一種改善非接觸卡強場調(diào)制波形和調(diào)制深度的電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提出一種改善非接觸卡強場調(diào)制波形和調(diào)制深度的電路，在不改變其它電路的條件下，能夠在強場獲得更好的調(diào)制波形和調(diào)制深度。
【專利說明】一種改善非接觸卡強場調(diào)制波形和調(diào)制深度的電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及非接觸卡芯片的穩(wěn)壓電路和調(diào)制電路，更具體地，本發(fā)明涉及用于改善非接觸卡強場調(diào)制波形和調(diào)制深度的電路。

【背景技術(shù)】
[0002]非接觸卡芯片內(nèi)部存在兩部分放電電路:穩(wěn)壓電路的放電電路和調(diào)制電路的放電電路。穩(wěn)壓電路的放電電流與天線電壓和射頻電源電壓有關(guān)，檢測到天線和射頻電源降低時，穩(wěn)壓電路的放電電流減小。當(dāng)卡片向讀卡器發(fā)送數(shù)據(jù)時，調(diào)制電路開始放電流，造成卡片天線幅度下降。穩(wěn)壓電路檢測到這種下降，會減少穩(wěn)壓電路自身的放電電流，抵消一部分調(diào)制的效果。在較小的場強，穩(wěn)壓電路在非調(diào)制階段的放電流為O或者遠(yuǎn)小于調(diào)制電流，這種調(diào)制效果的抵消作用并不明顯；在較大場強，穩(wěn)壓電路在非調(diào)制階段的放電電流很大，因此對調(diào)制效果抵消得很明顯。這樣造成強場的調(diào)制深度較淺，調(diào)制波形不太理想，而且調(diào)制電路需要很大的放電器件。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是解決強場調(diào)制深度過淺、調(diào)制波形不理想和調(diào)制放電器件面積過大的問題，并且提供一種既不額外增加調(diào)制放電器件面積，又可以增大強場調(diào)制深度，改善調(diào)制波形的方案。
[0004]因此，本發(fā)明提供一種改善非接觸卡強場調(diào)制波形和調(diào)制深度的電路，該電路包括:
[0005]--穩(wěn)壓電路(I);
[0006]調(diào)制電路⑵；
[0007]反相器⑷。
[0008]其中，穩(wěn)壓電路⑴包括檢測電路(3)、開關(guān)K3和開關(guān)K1。穩(wěn)壓電路⑴的輸入端是天線信號LA和LB、射頻電源VRF、調(diào)制數(shù)據(jù)。檢測電路(3)，檢測天線信號LA和LB、射頻電源VRF，輸出信號VO。開關(guān)K3，連接VO和VC信號，調(diào)制數(shù)據(jù)控制K3的導(dǎo)通和斷開。開關(guān)Kl，連接在天線LA和LB之間，VC信號控制Kl的導(dǎo)通和斷開，或者導(dǎo)通的程度。在K3導(dǎo)通的前提下，當(dāng)LA、LB和VRF信號升高時，流過開關(guān)Kl的電流增大。調(diào)制電路(2)，包括連接在天線兩端之間的開關(guān)K2。K2的導(dǎo)通和斷開受調(diào)制數(shù)據(jù)的反相信號VC2控制。反相器
(4)，連接在調(diào)制數(shù)據(jù)和VC2之間。反相器(4)實現(xiàn)了開關(guān)K3和K2的導(dǎo)通或斷開狀態(tài)相反。
[0009]整個電路的工作過程:
[0010]調(diào)制數(shù)據(jù)的“O”或“ I ”狀態(tài)代表調(diào)制階段和非調(diào)制階段。例如，可以用“O”代表調(diào)制階段，反之，“I”代表非調(diào)制階段。當(dāng)調(diào)制數(shù)據(jù)為“I”時，開關(guān)K3導(dǎo)通，開關(guān)K2斷開，調(diào)制電流12等于O。穩(wěn)壓電路的放電電流Il受天線電壓和射頻電源VRF的影響，達(dá)到某一適合的值。當(dāng)調(diào)制數(shù)據(jù)由“I”變?yōu)椤癘”時，開關(guān)K3斷開，VCl電壓保持前一時刻的值，因此開關(guān)Kl流過的電流Il基本不變。開關(guān)K2隨后導(dǎo)通，調(diào)制電流12達(dá)到最大值。此時的放電電流等于Il加上12的值。圖2說明了本發(fā)明電路的工作原理和過程。使用本發(fā)明的調(diào)制包絡(luò)明顯好于未使用本發(fā)明的調(diào)制包絡(luò)。
[0011]注意:要達(dá)到圖2中較好的調(diào)制包絡(luò)，使用本發(fā)明不會額外增加調(diào)制放電器件的面積，而且對小場強的性能不會造成負(fù)面影響。
[0012]本發(fā)明還提供一種改善非接觸卡強場調(diào)制波形和調(diào)制深度的方法，在穩(wěn)壓電路的檢測輸出和放電通路的控制電壓之間增加一個開關(guān)，調(diào)制時開關(guān)斷開，非調(diào)制時開關(guān)導(dǎo)通。調(diào)制階段穩(wěn)壓電路的放電電流不會明顯減少，因此對調(diào)制效果的抵消作用很小。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1示意性示出了根據(jù)本發(fā)明的改善非接觸卡強場調(diào)制波形和調(diào)制深度的電路；
[0014]圖2示意性示出了根據(jù)本發(fā)明的電路各信號和調(diào)制包絡(luò)波形；

【具體實施方式】
[0015]本發(fā)明提出一種改善非接觸卡強場調(diào)制波形和調(diào)制深度的電路，該電路包括:穩(wěn)壓電路(I)、調(diào)制電路⑵和反相器(4)。
[0016]穩(wěn)壓電路中，檢測電路的輸出VO和放電開關(guān)Kl的控制端VCl之間，有一個開關(guān)K3，K3的導(dǎo)通和斷開受調(diào)制數(shù)據(jù)的控制。調(diào)制階段K3斷開，非調(diào)制階段K3導(dǎo)通。開關(guān)K3可以用NMOS或PMOS實現(xiàn)，也可以用傳輸門實現(xiàn)。開關(guān)Kl可以用MOS管的形式實現(xiàn)，或者由兩個分別連接在LA、地和LB、地之間的開關(guān)來代替，再或者用連接在射頻電源和地之間的開關(guān)來代替。
[0017]調(diào)制電路包括連接在天線兩端之間的開關(guān)K2。K2的導(dǎo)通和斷開受調(diào)制數(shù)據(jù)的反相信號VC2控制。K2可以用MOS管的形式實現(xiàn)，或者由兩個分別連接在LA、地和LB、地之間的開關(guān)來代替。
[0018]反相器(4)，連接在調(diào)制數(shù)據(jù)和VC2之間。反相器(4)實現(xiàn)了開關(guān)K3和K2的導(dǎo)通或斷開狀態(tài)相反。
[0019]改善非接觸卡強場調(diào)制波形和調(diào)制深度的電路工作原理如下:
[0020]調(diào)制數(shù)據(jù)的“O”或“I”狀態(tài)代表調(diào)制階段和非調(diào)制階段。在非調(diào)制階段，開關(guān)K3導(dǎo)通，開關(guān)K2斷開，調(diào)制電流12等于O。穩(wěn)壓電路的放電電流Il受天線電壓和射頻電源VRF的影響，達(dá)到某一適合的值。當(dāng)從非調(diào)制階段進(jìn)入調(diào)制階段時，開關(guān)K3斷開，VCl電壓保持前一時刻的值，因此開關(guān)Kl流過的電流Il基本不變。開關(guān)K2隨后導(dǎo)通，調(diào)制電流12達(dá)到最大值。此時的放電電流等于Il加上12的值。圖2說明了本發(fā)明電路的工作原理和過程。使用本發(fā)明的調(diào)制包絡(luò)明顯好于未使用本發(fā)明的調(diào)制包絡(luò)。
[0021]包括本發(fā)明的非接觸卡芯片電路的主要結(jié)構(gòu)還包括解調(diào)電路、時鐘提取電路等。在本發(fā)明的附圖中，出于簡化附圖的目的，沒有示出。
[0022]注意，在本文件中使用的任何術(shù)語不應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為限制本發(fā)明的范圍。特別地，“包括”一詞并不意味著排除未具體描述的任何元件。單個(電路)元件可以使用多個(電路)元件或其等效物來代替。
[0023]因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，本發(fā)明并不限于上述的實施例，并且不脫離由所附權(quán)利要求書定義的本發(fā)明的范圍，可以做出很多修改和增加。
【權(quán)利要求】
1.一種改善非接觸卡強場調(diào)制波形和調(diào)制深度的電路，其特征在于該電路包括:穩(wěn)壓電路⑴；調(diào)制電路⑵；反相器⑷；其中: 穩(wěn)壓電路⑴包括檢測電路(3)、開關(guān)K3和開關(guān)K1，檢測電路(3)檢測天線信號LA、LB、射頻電源VRF，輸出信號VO ;穩(wěn)壓電路(I)的輸入端是天線信號LA和LB、射頻電源VRF、調(diào)制數(shù)據(jù)；開關(guān)Kl連接在天線LA和LB之間，VC信號控制Kl的導(dǎo)通和斷開，或者導(dǎo)通的程度；開關(guān)K3連接VO和VC信號，調(diào)制數(shù)據(jù)控制K3的導(dǎo)通和斷開； 調(diào)制電路(2)包括連接在天線兩端之間的開關(guān)K2，K2的導(dǎo)通和斷開受調(diào)制數(shù)據(jù)的反相信號VC2控制； 反相器(4)連接在調(diào)制數(shù)據(jù)和VC2之間，反相器(4)實現(xiàn)了開關(guān)Κ3和Κ2的導(dǎo)通或斷開狀態(tài)相反。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于當(dāng)LA、LB和VRF信號升高時，流過開關(guān)Kl的電流增大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于開關(guān)Kl可以用MOS管的形式實現(xiàn)，也可以是多個MOS管串聯(lián)形成，或者由兩個分別連接在LA、地和LB、地之間的開關(guān)來代替，還可以用連接在射頻電源和地之間的開關(guān)來代替。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于開關(guān)Κ2可以用MOS管的形式實現(xiàn)，或者由兩個分別連接在LA、地和LB、地之間的開關(guān)來代替。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于開關(guān)Κ3可以用MOS管或傳輸門的形式實現(xiàn)。
【文檔編號】G06K19/077GK104463311SQ201410427373
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年8月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月27日
【發(fā)明者】李羅生, 馬哲, 陳永強, 陳波濤, 劉華茂, 周建鎖 申請人:北京中電華大電子設(shè)計有限責(zé)任公司