強(qiáng)度H3，讀卡器向非接觸式1C卡發(fā)送H3，并開始計(jì)時(shí)，等待非接觸式1C卡應(yīng)答；非接觸式1C卡將接收到的磁場強(qiáng)度定義為第二接收磁場強(qiáng)度H3'，再計(jì)算H3與H3'之間的差值ΛΗ3，判斷ΛΗ3是否大于H3的10%，如果是，非接觸式1C卡向讀卡器返回受到攻擊的異常指令，終止通信；如果否，非接觸式1C卡向讀卡器返回第三正常指令m3 ；
[0010]讀卡器收到m3,記錄接收到m3的時(shí)間T3,計(jì)算T3與T2之間的差值Δ T2,再計(jì)算ΛΤ2與t2之間的差值A(chǔ)t2，判斷Λ t2是否大于t2的5%，如果是，非接觸式1C卡向讀卡器返回受到攻擊的異常指令，終止通信；如果否，非接觸式1C卡與讀卡器完成認(rèn)證，開始正常讀寫工作。
[0011]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，所述讀卡器內(nèi)還包括報(bào)警器，每次終止通信后，讀卡器向報(bào)警器發(fā)出報(bào)警信息，報(bào)警器報(bào)警，提示卡片持有者對自己的非接觸式1C卡進(jìn)行保護(hù)。
[0012]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，所述讀卡器與非接觸式1C卡的距離為5mm~10mm。
[0013]本發(fā)明還提供一種基于上述系統(tǒng)的非接觸式1C卡防御中繼攻擊的方法，包括以下步驟:
[0014]A、非接觸式1C卡與讀卡器建立非接觸式通信連接，非接觸式1C卡檢測到讀卡器的磁場強(qiáng)度為第一實(shí)際磁場強(qiáng)度H1，讀卡器向非接觸式1C卡發(fā)送H1，并開始計(jì)時(shí)，等待非接觸式1C卡應(yīng)答；非接觸式1C卡將接收到的磁場強(qiáng)度定義為第一接收磁場強(qiáng)度Η1，再計(jì)算H1與H1'之間的差值ΛΗ1，判斷ΛΗ1是否大于H1的10%，如果是，則轉(zhuǎn)到步驟E ;否則轉(zhuǎn)到步驟B ；
[0015]B、非接觸式1C卡向讀卡器返回第一正常指令ml,讀卡器接收到ml,并記錄接收到ml的時(shí)間T1，然后將磁場強(qiáng)度調(diào)整為第二實(shí)際磁場強(qiáng)度H2，并將調(diào)整時(shí)間記錄為tl ;非接觸式1C卡檢測到讀卡器的磁場強(qiáng)度為第二實(shí)際磁場強(qiáng)度H2，讀卡器向非接觸式1C卡發(fā)送H2，并開始計(jì)時(shí)，等待非接觸式1C卡應(yīng)答；非接觸式1C卡將接收到的非接觸式1C卡將接收到的磁場強(qiáng)度定義為第二接收磁場強(qiáng)度H2'，再計(jì)算H2與H2'之間的差值ΛΗ2，判斷Δ H2是否大于H2的10%，如果是，則轉(zhuǎn)到步驟E ;否則轉(zhuǎn)到步驟C ；
[0016]C、非接觸式1C卡向讀卡器返回第二正常指令m2,讀卡器接收到m2,并記錄接收到m2的時(shí)間T2，計(jì)算T2與T1之間的差值ΛΤ1，再計(jì)算ΛΤ1與tl之間的差值A(chǔ)tl，判斷Δ tl是否大于tl的5%，如果是，則轉(zhuǎn)到步驟E ;否則讀卡器將磁場強(qiáng)度調(diào)整為第三實(shí)際磁場強(qiáng)度H3，并將調(diào)整的時(shí)間記錄為t2 ;非接觸式1C卡檢測到讀卡器的磁場強(qiáng)度為第三實(shí)際磁場強(qiáng)度H3，讀卡器向非接觸式1C卡發(fā)送H3，并開始計(jì)時(shí)，等待非接觸式1C卡應(yīng)答，非接觸式1C卡將接收到的非接觸式1C卡將接收到的磁場強(qiáng)度定義為第二接收磁場強(qiáng)度H3/，再計(jì)算H3與H3'之間的差值ΛΗ3，判斷ΛΗ3是否大于H3的10%，如果是，則轉(zhuǎn)到步驟E ;否則轉(zhuǎn)到步驟D;[0017]D、非接觸式1C卡向讀卡器返回第二正常指令m3,讀卡器收到m3,記錄接收到的m3的時(shí)間T3，計(jì)算T3與T2之間的差值ΛΤ2，再計(jì)算ΛΤ2與t2之間的差值A(chǔ)t2，判斷Λ t2是否大于t2的5%，如果是，則轉(zhuǎn)到步驟E ;否則非接觸式1C卡與讀卡器完成認(rèn)證，開始正常讀寫工作；
[0018]E、非接觸式1C卡向讀卡器返回受到攻擊的異常指令，終止通信。
[0019]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，步驟E中所述終止通信之后還包括以下步驟:讀卡器向報(bào)警器發(fā)出報(bào)警信息，報(bào)警器報(bào)警，提示卡片持有者對自己的非接觸式1C卡進(jìn)行保護(hù)。
[0020]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，所述H2與H1的差值大于H1的20%。
[0021]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，所述H3與H2的差值大于H2的20%。
[0022]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，所述H3與H1的差值大于H1的20%。
[0023]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，所述讀卡器與非接觸式1C卡的距離為5mm?10mm。
[0024]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，所述H1、H2和H3均在1.5A/m?7.5A/m范圍以內(nèi)。
[0025]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)如下:
[0026](1)本發(fā)明利用讀卡器與中繼攻擊設(shè)備發(fā)送的磁場強(qiáng)度之間的差異判斷非接觸式1C卡是否受到中繼攻擊，可以有效的防御非接觸式1C卡受到中繼攻擊，保證非接觸式1C卡的安全。應(yīng)答程序能夠植入現(xiàn)有的非接觸式1C卡，適用范圍比較廣泛，成本較低，使用比較方便。
[0027](2)本發(fā)明的非接觸式1C卡包括讀卡器計(jì)算接相鄰兩次正常指令的時(shí)間差，記錄相鄰兩次調(diào)節(jié)磁場強(qiáng)度的時(shí)間段，然后通過判斷兩者的差異來辨別非接觸式1C卡是否受到中繼攻擊，可以有效的防御非接觸式1C卡受到中繼攻擊，保證非接觸式1C卡的安全。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]圖1為本發(fā)明實(shí)施例中讀卡器與非接觸式1C卡連接的示意圖；
[0029]圖2為本發(fā)明實(shí)施例中非接觸式1C卡受到中繼攻擊的示意圖；
[0030]圖3為本發(fā)明實(shí)施例中非接觸式1C卡防御中繼攻擊的系統(tǒng)及方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例提供一種非接觸式1C卡防御中繼攻擊的系統(tǒng)，包括非接觸式1C卡和讀卡器，當(dāng)非接觸式1C卡與讀卡器的距離為5mm?10mm時(shí)，非接觸式1C卡與讀卡器建立非接觸式通信連接，非接觸式1C卡檢測到讀卡器的磁場強(qiáng)度為第一實(shí)際磁場強(qiáng)度H1，H1在1.5A/m?7.5A/m范圍之內(nèi)，讀卡器向非接觸式1C卡發(fā)送H1，并開始計(jì)時(shí)，等待非接觸式1C卡應(yīng)答；非接觸式1C卡將接收到的磁場強(qiáng)度定義為第一接收磁場強(qiáng)度H1/，再計(jì)算H1與H1'之間的差值ΛΗ1，判斷Λ H1是否大于H1的10%，如果是，非接觸式1C卡向讀卡器返回受到攻擊的異常指令，終止通信；如果否，非接觸式1C卡向讀卡器返回第一正常指令ml。
[0033]讀卡器接收到ml，并記錄接收到ml的時(shí)間T1，然后將磁場強(qiáng)度調(diào)整為第二實(shí)際磁場強(qiáng)度H2，并將調(diào)整的時(shí)間段記錄為tl，H2與H1的差值大于H1的20%，H2在1.5A/m?
7.5A/m范圍之內(nèi)；非接觸式1C卡檢測到讀卡器的磁場強(qiáng)度為第二實(shí)際磁場強(qiáng)度H2，讀卡器向非接觸式1C卡發(fā)送H2，并開始計(jì)時(shí)，等待非接觸式1C卡應(yīng)答；非接觸式1C卡將接收到的磁場強(qiáng)度定義為第二接收磁場強(qiáng)度H2'，再計(jì)算H2與H2'之間的差值ΛΗ2，判斷ΛΗ2是否大于H2的10%，如果是，非接觸式1C卡向讀卡器返回受到攻擊的異常指令，終止通信；如果否，非接觸式1C卡向讀卡器返回第二正常指令m2。
[0034]讀卡器收到m2后，記錄接收到m2的時(shí)間T2，計(jì)算T2與T1之間的差值Λ Τ1，再計(jì)算ΛΤ1與tl之間的差值A(chǔ)tl，判斷Atl是否大于tl的5%，如果是，非接觸式1C卡向讀卡器返回受到攻擊的異常指令，終止通信；如果否，將磁場強(qiáng)度調(diào)整為第三實(shí)際磁場強(qiáng)度H3，并將調(diào)整的時(shí)間段記錄為t2，H3與H2的差值大于H2的20%，H3與H1的差值大于H1的20%，H3在1.5A/m~7.5A/m范圍之內(nèi)；非接觸式1C卡檢測到讀卡器的磁場強(qiáng)度為第三實(shí)際磁場強(qiáng)度H3，讀卡器向非接觸式1C卡發(fā)送H3，并開始計(jì)時(shí)，等待非接觸式1C卡應(yīng)答；非接觸式1C卡將接收到的磁場強(qiáng)度定義為第二接收磁場強(qiáng)度H3'，再計(jì)算H3與H3'之間的差值ΛΗ3，判斷ΛΗ3是否大于H3的10%，如果是，非接觸式1C卡向讀卡器返回受到攻擊的異常指令，終止通信；如果否，非接觸式1C卡向讀卡器返回第三正常指令m3。
[0035]讀卡器收到m3,記錄接收到m3的時(shí)間T3,計(jì)算T3與T2之間的差值Δ T2,再計(jì)算ΛΤ2與t2之間的差值A(chǔ)t2，判斷Λ t2是否大于t2的5%，如果是，非接觸式1C卡向讀卡器返回受到攻擊的異常指令，終止通信；如果否，非接觸式1C卡與讀卡器完成認(rèn)證，開始正常讀寫工作。
[0036]讀卡器內(nèi)還可以包括報(bào)警器，每次終止通信后，讀卡器向報(bào)警器發(fā)出報(bào)警信息，報(bào)警器報(bào)警，提示卡片持有者對自己的非接觸式1C卡進(jìn)行保護(hù)。
[0037]參見圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種基于上述系統(tǒng)的非接觸式1C卡防御中繼攻擊的方法，包括以下步驟:
[0038]S1、當(dāng)非接觸式1C卡與讀卡器的距離為5mm~10mm時(shí)，非接觸式1C卡與讀卡器建立非接觸式通信連接，非接觸式1C卡檢測到讀卡器的磁場強(qiáng)度為第一實(shí)際磁場強(qiáng)度H1，讀卡器向非接觸式1C卡發(fā)送H1，并開始計(jì)時(shí)，等待非接觸式1C卡應(yīng)答；
[0039]S2、非接觸式1C卡將接收到的磁場強(qiáng)度定義為第一接收磁場強(qiáng)度H1'，再計(jì)算H1與Η1'之間的差值ΛΗ1，判斷ΛΗ1是否大于H1的10%，如果是，則轉(zhuǎn)到步驟S10 ;否則轉(zhuǎn)到步驟S3 ；
[0040]S3、非接觸式1C卡向讀卡器返回第一正常指令ml,讀卡器接收到ml,并記錄接收到ml的時(shí)間T1，然后將磁場強(qiáng)度調(diào)整為第二實(shí)際磁場強(qiáng)度H2，并將調(diào)整時(shí)間記錄為tl，H2與H1的差值大于H1的20% ;非接觸式1C卡檢測到讀卡器的磁場強(qiáng)度為第二實(shí)際磁場強(qiáng)度H2，讀卡器向非接觸式1C卡發(fā)送H2，并開始計(jì)時(shí)，等待非接觸式1C卡應(yīng)答，轉(zhuǎn)到步驟S4 ；
[0041]S4、非接觸式1C卡將接收到的非接觸式1C卡將接收到的磁場強(qiáng)度定義為第二接收磁場強(qiáng)度H2丨，再計(jì)算H2與H2'之間的差值Λ H2，判斷Λ Η2是否大于Η2的10%，如果是，則轉(zhuǎn)到步驟S10 ;否則轉(zhuǎn)到步驟S5 ；
[0042]S5、非接觸式1C卡向讀卡器返回第二正常指令m2,讀卡器接收到m2,并記錄接收到m2的時(shí)間Τ2，計(jì)算Τ2與Τ1之間的差值ΛΤ1，再計(jì)算ΛΤ1與tl之間的差值A(chǔ)tl，判斷Δ tl是否大于tl的5%，如果是，則轉(zhuǎn)到步驟S10 ;否則轉(zhuǎn)到步驟S6 ；
[0043]S6、讀卡器將磁場強(qiáng)度調(diào)整為第三實(shí)際磁場強(qiáng)度H3，并將調(diào)整的時(shí)間記錄為t2，H3與H2的差值大于H2的20%，H3與H1的差值大于H1的20% ;非接觸式1C卡檢測到讀卡器的磁場強(qiáng)度為第三實(shí)際磁場強(qiáng)度H3， 讀卡器向非接觸式1C卡發(fā)送H3，并開始計(jì)時(shí)，等待非接觸式ic卡應(yīng)答，轉(zhuǎn)到步驟S7 ；
[0044]S7、非接觸式1C卡將接收到的非接觸式1C卡將接收到的磁場強(qiáng)度定義為第二接收磁場強(qiáng)度H3丨，再計(jì)算H3與H3'之間的差值Λ H3，判斷Λ Η3是否大于Η3的10%，如果是，則轉(zhuǎn)到步驟S10 ;否則轉(zhuǎn)到步驟S8 ；
[0045]S8、非接觸式1C卡向讀卡器返回第二正常指令m3,讀卡器收到m3,記錄接收到的m3的時(shí)間Τ3，計(jì)算Τ3與Τ2之間的差值ΛΤ2，再計(jì)算ΛΤ2與t2之間的差值A(chǔ)t2，判斷Λ t2是否大于t2的5%，如果是，則轉(zhuǎn)到步驟S10 ;否則轉(zhuǎn)到步驟S9 ；
[0046]S9、非接觸式1C卡與讀卡器完成認(rèn)證，開始正常讀寫工作；
[0047]S10、非接觸式1C卡向讀卡器返回受到攻擊的異常指令，終止通信，轉(zhuǎn)到步驟S11 ；
[0048]S11、讀卡器向報(bào)警器發(fā)出報(bào)警信息，報(bào)警器報(bào)警，提示卡片持有者對自己的非接觸式1C卡進(jìn)行保護(hù)。
[0049]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種非接觸式1C卡防御中繼攻擊的系統(tǒng)，包括非接觸式1C卡和讀卡器，其特征在于:所述非接觸式1C卡與讀卡器建立非接觸式通信連接，非接觸式1C卡檢測到讀卡器的磁場強(qiáng)度為第一實(shí)際磁場強(qiáng)度H1，讀卡器向非接觸式1C卡發(fā)送H1，并開始計(jì)時(shí)，等待非接觸式1C卡應(yīng)答；非接觸式1C卡將接收到的磁場強(qiáng)度定義為第一接收磁場強(qiáng)度H1/，再計(jì)算H1與ΗI'之間的差值ΛΗ1，判斷ΛΗ1是否大于H1的10%，如果是，非接觸式1C卡向讀卡器返回受到攻擊的異常指令，終止通信；如果否，非接觸式1C卡向讀卡器返回第一正常指令ml ；讀卡器接收到ml，并記錄接收到ml的時(shí)間T1，然后將磁場強(qiáng)度調(diào)整為第二實(shí)際磁場強(qiáng)度H2，并將調(diào)整的時(shí)間段記錄為tl ;非接觸式1C卡檢測到讀卡器的磁場強(qiáng)度為第二實(shí)際磁場強(qiáng)度H2，讀卡器向非接觸式1C卡發(fā)送H2，并開始計(jì)時(shí)，等待非接觸式1C卡應(yīng)答；非接觸式1C卡將接收到的磁場強(qiáng)度定義為第二接收磁場強(qiáng)度H2'，再計(jì)算H2與H2'之間的差值ΛΗ2，判斷ΛΗ2是否大于H2的10%，如果是，非接觸式1C卡向讀卡器返回受到攻擊的異常指令，終止通信；如果否，非接觸式1C卡向讀卡器返回第二正常指令m2 ；讀卡器收到m2后，記錄接收到m2的時(shí)間T2，計(jì)算T2與T1之間的差值Λ Τ1，再計(jì)算ΔΤ1與tl之間的差值A(chǔ)tl，判斷Atl是否大于tl的5%，如果是，非接觸式1C卡向讀卡器返回受到攻擊的異常指令，終止通信；如果否，將磁場強(qiáng)度調(diào)整為第三實(shí)際磁場強(qiáng)度H3，并將調(diào)整的時(shí)間段記錄為t2 ;非接觸式1C卡檢測到讀卡器的磁場強(qiáng)度為第三實(shí)際磁場強(qiáng)度H3，讀卡器向非接觸式1C卡發(fā)送H3，并開始計(jì)時(shí)，等待非接觸式1C卡應(yīng)答；非接觸式1C卡將接收到的磁場強(qiáng)度定義為第二接收磁場強(qiáng)度H3'，再計(jì)算H3與H3'之間的差值ΛΗ3，判斷ΛΗ3是否大于H3的10%，如果是，非接觸式1C卡向讀卡器返回受到攻擊的異常指令，終止通信；如果否，非接觸式1C卡向讀卡器返回第三正常指令m3 ；讀卡器收到m3，記錄接收到m3的時(shí)間T3，計(jì)算T3與T2之間的差值Λ Τ2，再計(jì)算Λ Τ2與t2之間的差值A(chǔ)t2，判斷Λ t2是否大于t2的5%，如果是，非接觸式1C卡向讀卡器返回受到攻擊的異常指令，終止通信；如果否，非接觸式1C卡與讀卡器完成認(rèn)證，開始正常讀寫工作。
2.如權(quán)利要求1所述的非接觸式1C卡防御中繼攻擊的系統(tǒng)，其特征在于:所述讀卡器內(nèi)還包括報(bào)警器，每次終止通信后，讀卡器向報(bào)警器發(fā)出報(bào)警信息，報(bào)警器報(bào)警，提示卡片持有者對自己的非接觸式1C卡進(jìn)行保護(hù)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的非接觸式1C卡防御中繼攻擊的系統(tǒng)，其特征在于:所述讀卡器與非接觸式1C卡的距離為5mm~10mm。
4.基于權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述系統(tǒng)的非接觸式1C卡防御中繼攻擊的方法，其特征在于，包括以下步驟:A、非接觸式1C卡與讀卡器建立非接觸式通信連接，非接觸式1C卡檢測到讀卡器的磁場強(qiáng)度為第一實(shí)際磁場強(qiáng)度H1，讀卡器向非接觸式1C卡發(fā)送H1，并開始計(jì)時(shí)，等待非接觸式1C卡應(yīng)答；非接觸式1C卡將接收到的磁場強(qiáng)度定義為第一接收磁場強(qiáng)度ΗI'，再計(jì)算H1與ΗI'之間的差值ΛΗ1，判斷Λ H1是否大于H1的10%，如果是，則轉(zhuǎn)到步驟E ;否則轉(zhuǎn)到步驟Β ；Β、非接觸式1C卡向讀卡器返回第一正常指令ml,讀卡器接收到ml,并記錄接收到ml的時(shí)間T1，然后將磁場強(qiáng)度調(diào)整為第二實(shí)際磁場強(qiáng)度H2，并將調(diào)整時(shí)間記錄為tl ;非接觸式1C卡檢測到讀卡器的磁場強(qiáng)度為第二實(shí)際磁場強(qiáng)度H2，讀卡器向非接觸式1C卡發(fā)送H2，并開始計(jì)時(shí)，等待非接觸式1C卡應(yīng)答；非接觸式1C卡將接收到的非接觸式1C卡將接收到的磁場強(qiáng)度定義為第二接收磁場強(qiáng)度H2'，再計(jì)算H2與H2'之間的差值ΛΗ2，判斷Δ H2是否大于H2的10%，如果是，則轉(zhuǎn)到步驟E ;否則轉(zhuǎn)到步驟C ；C、非接觸式1C卡向讀卡器返回第二正常指令m2,讀卡器接收到m2,并記錄接收到m2的時(shí)間T2，計(jì)算T2與T1之間的差值ΛΤ1，再計(jì)算ΛΤ1與tl之間的差值A(chǔ)tl，判斷Atl是否大于tl的5%，如果是，則轉(zhuǎn)到步驟E ;否則讀卡器將磁場強(qiáng)度調(diào)整為第三實(shí)際磁場強(qiáng)度H3，并將調(diào)整的時(shí)間記錄為t2 ;非接觸式1C卡檢測到讀卡器的磁場強(qiáng)度為第三實(shí)際磁場強(qiáng)度H3，讀卡器向非接觸式1C卡發(fā)送H3，并開始計(jì)時(shí)，等待非接觸式1C卡應(yīng)答，非接觸式1C卡將接收到的非接觸式1C卡將接收到的磁場強(qiáng)度定義為第二接收磁場強(qiáng)度H3'，再計(jì)算H3與H3'之間的差值ΛΗ3，判斷ΛH3是否大于H3的10%，如果是，則轉(zhuǎn)到步驟E ;否則轉(zhuǎn)到步驟D ；D、非接觸式1C卡向讀卡器返回第二正常指令m3,讀卡器收到m3,記錄接收到的m3的時(shí)間Τ3，計(jì)算Τ3與Τ2之間的差值ΛΤ2，再計(jì)算ΛΤ2與t2之間的差值A(chǔ)t2，判斷Λ t2是否大于t2的5%，如果是，則轉(zhuǎn)到步驟E ;否則非接觸式1C卡與讀卡器完成認(rèn)證，開始正常讀寫工作；E、非接觸式1C卡向讀 卡器返回受到攻擊的異常指令，終止通信。
5.如權(quán)利要求4所述的非接觸式1C卡防御中繼攻擊的方法，其特征在于，步驟E中所述終止通信之后還包括以下步驟:讀卡器向報(bào)警器發(fā)出報(bào)警信息，報(bào)警器報(bào)警，提示卡片持有者對自己的非接觸式1C卡進(jìn)行保護(hù)。
6.如權(quán)利要求4所述的非接觸式1C卡防御中繼攻擊的方法，其特征在于:所述H2與H1的差值大于H1的20%。
7.如權(quán)利要求4所述的非接觸式1C卡防御中繼攻擊的方法，其特征在于:所述H3與H2的差值大于H2的20%。
8.如權(quán)利要求4所述的非接觸式1C卡防御中繼攻擊的方法，其特征在于:所述H3與H1的差值大于H1的20%。
9.如權(quán)利要求4所述的非接觸式1C卡防御中繼攻擊的方法，其特征在于:所述讀卡器與非接觸式1C卡的距離為5mm~10mm。
10.如權(quán)利要求4至9中任一項(xiàng)所述的非接觸式1C卡防御中繼攻擊的方法，其特征在于:所述H1、H2和H3均在1.5A/m~7.5A/m范圍以內(nèi)。
【文檔編號】G06F21/71GK103679058SQ201310726773
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月25日
【發(fā)明者】張鵬, 麥永浩, 段冶, 李佟鴻, 李俊, 向大為 申請人:湖北警官學(xué)院