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      一種適用于慣性測(cè)量單元全生產(chǎn)過程參數(shù)升級(jí)的方法

      文檔序號(hào):6549188閱讀:339來源:國(guó)知局
      一種適用于慣性測(cè)量單元全生產(chǎn)過程參數(shù)升級(jí)的方法
      【專利摘要】本發(fā)明涉及一種適用于慣性測(cè)量單元全生產(chǎn)過程參數(shù)升級(jí)的方法,包括以下步驟:(1)封蓋前,將嵌入式程序和初始標(biāo)定參數(shù)燒寫到慣性測(cè)量單元Flash中;(2)完成篩選試驗(yàn)階段和溫度補(bǔ)償試驗(yàn)后,慣性測(cè)量單元升級(jí)零位溫度補(bǔ)償系數(shù)和標(biāo)度因數(shù)溫度補(bǔ)償系數(shù);(3)完成常溫標(biāo)定試驗(yàn)后,慣性測(cè)量單元升級(jí)常溫標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)、交叉耦合補(bǔ)償系數(shù);(4)完成精度驗(yàn)證試驗(yàn);本發(fā)明解決慣性測(cè)量單元傳統(tǒng)生產(chǎn)過程中,需要多次修改嵌入式程序的問題,在整個(gè)生產(chǎn)過程中,只需要對(duì)慣性測(cè)量單元燒寫一次嵌入式程序,然后,根據(jù)生產(chǎn)情況升級(jí)相應(yīng)的參數(shù),無需修改嵌入式程序頭文件,減少人工錯(cuò)誤,安全可靠,適用于大批量慣性測(cè)量單元的生產(chǎn)。
      【專利說明】一種適用于慣性測(cè)量單元全生產(chǎn)過程參數(shù)升級(jí)的方法

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明涉及一種適用于慣性測(cè)量單元全生產(chǎn)過程參數(shù)升級(jí)的方法,特別是一種使 慣性測(cè)量單元的嵌入式程序和產(chǎn)品參數(shù)分離的方法,屬于慣性測(cè)量單元【技術(shù)領(lǐng)域】。

      【背景技術(shù)】
      [0002] -種由微傳感器(微機(jī)械陀螺和加速度計(jì))、微處理器(ARM或DSP)和電路集成的 慣性測(cè)量單元,能實(shí)時(shí)提供載體的角速度與線加速度,目前在戰(zhàn)術(shù)武器控制和戰(zhàn)略武器遙 測(cè)等領(lǐng)域中已獲得廣泛應(yīng)用。
      [0003] 慣性測(cè)量單元在整個(gè)生成過程中需要進(jìn)行篩選試驗(yàn)、溫度補(bǔ)償試驗(yàn)、常溫標(biāo)定試 驗(yàn)、精度驗(yàn)證試驗(yàn),交付用戶后或者返廠時(shí)進(jìn)行二次標(biāo)定試驗(yàn)等大量試驗(yàn),試驗(yàn)狀態(tài)不一樣 導(dǎo)致產(chǎn)品需要的參數(shù)也不一樣。通常情況下,完成試驗(yàn)后,得到相應(yīng)的參數(shù),生成相應(yīng)的嵌 入式程序,再將嵌入式程序的二進(jìn)制文件燒寫到慣性測(cè)量單元中。
      [0004] 因此,慣性測(cè)量單元在生產(chǎn)過程或交付后參數(shù)升級(jí)在實(shí)際應(yīng)用中存在的難點(diǎn):(1) 在參數(shù)升級(jí)時(shí),如何避免修改嵌入式程序,減少手動(dòng)修改軟件時(shí)帶來的錯(cuò)誤風(fēng)險(xiǎn);(2)如何 設(shè)計(jì)嵌入式程序和參數(shù)升級(jí)流程,使參數(shù)升級(jí)安全可靠,適用于大批量生產(chǎn)。


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005] 本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足,提供一種適用于慣性測(cè)量單元全生 產(chǎn)過程參數(shù)升級(jí)的方法,該方法解決傳統(tǒng)方法中參數(shù)升級(jí)時(shí)需要修改嵌入式程序的問題, 能夠有效防止更改軟件引入錯(cuò)誤風(fēng)險(xiǎn),簡(jiǎn)單便捷,安全可靠,適用于慣性測(cè)量單元的大批量 生產(chǎn)。
      [0006] 本發(fā)明的上述目的主要是通過如下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的:
      [0007] -種適用于慣性測(cè)量單元全生產(chǎn)過程參數(shù)升級(jí)的方法,通過慣性測(cè)量單元、上位 機(jī)和數(shù)據(jù)庫組成的系統(tǒng)實(shí)現(xiàn),其中慣性測(cè)量單元包括Flash,F(xiàn)lash包括程序存儲(chǔ)模塊和參 數(shù)存儲(chǔ)模塊,具體實(shí)現(xiàn)過程如下:
      [0008] 步驟(一)、在慣性測(cè)量單元封蓋前,上位機(jī)將嵌入式程序燒寫到慣性測(cè)量單元 Flash中的程序存儲(chǔ)模塊中;同時(shí)上位機(jī)從數(shù)據(jù)庫中讀取初始狀態(tài)下的產(chǎn)品狀態(tài)字S。、濾 波器參數(shù)、零位溫度補(bǔ)償系數(shù)4、標(biāo)度因數(shù)溫度補(bǔ)償系數(shù)KI、常溫標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)隊(duì)、交叉耦 合補(bǔ)償系數(shù)凡、相對(duì)標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)R%和相對(duì)交叉耦合補(bǔ)償系數(shù)燒寫到慣性測(cè)量單元 Flash的參數(shù)存儲(chǔ)模塊中;之后對(duì)慣性測(cè)量單元進(jìn)行封蓋;
      [0009] 步驟(二)、對(duì)慣性測(cè)量單元進(jìn)行篩選試驗(yàn)和溫度補(bǔ)償試驗(yàn),得到升級(jí)所需的零位 溫度補(bǔ)償系數(shù)Zi和標(biāo)度因數(shù)溫度補(bǔ)償系數(shù)Κ?\,將所述零位溫度補(bǔ)償系數(shù)Zi和標(biāo)度因數(shù)溫 度補(bǔ)償系數(shù)Κ?\存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫中覆蓋&和Κ?;,修改產(chǎn)品狀態(tài)字\為Si ;之后上位機(jī)從數(shù)據(jù) 庫中讀取所有存儲(chǔ)參數(shù),生成二進(jìn)制文件;
      [0010] 步驟(三)、慣性測(cè)量單元上電,響應(yīng)升級(jí)指令,擦除Flash中參數(shù)存儲(chǔ)模塊中的所 有數(shù)據(jù),將步驟(二)中生成的二進(jìn)制文件燒寫到參數(shù)存儲(chǔ)模塊中; toon] 步驟(四)、慣性測(cè)量單元上電,進(jìn)行常溫標(biāo)定試驗(yàn),得到升級(jí)所需的常溫標(biāo)定補(bǔ) 償系數(shù)K和交叉耦合補(bǔ)償系數(shù)A,將所述常溫標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)&和交叉耦合補(bǔ)償系數(shù)札存 儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫中覆蓋隊(duì)和凡,修改產(chǎn)品狀態(tài)字Si為S 2 ;上位機(jī)從數(shù)據(jù)庫中讀取所有存儲(chǔ)參數(shù), 生成二進(jìn)制文件;
      [0012] 步驟(五)、慣性測(cè)量單元上電,響應(yīng)升級(jí)指令,擦除Flash中參數(shù)存儲(chǔ)模塊中的所 有數(shù)據(jù),將步驟(四)中生成的二進(jìn)制文件燒寫到參數(shù)存儲(chǔ)模塊中;
      [0013] 步驟(六)、慣性測(cè)量單元上電,進(jìn)行精度驗(yàn)證試驗(yàn)。
      [0014] 在上述適用于慣性測(cè)量單元全生產(chǎn)過程參數(shù)升級(jí)的方法中,步驟(一)中的嵌入 式程序包括篩選試驗(yàn)、溫度補(bǔ)償試驗(yàn)、常溫標(biāo)定試驗(yàn)和精度驗(yàn)證試驗(yàn)對(duì)應(yīng)的程序,不同的程 序?qū)?yīng)不同的產(chǎn)品狀態(tài)字,其中&對(duì)應(yīng)篩選試驗(yàn)和溫度補(bǔ)償試驗(yàn),Si對(duì)應(yīng)常溫標(biāo)定試驗(yàn),s 2 對(duì)應(yīng)精度驗(yàn)證試驗(yàn),慣性測(cè)量單元上電后,讀取Flash的參數(shù)存儲(chǔ)模塊內(nèi)的產(chǎn)品狀態(tài)字,運(yùn) 行產(chǎn)品狀態(tài)字對(duì)應(yīng)的試驗(yàn)。
      [0015] 在上述適用于慣性測(cè)量單元全生產(chǎn)過程參數(shù)升級(jí)的方法中,升級(jí)后的常溫標(biāo)定補(bǔ) 償系數(shù)隊(duì)和交叉耦合補(bǔ)償系數(shù)A在規(guī)定的有效期過后,再次進(jìn)行常溫標(biāo)定試驗(yàn),得到修正 后的相對(duì)標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)RK和相對(duì)交叉耦合補(bǔ)償系數(shù)RMi,覆蓋相對(duì)標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)R%和相 對(duì)交叉耦合補(bǔ)償系數(shù)RM〇,從而提高產(chǎn)品精度。
      [0016] 本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比的有益效果是:
      [0017] (1)本發(fā)明針對(duì)傳統(tǒng)慣性測(cè)量單元在整個(gè)生成過程中需要進(jìn)行多次參數(shù)升級(jí),步 驟繁瑣的缺點(diǎn),創(chuàng)新提出一種新的參數(shù)升級(jí)方法,通過搭建由上位機(jī)、數(shù)據(jù)庫和慣性測(cè)量單 元中的Flash組成的系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn),F(xiàn)lash由程序存儲(chǔ)模塊與參數(shù)存儲(chǔ)模塊組成,通過將嵌入 式程序燒寫到慣性測(cè)量單元Flash中的程序存儲(chǔ)模塊中,后續(xù)僅進(jìn)行參數(shù)升級(jí),避免修改 嵌入式程序,減少手動(dòng)修改軟件時(shí)帶來的錯(cuò)誤風(fēng)險(xiǎn),簡(jiǎn)單便捷,安全可靠;
      [0018] (2)本發(fā)明相對(duì)于傳統(tǒng)技術(shù)中升級(jí)參數(shù)時(shí)手動(dòng)修改嵌入式程序的頭文件的做法, 本發(fā)明利用上位機(jī)直接讀取數(shù)據(jù)庫中產(chǎn)品參數(shù),自動(dòng)生成二進(jìn)制參數(shù)文件,與慣性測(cè)量單 元通信,燒寫到慣性測(cè)量單元指定的Flash地址中,使參數(shù)升級(jí)流程安全可靠,同時(shí),提高 了產(chǎn)品的生產(chǎn)效率,適用于慣性測(cè)量單元的大批量生產(chǎn);
      [0019] (3)本發(fā)明使用的嵌入式程序在上電后讀取Flash的參數(shù)存儲(chǔ)模塊內(nèi)產(chǎn)品狀態(tài) 字,選擇適合于當(dāng)前狀態(tài)的程序模塊分支,使程序適用于篩選試驗(yàn)和溫度補(bǔ)償試驗(yàn)、常溫標(biāo) 定試驗(yàn)、精度驗(yàn)證試驗(yàn),避免了多次修改嵌入式程序,操作更加簡(jiǎn)便,易于實(shí)現(xiàn);
      [0020] (4)本發(fā)明在標(biāo)定參數(shù)有效期過后,將修正后的標(biāo)定參數(shù)升級(jí)到慣性測(cè)量單元中, 修正產(chǎn)品內(nèi)部的標(biāo)定參數(shù),獲得更準(zhǔn)確的角速度和加速度輸出。

      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0021] 圖1為本發(fā)明慣性測(cè)量單元全生產(chǎn)過程中不開蓋參數(shù)升級(jí)硬件實(shí)現(xiàn)圖;
      [0022] 圖2為本發(fā)明慣性測(cè)量單元全生產(chǎn)過程中不開蓋參數(shù)升級(jí)流程圖;
      [0023] 圖3為本發(fā)明慣性測(cè)量單元參數(shù)升級(jí)時(shí)嵌入式程序主函數(shù)流程圖;
      [0024] 圖4為本發(fā)明某慣性測(cè)量單元的Flash中程序存儲(chǔ)模塊與參數(shù)存儲(chǔ)模塊地址分配 圖;
      [0025] 圖5為本發(fā)明慣性測(cè)量單元參數(shù)升級(jí)中上位機(jī)軟件流程圖。

      【具體實(shí)施方式】
      [0026] 下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的描述:
      [0027] 適用于慣性測(cè)量單元全生產(chǎn)過程中不開蓋參數(shù)升級(jí)的方法用于在生產(chǎn)過程中對(duì) 慣性測(cè)量單元進(jìn)行參數(shù)升級(jí),其目的是可靠、高效地對(duì)慣性測(cè)量單元進(jìn)行參數(shù)升級(jí)。本發(fā)明 的特點(diǎn)在于:1、采用嵌入式程序和參數(shù)分離的編排方法,在參數(shù)升級(jí)時(shí)避免升級(jí)嵌入式程 序,減少手動(dòng)修改程序時(shí)帶來的錯(cuò)誤風(fēng)險(xiǎn);2、利用上位機(jī)讀取數(shù)據(jù)庫中產(chǎn)品參數(shù),自動(dòng)生成 二進(jìn)制參數(shù)文件,與慣性測(cè)量單元通信,燒寫到慣性測(cè)量單元指定的Flash地址中,使參數(shù) 升級(jí)流程安全可靠,適用于批量慣性測(cè)量單元產(chǎn)品生產(chǎn)。
      [0028] 如圖1所示為本發(fā)明慣性測(cè)量單元全生產(chǎn)過程中不開蓋參數(shù)升級(jí)硬件實(shí)現(xiàn)圖;圖 2所示為本發(fā)明的慣性測(cè)量單元全生產(chǎn)過程中不開蓋參數(shù)升級(jí)流程圖,本發(fā)明適用于慣性 測(cè)量單元全生產(chǎn)過程中不開蓋參數(shù)升級(jí)的方法,通過慣性測(cè)量單元、上位機(jī)和數(shù)據(jù)庫組成 的系統(tǒng)實(shí)現(xiàn),其中慣性測(cè)量單元包括Flash,F(xiàn)lash包括程序存儲(chǔ)模塊和參數(shù)存儲(chǔ)模塊,具 體實(shí)現(xiàn)過程如下:
      [0029] 步驟(一)、在慣性測(cè)量單元封蓋前,上位機(jī)將嵌入式程序燒寫到慣性測(cè)量單元 Flash中的程序存儲(chǔ)模塊中;上位機(jī)從數(shù)據(jù)庫中讀取初始狀態(tài)下的產(chǎn)品狀態(tài)字S。、濾波器參 數(shù)、零位溫度補(bǔ)償系數(shù)4、標(biāo)度因數(shù)溫度補(bǔ)償系數(shù)Κ?;、常溫標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)隊(duì)、交叉耦合補(bǔ)償 系數(shù)凡、相對(duì)標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)R%和相對(duì)交叉耦合補(bǔ)償系數(shù)燒寫到慣性測(cè)量單元Flash的 參數(shù)存儲(chǔ)模塊中;之后對(duì)慣性測(cè)量單元進(jìn)行封蓋。
      [0030] 步驟(二)、對(duì)慣性測(cè)量單元進(jìn)行篩選試驗(yàn)和溫度補(bǔ)償試驗(yàn),得到升級(jí)所需的零位 溫度補(bǔ)償系數(shù)Zi和標(biāo)度因數(shù)溫度補(bǔ)償系數(shù)Κ?\,將所述零位溫度補(bǔ)償系數(shù)Zi和標(biāo)度因數(shù)溫 度補(bǔ)償系數(shù)Κ?\存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫中覆蓋&和Κ?;,修改產(chǎn)品狀態(tài)字\為Si ;上位機(jī)從數(shù)據(jù)庫中 讀取所有存儲(chǔ)參數(shù),生成二進(jìn)制文件。存儲(chǔ)參數(shù)包括產(chǎn)品狀態(tài)字Si、濾波器參數(shù)、零位溫度 補(bǔ)償系數(shù)Zi、標(biāo)度因數(shù)溫度補(bǔ)償系數(shù)Κ?\、常溫標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)隊(duì)、交叉耦合補(bǔ)償系數(shù)凡、相對(duì) 標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)R&和相對(duì)交叉耦合補(bǔ)償系數(shù)RMp
      [0031] 步驟(三)、慣性測(cè)量單元上電,響應(yīng)升級(jí)指令,擦除Flash中參數(shù)存儲(chǔ)模塊中的所 有數(shù)據(jù),將步驟(二)中生成的二進(jìn)制文件燒寫到參數(shù)存儲(chǔ)模塊中。
      [0032] 步驟(四)、慣性測(cè)量單元上電,進(jìn)行常溫標(biāo)定試驗(yàn),得到升級(jí)所需的常溫標(biāo)定補(bǔ) 償系數(shù)K和交叉耦合補(bǔ)償系數(shù)A,將所述常溫標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)&和交叉耦合補(bǔ)償系數(shù)札存 儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫中覆蓋隊(duì)和凡,修改產(chǎn)品狀態(tài)字Si為S 2 ;上位機(jī)從數(shù)據(jù)庫中讀取所有存儲(chǔ)參數(shù), 生成二進(jìn)制文件。存儲(chǔ)參數(shù)包括產(chǎn)品狀態(tài)字S2、濾波器參數(shù)、零位溫度補(bǔ)償系數(shù)Zi、標(biāo)度因 數(shù)溫度補(bǔ)償系數(shù)Κ?\、常溫標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)&、交叉耦合補(bǔ)償系數(shù)A、相對(duì)標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)R%和 相對(duì)交叉耦合補(bǔ)償系數(shù)RM〇。
      [0033] 步驟(五)、慣性測(cè)量單元上電,響應(yīng)升級(jí)指令,擦除Flash中參數(shù)存儲(chǔ)模塊中的所 有數(shù)據(jù),將步驟(四)中生成的二進(jìn)制文件燒寫到參數(shù)存儲(chǔ)模塊中。
      [0034] 步驟(六)、慣性測(cè)量單元上電,進(jìn)行精度驗(yàn)證試驗(yàn)。
      [0035] 上述步驟(一)中的嵌入式程序包括篩選試驗(yàn)、溫度補(bǔ)償試驗(yàn)、常溫標(biāo)定試驗(yàn)和精 度驗(yàn)證試驗(yàn)對(duì)應(yīng)的程序,不同的程序?qū)?yīng)不同的產(chǎn)品狀態(tài)字,其中\(zhòng)對(duì)應(yīng)篩選試驗(yàn)和溫度 補(bǔ)償試驗(yàn),Si對(duì)應(yīng)常溫標(biāo)定試驗(yàn),S 2對(duì)應(yīng)精度驗(yàn)證試驗(yàn),慣性測(cè)量單元上電后,讀取Flash的 參數(shù)存儲(chǔ)模塊內(nèi)的產(chǎn)品狀態(tài)字,運(yùn)行產(chǎn)品狀態(tài)字對(duì)應(yīng)的試驗(yàn)。嵌入式程序適用于篩選試驗(yàn)、 溫度補(bǔ)償試驗(yàn)、常溫標(biāo)定試驗(yàn)、精度驗(yàn)證試驗(yàn),而無需在上述試驗(yàn)前重新更改嵌入式程序頭 文件、燒寫嵌入式程序的程序。
      [0036] 升級(jí)后的常溫標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)&和交叉耦合補(bǔ)償系數(shù)A在規(guī)定的有效期過后,再次 進(jìn)行常溫標(biāo)定試驗(yàn),得到修正后的相對(duì)標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)RNi和相對(duì)交叉耦合補(bǔ)償系數(shù)RMp覆 蓋相對(duì)標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)R&和相對(duì)交叉耦合補(bǔ)償系數(shù),從而修正產(chǎn)品標(biāo)定參數(shù),獲得更準(zhǔn) 確的角速度和加速度輸出。
      [0037] 如圖3所示為本發(fā)明全生產(chǎn)過程中參數(shù)升級(jí)時(shí)嵌入式程序主函數(shù)流程圖,慣性測(cè) 量單元上電后,根據(jù)產(chǎn)品狀態(tài)字的判斷,進(jìn)行程序模塊的選擇。本發(fā)明的軟件流程可以避免 升級(jí)軟件,僅升級(jí)參數(shù)即可滿足慣性測(cè)量單元整個(gè)生產(chǎn)過程的需要。過程如下:
      [0038] a、慣性測(cè)量單元上電后,讀取Flash中產(chǎn)品狀態(tài)字地址,得到產(chǎn)品所處的生產(chǎn)階 段;
      [0039] b、若在篩選試驗(yàn)過程和溫度補(bǔ)償試驗(yàn)階段,即在常溫標(biāo)定試驗(yàn)階段前,則設(shè)置濾 波器標(biāo)志為1,零位溫度補(bǔ)償標(biāo)志為〇,交付驗(yàn)收標(biāo)志為〇 ;
      [0040] C、若在常溫標(biāo)定試驗(yàn)階段,即在精度驗(yàn)證試驗(yàn)階段前,則設(shè)置濾波器標(biāo)志為1,零 位溫度補(bǔ)償標(biāo)志為1,交付驗(yàn)收標(biāo)志為0 ;
      [0041] d、若在精度驗(yàn)證試驗(yàn)階段或二次標(biāo)定試驗(yàn)階段,則設(shè)置濾波器標(biāo)志為1,零位溫度 補(bǔ)償標(biāo)志為1,交付驗(yàn)收標(biāo)志為1 ;
      [0042] e、讀取相關(guān)參數(shù),進(jìn)行參數(shù)CRC校驗(yàn),若CRC校驗(yàn)正確,則根據(jù)產(chǎn)品狀態(tài)字進(jìn)行程 序模塊的調(diào)用;若CRC校驗(yàn)錯(cuò)誤,則報(bào)錯(cuò)。
      [0043] 如圖4所示為本發(fā)明某慣性測(cè)量單元的Flash中程序存儲(chǔ)模塊與參數(shù)存儲(chǔ)模塊地 址分配圖。零位溫度補(bǔ)償系數(shù)包括加速度計(jì)零位溫度補(bǔ)償系數(shù)和陀螺零位溫度補(bǔ)償系數(shù), 標(biāo)度因數(shù)溫度補(bǔ)償系數(shù)包括加速度計(jì)標(biāo)度因數(shù)溫度補(bǔ)償系數(shù)和陀螺標(biāo)度因數(shù)溫度補(bǔ)償系 數(shù),常態(tài)標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)包括加速度計(jì)常態(tài)標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)和陀螺常態(tài)標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù),交叉耦 合補(bǔ)償系數(shù)包括加速度計(jì)交叉耦合補(bǔ)償系數(shù)和陀螺交叉耦合補(bǔ)償系數(shù)。其中,產(chǎn)品狀態(tài)字 為lbyte,表示產(chǎn)品所處的生產(chǎn)階段。從0x08002001開始,存放加速度計(jì)的相關(guān)參數(shù),分別 有加速度計(jì)零位溫度補(bǔ)償系數(shù)、加速度計(jì)標(biāo)度因數(shù)溫度補(bǔ)償系數(shù)、加速度計(jì)常態(tài)標(biāo)定補(bǔ)償 系數(shù)、加速度計(jì)交叉耦合補(bǔ)償系數(shù)。從〇x〇800207C開始,存放濾波器參數(shù)。從0x08002133 開始,存放陀螺的相關(guān)參數(shù),分別有陀螺零位溫度補(bǔ)償系數(shù)、陀螺標(biāo)度因數(shù)溫度補(bǔ)償系數(shù)、 陀螺常態(tài)標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)、陀螺交叉耦合補(bǔ)償系數(shù)。從0x08003000開始,存放二次標(biāo)定補(bǔ)償 參數(shù),產(chǎn)品參數(shù)有效期過后,更新該塊地址的參數(shù),即可修正加速度計(jì)和陀螺的輸出,準(zhǔn)確 獲得載體的加速度和角速度值。
      [0044] 如圖5所示為本發(fā)明慣性測(cè)量單元參數(shù)升級(jí)上位機(jī)的軟件流程圖。為降低錯(cuò)誤 幾率,減少操作嵌入式程序頭文件,上位機(jī)從數(shù)據(jù)庫中讀取對(duì)應(yīng)產(chǎn)品代號(hào)和編號(hào)的相關(guān)參 數(shù),根據(jù)產(chǎn)品的生產(chǎn)階段,自動(dòng)生成相關(guān)參數(shù)二進(jìn)制文件,并按照既定的數(shù)據(jù)包格式,通過 RS422接口傳遞給慣性測(cè)量單元。慣性測(cè)量單元接收數(shù)據(jù)包,并進(jìn)行校驗(yàn),校驗(yàn)通過后寫入 圖4中Flash的對(duì)應(yīng)地址處。上位機(jī)還具備參數(shù)驗(yàn)證功能,讀取慣性測(cè)量單元Flash內(nèi)參 數(shù),與數(shù)據(jù)庫中參數(shù)進(jìn)行比對(duì)。通信過程中,上位機(jī)發(fā)給慣性測(cè)量單元三種數(shù)據(jù)包,格式依 次為:
      [0045] 1)、升級(jí)請(qǐng)求指令包,共8個(gè)字節(jié),格式如下:
      [0046] <0xl0>〈0x80>〈控制字 >〈0x20X0x00>〈CRC>〈0xl0>〈0x03>
      [0047] 其中,控制字為ΟχΟΒ,表示升級(jí)產(chǎn)品標(biāo)定參數(shù);
      [0048] 控制字為OxOC,表示升級(jí)二次標(biāo)定參數(shù);
      [0049] 控制字為OxOE,表示讀取產(chǎn)品標(biāo)定參數(shù);
      [0050] 控制字為0x0F,表示讀取二次標(biāo)定參數(shù);
      [0051] CRC校驗(yàn)公式見公式(1)(下同)。
      [0052] CRC = X16+X12+X5+l.................................... (1)
      [0053] 2)、二進(jìn)制文件(.bin文件)文件長(zhǎng)度包,共10個(gè)字節(jié),格式如下:
      [0054] 〈0xl0X0x80X0x03X 文件長(zhǎng)度 XCRCX0xl0X0x03>
      [0055] 其中,文件長(zhǎng)度是4字節(jié)組成,低字節(jié)在前。
      [0056] 3)、二進(jìn)制文件(· bin文件)數(shù)據(jù)包,共1030個(gè)字節(jié),格式如下:
      [0057] 〈0xl0X0x80X0x0DX 文件數(shù)據(jù)共 1024 個(gè)字節(jié) XCRCX0xl0X0x03>
      [0058] 其中,文件數(shù)據(jù)由參數(shù)文件組成。
      [0059] 以上所述,僅為本發(fā)明最佳的【具體實(shí)施方式】,但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此, 任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到的變化或替換, 都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      [0060] 本發(fā)明說明書中未作詳細(xì)描述的內(nèi)容屬于本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員的公知技術(shù)。
      【權(quán)利要求】
      1. 一種適用于慣性測(cè)量單元全生產(chǎn)過程參數(shù)升級(jí)的方法,其特征在于:通過慣性測(cè)量 單元、上位機(jī)和數(shù)據(jù)庫組成的系統(tǒng)實(shí)現(xiàn),其中慣性測(cè)量單元包括Flash,F(xiàn)lash包括程序存 儲(chǔ)模塊和參數(shù)存儲(chǔ)模塊,具體實(shí)現(xiàn)過程如下: 步驟(一)、在慣性測(cè)量單元封蓋前,上位機(jī)將嵌入式程序燒寫到慣性測(cè)量單元Flash 中的程序存儲(chǔ)模塊中;同時(shí)上位機(jī)從數(shù)據(jù)庫中讀取初始狀態(tài)下的產(chǎn)品狀態(tài)字S。、濾波器參 數(shù)、零位溫度補(bǔ)償系數(shù)4、標(biāo)度因數(shù)溫度補(bǔ)償系數(shù)Κ?;、常溫標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)隊(duì)、交叉耦合補(bǔ)償 系數(shù)凡、相對(duì)標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)R%和相對(duì)交叉耦合補(bǔ)償系數(shù)燒寫到慣性測(cè)量單元Flash的 參數(shù)存儲(chǔ)模塊中;之后對(duì)慣性測(cè)量單元進(jìn)行封蓋; 步驟(二)、對(duì)慣性測(cè)量單元進(jìn)行篩選試驗(yàn)和溫度補(bǔ)償試驗(yàn),得到升級(jí)所需的零位溫度 補(bǔ)償系數(shù)Zi和標(biāo)度因數(shù)溫度補(bǔ)償系數(shù)Κ?\,將所述零位溫度補(bǔ)償系數(shù)Zi和標(biāo)度因數(shù)溫度補(bǔ) 償系數(shù)Κ?\存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫中覆蓋&和Κ?;,修改產(chǎn)品狀態(tài)字\為Si ;之后上位機(jī)從數(shù)據(jù)庫中 讀取所有存儲(chǔ)參數(shù),生成二進(jìn)制文件; 步驟(三)、慣性測(cè)量單元上電,響應(yīng)升級(jí)指令,擦除Flash中參數(shù)存儲(chǔ)模塊中的所有數(shù) 據(jù),將步驟(二)中生成的二進(jìn)制文件燒寫到參數(shù)存儲(chǔ)模塊中; 步驟(四)、慣性測(cè)量單元上電,進(jìn)行常溫標(biāo)定試驗(yàn),得到升級(jí)所需的常溫標(biāo)定補(bǔ)償系 數(shù)K和交叉耦合補(bǔ)償系數(shù)A,將所述常溫標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)&和交叉耦合補(bǔ)償系數(shù)A存儲(chǔ)在 數(shù)據(jù)庫中覆蓋隊(duì)和凡,修改產(chǎn)品狀態(tài)字Si為S 2 ;上位機(jī)從數(shù)據(jù)庫中讀取所有存儲(chǔ)參數(shù),生 成二進(jìn)制文件; 步驟(五)、慣性測(cè)量單元上電,響應(yīng)升級(jí)指令,擦除Flash中參數(shù)存儲(chǔ)模塊中的所有數(shù) 據(jù),將步驟(四)中生成的二進(jìn)制文件燒寫到參數(shù)存儲(chǔ)模塊中; 步驟(六)、慣性測(cè)量單元上電,進(jìn)行精度驗(yàn)證試驗(yàn)。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于慣性測(cè)量單元全生產(chǎn)過程參數(shù)升級(jí)的方法,其特 征在于:所述步驟(一)中的嵌入式程序包括篩選試驗(yàn)、溫度補(bǔ)償試驗(yàn)、常溫標(biāo)定試驗(yàn)和精 度驗(yàn)證試驗(yàn)對(duì)應(yīng)的程序,不同的程序?qū)?yīng)不同的產(chǎn)品狀態(tài)字,其中\(zhòng)對(duì)應(yīng)篩選試驗(yàn)和溫度 補(bǔ)償試驗(yàn),Si對(duì)應(yīng)常溫標(biāo)定試驗(yàn),S 2對(duì)應(yīng)精度驗(yàn)證試驗(yàn),慣性測(cè)量單元上電后,讀取Flash的 參數(shù)存儲(chǔ)模塊內(nèi)的產(chǎn)品狀態(tài)字,運(yùn)行產(chǎn)品狀態(tài)字對(duì)應(yīng)的試驗(yàn)。
      3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于慣性測(cè)量單元全生產(chǎn)過程參數(shù)升級(jí)的方法,其 特征在于:所述升級(jí)后的常溫標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)K和交叉耦合補(bǔ)償系數(shù)A在規(guī)定的有效期過 后,再次進(jìn)行常溫標(biāo)定試驗(yàn),得到修正后的相對(duì)標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)RK和相對(duì)交叉耦合補(bǔ)償系數(shù) RMi,覆蓋相對(duì)標(biāo)定補(bǔ)償系數(shù)R&和相對(duì)交叉耦合補(bǔ)償系數(shù),從而提高產(chǎn)品精度。
      【文檔編號(hào)】G06F17/30GK104063242SQ201410256782
      【公開日】2014年9月24日 申請(qǐng)日期:2014年6月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月10日
      【發(fā)明者】張鈺, 劉海濤, 汪守利, 唐珊珊, 白浪, 王磊 申請(qǐng)人:北京遙測(cè)技術(shù)研究所, 航天長(zhǎng)征火箭技術(shù)有限公司
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