一種降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及存儲(chǔ)【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，在統(tǒng)計(jì)一段時(shí)間內(nèi)不同客戶的不同應(yīng)用程序的不同特征數(shù)據(jù)的使用頻率并進(jìn)行排名后，以此區(qū)分主存中的主數(shù)據(jù)(即熱數(shù)據(jù))和輔助數(shù)據(jù)(即冷數(shù)據(jù))，將主數(shù)據(jù)和輔助數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在主存中不同rank中，然后通過(guò)自學(xué)習(xí)的方法統(tǒng)計(jì)并學(xué)習(xí)判斷主存中輔助數(shù)據(jù)所在的rank由空閑狀態(tài)下進(jìn)入低功耗模式的最佳切換時(shí)間，從而最大程度的降低主存在滿負(fù)荷運(yùn)行下的功耗。
【專利說(shuō)明】一種降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲(chǔ)【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]主存存儲(chǔ)器(DRAM，也被稱為內(nèi)存或主存)是一種暫時(shí)存放處理器(CPU)運(yùn)算數(shù)據(jù)以及與硬盤等外部存儲(chǔ)器交換數(shù)據(jù)的易失性存儲(chǔ)器，它是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁，所有程序的運(yùn)行都是在主存中進(jìn)行的，其性能對(duì)系統(tǒng)的影響非常大，尤其是在服務(wù)器領(lǐng)域內(nèi)。然而，無(wú)論是個(gè)人筆記本(PC)還是服務(wù)器，主存技術(shù)的發(fā)展速度要遠(yuǎn)低于CPU甚至硬盤技術(shù)，特別在功耗方面。據(jù)統(tǒng)計(jì)，在服務(wù)器級(jí)別的應(yīng)用中主存功耗占整個(gè)系統(tǒng)功耗的比例已經(jīng)超過(guò)了 40%，主存功耗已經(jīng)成為整個(gè)系統(tǒng)的瓶頸。
[0003]目前很多技術(shù)被提出來(lái)以降低主存功耗。一種方法就是主存在不同功耗狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，如圖1所示，主存主要包含兩個(gè)工作狀態(tài):當(dāng)主存被CPU訪問(wèn)時(shí)，主存所有模塊均處于繁忙工作狀態(tài)；當(dāng)主存沒(méi)有被CPU訪問(wèn)時(shí)，即主存空閑狀態(tài)。在空閑狀態(tài)下，由于CPU不訪問(wèn)主存，為了降低功耗，可以將主存的外圍電路例如時(shí)鐘模塊、譯碼模塊、控制模塊等全部關(guān)閉，只保留主存的存儲(chǔ)模塊和刷新電路開(kāi)啟，從而進(jìn)入低功耗模式下。當(dāng)CPU再度訪問(wèn)主存時(shí)，主存被喚醒并從低功耗模式下切換至工作模式。雖然這種方法能夠降低功耗，但是在主存被密集訪問(wèn)應(yīng)用中卻并非有用。因?yàn)橹鞔嬗袝r(shí)候進(jìn)入空閑狀態(tài)下的時(shí)間非常短，如果此時(shí)主存切換至低功耗模式下，很快又會(huì)被喚醒至工作模式下，不僅沒(méi)有降低多少功耗，還因?yàn)轭l繁在兩種模式之間切換而造成更多的功耗開(kāi)銷，并且兩種模式之間的轉(zhuǎn)換所需的時(shí)間開(kāi)銷還會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)性能的降低。
[0004]因此如何找到一種切換預(yù)測(cè)技術(shù)來(lái)確定主存何時(shí)進(jìn)入低功耗模式才能夠使系統(tǒng)功耗和性能達(dá)到最優(yōu)成為本領(lǐng)域技術(shù)人員致力于研宄的方向。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對(duì)上述存在的問(wèn)題，本發(fā)明公開(kāi)一種降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法。
[0006]一種降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其中，所述主存存儲(chǔ)器中設(shè)置有第一 rank集合和第二 rank集合，且所述第一 rank集合包括作111^至rank ，所述第二 rank集合包括『&111^至rank Jri，其中，m和η均為正整數(shù)，且n>m> I ；所述方法包括如下步驟:
[0007]步驟S1:預(yù)先將所述主存存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)劃分為主數(shù)據(jù)和輔助數(shù)據(jù)；
[0008]步驟S2:將所述主數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至所述第一 rank集合中，將所述輔助數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至所述第二 rank集合中；
[0009]步驟S3:通過(guò)自學(xué)習(xí)的方法獲取所述第二rank集合中rank^由空閑狀態(tài)進(jìn)入低功耗模式的最佳模式切換時(shí)間，其中，L為正整數(shù)，且m < LSn-1;
[0010]其中，當(dāng)所述第二 rank集合中rank^的主存存儲(chǔ)模塊進(jìn)入空閑狀態(tài)時(shí)，所述rank l的主存存儲(chǔ)模塊等待所述最佳模式切換時(shí)間后進(jìn)入低功耗模式。
[0011]上述的降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其中，所述步驟SI包括:
[0012]統(tǒng)計(jì)預(yù)定時(shí)間段內(nèi)不同客戶的不同應(yīng)用程序的不同特征數(shù)據(jù)的使用頻率；
[0013]根據(jù)所述使用頻率將所述主存存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)劃分為所述主數(shù)據(jù)和所述輔助數(shù)據(jù)；
[0014]其中，所述主數(shù)據(jù)的使用頻率大于所述輔助數(shù)據(jù)的使用頻率。
[0015]上述的降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其中，所述步驟S3包括:
[0016]通過(guò)自學(xué)習(xí)模塊獲取所述第二 rank集合中空閑狀態(tài)進(jìn)入低功耗模式的最佳模式切換時(shí)間。
[0017]上述的降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其中，所述自學(xué)習(xí)模塊統(tǒng)計(jì)并學(xué)習(xí)rank中不同特征數(shù)據(jù)組合下的x種組合形式的x個(gè)最佳模式切換時(shí)間，其中，x為正整數(shù)。
[0018]上述的降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其中，當(dāng)模式切換時(shí)間T小于所述最佳模式切換時(shí)間時(shí)，rank的主存存儲(chǔ)模塊的平均功耗隨著模式切換時(shí)間T的增加而減小，當(dāng)模式切換時(shí)間T大于所述最佳模式切換時(shí)間時(shí)，rank的主存存儲(chǔ)模塊的平均功耗隨著模式切換時(shí)間T的增加而增加。
[0019]上述的降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其中，所述步驟S3具體為:
[0020]所述自學(xué)習(xí)模塊根據(jù)rank^的主存存儲(chǔ)模塊的平均功耗獲取所述第二 rank集合中rank^*空閑狀態(tài)進(jìn)入低功耗模式的最佳模式切換時(shí)間。
[0021]上述的降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其中，按照不同的時(shí)間段分別統(tǒng)計(jì)不同客戶的不同應(yīng)用程序的不同特征數(shù)據(jù)的使用頻率，并通過(guò)自學(xué)習(xí)的方法獲取不同的時(shí)間段內(nèi)所述第二 rank集合中rank^*空閑狀態(tài)進(jìn)入低功耗模式的最佳模式切換時(shí)間。
[0022]上述的降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其中，所述特征數(shù)據(jù)為實(shí)現(xiàn)若干設(shè)定功能的指令或數(shù)據(jù)集合。
[0023]上述的降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其中，所述主存存儲(chǔ)器上集成有非易失性存儲(chǔ)器模塊；
[0024]所述非易失性存儲(chǔ)器模塊或所述主存存儲(chǔ)器外部的非易失性存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)有所述自學(xué)習(xí)模塊統(tǒng)計(jì)并學(xué)習(xí)不同特征數(shù)據(jù)組合下的X種組合形式的X個(gè)最佳模式切換時(shí)間的統(tǒng)計(jì)信息。
[0025]上述的降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其中，所述非易失性存儲(chǔ)器模塊中還存儲(chǔ)有固件程序和算法。
[0026]上述的降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其中，所述非易失性存儲(chǔ)器模塊為相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
[0027]上述的降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其中，所述方法應(yīng)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，且所述方法還包括如下步驟:
[0028]上電后，所述系統(tǒng)從所述非易失性存儲(chǔ)器模塊或所述外部的非易失性存儲(chǔ)中讀取rank^的最佳模式切換時(shí)間；
[0029]當(dāng)所述第二 rank集合中rank^的主存存儲(chǔ)模塊進(jìn)入空閑狀態(tài)時(shí)，所述rank ^的主存存儲(chǔ)模塊等待所述最佳模式切換時(shí)間后進(jìn)入低功耗模式。
[0030]上述的降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其中，所述第一 rank集合中的主存存儲(chǔ)模塊不會(huì)進(jìn)入低功耗模式。
[0031]本發(fā)明公開(kāi)的一種降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，在統(tǒng)計(jì)一段時(shí)間內(nèi)不同客戶的不同應(yīng)用程序的不同特征數(shù)據(jù)的使用頻率并進(jìn)行排名后，以此區(qū)分主存中的主數(shù)據(jù)(即熱數(shù)據(jù))和輔助數(shù)據(jù)(即冷數(shù)據(jù))，將主數(shù)據(jù)和輔助數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在主存中不同rank中，然后通過(guò)自學(xué)習(xí)的方法統(tǒng)計(jì)并學(xué)習(xí)判斷主存中輔助數(shù)據(jù)所在的rank由空閑狀態(tài)下進(jìn)入低功耗模式的最佳切換時(shí)間，從而最大程度的降低主存在滿負(fù)荷運(yùn)行下的功耗。
[0032]具體

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0033]通過(guò)閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明及其特征、夕卜形和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加明顯。在全部附圖中相同的標(biāo)記指示相同的部分。并未可以按照比例繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。
[0034]圖1是主存在工作模式與低功耗模式之間切換的示意圖；
[0035]圖2是主存按訪問(wèn)頻率分rank的示意圖；
[0036]圖3是本發(fā)明主存按主數(shù)據(jù)和輔助數(shù)據(jù)分rank的示意圖；
[0037]圖4是本發(fā)明系統(tǒng)按數(shù)據(jù)的訪問(wèn)頻率統(tǒng)計(jì)排名的示意圖；
[0038]圖5是本發(fā)明rank為L(zhǎng)的主存存儲(chǔ)模塊的示意圖；
[0039]圖6是一段時(shí)間范圍內(nèi)主存工作狀態(tài)的示意圖；
[0040]圖7是rank的主存存儲(chǔ)模塊的功耗隨模式切換時(shí)間T變化的曲線示意圖；
[0041]圖8是本發(fā)明不同時(shí)間段內(nèi)系統(tǒng)按數(shù)據(jù)的訪問(wèn)頻率統(tǒng)計(jì)排名的示意圖；
[0042]圖9是本發(fā)明確定rank的主存存儲(chǔ)模塊的最佳模式切換時(shí)間TD的流程示意圖；
[0043]圖10是本發(fā)明增加非易失性存儲(chǔ)器模塊的主存結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0044]下面結(jié)合附圖和具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明，但是不作為本發(fā)明的限定。
[0045]一般來(lái)說(shuō)，一個(gè)內(nèi)存條(DIMM，雙列直插式主存模塊)內(nèi)包含多個(gè)rank，對(duì)于rank，我們都知道，內(nèi)存與處理器之間的數(shù)據(jù)傳輸接口位寬是64-bit (ECC錯(cuò)誤校驗(yàn)的另算)，為保持協(xié)同工作，每次傳輸都必須保證這一點(diǎn)，但是單顆內(nèi)存芯片的位寬達(dá)不到64-bit，一般都是4-bit、8-bit、16-bit之類的，所以必須將多顆內(nèi)存芯片組成一個(gè)小集體，共同實(shí)現(xiàn)64-bit的總位寬。這一小撮內(nèi)存芯片，就是一個(gè)物理Bank(P-Bank)，又稱為rank。一個(gè)rank是由許多DRAM芯片構(gòu)成的，rank中最小的數(shù)據(jù)存取單位一般為一個(gè)頁(yè)(page)。然后將那些主存訪問(wèn)頻率高的頁(yè)數(shù)據(jù)(稱之為主存熱數(shù)據(jù)/主數(shù)據(jù))迀移到同一個(gè)rank中，主存訪問(wèn)頻率低的頁(yè)數(shù)據(jù)(稱之為冷數(shù)據(jù)/輔助數(shù)據(jù))迀移到另一個(gè)rank中，如圖2所示。對(duì)于熱數(shù)據(jù)/主數(shù)據(jù)來(lái)說(shuō)，其讀寫頻率較高，進(jìn)入空閑狀態(tài)的時(shí)間也相對(duì)較短，不宜在工作模式和低功耗模式之間轉(zhuǎn)換；冷數(shù)據(jù)/輔助數(shù)據(jù)因?yàn)樵L問(wèn)頻率相對(duì)較低，相對(duì)來(lái)說(shuō)就擁有更長(zhǎng)的空閑時(shí)間，那么就有利于主存模式切換從而進(jìn)入低功耗模式下以降低整個(gè)主存系統(tǒng)功耗。此外還可以通過(guò)統(tǒng)計(jì)不同rank內(nèi)的歷史空閑狀態(tài)和時(shí)間分布，從而能夠更好的預(yù)測(cè)何時(shí)進(jìn)入低功耗模式對(duì)降低功耗更有利。雖然這種切換預(yù)測(cè)技術(shù)能夠有效的降低主存滿負(fù)荷運(yùn)行功耗，但是其缺點(diǎn)也顯而易見(jiàn)。首先，根據(jù)頁(yè)數(shù)據(jù)的訪問(wèn)頻率進(jìn)行動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)迀移以及根據(jù)區(qū)域數(shù)據(jù)訪問(wèn)模型進(jìn)行預(yù)測(cè)都會(huì)產(chǎn)生額外功耗，也會(huì)造成處理器訪問(wèn)延時(shí)，比如主存在進(jìn)行動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)迀移的過(guò)程中處理器不能對(duì)主存進(jìn)行訪問(wèn)。其次，這種切換預(yù)測(cè)技術(shù)需要主存控制器來(lái)監(jiān)測(cè)主存訪問(wèn)，由于主存控制器位于處理器芯片內(nèi)，對(duì)其進(jìn)行配置相當(dāng)復(fù)雜，成本也很高。最后，這種狀態(tài)切換預(yù)測(cè)技術(shù)也不能很好的適用于所有的客戶或及其所有的應(yīng)用程序，因?yàn)槟硞€(gè)特定的切換預(yù)測(cè)技術(shù)是基于某種主存應(yīng)用模型而建立的，沒(méi)有很好的通用性。
[0046]針對(duì)上述問(wèn)題，本發(fā)明提出一種降低主存滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法。系統(tǒng)通過(guò)統(tǒng)計(jì)一段時(shí)間內(nèi)不同客戶的不同應(yīng)用程序的不同特征數(shù)據(jù)的使用頻率并進(jìn)行排名并以此區(qū)分主存中的冷熱數(shù)據(jù)(即主數(shù)據(jù)和輔助數(shù)據(jù))，并將冷熱數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在主存中不同rank中，然后通過(guò)自學(xué)習(xí)的方法統(tǒng)計(jì)并學(xué)習(xí)判斷主存中冷數(shù)據(jù)所在的rank由空閑狀態(tài)下進(jìn)入低功耗模式的最佳切換時(shí)刻，從而最大程度的降低主存在滿負(fù)荷運(yùn)行下的功耗。
[0047]本發(fā)明提出一種降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，該主存存儲(chǔ)器中設(shè)置有第一 rank集合和第二 rank集合，且第一 rank集合包括作111^至rank ，第二 rank集合包括1&111^至rank Jri，該方法主要包括如下步驟。
[0048]步驟S1:預(yù)先將主存存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)劃分為主數(shù)據(jù)和輔助數(shù)據(jù)。
[0049]步驟S2:將主數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至第一 rank集合中，將輔助數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至第二 rank集合中。
[0050]步驟S3:通過(guò)自學(xué)習(xí)的方法獲取第二rank集合中rank^由空閑狀態(tài)進(jìn)入低功耗模式的最佳模式切換時(shí)間，其中，L為正整數(shù)，且m < L ^ n-lo
[0051]其中，當(dāng)?shù)诙?rank集合中rank^的主存存儲(chǔ)模塊進(jìn)入空閑狀態(tài)時(shí)，rank ^的主存存儲(chǔ)模塊在等待最佳模式切換時(shí)間后進(jìn)入低功耗模式。
[0052]具體的，首先，對(duì)主存中的rank按所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)類型進(jìn)行劃分，這些數(shù)據(jù)類型可在一段時(shí)間內(nèi)按照不同客戶X所使用的不同應(yīng)用程序Y下的不同特征數(shù)據(jù)Z劃分，其中，不同特征數(shù)據(jù)Z可包括不同的函數(shù)(Funct1n)、不同的調(diào)用(Call)等，它是可實(shí)現(xiàn)一個(gè)或多個(gè)特定功能(或設(shè)定功能)的指令或數(shù)據(jù)集合。應(yīng)用程序Y可由一個(gè)或多個(gè)Z數(shù)據(jù)構(gòu)成。這些Z數(shù)據(jù)按照冷熱程度來(lái)劃分，如圖3所示，主存存儲(chǔ)器中1^111^至rank㈠的主存存儲(chǔ)模塊中存儲(chǔ)熱數(shù)據(jù)，『3111^至rank 中的主存存儲(chǔ)模塊存儲(chǔ)冷數(shù)據(jù)，其中m和η均為正整數(shù)，且n>m> I。熱數(shù)據(jù)是指CPU片上高速緩存器在一段時(shí)間內(nèi)最不經(jīng)?；蜃畈活l繁被使用的數(shù)據(jù)，冷數(shù)據(jù)是指CPU片上高速緩存器在一段時(shí)間內(nèi)最經(jīng)常使用或最頻繁被使用的數(shù)據(jù)。這是因?yàn)槠细咚倬彺嫫鲿?huì)緩存一段時(shí)間內(nèi)系統(tǒng)最經(jīng)常或者最頻繁被訪問(wèn)的數(shù)據(jù)，而存儲(chǔ)在主存中的這部分?jǐn)?shù)據(jù)就會(huì)很少被訪問(wèn)，系統(tǒng)會(huì)直接從片上高速緩存中讀取這部分?jǐn)?shù)據(jù)，因而相對(duì)來(lái)說(shuō)，片上高速緩存器這些最經(jīng)?；蜃铑l繁被使用的數(shù)據(jù)是主存中的冷數(shù)據(jù)(該冷數(shù)據(jù)即輔助數(shù)據(jù))；當(dāng)片上高速緩存器存儲(chǔ)空間已滿，那么就會(huì)將最少被訪問(wèn)或最不頻繁被訪問(wèn)的數(shù)據(jù)替換出去，這些數(shù)據(jù)對(duì)于主存來(lái)說(shuō)，系統(tǒng)就需要經(jīng)常要從主存中去讀取這些數(shù)據(jù)，因而對(duì)于主存來(lái)說(shuō)這部分?jǐn)?shù)據(jù)是熱數(shù)據(jù)(該熱數(shù)據(jù)即主數(shù)據(jù))。系統(tǒng)通過(guò)統(tǒng)計(jì)一段時(shí)間內(nèi)不同客戶X所使用的不同應(yīng)用程序Y中相對(duì)應(yīng)的被使用的數(shù)據(jù)Z的次數(shù)或頻率，并按統(tǒng)計(jì)結(jié)果排列形成一個(gè)表格。如圖4所示的是一示例表格，系統(tǒng)使用頻率排名為r的是客戶X_i所使用的應(yīng)用程序Y_j下的特征數(shù)據(jù)Z_k，系統(tǒng)根據(jù)這些排名決定所有特征數(shù)據(jù)應(yīng)當(dāng)存放至哪一 rank的主存存儲(chǔ)模塊中:排名較靠前的數(shù)據(jù)相對(duì)于主存來(lái)說(shuō)是冷數(shù)據(jù)，系統(tǒng)應(yīng)當(dāng)將這部分?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)至第二 rank集合(即『&111^至rank㈠)的主存存儲(chǔ)模塊中；而排名較靠后的數(shù)據(jù)相對(duì)于主存來(lái)說(shuō)是熱數(shù)據(jù)，系統(tǒng)應(yīng)當(dāng)將這部分?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)至第一 rank集合(即的主存存儲(chǔ)模塊中。這樣就完成了主存中的數(shù)據(jù)劃分。將冷數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在1^111^至rankn_i的主存存儲(chǔ)模塊中，相比熱數(shù)據(jù)來(lái)說(shuō)，因?yàn)橄到y(tǒng)訪問(wèn)頻率較低，因而總體來(lái)說(shuō)在空閑狀態(tài)時(shí)保持的時(shí)間更長(zhǎng)，有利于進(jìn)入低功耗模式下節(jié)省功耗。熱數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在即的主存存儲(chǔ)模塊中，由于這些數(shù)據(jù)經(jīng)常要被訪問(wèn)，因而進(jìn)入空閑狀態(tài)的時(shí)間也較短，不利于進(jìn)入低功耗模式，因而最優(yōu)方案是一直處于工作/空閑狀態(tài)下，不進(jìn)入低功耗模式。
[0053]其次，本發(fā)明提出一種自學(xué)習(xí)的方法來(lái)判定1&111^至rank Jri的主存存儲(chǔ)模塊的最佳模式切換時(shí)間TD。該模式切換時(shí)間是指某個(gè)rank中的主存存儲(chǔ)模塊在空閑狀態(tài)時(shí)經(jīng)過(guò)時(shí)間T之后再切換進(jìn)入低功耗模式，等待的時(shí)間T即為模式切換時(shí)間，即在主存的rankL(m彡L彡n_l，且L為正整數(shù))中的所有存儲(chǔ)模塊在空閑狀態(tài)時(shí)需等待時(shí)間T才能進(jìn)入低功耗模式，否則一直處于空閑狀態(tài)，空閑狀態(tài)時(shí)間不足T的時(shí)候也不能進(jìn)入低功耗模式。所述自學(xué)習(xí)方法是一種通過(guò)軟件或硬件實(shí)現(xiàn)(稱之為自學(xué)習(xí)模塊)通過(guò)不斷記錄和統(tǒng)計(jì)并自學(xué)習(xí)從而使主存在滿負(fù)荷運(yùn)行功耗達(dá)到最小的過(guò)程。假設(shè)對(duì)于rank序號(hào)為L(zhǎng)(m彡L彡η-1)的主存存儲(chǔ)模塊來(lái)說(shuō)，其上存儲(chǔ)著客戶X_i所使用的應(yīng)用程序Y_j的若干特征數(shù)據(jù)Z_k，附圖5所示。例如圖6所示的一段時(shí)間范圍內(nèi)rank的工作狀態(tài)示意圖，在該段時(shí)間范圍內(nèi)，當(dāng)rank空閑時(shí)，經(jīng)過(guò)T時(shí)間，該主存存儲(chǔ)模塊進(jìn)入低功耗模式，即模式切換時(shí)間為T。所述一段時(shí)間是指能夠表征不同用戶X所使用的不同應(yīng)用程序Y的不同特征數(shù)據(jù)Z被使用行為特征的一個(gè)時(shí)間段，可以是一個(gè)小時(shí)，一天或者三天等。在該段時(shí)間內(nèi)，自學(xué)習(xí)模塊控制rank中主存存儲(chǔ)模塊的模式切換時(shí)間T，即該主存存儲(chǔ)模塊一旦進(jìn)入空閑狀態(tài)后等待時(shí)間T (前提是該主存存儲(chǔ)模塊進(jìn)入空閑狀態(tài)的時(shí)間長(zhǎng)度要大于T)，然后進(jìn)入低功耗模式，自學(xué)習(xí)模塊監(jiān)測(cè)并統(tǒng)計(jì)這段時(shí)間內(nèi)的平均功耗。下一次在同樣的時(shí)間段內(nèi)，自學(xué)習(xí)模塊控制增大或者減小模式切換時(shí)間T，然后再檢測(cè)并統(tǒng)計(jì)該主存模塊在該段時(shí)間內(nèi)的平均功耗。通過(guò)不斷改變T的大小，自學(xué)習(xí)模塊根據(jù)其平均功耗的統(tǒng)計(jì)、比較和學(xué)習(xí)來(lái)判定最佳的模式切換時(shí)間TD。
[0054]下面將具體闡述通過(guò)自學(xué)習(xí)模塊如何得到最佳的模式切換時(shí)間TD:
[0055]自學(xué)習(xí)模塊對(duì)一段時(shí)間內(nèi)rank主存存儲(chǔ)模塊的平均功耗隨模式切換時(shí)間T的變化統(tǒng)計(jì)曲線應(yīng)如圖7所示的拋物線。在區(qū)域I內(nèi)，rank主存存儲(chǔ)模塊的平均功耗P隨著模式切換時(shí)間T的增加而減小，這是因?yàn)槟Ｊ角袚Q時(shí)間太小，該主存存儲(chǔ)模塊不可避免有時(shí)剛進(jìn)入低功耗模式就會(huì)被系統(tǒng)喚醒至工作模式，不僅不會(huì)節(jié)省功耗，還會(huì)造成額外的功耗開(kāi)銷，因而需要增加模式切換時(shí)間才能獲得更低的功耗。在區(qū)域2內(nèi)，rank主存存儲(chǔ)模塊的平均功耗P隨著模式切換時(shí)間T的增加而增加，這是因?yàn)槟Ｊ角袚Q時(shí)間T太長(zhǎng)，該主存存儲(chǔ)模塊長(zhǎng)時(shí)間在空閑狀態(tài)下，卻沒(méi)有進(jìn)入低功耗模式，因而消耗更多的待機(jī)功耗，因而在這段時(shí)間范圍內(nèi)需要減小模式切換時(shí)間才能獲得更低的功耗。自學(xué)習(xí)模塊得到最佳的模式切換時(shí)間TD的過(guò)程如圖9所示。在區(qū)域I內(nèi)，假設(shè)一段時(shí)間范圍內(nèi)，該主存存儲(chǔ)模塊在空閑狀態(tài)時(shí)經(jīng)過(guò)時(shí)間Tl就進(jìn)入低功耗模式，自學(xué)習(xí)模塊檢測(cè)這段時(shí)間內(nèi)的平均功耗為Pl (O);下一次在同樣的一段時(shí)間內(nèi)，自學(xué)習(xí)模塊控制該主存存儲(chǔ)模塊在空閑狀態(tài)時(shí)經(jīng)過(guò)Tl+ Δ T的時(shí)間進(jìn)入低功耗模式，自學(xué)習(xí)模塊檢測(cè)這段時(shí)間內(nèi)的平均功耗為Pl (I)。結(jié)合圖7可以看出，Pl (I) <P1 (O)，說(shuō)明此時(shí)的模式切換時(shí)間Tl并不能使rank中主存存儲(chǔ)模塊的平均功耗達(dá)到最低，自學(xué)習(xí)模塊通過(guò)增加η (η彡O，η為正整數(shù))來(lái)增加模式切換時(shí)間Τ+η* Δ Τ，直至自學(xué)習(xí)模塊檢測(cè)這段時(shí)間內(nèi)的平均功耗Pl (η+1)大于Pl (η)，即得到最佳的模式切換時(shí)間TD = Τ1+η* Δ Τ?同理，在區(qū)域2內(nèi)，假設(shè)一段時(shí)間范圍內(nèi)，該主存存儲(chǔ)模塊在空閑狀態(tài)時(shí)經(jīng)過(guò)時(shí)間T2就進(jìn)入低功耗模式，自學(xué)習(xí)模塊檢測(cè)這段時(shí)間內(nèi)的平均功耗為P2(0);下次在同樣的一段時(shí)間內(nèi)，自學(xué)習(xí)模塊控制該主存存儲(chǔ)模塊在空閑狀態(tài)時(shí)經(jīng)過(guò)T2- Δ T的時(shí)間進(jìn)入低功耗模式，自學(xué)習(xí)模塊檢測(cè)這段時(shí)間內(nèi)的平均功耗為P2(l)。結(jié)合圖7可以看出，P2 (I)〈P2 (O)，說(shuō)明此時(shí)的模式切換時(shí)間T2并不能使rank (L)中主存存儲(chǔ)模塊的平均功耗達(dá)到最低，自學(xué)習(xí)模塊通過(guò)增加η來(lái)減小模式切換時(shí)間Τ2-η* Δ Τ，直至自學(xué)習(xí)模塊檢測(cè)這段時(shí)間內(nèi)的平均功耗Ρ2 (η+1)大于Ρ2 (η)，即得到最佳的模式切換時(shí)間TD = Τ2_η* Δ Τ，上述過(guò)程即自學(xué)習(xí)模塊根據(jù)rankj^主存存儲(chǔ)模塊的平均功耗獲取第二 rank集合中rank l由空閑狀態(tài)進(jìn)入低功耗模式的最佳模式切換時(shí)間TD的過(guò)程。可見(jiàn)，本發(fā)明通過(guò)自學(xué)習(xí)的方法，不斷調(diào)節(jié)模式切換時(shí)間T，從而能夠最大程度的降低該主存存儲(chǔ)模塊在滿負(fù)荷運(yùn)行時(shí)的功耗。
[0056]本發(fā)明系統(tǒng)按照特征數(shù)據(jù)的訪問(wèn)頻率來(lái)確定該數(shù)據(jù)應(yīng)存儲(chǔ)在主存中的哪一個(gè)rank主存存儲(chǔ)模塊中，如圖5所示的rank序號(hào)為L(zhǎng)(L為正整數(shù)，且m彡L彡n_l)的主存存儲(chǔ)模塊中存儲(chǔ)了不同客戶X所使用的不同應(yīng)用程序Y下的若干Z特征數(shù)據(jù)。若在一段時(shí)間范圍內(nèi)，系統(tǒng)經(jīng)過(guò)統(tǒng)計(jì)將Z_1、Z_2、Z_3及Z_4等存儲(chǔ)在rank中，在接下來(lái)的自學(xué)習(xí)或是之后的正常使用過(guò)程中，系統(tǒng)應(yīng)當(dāng)考慮繼續(xù)將這些數(shù)據(jù)放在同一 rank中，因?yàn)樵谧詫W(xué)習(xí)過(guò)程中系統(tǒng)是根據(jù)這些特征數(shù)據(jù)來(lái)統(tǒng)計(jì)并自學(xué)習(xí)得到rank的最佳模式切換時(shí)間TD，即根據(jù)特定用戶的使用習(xí)慣的。一旦這些特征數(shù)據(jù)組合發(fā)生變化，例如一段時(shí)間后，該主存存儲(chǔ)模塊中存儲(chǔ)了數(shù)據(jù)Z_l、Z_5和Z_6，那么自學(xué)習(xí)模塊需重新經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的自學(xué)習(xí)才能得出此時(shí)rank的最佳模式切換時(shí)間TDl才能達(dá)到最小的功耗。如果系統(tǒng)不能繼續(xù)將Z_1、Z_2、Z_3&Z_4等存儲(chǔ)在該主存存儲(chǔ)模塊中，那么自學(xué)習(xí)模塊應(yīng)當(dāng)能夠統(tǒng)計(jì)并學(xué)習(xí)rank(L)不同特征數(shù)據(jù)組合下的X種組合形式的X個(gè)最佳模式切換時(shí)間TD，其中X為正整數(shù)。
[0057]考慮到用戶在不同時(shí)間段內(nèi)的使用習(xí)慣有可能不同，即特征數(shù)據(jù)內(nèi)容或訪問(wèn)頻率差異也非常大，因而在不同的時(shí)間段內(nèi)，如圖4所示的表格內(nèi)容有可能不同，所以導(dǎo)致對(duì)不同時(shí)間段某個(gè)用戶的不同使用習(xí)慣，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的統(tǒng)計(jì)需要將不同的特征數(shù)據(jù)放入rank中。例如某個(gè)服務(wù)器使用公司或用戶在白天和在晚上對(duì)主存滿負(fù)荷訪問(wèn)時(shí)的特定數(shù)據(jù)訪問(wèn)頻率和內(nèi)容可能是完全不同的，因而自學(xué)習(xí)模塊在白天統(tǒng)計(jì)和自學(xué)習(xí)的結(jié)果并不能適用于晚上的情形，因此系統(tǒng)在統(tǒng)計(jì)特征數(shù)據(jù)使用頻率的過(guò)程中，可以按不同的時(shí)間段分別統(tǒng)計(jì)特征數(shù)據(jù)使用頻率進(jìn)而重新排序，然后進(jìn)行不同的自學(xué)習(xí)過(guò)程，得出針對(duì)rank在不同時(shí)間段內(nèi)的TD。例如圖8所示的系統(tǒng)統(tǒng)計(jì)表格中就考慮了在不同的時(shí)間段內(nèi)的特征數(shù)據(jù)使用頻率排名，顯然可以看出，在不同的時(shí)間段內(nèi)，系統(tǒng)使用的特征數(shù)據(jù)排名是不一樣的，因而根據(jù)這些排名將特征數(shù)據(jù)放入rank(L)中主存存儲(chǔ)模塊的特征數(shù)據(jù)有可能是不一樣的，自學(xué)習(xí)模塊通過(guò)檢測(cè)統(tǒng)計(jì)和自學(xué)習(xí)得出的最佳時(shí)刻TD也是不一樣的?？梢?jiàn)，考慮到不同的統(tǒng)計(jì)時(shí)間段，自學(xué)習(xí)模塊檢測(cè)和自學(xué)習(xí)的結(jié)果也就越精確，從而能夠最大限度的降低主存在滿負(fù)荷運(yùn)行下的功耗。
[0058]系統(tǒng)為了統(tǒng)計(jì)不同客戶X所使用的不同應(yīng)用程序Y中不同特征數(shù)據(jù)Z的使用次數(shù)或頻率，以及自學(xué)習(xí)模塊需要檢測(cè)不同時(shí)段內(nèi)的不同主存存儲(chǔ)模塊的功耗信息，需要額外的非易失性存儲(chǔ)器來(lái)存儲(chǔ)這些信息。傳統(tǒng)的內(nèi)存條上會(huì)集成一塊容量較小的非易失性存儲(chǔ)器(例如EEPROM或者閃存)以存儲(chǔ)一些固化程序或算法等，該非易失性存儲(chǔ)器容量較小，無(wú)法存儲(chǔ)大容量的數(shù)據(jù)，尤其是系統(tǒng)需要統(tǒng)計(jì)不同時(shí)間段內(nèi)的特征數(shù)據(jù)信息，自學(xué)習(xí)模塊需要統(tǒng)計(jì)并學(xué)習(xí)不同特征數(shù)據(jù)組合下的在空閑狀態(tài)時(shí)由工作模式進(jìn)入低功耗模式的最佳模式切換時(shí)間TD，所需的容量就更大，傳統(tǒng)的這些集成在主存PCB電路板中的非易失性存儲(chǔ)器根本無(wú)法滿足要求。本發(fā)明這些統(tǒng)計(jì)信息可以存儲(chǔ)在外部的非易失性存儲(chǔ)器上，例如磁盤、固態(tài)硬盤或者B1S中，但顯然系統(tǒng)在主存滿負(fù)荷運(yùn)行時(shí)訪問(wèn)這些數(shù)據(jù)的速度會(huì)下降，系統(tǒng)的訪問(wèn)性能也會(huì)降低。本發(fā)明提出一種優(yōu)選的解決方案，在內(nèi)存條PCB上(比如DIMM內(nèi)存)中集成新型非易失性存儲(chǔ)器模塊(以替代傳統(tǒng)Flash芯片模塊)，如圖10所示。新型非易失性存儲(chǔ)器模塊由新型存儲(chǔ)器構(gòu)成，例如相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PRAM)、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)、磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)及電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)等。新型非易失性存儲(chǔ)器無(wú)論在讀取速度、可擦寫壽命、數(shù)據(jù)保持能力及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度都要優(yōu)于傳統(tǒng)的磁盤或閃存存儲(chǔ)器。本發(fā)明新型非易失性存儲(chǔ)器不僅可以存儲(chǔ)大量的系統(tǒng)統(tǒng)計(jì)特征數(shù)據(jù)信息和自學(xué)習(xí)統(tǒng)計(jì)的最佳切換時(shí)刻TD信息，還可以存儲(chǔ)傳統(tǒng)主存PCB上EEPROM或閃存中的固化程序和一些算法。
[0059]當(dāng)系統(tǒng)通過(guò)不斷對(duì)不同用戶X所使用的Y應(yīng)用數(shù)據(jù)下的特征數(shù)據(jù)Z統(tǒng)計(jì)和自學(xué)習(xí)，得到在一段時(shí)間內(nèi)rank的最佳模式切換時(shí)間TD，系統(tǒng)工作流程如下所示:
[0060]步驟1:整個(gè)系統(tǒng)上電，系統(tǒng)從內(nèi)存條PCB上集成的非易失性存儲(chǔ)器(EEPR0M、閃存或新型存儲(chǔ)器等)或者外部的非易失性存儲(chǔ)器中讀取rankJm<L<n-l)的最佳模式切換時(shí)刻TD(L)數(shù)據(jù)。顯然，系統(tǒng)從內(nèi)存條PCB上讀取數(shù)據(jù)要遠(yuǎn)快于從外部的磁盤、硬盤或B1S等中讀取數(shù)據(jù)，而在主存PCB上使用新型存儲(chǔ)器的性能又要遠(yuǎn)優(yōu)于EEPROM或閃存。
[0061]步驟2:在主存滿負(fù)荷工作時(shí)，系統(tǒng)讓序號(hào)為O至m-Ι的rank中的主存存儲(chǔ)模塊一直保持工作/空閑狀態(tài)下，不進(jìn)入低功耗模式(因?yàn)榭臻e時(shí)間段太短)；對(duì)序號(hào)為m至n-1的主存存儲(chǔ)模塊來(lái)說(shuō)，當(dāng)其進(jìn)入空閑狀態(tài)時(shí)，系統(tǒng)控制rank的主存存儲(chǔ)模塊等待TD(L)時(shí)間后進(jìn)入低功耗模式，使主存能在滿負(fù)荷運(yùn)行下盡可能的降低功耗。
[0062]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員在結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)以及上述實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)變化例，在此不做贅述。這樣的變化例并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。
[0063]以上對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實(shí)施方式，其中未盡詳細(xì)描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實(shí)施；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例，這并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其特征在于，所述主存存儲(chǔ)器中設(shè)置有第一 rank集合和第二 rank集合，且所述第一 rank集合包括『&]11^至rank 所述第二rank集合包括1&111^至rank Jri，其中，m和η均為正整數(shù)，且η > m > I ;所述方法包括如下步驟: 步驟S1:預(yù)先將所述主存存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)劃分為主數(shù)據(jù)和輔助數(shù)據(jù)； 步驟S2:將所述主數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至所述第一 rank集合中，將所述輔助數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至所述第二rank集合中； 步驟S3:通過(guò)自學(xué)習(xí)的方法獲取所述第二rank集合中rank^由空閑狀態(tài)進(jìn)入低功耗模式的最佳模式切換時(shí)間，其中，L為正整數(shù)，且m < LSn-1; 其中，當(dāng)所述第二 rank集合中ranl^的主存存儲(chǔ)模塊進(jìn)入空閑狀態(tài)時(shí)，所述rank ^的主存存儲(chǔ)模塊等待所述最佳模式切換時(shí)間后進(jìn)入低功耗模式。
2.如權(quán)利要求1所述的降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其特征在于，所述步驟SI包括: 統(tǒng)計(jì)預(yù)定時(shí)間段內(nèi)不同客戶的不同應(yīng)用程序的不同特征數(shù)據(jù)的使用頻率； 根據(jù)所述使用頻率將所述主存存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)劃分為所述主數(shù)據(jù)和所述輔助數(shù)據(jù)； 其中，所述主數(shù)據(jù)的使用頻率大于所述輔助數(shù)據(jù)的使用頻率。
3.如權(quán)利要求2所述的降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其特征在于，所述步驟S3包括: 通過(guò)自學(xué)習(xí)模塊獲取所述第二 rank集合中ranl^由空閑狀態(tài)進(jìn)入低功耗模式的最佳模式切換時(shí)間。
4.如權(quán)利要求3所述的降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其特征在于，所述自學(xué)習(xí)模塊統(tǒng)計(jì)并學(xué)習(xí)rank中不同特征數(shù)據(jù)組合下的x種組合形式的x個(gè)最佳模式切換時(shí)間，其中，X為正整數(shù)。
5.如權(quán)利要求3所述的降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其特征在于，當(dāng)模式切換時(shí)間T小于所述最佳模式切換時(shí)間時(shí)，rank的主存存儲(chǔ)模塊的平均功耗隨著模式切換時(shí)間T的增加而減小，當(dāng)模式切換時(shí)間T大于所述最佳模式切換時(shí)間時(shí)，rank的主存存儲(chǔ)模塊的平均功耗隨著模式切換時(shí)間T的增加而增加。
6.如權(quán)利要求4所述的降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其特征在于，所述步驟S3具體為: 所述自學(xué)習(xí)模塊根據(jù)rank的主存存儲(chǔ)模塊的平均功耗獲取所述第二 rank集合中rank^*空閑狀態(tài)進(jìn)入低功耗模式的最佳模式切換時(shí)間。
7.如權(quán)利要求2所述的降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其特征在于，按照不同的時(shí)間段分別統(tǒng)計(jì)不同客戶的不同應(yīng)用程序的不同特征數(shù)據(jù)的使用頻率，并通過(guò)自學(xué)習(xí)的方法獲取不同的時(shí)間段內(nèi)所述第二 rank集合中rank由空閑狀態(tài)進(jìn)入低功耗模式的最佳模式切換時(shí)間。
8.如權(quán)利要求2所述的降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其特征在于，所述特征數(shù)據(jù)為實(shí)現(xiàn)若干設(shè)定功能的指令或數(shù)據(jù)集合。
9.如權(quán)利要求4所述的降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其特征在于，所述主存存儲(chǔ)器上集成有非易失性存儲(chǔ)器模塊； 所述非易失性存儲(chǔ)器模塊或所述主存存儲(chǔ)器外部的非易失性存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)有所述自學(xué)習(xí)模塊統(tǒng)計(jì)并學(xué)習(xí)不同特征數(shù)據(jù)組合下的X種組合形式的X個(gè)最佳模式切換時(shí)間的統(tǒng)計(jì)信息。
10.如權(quán)利要求9所述的降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其特征在于，所述非易失性存儲(chǔ)器模塊中還存儲(chǔ)有固件程序和算法。
11.如權(quán)利要求9所述的降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其特征在于，所述非易失性存儲(chǔ)器模塊為相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
12.如權(quán)利要求9所述的降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其特征在于，所述方法應(yīng)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，且所述方法還包括如下步驟: 上電后，所述系統(tǒng)從所述非易失性存儲(chǔ)器模塊或所述外部的非易失性存儲(chǔ)中讀取rank^的最佳模式切換時(shí)間； 當(dāng)所述第二 rank集合中ranl^的主存存儲(chǔ)模塊進(jìn)入空閑狀態(tài)時(shí)，所述rank ^的主存存儲(chǔ)模塊等待所述最佳模式切換時(shí)間后進(jìn)入低功耗模式。
13.如權(quán)利要求1所述的降低主存存儲(chǔ)器滿負(fù)荷運(yùn)行功耗的方法，其特征在于，所述第一 rank集合中的主存存儲(chǔ)模塊不會(huì)進(jìn)入低功耗模式。
【文檔編號(hào)】G06F1/32GK104460941SQ201410728907
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年12月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月3日
【發(fā)明者】亢勇, 陳邦明 申請(qǐng)人:上海新儲(chǔ)集成電路有限公司