激光蝕刻銀漿及制備方法和觸摸屏的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種激光蝕刻銀漿，包括銀粉，高分子樹脂，溶劑，所述激光蝕刻銀漿還包括銀粉重量0.001-0.1%的納米導(dǎo)電碳粒子。本發(fā)明還涉及激光蝕刻銀漿，銀粉處理：將納米導(dǎo)電碳粒子在部分溶劑中分散均勻后，加入納米銀，加熱至10%-60%的溶劑揮發(fā)；高分子樹脂處理：加入高分子樹脂和剩余溶劑，加熱充分溶解，過濾雜質(zhì)或不溶物；銀漿制備：將處理后的銀粉和高分子樹脂在三輥機(jī)中研磨至細(xì)度1-8微米，得到激光蝕刻銀漿。還涉及一種觸摸屏，包括不可視區(qū)域的導(dǎo)電線路，所述導(dǎo)電線路通過激光蝕刻前述的激光蝕刻銀漿得到。本發(fā)明提供的激光蝕刻銀漿，通過添加少量的導(dǎo)電碳粒子，增強(qiáng)了體系的分散性，進(jìn)一步降低了體積電阻率。
【專利說明】激光蝕刻銀漿及制備方法和觸摸屏
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種銀漿，特別地，涉及激光蝕刻銀漿，還涉及激光蝕刻銀漿制備方法和觸摸屏。
【背景技術(shù)】
[0002]電容式觸摸屏一般由蓋板玻璃、上線導(dǎo)電感應(yīng)膜層和下線導(dǎo)電感應(yīng)膜層等構(gòu)成。其中蓋板玻璃的主要作用為保護(hù)下面的電容感應(yīng)膜層，同時在蓋板玻璃背面邊緣印刷黑色油墨
。玻璃感應(yīng)膜層基底透光率高，觸感較好，采用玻璃感應(yīng)膜層是觸摸屏廠商整體發(fā)展趨勢。但由于單個玻璃基版厚度比較大，所以兩層感應(yīng)膜層再加上蓋板玻璃厚度疊加起來，不利于觸摸屏向輕、薄方向發(fā)展?，F(xiàn)在觸摸屏廠商采用將蓋板玻璃和上感應(yīng)導(dǎo)電膜層集成在一起，省掉一塊感應(yīng)膜層玻璃，節(jié)省了一個貼合制程工序和OCA膠等耗材成本，提高工藝的整體良率。雖然采用了新的制程后，使得制成工序減少和成本降低，但是增加了做作工藝的難度，其中具體體現(xiàn)在:如何在油墨上制作不可視區(qū)域的線路成為本制程關(guān)鍵因素。
[0003]激光刻蝕玻璃上油墨基底導(dǎo)電膜層工藝是利用脈沖激光通過光學(xué)聚焦系統(tǒng)將激光束聚焦為10微米到90微米的光斑，聚焦后的光斑，達(dá)到材料的去除能量閾值，通過高速掃描振鏡系統(tǒng)精密快速掃描，從而實現(xiàn)觸摸屏上導(dǎo)電膜層的線路制作目的，這樣制作的不可視區(qū)域更窄，實用性更強(qiáng)。但是對于用于制作導(dǎo)電線路的銀漿要求越來越高，銀粉的粒徑越來越小?，F(xiàn)有的激光蝕刻銀漿基本上采用納米或者1-2微米的銀粉，隨著粒徑的降低，可制作的線路越來越窄，但是銀粉的分散則存在問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中，激光蝕刻銀漿分散性不佳、導(dǎo)電性不高的技術(shù)問題。
[0005]采用的技術(shù)方案如下:
一種激光蝕刻銀漿，包括銀粉，高分子樹脂，溶劑，所述激光蝕刻銀漿還包括銀粉重量0.001-0.1%的納米導(dǎo)電碳粒子。
[0006]一種激光蝕刻銀漿，包括銀粉60-90重量份，高分子樹脂10-30重量份，溶劑10_35
重量份。
[0007]所述納米導(dǎo)電碳粒子表面經(jīng)過氧化改性、表面活性劑改性、聚合物改性。
[0008]所述銀粉選自納米銀粉和微細(xì)銀粉中的一種或幾種。
[0009]優(yōu)選地，所述銀粉為納米銀粉和微細(xì)銀粉的混合物，納米銀粉和微細(xì)銀粉的質(zhì)量比為1:5-1。
[0010]所述高分子樹脂選自丙烯酸類和聚酯類樹脂中的一種或幾種。所述高分子樹脂為丙烯酸類和聚酯類樹脂的混合物，丙烯酸類和聚酯類樹脂的質(zhì)量比為1:1-10。
[0011]所述溶劑選自環(huán)已烷、醋酸乙酯、丁酮、四氫呋喃、正庚烷、甲醇、異丙醇、乙醇、醋酸丁酯中的一種或多種。[0012]所述激光蝕刻銀漿還包括添加劑，所述添加劑為分散劑、消泡劑、流平劑。
[0013]根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光蝕刻銀漿的制備方法，包括以下步驟:
S10.銀粉處理:將納米導(dǎo)電碳粒子在部分溶劑中分散均勻后，加入納米銀，加熱至10%-60%的溶劑揮發(fā)；
S20.高分子樹脂處理:加入高分子樹脂和剩余溶劑，加熱充分溶解，過濾雜質(zhì)或不溶
物；
S30.銀漿制備:將處理后的銀粉和高分子樹脂在三輥機(jī)中研磨至細(xì)度1-8微米，得到激光蝕刻銀漿。
[0014]一種觸摸屏，包括不可視區(qū)域的導(dǎo)電線路，所述導(dǎo)電線路通過激光蝕刻前述的激光蝕刻銀漿得到。
[0015]本發(fā)明提供的激光蝕刻銀漿，通過添加少量的導(dǎo)電碳粒子，增強(qiáng)了體系的分散性，進(jìn)一步降低了體積電阻率。
[0016]
【具體實施方式】
[0017]本發(fā)明提供了一種激光蝕刻銀漿，包括銀粉，高分子樹脂，溶劑，所述激光蝕刻銀衆(zhòng)還包括銀粉重量0.001-0.1%的納米導(dǎo)電碳粒子。
[0018]對于激光蝕刻銀漿來說，銀粉的粒徑越小，越有利于激光蝕刻出更窄的線路，銀粉粒徑越小，銀粉越容易發(fā)生團(tuán)聚，難以分散均勻，會大幅度降低導(dǎo)電銀漿的導(dǎo)電率。通過添加少量的導(dǎo)電碳粒子，增強(qiáng)了體系的分散性，進(jìn)一步提高了體積電阻率。
[0019]作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，本發(fā)明的激光蝕刻銀漿，包括銀粉60-90重量份，高分子樹脂10-30重量份，溶劑10-35重量份。
[0020]作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，納米導(dǎo)電碳粒子表面經(jīng)過氧化改性，納米導(dǎo)電碳粒子在強(qiáng)氧化性酸，如硝酸中，能夠形成極性基團(tuán)，有利于納米導(dǎo)電碳粒子在極性體系中的相容性，即有利于與本發(fā)明的高分子樹脂相容，而納米導(dǎo)電碳粒子吸附在銀粉之上，有利于改善銀粉在高分子樹脂中的相容性，進(jìn)一步提高體積電阻率。此外，作為另一種優(yōu)選的技術(shù)方案，本發(fā)明的納米導(dǎo)電碳粒子也可以通過表面活性劑改性、聚合物改性，當(dāng)然，通過表面氧化改性效果最好。
[0021]作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，銀粉選自納米銀粉和微細(xì)銀粉中的一種或幾種。優(yōu)選地，所述銀粉為納米銀粉和銀粉微細(xì)的混合物，納米銀粉和微細(xì)銀粉的質(zhì)量比為1:5-1。本發(fā)明中，微細(xì)銀粉是指銀粉粒徑在1-3微米的銀粉。所述納米銀粉、微細(xì)銀粉可直接采用商購產(chǎn)品。
[0022]作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，高分子樹脂選自丙烯酸類和聚酯類樹脂中的一種或幾種。所述高分子樹脂為丙烯酸類和聚酯類樹脂的混合物，丙烯酸類和聚酯類樹脂的質(zhì)量比為1:1-10。合適的配比更有利于提高分散性。高分子樹脂可以選擇聚甲基丙烯酸甲酯，聚碳酸酯等。高分子樹脂主要用于粘接基板和分散銀粉。
[0023]所述溶劑選自環(huán)已烷、醋酸乙酯、丁酮、環(huán)己酮、四氫呋喃、正庚烷、甲醇、異丙醇、乙醇、醋酸丁酯、苯甲酸甲酯中的一種或多種。
[0024]所述激光蝕刻銀漿還包括添加劑，所述添加劑為分散劑、消泡劑、流平劑。[0025]所述分散劑為現(xiàn)有技術(shù)中常用的各種有機(jī)分散劑，例如可以選自十二烷基硫酸鈉(SDS)、十六烷基苯磺酸鈉(SDBS)、十六烷基三甲基溴化銨(CTMAB)、十六烷基吡啶(CPB)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、丙三醇、硬脂酸及硬脂酸鹽中的一種或多種。所述硬脂酸為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的各種硬脂酸，例如可以為庚酸、辛酸或壬酸。
[0026]流平劑、消泡劑的種類和用量為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知。例如，所述流平劑可以選自 EFKA3883、EFKA3886、EFKA3600、BYK366, BYK333, BYK307、DEG0410、DEGOGlide410、Glide450、Rad2300、Rad2500、TEGO Rad 2100 中一種或多種。消泡劑可以選自EFKA2022, EFKA2527, EFKA2040, BYK352, BYK354, BYK357、TEG0 Airex900、TEGO Airex920、TEG0Airex900、F0AMEXN —種或多種。
[0027]根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光蝕刻銀漿的制備方法，包括以下步驟:
S10.銀粉處理:將納米導(dǎo)電碳粒子在部分溶劑中分散均勻后，加入納米銀，加熱至10%-60%的溶劑揮發(fā)；
S20.高分子樹脂處理:加入高分子樹脂和剩余溶劑，加熱充分溶解，過濾雜質(zhì)或不溶
物；
S30.銀漿制備:將處理后的銀粉和高分子樹脂，添加劑在三輥機(jī)中研磨至細(xì)度1-5微米，得到激光蝕刻銀漿。
[0028]通過在SlO步驟中的加熱程序，使得納米導(dǎo)電碳粒子更易吸附在銀粉以上，有利于之后步驟的分散。過濾雜質(zhì)更有利于樹脂的粘接。研磨的細(xì)度與分散性有關(guān)，更好的分散性更有利于得到細(xì)度更低的漿料。
[0029]一種觸摸屏，包括不可視區(qū)域的導(dǎo)電線路，所述導(dǎo)電線路通過激光蝕刻前述的激光蝕刻銀漿得到。
[0030]以下結(jié)合實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。實施例、對比例中所采用的原料均由商購得到。
[0031]實施例1-4
【權(quán)利要求】
1.激光蝕刻銀漿，其特征在于，所述激光蝕刻銀漿包括銀粉，高分子樹脂，溶劑，所述激光蝕刻銀衆(zhòng)還包括銀粉重量0.001-0.1%的納米導(dǎo)電碳粒子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光蝕刻銀漿，其特征在于，所述的激光蝕刻銀漿包括銀粉60-90重量份，高分子樹脂10-30重量份，溶劑10-35重量份。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光蝕刻銀漿，其特征在于，所述的納米導(dǎo)電碳粒子表面經(jīng)過氧化改性、表面活性劑改性、聚合物改性。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光蝕刻銀漿，其特征在于，所述的銀粉選自納米銀粉和微細(xì)銀粉中的一種或幾種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光蝕刻銀漿，其特征在于，所述的銀粉為納米銀粉和微細(xì)銀粉的混合物，納米銀粉和微細(xì)銀粉的質(zhì)量比為1:5-1。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光蝕刻銀漿，其特征在于，所述的高分子樹脂選自丙烯酸類和聚酯類樹脂中的一種或幾種；所述高分子樹脂為丙烯酸類和聚酯類樹脂的混合物，丙烯酸類和聚酯類樹脂的質(zhì)量比為1:1-10。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光蝕刻銀漿，其特征在于，所述的溶劑選自環(huán)已烷、醋酸乙酯、丁酮、四氫呋喃、正庚烷、甲醇、異丙醇、乙醇、醋酸丁酯中的一種或多種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光蝕刻銀漿，其特征在于，所述的激光蝕刻銀漿還包括添加劑，所述添加劑為分散劑、消泡劑、流平劑。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任意一項權(quán)利要求所述的激光蝕刻銀漿的制備方法，包括以下步驟: S10.銀粉處理:將納米導(dǎo)電碳粒子在部分溶劑中分散均勻后，加入納米銀，加熱至10%-60%的溶劑揮發(fā)； S20.高分子樹脂處理:加入高分子樹脂和剩余溶劑，加熱充分溶解，過濾雜質(zhì)或不溶物； S30.銀漿制備:將處理后的銀粉和高分子樹脂，添加劑在三輥機(jī)中研磨至細(xì)度1-8微米，得到激光蝕刻銀漿。
10.一種觸摸屏，包括不可視區(qū)域的導(dǎo)電線路，所述導(dǎo)電線路通過激光蝕刻權(quán)利要求1-8中任意一項權(quán)利要求所述的激光蝕刻銀漿得到。
【文檔編號】G06F3/044GK103824611SQ201410082735
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2014年3月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月7日
【發(fā)明者】田耕, 劉洪
申請人:廣州北峻工業(yè)材料有限公司