具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】一種具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器，其具有一像素單元及一多工器電路，其中該多工器電路用以在一顯示期間使所述的像素單元與一源極驅(qū)動(dòng)單元耦接以提供一面內(nèi)轉(zhuǎn)向顯示功能，及在一觸控偵測(cè)期間使所述的像素單元與一觸控單元耦接以提供一觸控感測(cè)功能。
【專(zhuān)利說(shuō)明】具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明是有關(guān)于一種觸控裝置，特別是關(guān)于一種具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向（in plane switching-IPS)液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002] -般的觸控屏幕裝置是在一液晶屏幕上迭加一觸控模塊。然而此類(lèi)觸控屏幕裝置 厚度較大，不能滿(mǎn)足輕、薄的市場(chǎng)需求，且其成本亦較高。
[0003] 為解決此問(wèn)題，公知有將液晶屏幕與觸控模塊的同性質(zhì)材料層整合在一起的設(shè) 計(jì)。然而，此做法對(duì)觸控屏幕裝置所能降低的厚度仍不能滿(mǎn)足某些高檔產(chǎn)品的要求。
[0004] 公知亦有嘗試在液晶顯示器上實(shí)現(xiàn)觸控功能的設(shè)計(jì)，其一般的做法乃在薄膜晶體 管層增加額外的電極以形成觸控電容。然而，此類(lèi)做法會(huì)降低產(chǎn)品良率，增加成本。
[0005] 為解決前述的問(wèn)題，亟需一種新穎、低厚度、且容易生產(chǎn)的觸控屏幕裝置。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006] 本發(fā)明的目的在于提供一種具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器，以改進(jìn)公知技 術(shù)中存在的缺陷。
[0007] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器，其具有一 像素單元及一多工器電路以提供一顯示功能及一觸控感測(cè)功能，其中該像素單元具有：
[0008] -第一基板；
[0009] 一對(duì)向電極，位于該第一基板上方；
[0010] -儲(chǔ)存電容下電極，位于該第一基板上方且與該對(duì)向電極分離；
[0011] 一儲(chǔ)存電容連接線，與該儲(chǔ)存電容下電極電氣相接；
[0012] -對(duì)向電極連接線，與該對(duì)向電極電氣相接；
[0013] -絕緣層，位于該對(duì)向電極和該儲(chǔ)存電容下電極上方；
[0014] 一薄膜晶體管，位于該絕緣層上方且具有一柵極、一源極、及一漏極；
[0015] 一像素電極，位于該絕緣層上方且與該漏極電氣相接；
[0016] -儲(chǔ)存電容上電極，位于該絕緣層上方且與該像素電極電氣相接；
[0017] 一柵極連接線，與該柵極電氣相接；
[0018] 一源極連接線，與該源極電氣相接；以及
[0019] 一液晶層，位于該薄膜晶體管、該像素電極、及該儲(chǔ)存電容上電極上方；以及
[0020] 該多工器電路具有：
[0021] -第一多工器，其具有一第一接點(diǎn)、一第二接點(diǎn)、以及一第三接點(diǎn)，其中，該第一接 點(diǎn)與該源極連接線耦接，該第二接點(diǎn)與一源極驅(qū)動(dòng)單元耦接，該第三接點(diǎn)與一觸控單元耦 接，該第一接點(diǎn)在一顯示期間與該第二接點(diǎn)電氣相接，及該第一接點(diǎn)在一觸控偵測(cè)期間與 該第三接點(diǎn)電氣相接；
[0022] -第二多工器，其具有一第四接點(diǎn)、一第五接點(diǎn)、以及一第六接點(diǎn)，其中，該第四接 點(diǎn)與該儲(chǔ)存電容連接線耦接，該第五接點(diǎn)與一共通電壓耦接，該第六接點(diǎn)與該觸控單元耦 接，該第四接點(diǎn)在所述的顯示期間與該第五接點(diǎn)電氣相接，及該第四接點(diǎn)在所述的觸控偵 測(cè)期間與該第六接點(diǎn)電氣相接；以及
[0023] -第三多工器，其具有一第七接點(diǎn)、一第八接點(diǎn)、以及一第九接點(diǎn)，其中，該第七接 點(diǎn)與該對(duì)向電極連接線耦接，該第八接點(diǎn)與該共通電壓耦接，該第九接點(diǎn)與該觸控單元耦 接，該第七接點(diǎn)在所述顯示期間與該第八接點(diǎn)電氣相接，及該第七接點(diǎn)在所述觸控偵測(cè)期 間與該第九接點(diǎn)電氣相接。
[0024] 在一實(shí)施例中，該像素單元進(jìn)一步具有：
[0025] -保護(hù)電極，位于該液晶層上方；以及
[0026] -保護(hù)電極連接線，與該保護(hù)電極電氣相接且與該觸控單元f禹接。
[0027] 在一實(shí)施例中，該像素單元進(jìn)一步具有一第二基板，其位于該液晶層上方。
[0028] 在一實(shí)施例中，該像素單元進(jìn)一步具有一第二基板，其位于該保護(hù)電極上方。
[0029] 本發(fā)明還提供一種具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器，其具有：
[0030] 一像素陣列，其具有復(fù)數(shù)條源極外接線、復(fù)數(shù)條柵極外接線、復(fù)數(shù)條儲(chǔ)存電容外接 線、及復(fù)數(shù)個(gè)像素單元，各所述像素單元具有：
[0031] 一第一基板；
[0032] 一對(duì)向電極，位于該第一基板上方；
[0033] -儲(chǔ)存電容下電極，位于該第一基板上方且與該對(duì)向電極電氣相接；
[0034] 一儲(chǔ)存電容連接線，與該對(duì)向電極和該儲(chǔ)存電容下電極電氣相接，且與一所述儲(chǔ) 存電容外接線耦接；
[0035] -絕緣層，位于該對(duì)向電極和該儲(chǔ)存電容下電極上方；
[0036] -薄膜晶體管，位于該絕緣層上方且具有一柵極、一源極、及一漏極；
[0037] -像素電極，位于該絕緣層上方且與該漏極電氣相接；
[0038] -儲(chǔ)存電容上電極，位于該絕緣層上方且與該像素電極電氣相接；
[0039] -柵極連接線，與該柵極電氣相接且與一所述柵極外接線耦接；
[0040] 一源極連接線，與該源極電氣相接且與一所述源極外接線耦接；以及
[0041] 一液晶層，位于該薄膜晶體管、該像素電極、及該儲(chǔ)存電容上電極上方；
[0042] 一柵極驅(qū)動(dòng)單元，與所述柵極外接線耦接；
[0043] 一多工器電路，與所述源極外接線及所述儲(chǔ)存電容外接線耦接；
[0044] -源極驅(qū)動(dòng)單元，與該多工器電路耦接；以及
[0045] 一觸控單元，與該多工器電路耦接；
[0046] 其中該多工器電路在一顯示期間使所述源極外接線及所述儲(chǔ)存電容外接線與該 源極驅(qū)動(dòng)單元耦接，及在一觸控偵測(cè)期間使所述源極外接線及所述儲(chǔ)存電容外接線與該觸 控單兀f禹接。
[0047] 在一實(shí)施例中，該觸控單元在所述觸控偵測(cè)期間執(zhí)行一觸控偵測(cè)程序，且該觸控 偵測(cè)程序由自電容觸控偵測(cè)程序、互電容觸控偵測(cè)程序、和二者的任一組合所組成的群組 中所選擇的一種控偵測(cè)程序。
[0048] 在一實(shí)施例中，各所述像素單元進(jìn)一步具有：
[0049] 復(fù)數(shù)個(gè)保護(hù)電極，位于該液晶層上方；以及
[0050] 復(fù)數(shù)條保護(hù)電極外接線，各與一所述保護(hù)電極電氣相接且與該多工器電路耦接；
[0051] 其中所述保護(hù)電極外接線經(jīng)由該多工器電路耦接至該觸控單元。
[0052] 在一實(shí)施例中，該觸控單元在所述觸控偵測(cè)期間執(zhí)行一觸控偵測(cè)程序，且該觸控 偵測(cè)程序由自電容觸控偵測(cè)程序、互電容觸控偵測(cè)程序、和二者的任一組合所組成的群組 中所選擇的一種控偵測(cè)程序。
[0053] 在一實(shí)施例中，各所述像素單元進(jìn)一步具有一第二基板，其位于所述液晶層上方。
[0054] 在一實(shí)施例中，各所述像素單元進(jìn)一步具有一第二基板，其位于所述保護(hù)電極上 方。
[0055] 本發(fā)明又提供一種具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器，其具有：
[0056] -像素陣列，其具有復(fù)數(shù)條源極外接線、復(fù)數(shù)條柵極外接線、復(fù)數(shù)條儲(chǔ)存電容外接 線、復(fù)數(shù)條對(duì)向電極外接線、及復(fù)數(shù)個(gè)像素單元，各所述像素單元具有：
[0057] -第一基板；
[0058] 一對(duì)向電極，位于該第一基板上方；
[0059] -儲(chǔ)存電容下電極，位于該第一基板上方且與該對(duì)向電極分離；
[0060] 一儲(chǔ)存電容連接線，與該儲(chǔ)存電容下電極電氣相接，且與一所述儲(chǔ)存電容外接線 奉禹接；
[0061] -對(duì)向電極連接線，與該對(duì)向電極電氣相接，且與一所述對(duì)向電極外接線f禹接；
[0062] -絕緣層，位于該對(duì)向電極和該儲(chǔ)存電容下電極上方；
[0063] 一薄膜晶體管，位于該絕緣層上方且具有一柵極、一源極、及一漏極；
[0064] 一像素電極，位于該絕緣層上方且與該漏極電氣相接；
[0065] -儲(chǔ)存電容上電極，位于該絕緣層上方且與該像素電極電氣相接；
[0066] 一柵極連接線，與該柵極電氣相接且與一所述柵極外接線耦接；
[0067] 一源極連接線，與該源極電氣相接且與一所述源極外接線耦接；以及
[0068] 一液晶層，位于該薄膜晶體管、該像素電極、及該儲(chǔ)存電容上電極上方；
[0069] 一柵極驅(qū)動(dòng)單元，與所述柵極外接線耦接；
[0070] -多工器電路，與所述源極外接線、所述儲(chǔ)存電容外接線、及所述對(duì)向電極外接線 奉禹接；
[0071] 一源極驅(qū)動(dòng)單元，與該多工器電路耦接；以及
[0072] -觸控單元，與該多工器電路耦接；
[0073] 其中該多工器電路在一顯示期間使所述源極外接線、所述儲(chǔ)存電容外接線、及所 述對(duì)向電極外接線與該源極驅(qū)動(dòng)單元耦接，及在一觸控偵測(cè)期間使所述源極外接線、所述 儲(chǔ)存電容外接線、及所述對(duì)向電極外接線與該觸控單元f禹接。
[0074] 在一實(shí)施例中，該觸控單元在所述觸控偵測(cè)期間執(zhí)行一觸控偵測(cè)程序，且該觸控 偵測(cè)程序由自電容觸控偵測(cè)程序、互電容觸控偵測(cè)程序、和二者的任一組合所組成的群組 中所選擇的一種偵測(cè)程序。
[0075] 在一實(shí)施例中，各所述像素單元進(jìn)一步具有：
[0076] 復(fù)數(shù)個(gè)保護(hù)電極，位于該液晶層上方；以及
[0077] 復(fù)數(shù)條保護(hù)電極外接線，各與一所述保護(hù)電極電氣相接且與該多工器電路耦接；
[0078] 其中所述保護(hù)電極外接線經(jīng)由該多工器電路耦接至該觸控單元。
[0079] 在一實(shí)施例中，該觸控單元在所述觸控偵測(cè)期間執(zhí)行一觸控偵測(cè)程序，且該觸控 偵測(cè)程序由自電容觸控偵測(cè)程序、互電容觸控偵測(cè)程序、和二者的任一組合所組成的群組 中所選擇的一種偵測(cè)程序。
[0080] 在一實(shí)施例中，各所述像素單元進(jìn)一步具有一第二基板，其位于所述液晶層上方。
[0081] 在一實(shí)施例中，各所述像素單元進(jìn)一步具有一第二基板，其位于所述保護(hù)電極上 方。
[0082] 本發(fā)明的觸控顯示器，其可利用一面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)提供觸控的功能。
[0083] 本發(fā)明的觸控顯示器，其可利用一面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的二電極層執(zhí)行一自電容或 互電容觸控偵測(cè)程序。
[0084] 本發(fā)明的觸控顯不器，其可利用一面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的一像素電極層、一對(duì)向電 極層、及一保護(hù)電極層執(zhí)行一自電容或互電容觸控偵測(cè)程序。
[0085] 本發(fā)明的觸控顯示器，其可利用一偏壓技術(shù)提高觸控可靠度。
[0086] 本發(fā)明的觸控顯示器，其可提供雙觸控平面。
[0087] 本發(fā)明的觸控顯示器，其可簡(jiǎn)化觸控屏幕的結(jié)構(gòu)以降低產(chǎn)品厚度、提高良率、及降 低成本。
【專(zhuān)利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0088] 圖1為本發(fā)明所采用的一像素單元之一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0089] 圖2(a)為本發(fā)明具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器之一實(shí)施例的示意圖。 [0090] 圖2(b)_2(c)為圖2(a)架構(gòu)所提供的自電容觸控偵測(cè)模式之二實(shí)施例的示意圖。 [0091] 圖2(d)為圖2(a)架構(gòu)所提供的互電容觸控偵測(cè)模式之一實(shí)施例的示意圖。
[0092] 圖3為本發(fā)明所采用的所述像素單元的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0093] 圖4(a)為本發(fā)明具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器的另一實(shí)施例的示意圖。
[0094] 圖4(b)_4(c)為圖4(a)架構(gòu)所提供的自電容觸控偵測(cè)模式之二實(shí)施例的示意圖。 [0095] 圖4(d)_4(e)為圖4(a)架構(gòu)所提供的互電容觸控偵測(cè)模式之二實(shí)施例的示意圖。 [0096] 圖5為本發(fā)明所采用的一像素單元的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0097] 圖6(a)為本發(fā)明具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器的另一實(shí)施例的示意圖。
[0098] 圖6(b)_6(d)為圖6(a)架構(gòu)所提供的自電容觸控偵測(cè)模式之三實(shí)施例的示意圖。 [0099] 圖6(e)_6(g)為圖6(a)架構(gòu)所提供的互電容觸控偵測(cè)模式之三實(shí)施例的示意圖。 [0100] 圖7為本發(fā)明所采用的一像素單元的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0101] 圖8(a)為本發(fā)明具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器的另一實(shí)施例的示意圖。
[0102] 圖8(b)-8(e)為圖8(a)架構(gòu)所提供的自電容觸控偵測(cè)模式之四實(shí)施例的示意圖。
[0103] 圖8(f)_8(g)為圖8(a)架構(gòu)所提供的互電容觸控偵測(cè)模式之二實(shí)施例的示意圖。
[0104] 圖9(a)為本發(fā)明具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器的另一實(shí)施例的示意圖。
[0105] 圖9(b)為圖9(a)的細(xì)部示意圖。
[0106] 圖10為本發(fā)明具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器的另一實(shí)施例的示意圖。
[0107] 圖11為本發(fā)明具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器的另一實(shí)施例的示意圖。
[0108] 圖12為本發(fā)明具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器的又一實(shí)施例的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0109] 為能進(jìn)一步了解本發(fā)明的結(jié)構(gòu)、特征及其目的，結(jié)合附圖及較佳具體實(shí)施例的詳 細(xì)說(shuō)明如后。
[0110] 請(qǐng)參照?qǐng)D1，為本發(fā)明所采用的一像素單元之一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所 不，一像素單兀100具有一第一基板110、一對(duì)向電極121、一儲(chǔ)存電容下電極122、一儲(chǔ)存電 容連接線123、一絕緣層130、一薄膜晶體管141、一像素電極142、一源極連接線143、一柵極 連接線144、一儲(chǔ)存電容上電極145、一液晶層150、以及一第二基板160。
[0111] 第一基板110較佳為一玻璃基板，用以提供一第一觸控平面。
[0112] 對(duì)向電極121位于第一基板110上方，其可為例如但不限于一 ΙΤ0(Indium Tin Oxide ;銦錫氧化物）電極、一納米碳電極、或一納米銀電極。
[0113] 儲(chǔ)存電容下電極122位于第一基板110上方且與對(duì)向電極121電氣相接，且其可 為例如但不限于一 IT0(Indium Tin Oxide;銦錫氧化物）電極、一納米碳電極、或一納米銀 電極。
[0114] 儲(chǔ)存電容連接線123可由例如但不限于金屬制成，且其與對(duì)向電極121和儲(chǔ)存電 容下電極122電氣相接。
[0115] 絕緣層130由一透明介電材料制成，且其位于對(duì)向電極121和儲(chǔ)存電容下電極122 上方。
[0116] 薄膜晶體管141位于絕緣層130上方且其具有一源極、一柵極、和一漏極。
[0117] 像素電極142較佳為一 ΙΤ0電極，其位于絕緣層130上方并與該漏極電氣相接，且 其與對(duì)向電極121互不相對(duì)。
[0118] 源極連接線143可由例如但不限于金屬制成，且其與該源極電氣相接。
[0119] 柵極連接線144可由例如但不限于金屬制成，且其與該柵極電氣相接。
[0120] 儲(chǔ)存電容上電極145位于絕緣層130上方且與像素電極142電氣相接，且其可為 例如但不限于一 ΙΤ0電極、一納米碳電極、或一納米銀電極。
[0121] 液晶層150位于薄膜晶體管141、像素電極142、和儲(chǔ)存電容上電極145上方。
[0122] 第二基板160位于液晶層150上方，且其較佳為一玻璃基板，用以提供一第二觸控 平面，亦即，圖1的結(jié)構(gòu)可提供雙觸控平面。
[0123] 請(qǐng)參照?qǐng)D2(a)，其為本發(fā)明具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器之一實(shí)施例的示 意圖。如圖2(a)所示，該觸控顯示器以一多工器電路搭配圖1的像素單元實(shí)現(xiàn)一面內(nèi)轉(zhuǎn)向 顯不功能及一觸控功能，該多工器電路包括一第一多工器170及一第二多工器190。
[0124] 第一多工器170具有一第一接點(diǎn)、一第二接點(diǎn)、以及一第三接點(diǎn)，其中，所述的第 一接點(diǎn)與源極連接線143耦接，所述的第二接點(diǎn)與一源極驅(qū)動(dòng)單元182耦接，及所述的第三 接點(diǎn)與一觸控單元181耦接；且在一顯示期間，所述的第一接點(diǎn)與所述的第二接點(diǎn)電氣相 接，及在一觸控偵測(cè)期間，所述的第一接點(diǎn)與所述的第三接點(diǎn)電氣相接。
[0125] 第二多工器190具有一第四接點(diǎn)、一第五接點(diǎn)、以及一第六接點(diǎn)，其中，所述的第 四接點(diǎn)與儲(chǔ)存電容連接線123耦接，所述的第五接點(diǎn)與一共通電壓V ram耦接，及所述的第六 接點(diǎn)與觸控單元181耦接；且在所述的顯示期間，所述的第四接點(diǎn)與所述的第五接點(diǎn)電氣 相接，及在所述的觸控偵測(cè)期間，所述的第四接點(diǎn)與所述的第六接點(diǎn)電氣相接。
[0126] 圖2(a)的架構(gòu)可提供自電容觸控偵測(cè)模式和互電容觸控偵測(cè)模式。請(qǐng)參照?qǐng)D 2 (b)，其為圖2 (a)架構(gòu)所提供的自電容觸控偵測(cè)模式之一實(shí)施例的示意圖。在圖2 (b)所示 的一電容網(wǎng)絡(luò)中，Cs為由儲(chǔ)存電容下電極122和儲(chǔ)存電容上電極145所界定的電容，（^為 由對(duì)向電極121和像素電極142所界定的電容，C t為由Cs和Q所形成的等效電容，CF1為 手指觸碰到像素電極142時(shí)所產(chǎn)生的電容，以及C F2為手指觸碰到對(duì)向電極121時(shí)所產(chǎn)生的 電容。觸控單元181由儲(chǔ)存電容連接線123對(duì)該電容網(wǎng)絡(luò)執(zhí)行一 CDC(charge to digital conversion ;電荷至數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換）操作以偵測(cè)是否有觸控事件發(fā)生。
[0127] 圖2(c)為圖2(a)架構(gòu)所提供的自電容觸控偵測(cè)模式的另一實(shí)施例的示意圖。在 圖2(c)所示的一電容網(wǎng)絡(luò)中，CS為由儲(chǔ)存電容下電極122和儲(chǔ)存電容上電極145所界定的 電容，Q為由對(duì)向電極121和像素電極142所界定的電容，C t為由Cs和Q所形成的等效 電容，CF1為手指接近像素電極142時(shí)所產(chǎn)生的電容，以及C F2為手指接近對(duì)向電極121時(shí)所 產(chǎn)生的電容。觸控單元181由儲(chǔ)存電容連接線123或源極連接線143對(duì)該電容網(wǎng)絡(luò)執(zhí)行一 CDC (charge to digital conversion;電荷至數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換）操作以偵測(cè)是否有觸控事件 發(fā)生。
[0128] 圖2(d)為圖2(a)架構(gòu)所提供的互電容觸控偵測(cè)模式之一實(shí)施例的示意圖。在圖 2(d)所示的一電容網(wǎng)絡(luò)中，C S為由儲(chǔ)存電容下電極122和儲(chǔ)存電容上電極145所界定的電 容，Q為由對(duì)向電極121和像素電極142所界定的電容，C t為由Cs和Q所形成的等效電 容，CF1為手指接近像素電極142時(shí)所產(chǎn)生的電容，以及C F2為手指接近對(duì)向電極121時(shí)所產(chǎn) 生的電容。觸控單元181以?xún)?chǔ)存電容連接線123作為一訊號(hào)傳送端TX而以源極連接線143 作為一訊號(hào)接收端RX，或以源極連接線143作為一訊號(hào)傳送端TX而以?xún)?chǔ)存電容連接線123 作為一訊號(hào)接收端RX以偵測(cè)是否有觸控事件發(fā)生。
[0129] 請(qǐng)參照?qǐng)D3,其為本發(fā)明所采用的所述像素單元的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖 3所不，一像素單兀200具有一第一基板210、一對(duì)向電極221、一儲(chǔ)存電容下電極222、一儲(chǔ) 存電容連接線223、一絕緣層230、一薄膜晶體管241、一像素電極242、一源極連接線243、一 柵極連接線244、一儲(chǔ)存電容上電極245、一液晶層250、一保護(hù)電極260、一保護(hù)電極連接線 261、以及一第二基板270。
[0130] 第一基板210較佳為一玻璃基板，用以提供一第一觸控平面。
[0131] 對(duì)向電極221位于第一基板210上方，且其可為例如但不限于一 ΙΤ0電極、一納米 碳電極、或一納米銀電極。
[0132] 儲(chǔ)存電容下電極222位于第一基板210上方且與對(duì)向電極221電氣相接，且其可 為例如但不限于一 ΙΤ0電極、一納米碳電極、或一納米銀電極。
[0133] 儲(chǔ)存電容連接線223可由例如但不限于金屬制成，且其與對(duì)向電極221和儲(chǔ)存電 容下電極222電氣相接。
[0134] 絕緣層230由一透明介電材料制成，且其位于對(duì)向電極221和儲(chǔ)存電容下電極222 上方。
[0135] 薄膜晶體管241位于絕緣層230上方且其具有一源極、一柵極、和一漏極。
[0136] 像素電極242較佳為一 ΙΤ0電極，其位于絕緣層230上方并與該漏極電氣相接，且 其與對(duì)向電極221互不相對(duì)。
[0137] 源極連接線243可由例如但不限于金屬制成，且其與該源極電氣相接。
[0138] 柵極連接線244可由例如但不限于金屬制成，且其與該柵極電氣相接。
[0139] 儲(chǔ)存電容上電極245位于絕緣層230上方且與像素電極242電氣相接，且其可為 例如但不限于一 ΙΤ0電極、一納米碳電極、或一納米銀電極。
[0140] 液晶層250位于薄膜晶體管241、像素電極242、和儲(chǔ)存電容上電極245上方。
[0141] 保護(hù)電極260位于液晶層250上方，且其一透明電極，可由ΙΤ0制成。
[0142] 保護(hù)電極連接線261可由例如但不限于金屬制成，且其與保護(hù)電極260電氣相接。
[0143] 第二基板270較佳為一玻璃基板且其位于保護(hù)電極260上方，用以提供一第二觸 控平面，亦即，圖3的結(jié)構(gòu)可提供雙觸控平面。
[0144] 請(qǐng)參照?qǐng)D4(a)，其為本發(fā)明具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器的另一實(shí)施例的 示意圖。如圖4(a)所示，該觸控顯示器以一多工器電路搭配圖3的像素單元實(shí)現(xiàn)一面內(nèi)轉(zhuǎn) 向顯不功能及一觸控功能，該多工器電路包括一第一多工器280、及一第二多工器290。
[0145] 第一多工器280具有一第一接點(diǎn)、一第二接點(diǎn)、以及一第三接點(diǎn)，其中，所述的第 一接點(diǎn)與源極連接線243耦接，所述的第二接點(diǎn)與一源極驅(qū)動(dòng)單元282耦接，及所述的第三 接點(diǎn)與一觸控單元281耦接；且在一顯示期間，所述的第一接點(diǎn)與所述的第二接點(diǎn)電氣相 接，及在一觸控偵測(cè)期間，所述的第一接點(diǎn)與所述的第三接點(diǎn)電氣相接。
[0146] 第二多工器290具有一第四接點(diǎn)、一第五接點(diǎn)、以及一第六接點(diǎn)，其中，所述的第 四接點(diǎn)與儲(chǔ)存電容連接線223耦接，所述的第五接點(diǎn)與一共通電壓V ram耦接，及所述的第六 接點(diǎn)與觸控單元281耦接；且在所述顯示期間，所述的第四接點(diǎn)與所述的第五接點(diǎn)電氣相 接，及在所述觸控偵測(cè)期間，所述的第四接點(diǎn)與所述的第六接點(diǎn)電氣相接。
[0147] 另外，保護(hù)電極連接線261與觸控單元281 f禹接以同時(shí)提供一 ESD (electrostatic discharge ;靜電放電）路徑及一觸控偵測(cè)路徑。
[0148] 圖4(a)的架構(gòu)可提供自電容觸控偵測(cè)模式和互電容觸控偵測(cè)模式。請(qǐng)參照?qǐng)D 4 (b)，其為圖4 (a)架構(gòu)所提供的自電容觸控偵測(cè)模式之一實(shí)施例的示意圖。在圖4 (b)所示 的一電容網(wǎng)絡(luò)中，Cs為由儲(chǔ)存電容下電極222和儲(chǔ)存電容上電極245所界定的電容，(^為 由對(duì)向電極221和像素電極242所界定的電容，(^ 2為由像素電極242和保護(hù)電極260所界 定的電容，(^3為由對(duì)向電極221和保護(hù)電極260所界定的電容，(；為由（；、(^ 1、(^2、和(^3 所形成的等效電容，CF1為手指接近保護(hù)電極260時(shí)所產(chǎn)生的電容，CF2為手指接近像素電極 242時(shí)所產(chǎn)生的電容，以及C F3為手指接近對(duì)向電極221時(shí)所產(chǎn)生的電容。觸控單元281由 儲(chǔ)存電容連接線223或保護(hù)電極連接線261對(duì)該電容網(wǎng)絡(luò)執(zhí)行一 CDC (charge to digital conversion ;電荷至數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換）操作，以偵測(cè)是否有觸控事件發(fā)生。
[0149] 圖4(c)為圖4(a)架構(gòu)所提供的自電容觸控偵測(cè)模式的另一實(shí)施例的示意圖。在 圖4(c)所示的一電容網(wǎng)絡(luò)中，C S為由儲(chǔ)存電容下電極222和儲(chǔ)存電容上電極245所界定的 電容，為由對(duì)向電極221和像素電極242所界定的電容，（^為由像素電極242和保護(hù) 電極260所界定的電容，（^為由對(duì)向電極221和保護(hù)電極260所界定的電容，C t為由Cs、 Cra、Q、和所形成的等效電容，CF1為手指接近保護(hù)電極260時(shí)所產(chǎn)生的電容，CF2為手 指接近像素電極242時(shí)所產(chǎn)生的電容，以及C F3為手指接近對(duì)向電極221時(shí)所產(chǎn)生的電容。 觸控單元281由儲(chǔ)存電容連接線223或保護(hù)電極連接線261或源極連接線243對(duì)該電容網(wǎng) 絡(luò)執(zhí)行一 CDC操作，以偵測(cè)是否有觸控事件發(fā)生。
[0150] 圖4(d)為圖4(a)架構(gòu)所提供的互電容觸控偵測(cè)模式之一實(shí)施例的示意圖。在圖 4(d)所示的一電容網(wǎng)絡(luò)中，C S為由儲(chǔ)存電容下電極222和儲(chǔ)存電容上電極245所界定的電 容，Cm為由對(duì)向電極221和像素電極242所界定的電容，（^為由像素電極242和保護(hù)電 極260所界定的電容，(^為由對(duì)向電極221和保護(hù)電極260所界定的電容，Ct為由Cs、C ra、 心2、和所形成的等效電容，CF1為手指接近保護(hù)電極260時(shí)所產(chǎn)生的電容，C F2為手指接 近像素電極242時(shí)所產(chǎn)生的電容，以及CF3為手指接近對(duì)向電極221時(shí)所產(chǎn)生的電容。觸控 單元281以?xún)?chǔ)存電容連接線223作為一訊號(hào)傳送端TX而以保護(hù)電極連接線261作為一訊 號(hào)接收端RX，或以保護(hù)電極連接線261作為一訊號(hào)傳送端TX而以?xún)?chǔ)存電容連接線223作為 一訊號(hào)接收端RX，以偵測(cè)是否有觸控事件發(fā)生。
[0151] 圖4(e)為圖4(a)架構(gòu)所提供的互電容觸控偵測(cè)模式的另一實(shí)施例的示意圖。在 圖4(e)所示的一電容網(wǎng)絡(luò)中，C S為由儲(chǔ)存電容下電極222和儲(chǔ)存電容上電極245所界定的 電容，為由對(duì)向電極221和像素電極242所界定的電容，（^為由像素電極242和保護(hù) 電極260所界定的電容，（^為由對(duì)向電極221和保護(hù)電極260所界定的電容，C t為由Cs、 Cra、Q、和所形成的等效電容，CF1為手指接近保護(hù)電極260時(shí)所產(chǎn)生的電容，CF2為手 指接近像素電極242時(shí)所產(chǎn)生的電容，以及C F3為手指接近對(duì)向電極221時(shí)所產(chǎn)生的電容。 觸控單元281以?xún)?chǔ)存電容連接線223作為一訊號(hào)傳送端TX而以保護(hù)電極連接線261或源 極連接線243作為一訊號(hào)接收端RX ;或以保護(hù)電極連接線261作為一訊號(hào)傳送端TX而以 儲(chǔ)存電容連接線223或源極連接線243作為一訊號(hào)接收端RX ;或以源極連接線243作為一 訊號(hào)傳送端TX而以?xún)?chǔ)存電容連接線223或保護(hù)電極連接線261作為一訊號(hào)接收端RX，以偵 測(cè)是否有觸控事件發(fā)生。
[0152] 請(qǐng)參照?qǐng)D5,其為本發(fā)明所采用的一像素單元的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5 所不，一像素單兀300具有一第一基板310、一對(duì)向電極321、一儲(chǔ)存電容下電極322、一儲(chǔ)存 電容連接線323、一對(duì)向電極連接線324、一絕緣層330、一薄膜晶體管341、一像素電極342、 一源極連接線343、一柵極連接線344、一儲(chǔ)存電容上電極345、一液晶層350、以及一第二基 板 360。
[0153] 第一基板310較佳為一玻璃基板，用以提供一第一觸控平面。
[0154] 對(duì)向電極321位于第一基板310上方，且其可為例如但不限于一 ΙΤ0電極、一納米 碳電極、或一納米銀電極。
[0155] 儲(chǔ)存電容下電極322位于第一基板310上方且與對(duì)向電極321分離，且其可為例 如但不限于一 ΙΤ0電極、一納米碳電極、或一納米銀電極。
[0156] 儲(chǔ)存電容連接線323可由例如但不限于金屬制成，且其與儲(chǔ)存電容下電極322電 氣相接。
[0157] 對(duì)向電極連接線324可由例如但不限于金屬制成，且其與對(duì)向電極321電氣相接。
[0158] 絕緣層330由一透明介電材料制成，且其位于對(duì)向電極321和儲(chǔ)存電容下電極322 上方。
[0159] 薄膜晶體管341位于絕緣層330上方且其具有一源極、一柵極、和一漏極。
[0160] 像素電極342較佳為一 ΙΤ0電極，其位于絕緣層330上方并與該漏極電氣相接，且 其與對(duì)向電極321互不相對(duì)。
[0161] 源極連接線343可由例如但不限于金屬制成，且其與該源極電氣相接。
[0162] 柵極連接線344可由例如但不限于金屬制成，且其與該柵極電氣相接。
[0163] 儲(chǔ)存電容上電極345位于絕緣層330上方且與像素電極342電氣相接，且其可為 例如但不限于一 ITO電極、一納米碳電極、或一納米銀電極。
[0164] 液晶層350位于薄膜晶體管341、像素電極342、和儲(chǔ)存電容上電極345上方。
[0165] 第二基板360位于液晶層350上方，且其較佳為一玻璃基板，用以提供一第二觸控 平面，亦即，圖5的結(jié)構(gòu)可提供雙觸控平面。
[0166] 請(qǐng)參照?qǐng)D6(a)，其為本發(fā)明具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器的另一實(shí)施例的 示意圖。如圖6(a)所示，該觸控顯示器以一多工器電路搭配圖5的像素單元實(shí)現(xiàn)一面內(nèi)轉(zhuǎn) 向顯不功能及一觸控功能，該多工器電路包括一第一多工器370、一第二多工器390、及一 第三多工器391。
[0167] 第一多工器370具有一第一接點(diǎn)、一第二接點(diǎn)、以及一第三接點(diǎn)，其中，所述的第 一接點(diǎn)與源極連接線343耦接，所述的第二接點(diǎn)與一源極驅(qū)動(dòng)單元382耦接，及所述的第三 接點(diǎn)與一觸控單元381耦接；且在一顯示期間，所述的第一接點(diǎn)與所述的第二接點(diǎn)電氣相 接，及在一觸控偵測(cè)期間，所述的第一接點(diǎn)與所述的第三接點(diǎn)電氣相接。
[0168] 第二多工器390具有一第四接點(diǎn)、一第五接點(diǎn)、以及一第六接點(diǎn)，其中，所述的第 四接點(diǎn)與儲(chǔ)存電容連接線323耦接，所述的第五接點(diǎn)與一共通電壓V ram耦接，及所述的第六 接點(diǎn)與觸控單元381耦接；且在所述的顯示期間，所述的第四接點(diǎn)與所述的第五接點(diǎn)電氣 相接，及在所述的觸控偵測(cè)期間，所述的第四接點(diǎn)與所述的第六接點(diǎn)電氣相接。
[0169] 第三多工器391具有一第七接點(diǎn)、一第八接點(diǎn)、以及一第九接點(diǎn)，其中，所述的第 七接點(diǎn)與對(duì)向電極連接線324耦接，所述的第八接點(diǎn)與共通電壓V ram耦接，及所述的第九接 點(diǎn)與觸控單元381耦接；且在所述的顯示期間，所述的第七接點(diǎn)與所述的第八接點(diǎn)電氣相 接，及在所述的觸控偵測(cè)期間，所述的第七接點(diǎn)與所述的第九接點(diǎn)電氣相接。
[0170] 圖6 (a)的架構(gòu)可提供自電容觸控偵測(cè)模式和互電容觸控偵測(cè)模式。請(qǐng)參照?qǐng)D 6(b)，其為圖6(a)架構(gòu)所提供的自電容觸控偵測(cè)模式之一實(shí)施例的示意圖。在圖6(b)所 示的一電容網(wǎng)絡(luò)中，C s為由儲(chǔ)存電容下電極322和儲(chǔ)存電容上電極345所界定的電容， 為由對(duì)向電極321和像素電極342所界定的電容，C t為由Cs和所形成的等效電容，Cn 為手指接近像素電極342時(shí)所產(chǎn)生的電容，以及CF2為手指接近對(duì)向電極321時(shí)所產(chǎn)生的電 容。觸控單元381由儲(chǔ)存電容連接線323或?qū)ο螂姌O連接線324對(duì)該電容網(wǎng)絡(luò)執(zhí)行一 CDC 操作以偵測(cè)是否有觸控事件發(fā)生。
[0171] 圖6(c)為圖6(a)架構(gòu)所提供的自電容觸控偵測(cè)模式的另一實(shí)施例的示意圖。在 圖6 (c)所示的一電容網(wǎng)絡(luò)中，CS為由儲(chǔ)存電容下電極322和儲(chǔ)存電容上電極345所界定的 電容，為由對(duì)向電極321和像素電極342所界定的電容，C t為由Cs和所形成的等效 電容，CF1為手指接近像素電極342時(shí)所產(chǎn)生的電容，以及C F2為手指接近對(duì)向電極321時(shí)所 產(chǎn)生的電容。觸控單元381將一直流電壓耦接至對(duì)向電極連接線324,并由儲(chǔ)存電容連接線 323或源極連接線343對(duì)該電容網(wǎng)絡(luò)執(zhí)行一⑶C操作，以偵測(cè)是否有觸控事件發(fā)生。
[0172] 圖6(d)為圖6(a)架構(gòu)所提供的互電容觸控偵測(cè)模式的另一實(shí)施例的示意圖。在 圖6 (d)所示的一電容網(wǎng)絡(luò)中，CS為由儲(chǔ)存電容下電極322和儲(chǔ)存電容上電極345所界定的 電容，為由對(duì)向電極321和像素電極342所界定的電容，C t為由Cs和所形成的等效 電容，CF1為手指接近像素電極342時(shí)所產(chǎn)生的電容，以及C F2為手指接近對(duì)向電極321時(shí)所 產(chǎn)生的電容。觸控單元381將一直流電壓耦接至儲(chǔ)存電容連接線323,并由對(duì)向電極連接線 324或源極連接線343對(duì)該電容網(wǎng)絡(luò)執(zhí)行一⑶C操作，以偵測(cè)是否有觸控事件發(fā)生。
[0173] 圖6(e)為圖6(a)架構(gòu)所提供的互電容觸控偵測(cè)模式之一實(shí)施例的示意圖。在圖 6(e)所示的一電容網(wǎng)絡(luò)中，CS為由儲(chǔ)存電容下電極322和儲(chǔ)存電容上電極345所界定的電 容，為由對(duì)向電極321和像素電極342所界定的電容，C t為由Cs和所形成的等效電 容，CF1為手指接近像素電極342時(shí)所產(chǎn)生的電容，C F2為手指接近對(duì)向電極321時(shí)所產(chǎn)生的 電容。觸控單元381以?xún)?chǔ)存電容連接線323作為一訊號(hào)傳送端TX而以對(duì)向電極連接線324 作為一訊號(hào)接收端RX，或以對(duì)向電極連接線324作為一訊號(hào)傳送端TX而以?xún)?chǔ)存電容連接線 323作為一訊號(hào)接收端RX，以偵測(cè)是否有觸控事件發(fā)生。
[0174] 圖6(f)為圖6(a)架構(gòu)所提供的互電容觸控偵測(cè)模式的另一實(shí)施例的示意圖。在 圖6 (f)所示的一電容網(wǎng)絡(luò)中，CS為由儲(chǔ)存電容下電極322和儲(chǔ)存電容上電極345所界定的 電容，為由對(duì)向電極321和像素電極342所界定的電容，C t為由Cs和所形成的等效 電容，CF1為手指接近像素電極342時(shí)所產(chǎn)生的電容，C F2為手指接近對(duì)向電極321時(shí)所產(chǎn)生 的電容。觸控單元381將一直流電壓耦接至對(duì)向電極連接線324,并以?xún)?chǔ)存電容連接線323 作為一訊號(hào)傳送端TX而以源極連接線343作為一訊號(hào)接收端RX，或以源極連接線343作為 一訊號(hào)傳送端TX而以?xún)?chǔ)存電容連接線323作為一訊號(hào)接收端RX，以偵測(cè)是否有觸控事件發(fā) 生。
[0175] 圖6(g)為圖6(a)架構(gòu)所提供的互電容觸控偵測(cè)模式的另一實(shí)施例的示意圖。在 圖6 (g)所示的一電容網(wǎng)絡(luò)中，CS為由儲(chǔ)存電容下電極322和儲(chǔ)存電容上電極345所界定的 電容，為由對(duì)向電極321和像素電極342所界定的電容，C t為由Cs和所形成的等效 電容，CF1為手指接近像素電極342時(shí)所產(chǎn)生的電容，C F2為手指接近對(duì)向電極321時(shí)所產(chǎn)生 的電容。觸控單元381將一直流電壓耦接至儲(chǔ)存電容連接線323,并以對(duì)向電極連接線324 作為一訊號(hào)傳送端TX而以源極連接線343作為一訊號(hào)接收端RX，或以源極連接線343作為 一訊號(hào)傳送端TX而以對(duì)向電極連接線324作為一訊號(hào)接收端RX，以偵測(cè)是否有觸控事件發(fā) 生。
[0176] 請(qǐng)參照?qǐng)D7,其為本發(fā)明所采用的一像素單元的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖7 所不，一像素單兀400具有一第一基板410、一對(duì)向電極421、一儲(chǔ)存電容下電極422、一儲(chǔ) 存電容連接線423、一對(duì)向電極連接線424、一絕緣層430、一薄膜晶體管441、一像素電極 442、一源極連接線443、一柵極連接線444、一儲(chǔ)存電容上電極445、一液晶層450、一保護(hù)電 極460、一保護(hù)電極連接線461、以及一第二基板470。
[0177] 第一基板410較佳為一玻璃基板，用以提供一第一觸控平面。
[0178] 對(duì)向電極421位于第一基板410上方，且其可為例如但不限于一 ΙΤ0電極、一納米 碳電極、或一納米銀電極。
[0179] 儲(chǔ)存電容下電極422位于第一基板410上方且與對(duì)向電極421分離，且其可為例 如但不限于一 ΙΤ0電極、一納米碳電極、或一納米銀電極。
[0180] 儲(chǔ)存電容連接線423可由例如但不限于金屬制成，且其與儲(chǔ)存電容下電極422電 氣相接。
[0181] 對(duì)向電極連接線424可由例如但不限于金屬制成，且其與對(duì)向電極421電氣相接。
[0182] 絕緣層430由一透明介電材料制成，且其位于對(duì)向電極421和儲(chǔ)存電容下電極422 上方。
[0183] 薄膜晶體管441位于絕緣層430上方且其具有一源極、一柵極、和一漏極。
[0184] 像素電極442較佳為一 ΙΤ0電極，其位于絕緣層430上方并與該漏極電氣相接，且 其與對(duì)向電極421互不相對(duì)。
[0185] 源極連接線443可由例如但不限于金屬制成，且其與該源極電氣相接。
[0186] 柵極連接線444可由例如但不限于金屬制成，且其與該柵極電氣相接。
[0187] 儲(chǔ)存電容上電極445位于絕緣層430上方且與像素電極442電氣相接，且其可為 例如但不限于一 ΙΤ0電極、一納米碳電極、或一納米銀電極。
[0188] 液晶層450位于薄膜晶體管441、像素電極442、和儲(chǔ)存電容上電極445上方。
[0189] 保護(hù)電極460位于液晶層450上方，且其一透明電極，可由ΙΤ0制成。
[0190] 保護(hù)電極連接線461可由例如但不限于金屬制成，且其與保護(hù)電極460電氣相接。
[0191 ] 第二基板470位于保護(hù)電極460上方，且其較佳為一玻璃基板，用以提供一第二觸 控平面，亦即，圖7的結(jié)構(gòu)可提供雙觸控平面。
[0192] 請(qǐng)參照?qǐng)D8(a)，其為本發(fā)明具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器的另一實(shí)施例的 示意圖。如圖8(a)所示，該觸控顯示器以一多工器電路搭配圖7的像素單元實(shí)現(xiàn)一面內(nèi)轉(zhuǎn) 向顯不功能及一觸控功能，該多工器電路包括一第一多工器480、一第二多工器490、及一 第三多工器491。
[0193] 第一多工器480具有一第一接點(diǎn)、一第二接點(diǎn)、以及一第三接點(diǎn)，其中，所述的第 一接點(diǎn)與源極連接線443耦接，所述的第二接點(diǎn)與一源極驅(qū)動(dòng)單元482耦接，及所述的第三 接點(diǎn)與一觸控單元481耦接；且在一顯示期間，所述的第一接點(diǎn)與所述的第二接點(diǎn)電氣相 接，及在一觸控偵測(cè)期間，所述的第一接點(diǎn)與所述的第三接點(diǎn)電氣相接。
[0194] 第二多工器490具有一第四接點(diǎn)、一第五接點(diǎn)、以及一第六接點(diǎn)，其中，所述的第 四接點(diǎn)與儲(chǔ)存電容連接線423耦接，所述的第五接點(diǎn)與一共通電壓V ram耦接，及所述的第六 接點(diǎn)與觸控單元481耦接；且在所述的顯示期間，所述的第四接點(diǎn)與所述的第五接點(diǎn)電氣 相接，及在所述的觸控偵測(cè)期間，所述的第四接點(diǎn)與所述的第六接點(diǎn)電氣相接。
[0195] 第三多工器491具有一第七接點(diǎn)、一第八接點(diǎn)、以及一第九接點(diǎn)，其中，所述的第 七接點(diǎn)與對(duì)向電極連接線424耦接，所述的第八接點(diǎn)與共通電壓V ram耦接，及所述的第九接 點(diǎn)與觸控單元481耦接；且在所述的顯示期間，所述的第七接點(diǎn)與所述的第八接點(diǎn)電氣相 接，及在所述的觸控偵測(cè)期間，所述的第七接點(diǎn)與所述的第九接點(diǎn)電氣相接。
[0196] 另外，保護(hù)電極連接線461與觸控單元481 f禹接以同時(shí)提供一 ESD(electrostatic discharge ;靜電放電）路徑及一觸控偵測(cè)路徑。
[0197] 圖8(a)的架構(gòu)可提供自電容觸控偵測(cè)模式和互電容觸控偵測(cè)模式。請(qǐng)參照?qǐng)D 8(b)，其為圖8(a)架構(gòu)所提供的自電容觸控偵測(cè)模式之一實(shí)施例的示意圖。在圖8(b)所 示的一電容網(wǎng)絡(luò)中，C s為由儲(chǔ)存電容下電極422和儲(chǔ)存電容上電極445所界定的電容， 為由對(duì)向電極421和像素電極442所界定的電容，C^ 2為由像素電極442和保護(hù)電極460 所界定的電容，（^3為由對(duì)向電極421和保護(hù)電極460所界定的電容，C t為由Cs、Qa、(^2、 和所形成的等效電容，C F1為手指接近保護(hù)電極460時(shí)所產(chǎn)生的電容，CF2為手指接近對(duì) 向電極421時(shí)所產(chǎn)生的電容，以及C F3為手指接近像素電極442時(shí)所產(chǎn)生的電容。觸控單元 481由儲(chǔ)存電容連接線423或?qū)ο螂姌O連接線424或保護(hù)電極連接線461對(duì)該電容網(wǎng)絡(luò)執(zhí) 行一 CDC操作以偵測(cè)是否有觸控事件發(fā)生。
[0198] 另外，由將特定連接線接地使特定電容失去作用，本發(fā)明可進(jìn)一步簡(jiǎn)化圖8(b)的 電容網(wǎng)絡(luò)，其實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D8(c)-8(e)。
[0199] 圖8(c)為圖8(a)架構(gòu)所提供的自電容觸控偵測(cè)模式的另一實(shí)施例的示意圖。在 圖8(c)中，觸控單元481將源極連接線443、儲(chǔ)存電容連接線423、和對(duì)向電極連接線424 接地，使C s、Cra、CF2、和CF3失去作用，并由保護(hù)電極連接線461對(duì)該電容網(wǎng)絡(luò)執(zhí)行一⑶C操 作，以偵測(cè)是否有觸控事件發(fā)生。
[0200] 圖8(d)為圖8(a)架構(gòu)所提供的自電容觸控偵測(cè)模式的另一實(shí)施例的示意圖。在 圖8 (d)中，觸控單元481將對(duì)向電極連接線424和保護(hù)電極連接線461接地，使(^3、CF1、 和C F2失去作用，并由儲(chǔ)存電容連接線423對(duì)該電容網(wǎng)絡(luò)執(zhí)行一⑶C操作，以偵測(cè)是否有觸 控事件發(fā)生。
[0201] 圖8(e)為圖8(a)架構(gòu)所提供的自電容觸控偵測(cè)模式的另一實(shí)施例的示意圖。在 圖8 (e)中，觸控單元481將源極連接線443和保護(hù)電極連接線461接地，使(^2、CF1、和C F3 失去作用，并由對(duì)向電極連接線424對(duì)該電容網(wǎng)絡(luò)執(zhí)行一 CDC操作，以偵測(cè)是否有觸控事件 發(fā)生。
[0202] 圖8(f)為圖8(a)架構(gòu)所提供的互電容觸控偵測(cè)模式之一實(shí)施例的示意圖。在圖 8(f)所示的一電容網(wǎng)絡(luò)中，C S為由儲(chǔ)存電容下電極422和儲(chǔ)存電容上電極445所界定的電 容，為由對(duì)向電極421和像素電極442所界定的電容，（^為由像素電極442和保護(hù)電 極460所界定的電容，(^為由對(duì)向電極421和保護(hù)電極460所界定的電容，C t為由Cs、Cra、 心2、和所形成的等效電容，C F1為手指接近保護(hù)電極460時(shí)所產(chǎn)生的電容，CF2為手指接 近對(duì)向電極421時(shí)所產(chǎn)生的電容，以及C F3為手指接近像素電極442時(shí)所產(chǎn)生的電容。觸控 單元481以?xún)?chǔ)存電容連接線423作為一訊號(hào)傳送端TX而以保護(hù)電極連接線461或?qū)ο螂?極連接線424作為一訊號(hào)接收端RX ;或以對(duì)向電極連接線424作為一訊號(hào)傳送端TX而以?xún)?chǔ) 存電容連接線423或保護(hù)電極連接線461作為一訊號(hào)接收端RX ;或以保護(hù)電極連接線461 作為一訊號(hào)傳送端TX而以?xún)?chǔ)存電容連接線423或?qū)ο螂姌O連接線424作為一訊號(hào)接收端 RX，以偵測(cè)是否有觸控事件發(fā)生。
[0203] 圖8(g)為圖8(a)架構(gòu)所提供的互電容觸控偵測(cè)模式之一實(shí)施例的示意圖。在圖 8(g)所示的一電容網(wǎng)絡(luò)中，C S為由儲(chǔ)存電容下電極422和儲(chǔ)存電容上電極445所界定的電 容，為由對(duì)向電極421和像素電極442所界定的電容，（^為由像素電極442和保護(hù)電 極460所界定的電容，(^為由對(duì)向電極421和保護(hù)電極460所界定的電容，C t為由Cs、Cra、 心2、和所形成的等效電容，C F1為手指接近保護(hù)電極460時(shí)所產(chǎn)生的電容，CF2為手指接 近對(duì)向電極421時(shí)所產(chǎn)生的電容，以及C F3為手指接近像素電極442時(shí)所產(chǎn)生的電容。觸控 單元481以?xún)?chǔ)存電容連接線423作為一訊號(hào)傳送端TX而以保護(hù)電極連接線461或源極連 接線443或?qū)ο螂姌O連接線424作為一訊號(hào)接收端RX ;或以對(duì)向電極連接線424作為一訊 號(hào)傳送端TX而以?xún)?chǔ)存電容連接線423或源極連接線443或保護(hù)電極連接線461作為一訊 號(hào)接收端RX ;或以保護(hù)電極連接線461作為一訊號(hào)傳送端TX而以源極連接線443或儲(chǔ)存 電容連接線423或?qū)ο螂姌O連接線424作為一訊號(hào)接收端RX ;或以源極連接線443作為一 訊號(hào)傳送端TX而以?xún)?chǔ)存電容連接線423或?qū)ο螂姌O連接線424或保護(hù)電極連接線461作 為一訊號(hào)接收端RX，以偵測(cè)是否有觸控事件發(fā)生。
[0204] 請(qǐng)參照?qǐng)D9(a)，其為本發(fā)明具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器的另一實(shí)施例的 示意圖。如圖9(a)所示，該觸控顯示器具有一像素陣列500、一柵極驅(qū)動(dòng)單元510、一多工 器電路520、一源極驅(qū)動(dòng)單元530、以及一觸控單元540。
[0205] 像素陣列500具有復(fù)數(shù)條源極外接線S、復(fù)數(shù)條柵極外接線G、復(fù)數(shù)條儲(chǔ)存電容外 接線C、及復(fù)數(shù)個(gè)像素單元100,其中各像素單元100 (請(qǐng)參照?qǐng)D1)具有：一第一基板110 ; 一對(duì)向電極121，位于第一基板110上方；一儲(chǔ)存電容下電極122,位于第一基板110上方且 與對(duì)向電極121電氣相接；一儲(chǔ)存電容連接線123,與對(duì)向電極121和儲(chǔ)存電容下電極122 電氣相接，且與一所述儲(chǔ)存電容外接線C耦接；一絕緣層130,位于對(duì)向電極121和儲(chǔ)存電 容下電極122上方；一薄膜晶體管141，位于絕緣層130上方且具有一柵極、一源極、及一漏 極；一像素電極142,位于絕緣層130上方且與該漏極電氣相接；一儲(chǔ)存電容上電極145,位 于絕緣層130上方且與像素電極142電氣相接；一柵極連接線144,與該柵極電氣相接且與 一所述柵極外接線G耦接；一源極連接線143,與該源極電氣相接且與一所述源極外接線S 耦接；一液晶層150,位于薄膜晶體管141、像素電極142、及儲(chǔ)存電容上電極145上方；以及 一第二基板160,位于液晶層150上方。
[0206] 柵極驅(qū)動(dòng)單元510與柵極外接線G耦接。
[0207] 多工器電路520與源極外接線S及儲(chǔ)存電容外接線C耦接。
[0208] 源極驅(qū)動(dòng)單元530與多工器電路520耦接。
[0209] 觸控單元540與多工器電路520耦接。
[0210] 其中，多工器電路520會(huì)在一顯示期間使源極外接線S及儲(chǔ)存電容外接線C與源 極驅(qū)動(dòng)單元530耦接，及在一觸控偵測(cè)期間使源極外接線S及儲(chǔ)存電容外接線C與觸控單 元540耦接；且觸控單元540在所述觸控偵測(cè)期間會(huì)執(zhí)行一觸控偵測(cè)程序，其由自電容觸控 偵測(cè)程序、互電容觸控偵測(cè)程序、和二者的任一組合所組成的群組中所選擇的一種控偵測(cè) 程序。
[0211] 圖9(b)為圖9(a)的細(xì)部示意圖，其中一偏壓選擇電路550被加入以提供使特定 電容失去作用的功能。以?xún)?chǔ)存電容為例，當(dāng)偏壓選擇電路550提供給像素陣列500的電壓等 于觸控單元540提供給像素陣列500的電壓時(shí)，就不會(huì)有電流流入儲(chǔ)存電容，亦即，儲(chǔ)存電 容就會(huì)失去作用。在觸控偵測(cè)的過(guò)程中，由手指產(chǎn)生的電容量并不大，若能使像素陣列500 內(nèi)部的電容量降低，將可提升觸控偵測(cè)的可靠度。
[0212] 依照?qǐng)D9(a)和圖9(b)所揭示的觸控偵測(cè)原理（包括如何使像素陣列內(nèi)部的電容 量降低的偏壓技術(shù)），本發(fā)明進(jìn)一步揭示如圖10-12所示的其他實(shí)施例。
[0213] 請(qǐng)參照?qǐng)D10,其為本發(fā)明具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器的另一實(shí)施例的示 意圖。如圖10所示，該觸控顯示器具有一像素陣列600、一柵極驅(qū)動(dòng)單元610、一多工器電 路620、一源極驅(qū)動(dòng)單元630、以及一觸控單元640。
[0214] 像素陣列600具有復(fù)數(shù)條源極外接線S、復(fù)數(shù)條柵極外接線G、復(fù)數(shù)條儲(chǔ)存電容外 接線C、復(fù)數(shù)條保護(hù)電極外接線E、及復(fù)數(shù)個(gè)像素單元200,其中各像素單元200 (請(qǐng)參照?qǐng)D 3)具有：一第一基板210 ;-對(duì)向電極221，位于第一基板210上方；一儲(chǔ)存電容下電極222， 位于第一基板210上方且與對(duì)向電極221電氣相接；一儲(chǔ)存電容連接線223,與對(duì)向電極 221和儲(chǔ)存電容下電極222電氣相接，且與一所述儲(chǔ)存電容外接線C耦接；一絕緣層230,位 于對(duì)向電極221和儲(chǔ)存電容下電極222上方；一薄膜晶體管241，位于絕緣層230上方且具 有一柵極、一源極、及一漏極；一像素電極242,位于絕緣層230上方且與該漏極電氣相接； 一儲(chǔ)存電容上電極245,位于絕緣層230上方且與像素電極242電氣相接；一柵極連接線 244,與該柵極電氣相接且與一所述柵極外接線G耦接；一源極連接線243,與該源極電氣相 接且與一所述源極外接線S耦接；一液晶層250,位于薄膜晶體管241、像素電極242、及儲(chǔ) 存電容上電極245上方；一保護(hù)電極260,位于液晶層250上方；一保護(hù)電極連接線261，與 保護(hù)電極260電氣相接且與一所述保護(hù)電極外接線E耦接；以及一第二基板270,位于保護(hù) 電極260上方。另外，保護(hù)電極260可沿列的方向或行的方向或任一歪斜的方向排列，且其 圖形可為長(zhǎng)條形、三角形、或其他任一形狀。
[0215] 柵極驅(qū)動(dòng)單元610與柵極外接線G耦接。
[0216] 多工器電路620與源極外接線S、儲(chǔ)存電容外接線C、以及保護(hù)電極外接線E耦接。
[0217] 源極驅(qū)動(dòng)單元630與多工器電路620耦接。
[0218] 觸控單元640與多工器電路620耦接。
[0219] 其中，多工器電路620會(huì)使保護(hù)電極外接線E與觸控單元640耦接；在一顯示期間 使源極外接線S以及儲(chǔ)存電容外接線C與源極驅(qū)動(dòng)單元630耦接；以及在一觸控偵測(cè)期間 使源極外接線S及儲(chǔ)存電容外接線C與觸控單元640耦接。觸控單元640在所述觸控偵測(cè) 期間會(huì)執(zhí)行一觸控偵測(cè)程序，其由自電容觸控偵測(cè)程序、互電容觸控偵測(cè)程序、和二者的任 一組合所組成的群組中所選擇的一種控偵測(cè)程序。
[0220] 請(qǐng)參照?qǐng)D11，其為本發(fā)明具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器的另一實(shí)施例的示 意圖。如圖11所示，該觸控顯示器具有一像素陣列700、一柵極驅(qū)動(dòng)單元710、一多工器電 路720、一源極驅(qū)動(dòng)單元730、以及一觸控單元740。
[0221] 像素陣列700具有復(fù)數(shù)條源極外接線S、復(fù)數(shù)條柵極外接線G、復(fù)數(shù)條儲(chǔ)存電容外 接線Cs、復(fù)數(shù)條對(duì)向電極外接線C、及復(fù)數(shù)個(gè)像素單元300,其中各像素單元300 (請(qǐng)參照?qǐng)D 5)具有：一第一基板310 ;-對(duì)向電極321，位于第一基板310上方；一儲(chǔ)存電容下電極322， 位于第一基板310上方且與對(duì)向電極321分離；一儲(chǔ)存電容連接線323,與儲(chǔ)存電容下電 極322電氣相接，且與一所述儲(chǔ)存電容外接線Cs耦接；一絕緣層330,位于對(duì)向電極321和 儲(chǔ)存電容下電極322上方；一薄膜晶體管341，位于絕緣層330上方且具有一柵極、一源極、 及一漏極；一像素電極342,位于絕緣層330上方且與該漏極電氣相接；一儲(chǔ)存電容上電極 345,位于絕緣層330上方且與像素電極342電氣相接；一柵極連接線344,與該柵極電氣相 接且與一所述柵極外接線G耦接；一源極連接線343,與該源極電氣相接且與一所述源極外 接線S耦接；一液晶層350,位于薄膜晶體管341、像素電極342、及儲(chǔ)存電容上電極345上 方；以及一第二基板360,位于液晶層350上方。
[0222] 柵極驅(qū)動(dòng)單元710與柵極外接線G耦接。
[0223] 多工器電路720與源極外接線S、儲(chǔ)存電容外接線Cs、以及對(duì)向電極外接線C耦 接。
[0224] 源極驅(qū)動(dòng)單元730與多工器電路720耦接。
[0225] 觸控單元740與多工器電路720耦接。
[0226] 其中，多工器電路720會(huì)在一顯示期間使源極外接線S、儲(chǔ)存電容外接線Cs、以及 對(duì)向電極外接線C與源極驅(qū)動(dòng)單元730耦接，及在一觸控偵測(cè)期間使源極外接線S、儲(chǔ)存電 容外接線Cs、以及對(duì)向電極外接線C與觸控單元740耦接；且觸控單元740在所述觸控偵 測(cè)期間會(huì)執(zhí)行一觸控偵測(cè)程序，其由自電容觸控偵測(cè)程序、互電容觸控偵測(cè)程序、和二者的 任一組合所組成的群組中所選擇的一種控偵測(cè)程序。
[0227] 請(qǐng)參照?qǐng)D12,其為本發(fā)明具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器的又一實(shí)施例的示 意圖。如圖12所示，該觸控顯示器具有一像素陣列800、一柵極驅(qū)動(dòng)單元810、一多工器電 路820、一源極驅(qū)動(dòng)單元830、以及一觸控單元840。
[0228] 像素陣列800具有復(fù)數(shù)條源極外接線S、復(fù)數(shù)條柵極外接線G、復(fù)數(shù)條儲(chǔ)存電容外 接線Cs、復(fù)數(shù)條對(duì)向電極外接線C、復(fù)數(shù)條保護(hù)電極外接線E、及復(fù)數(shù)個(gè)像素單元400,其中 各像素單兀400 (請(qǐng)參照?qǐng)D7)具有：一第一基板410 ;-對(duì)向電極421，位于第一基板410上 方；一儲(chǔ)存電容下電極422,位于第一基板410上方且與對(duì)向電極421分離；一儲(chǔ)存電容連 接線423,與儲(chǔ)存電容下電極422電氣相接，且與一所述儲(chǔ)存電容外接線Cs耦接；一絕緣層 430,位于對(duì)向電極421和儲(chǔ)存電容下電極422上方；一薄膜晶體管441，位于絕緣層430上 方且具有一柵極、一源極、及一漏極；一像素電極442,位于絕緣層430上方且與該漏極電氣 相接；一儲(chǔ)存電容上電極445,位于絕緣層430上方且與像素電極442電氣相接；一柵極連 接線444,與該柵極電氣相接且與一所述柵極外接線G耦接；一源極連接線443,與該源極電 氣相接且與一所述源極外接線S耦接；一液晶層450,位于薄膜晶體管441、像素電極442、 及儲(chǔ)存電容上電極445上方；一保護(hù)電極460,位于液晶層450上方的一透明電極，可由ΙΤ0 制成；一保護(hù)電極連接線461，可由金屬制成，其與保護(hù)電極460電氣相接；以及一第二基板 470,位于保護(hù)電極460上方。
[0229] 柵極驅(qū)動(dòng)單元810與柵極外接線G耦接。
[0230] 多工器電路820與源極外接線S、儲(chǔ)存電容外接線Cs、對(duì)向電極外接線C、以及保護(hù) 電極外接線E耦接。
[0231] 源極驅(qū)動(dòng)單元830與多工器電路820耦接。
[0232] 觸控單元840與多工器電路820耦接。
[0233] 其中，多工器電路820會(huì)使保護(hù)電極外接線E與觸控單元840耦接；在一顯示期 間使源極外接線S、儲(chǔ)存電容外接線Cs、以及對(duì)向電極外接線C與源極驅(qū)動(dòng)單元830耦接； 及在一觸控偵測(cè)期間使源極外接線S、儲(chǔ)存電容外接線Cs、和對(duì)向電極外接線C與觸控單元 840耦接。觸控單元840在所述觸控偵測(cè)期間會(huì)執(zhí)行一觸控偵測(cè)程序，其由自電容觸控偵測(cè) 程序、互電容觸控偵測(cè)程序、和二者的任一組合所組成的群組中所選擇的一種控偵測(cè)程序。
[0234] 本發(fā)明因其新穎的設(shè)計(jì)而具有以下的優(yōu)點(diǎn)：
[0235] 1、本發(fā)明的觸控顯示器可利用一面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)提供觸控功能。
[0236] 2、本發(fā)明的觸控顯示器可利用一面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的二電極層執(zhí)行一自電容或 互電容觸控偵測(cè)程序。
[0237] 3、本發(fā)明的觸控顯示器可利用一面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的一像素電極層、一對(duì)向電極 層、及一保護(hù)電極層執(zhí)行一自電容或互電容觸控偵測(cè)程序。
[0238] 4、本發(fā)明的觸控顯示器可利用一偏壓技術(shù)提高觸控可靠度。
[0239] 5、本發(fā)明的觸控顯示器可提供雙觸控平面。
[0240] 6、本發(fā)明的觸控顯示器可簡(jiǎn)化觸控屏幕的結(jié)構(gòu)以降低產(chǎn)品厚度、提高良率、及降 低成本。
[0241] 本發(fā)明所描述的乃較佳實(shí)施例，舉凡局部的變更或修飾而源于本發(fā)明的技術(shù)思想 而為本領(lǐng)域技術(shù)人員所易于推知的，俱不脫本發(fā)明的權(quán)利要求范疇。
【權(quán)利要求】
1. 一種具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器，其具有一像素單元及一多工器電路以提 供一顯示功能及一觸控感測(cè)功能，其中該像素單元具有： 一第一基板； 一對(duì)向電極，位于該第一基板上方； 一儲(chǔ)存電容下電極，位于該第一基板上方且與該對(duì)向電極分離； 一儲(chǔ)存電容連接線，與該儲(chǔ)存電容下電極電氣相接； 一對(duì)向電極連接線，與該對(duì)向電極電氣相接； 一絕緣層，位于該對(duì)向電極和該儲(chǔ)存電容下電極上方； 一薄膜晶體管，位于該絕緣層上方且具有一柵極、一源極、及一漏極； 一像素電極，位于該絕緣層上方且與該漏極電氣相接； 一儲(chǔ)存電容上電極，位于該絕緣層上方且與該像素電極電氣相接； 一柵極連接線，與該柵極電氣相接； 一源極連接線，與該源極電氣相接；以及 一液晶層，位于該薄膜晶體管、該像素電極、及該儲(chǔ)存電容上電極上方；以及 該多工器電路具有： 一第一多工器，其具有一第一接點(diǎn)、一第二接點(diǎn)、以及一第三接點(diǎn)，其中，該第一接點(diǎn)與 該源極連接線稱(chēng)接，該第二接點(diǎn)與一源極驅(qū)動(dòng)單元稱(chēng)接，該第三接點(diǎn)與一觸控單元稱(chēng)接，該 第一接點(diǎn)在一顯示期間與該第二接點(diǎn)電氣相接，及該第一接點(diǎn)在一觸控偵測(cè)期間與該第三 接點(diǎn)電氣相接； 一第二多工器，其具有一第四接點(diǎn)、一第五接點(diǎn)、以及一第六接點(diǎn)，其中，該第四接點(diǎn)與 該儲(chǔ)存電容連接線耦接，該第五接點(diǎn)與一共通電壓耦接，該第六接點(diǎn)與該觸控單元耦接，該 第四接點(diǎn)在所述的顯示期間與該第五接點(diǎn)電氣相接，及該第四接點(diǎn)在所述的觸控偵測(cè)期間 與該第六接點(diǎn)電氣相接；以及 一第三多工器，其具有一第七接點(diǎn)、一第八接點(diǎn)、以及一第九接點(diǎn)，其中，該第七接點(diǎn)與 該對(duì)向電極連接線耦接，該第八接點(diǎn)與該共通電壓耦接，該第九接點(diǎn)與該觸控單元耦接，該 第七接點(diǎn)在所述顯示期間與該第八接點(diǎn)電氣相接，及該第七接點(diǎn)在所述觸控偵測(cè)期間與該 第九接點(diǎn)電氣相接。
2. 如權(quán)利要求1所述具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器，其中，該像素單元具有： 一保護(hù)電極，位于該液晶層上方；以及 一保護(hù)電極連接線，與該保護(hù)電極電氣相接且與該觸控單元耦接。
3. 如權(quán)利要求1所述具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器，其中，該像素單元具有一 第二基板，其位于該液晶層上方。
4. 如權(quán)利要求2所述具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器，其中，該像素單元具有一 第二基板，其位于該保護(hù)電極上方。
5. -種具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器，其具有： 一像素陣列，其具有復(fù)數(shù)條源極外接線、復(fù)數(shù)條柵極外接線、復(fù)數(shù)條儲(chǔ)存電容外接線、 及復(fù)數(shù)個(gè)像素單元，各所述像素單元具有： 一第一基板； 一對(duì)向電極，位于該第一基板上方； 一儲(chǔ)存電容下電極，位于該第一基板上方且與該對(duì)向電極電氣相接； 一儲(chǔ)存電容連接線，與該對(duì)向電極和該儲(chǔ)存電容下電極電氣相接，且與一所述儲(chǔ)存電 容外接線耦接； 一絕緣層，位于該對(duì)向電極和該儲(chǔ)存電容下電極上方； 一薄膜晶體管，位于該絕緣層上方且具有一柵極、一源極、及一漏極； 一像素電極，位于該絕緣層上方且與該漏極電氣相接； 一儲(chǔ)存電容上電極，位于該絕緣層上方且與該像素電極電氣相接； 一柵極連接線，與該柵極電氣相接且與一所述柵極外接線耦接； 一源極連接線，與該源極電氣相接且與一所述源極外接線耦接；以及 一液晶層，位于該薄膜晶體管、該像素電極、及該儲(chǔ)存電容上電極上方； 一柵極驅(qū)動(dòng)單元，與所述柵極外接線耦接； 一多工器電路，與所述源極外接線及所述儲(chǔ)存電容外接線耦接； 一源極驅(qū)動(dòng)單元，與該多工器電路耦接；以及 一觸控單元，與該多工器電路耦接； 其中該多工器電路在一顯示期間使所述源極外接線及所述儲(chǔ)存電容外接線與該源極 驅(qū)動(dòng)單元耦接，及在一觸控偵測(cè)期間使所述源極外接線及所述儲(chǔ)存電容外接線與該觸控單 元奉禹接。
6. 如權(quán)利要求5所述具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器，其中，該觸控單元在所述 觸控偵測(cè)期間執(zhí)行一觸控偵測(cè)程序，且該觸控偵測(cè)程序由自電容觸控偵測(cè)程序、互電容觸 控偵測(cè)程序、和二者的任一組合所組成的群組中所選擇的一種控偵測(cè)程序。
7. 如權(quán)利要求5所述具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器，其中，各所述像素單元具 有： 復(fù)數(shù)個(gè)保護(hù)電極，位于該液晶層上方；以及 復(fù)數(shù)條保護(hù)電極外接線，各與一所述保護(hù)電極電氣相接且與該多工器電路耦接； 其中所述保護(hù)電極外接線經(jīng)由該多工器電路耦接至該觸控單元。
8. 如權(quán)利要求7所述具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器，其中，該觸控單元在所述 觸控偵測(cè)期間執(zhí)行一觸控偵測(cè)程序，且該觸控偵測(cè)程序由自電容觸控偵測(cè)程序、互電容觸 控偵測(cè)程序、和二者的任一組合所組成的群組中所選擇的一種控偵測(cè)程序。
9. 如權(quán)利要求5所述具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器，其中，各所述像素單元具 有一第二基板，其位于所述液晶層上方。
10. 如權(quán)利要求7所述具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器，其中，各所述像素單元具 有一第二基板，其位于所述保護(hù)電極上方。
11. 一種具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器，其具有： 一像素陣列，其具有復(fù)數(shù)條源極外接線、復(fù)數(shù)條柵極外接線、復(fù)數(shù)條儲(chǔ)存電容外接線、 復(fù)數(shù)條對(duì)向電極外接線、及復(fù)數(shù)個(gè)像素單元，各所述像素單元具有： 一第一基板； 一對(duì)向電極，位于該第一基板上方； 一儲(chǔ)存電容下電極，位于該第一基板上方且與該對(duì)向電極分離； 一儲(chǔ)存電容連接線，與該儲(chǔ)存電容下電極電氣相接，且與一所述儲(chǔ)存電容外接線耦 接； 一對(duì)向電極連接線，與該對(duì)向電極電氣相接，且與一所述對(duì)向電極外接線f禹接； 一絕緣層，位于該對(duì)向電極和該儲(chǔ)存電容下電極上方； 一薄膜晶體管，位于該絕緣層上方且具有一柵極、一源極、及一漏極； 一像素電極，位于該絕緣層上方且與該漏極電氣相接； 一儲(chǔ)存電容上電極，位于該絕緣層上方且與該像素電極電氣相接； 一柵極連接線，與該柵極電氣相接且與一所述柵極外接線耦接； 一源極連接線，與該源極電氣相接且與一所述源極外接線耦接；以及 一液晶層，位于該薄膜晶體管、該像素電極、及該儲(chǔ)存電容上電極上方； 一柵極驅(qū)動(dòng)單元，與所述柵極外接線耦接； 一多工器電路，與所述源極外接線、所述儲(chǔ)存電容外接線、及所述對(duì)向電極外接線耦 接； 一源極驅(qū)動(dòng)單元，與該多工器電路耦接；以及 一觸控單元，與該多工器電路耦接； 其中該多工器電路在一顯示期間使所述源極外接線、所述儲(chǔ)存電容外接線、及所述對(duì) 向電極外接線與該源極驅(qū)動(dòng)單元耦接，及在一觸控偵測(cè)期間使所述源極外接線、所述儲(chǔ)存 電容外接線、及所述對(duì)向電極外接線與該觸控單元f禹接。
12. 如權(quán)利要求11所述具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器，其中，該觸控單元在所 述觸控偵測(cè)期間執(zhí)行一觸控偵測(cè)程序，且該觸控偵測(cè)程序由自電容觸控偵測(cè)程序、互電容 觸控偵測(cè)程序、和二者的任一組合所組成的群組中所選擇的一種偵測(cè)程序。
13. 如權(quán)利要求11所述具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器，其中，各所述像素單元 具有： 復(fù)數(shù)個(gè)保護(hù)電極，位于該液晶層上方；以及 復(fù)數(shù)條保護(hù)電極外接線，各與一所述保護(hù)電極電氣相接且與該多工器電路耦接； 其中所述保護(hù)電極外接線經(jīng)由該多工器電路耦接至該觸控單元。
14. 如權(quán)利要求13所述具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器，其中，該觸控單元在所 述觸控偵測(cè)期間執(zhí)行一觸控偵測(cè)程序，且該觸控偵測(cè)程序由自電容觸控偵測(cè)程序、互電容 觸控偵測(cè)程序、和二者的任一組合所組成的群組中所選擇的一種偵測(cè)程序。
15. 如權(quán)利要求11所述具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器，其中，各所述像素單元 具有一第二基板，其位于所述液晶層上方。
16. 如權(quán)利要求13所述具有面內(nèi)轉(zhuǎn)向液晶結(jié)構(gòu)的觸控顯示器，其中，各所述像素單元 具有一第二基板，其位于所述保護(hù)電極上方。
【文檔編號(hào)】G06F3/044GK104122699SQ201410104448
【公開(kāi)日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2014年3月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月25日
【發(fā)明者】陳漢昌, 賈叢林, 鄔志文, 杜彥宏, 張仁杰 申請(qǐng)人:麗智科技股份有限公司