本發(fā)明涉及一種觸控顯示裝置，尤其涉及一種具有內(nèi)建式觸控結(jié)構(gòu)的觸控顯示裝置。

背景技術(shù)：

近年來，隨著信息技術(shù)、無線移動(dòng)通信和信息家電等各項(xiàng)應(yīng)用的快速發(fā)展，為了達(dá)到更便利、體積更輕巧化以及更人性化的目的，許多信息產(chǎn)品的輸入裝置已由傳統(tǒng)的鍵盤或鼠標(biāo)等轉(zhuǎn)變?yōu)橛|控顯示面板(touch display panel)。目前常見的觸控顯示面板是在觸控面板與顯示面板分開制造后，再將觸控面板與顯示面板進(jìn)行組裝。以這種方式制作出來的觸控顯示面板會(huì)有成本較高、重量較重以及透光率較低等缺點(diǎn)，而仍有待改進(jìn)。

因此，已有許多內(nèi)建式的觸控結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使得顯示面板整體厚度得以薄化。但是，將觸控結(jié)構(gòu)整合于顯示面板內(nèi)又不想讓顯示功能與觸控功能彼此影響，會(huì)是內(nèi)建式觸控設(shè)計(jì)需要克服的議題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種觸控顯示裝置，具有內(nèi)建式的觸控感測結(jié)構(gòu)且有助于提升內(nèi)建式觸控感測結(jié)構(gòu)的感測性能。

本發(fā)明的觸控顯示裝置包括第一基板、第二基板、顯示介質(zhì)以及像素陣列結(jié)構(gòu)。顯示介質(zhì)位于第一基板與第二基板之間且像素陣列結(jié)構(gòu)位于第一基板與顯示介質(zhì)之間。像素陣列結(jié)構(gòu)包括掃描線、數(shù)據(jù)線、有源元件、多個(gè)像素電極、一信號電極層以及一信號傳輸層。數(shù)據(jù)線與掃描線交錯(cuò)排列。有源元件連接于掃描線與數(shù)據(jù)線。像素電極陣列排列。信號電極層包括多個(gè)信號電極且信號電極至少一部分重疊于像素電極。信號傳輸層包括信號線。信號線配置于相鄰兩列的像素電極之間并且電性連接信號電極的其中之一。數(shù)據(jù)線的至少一部分位于信號線之外。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述信號線的至少一部分位于數(shù)據(jù)線之外。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的數(shù)據(jù)線的另一部分重疊于信號線，且數(shù)據(jù)線與信號線彼此重疊的重疊面積占數(shù)據(jù)線的整體面積的50％以下。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的數(shù)據(jù)線包括多個(gè)數(shù)據(jù)線縱向部以及多個(gè)數(shù)據(jù)線轉(zhuǎn)折部。數(shù)據(jù)線轉(zhuǎn)折部的其中之一連接于兩個(gè)數(shù)據(jù)線縱向部之間。信號線包括多個(gè)信號線縱向部以及多個(gè)信號線轉(zhuǎn)折部。信號線轉(zhuǎn)折部的其中之一連接于兩個(gè)信號線縱向部之間。數(shù)據(jù)線轉(zhuǎn)折部交錯(cuò)于信號線轉(zhuǎn)折部，且數(shù)據(jù)線縱向部的其中之一位于信號線縱向部的其中之一的延伸線上。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的數(shù)據(jù)線縱向部在線寬方向上部分重疊信號線縱向部。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的數(shù)據(jù)線完全位于信號線之外。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的掃描線包括彼此相鄰的一第一掃描線與一第二掃描線。有源元件包括連接第一掃描線的一第一有源元件與連接第二掃描線的一第二有源元件，且第一有源元件與第二有源元件連接于同一條數(shù)據(jù)線。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的信號傳輸層還包括一信號連結(jié)線。信號連結(jié)線的線長小于數(shù)據(jù)線的線長，且數(shù)據(jù)線具有至少一外露線段以及至少一重疊線段。外露線段位于其中一條信號連結(jié)線之外且重疊線段重疊信號連結(jié)線。外露線段與重疊線段沿?cái)?shù)據(jù)線的延伸方向排列。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的信號傳輸層還包括多個(gè)信號連結(jié)線，連接于同一個(gè)信號電極。信號傳輸層還包括至少一連接線。連接線將信號連結(jié)線連接。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的信號電極層連接至一共用電位。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的觸控顯示裝置還包括一觸控感測電路，連接于信號電極層。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的觸控感測電路感測至少一個(gè)信號電極所感應(yīng)的感測電容變化。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，信號電極具有多個(gè)狹縫。信號電極相對于像素電極更鄰近顯示介質(zhì)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，像素電極具有多個(gè)狹縫。像素電極相對于信號 電極更鄰近顯示介質(zhì)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的像素陣列結(jié)構(gòu)還包括一絕緣層，絕緣層配置在數(shù)據(jù)線與信號傳輸層之間。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的顯示介質(zhì)為液晶。

基于上述，本發(fā)明一實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)使用信號電極層作為提供像素驅(qū)動(dòng)電場用的電極也作為觸控感測用的電極，因此具有內(nèi)建式的觸控感測結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，用以傳遞信號給信號電極層的信號傳輸層與數(shù)據(jù)線的至少一部分的正投影不重疊，而有助于降低數(shù)據(jù)線對于信號傳輸層造成的負(fù)載。如此一來，像素陣列結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)可以降低觸控感測時(shí)的噪聲比。因此，本發(fā)明實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)應(yīng)用于顯示面板以及觸控顯示裝置都可以提供良好的觸控感測功能。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖2為本發(fā)明另一實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；

圖3為圖2的像素陣列結(jié)構(gòu)沿剖線I-I’的剖面示意圖；

圖4為本發(fā)明又一實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；

圖5為圖4的像素陣列結(jié)構(gòu)沿剖線II-II’的剖面示意圖；

圖6A為本發(fā)明再一實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；

圖6B為圖6A的像素陣列結(jié)構(gòu)中數(shù)據(jù)線與信號線的示意圖；

圖7為圖6A的像素陣列結(jié)構(gòu)沿剖線III-III’的剖面示意圖；

圖8為圖6A的像素陣列結(jié)構(gòu)沿剖線IV-IV’的剖面示意圖；

圖9為本發(fā)明再一實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；

圖10為圖9的像素陣列結(jié)構(gòu)沿剖線V-V’的剖面示意圖；

圖11為圖9的像素陣列結(jié)構(gòu)沿剖線VI-VI’的剖面示意圖；

圖12為本發(fā)明又一實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖13為本發(fā)明另一實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖14為圖13的像素陣列結(jié)構(gòu)中部分E2的一種實(shí)施方式的俯視示意圖；

圖15為圖14的像素陣列結(jié)構(gòu)沿剖線VII-VII’的剖面示意圖；

圖16為本發(fā)明一實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)的局部構(gòu)件的示意圖，其中圖16僅示出了像素陣列結(jié)構(gòu)的掃描線、數(shù)據(jù)線、信號電極層與信號傳輸層；

圖17為圖16的像素陣列結(jié)構(gòu)中標(biāo)注為X1與X2的信號電極的局部俯視示意圖；

圖18為本發(fā)明另一實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)的局部部位中數(shù)據(jù)線、信號電極與信號傳輸層的示意圖；

圖19為本發(fā)明另一實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)的局部部位中數(shù)據(jù)線與信號傳輸層的示意圖；

圖20為本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板的示意圖；

圖21為本發(fā)明一實(shí)施例的觸控顯示裝置的示意圖。

附圖標(biāo)記說明：

1：顯示面板；

2：觸控顯示裝置；

10、20：基板；

100、100A、100B、100C、100D、100E、200、300、400、500：像素陣列結(jié)構(gòu)；

110、212、214、310：掃描線；

120、120A、120C、120D、120E、220、320：數(shù)據(jù)線；

130、232、234：有源元件；

140、140A、140B、240：像素電極；

150、150A、150B、250、350：信號電極層；

152、152A、152B、252、352、X1～X4：信號電極；

160、160A、160C、160D、160E、260、360、460、560：信號傳輸層；

162、162A、162C、162D、162E、262、362：信號線；

322：外露線段；

324：重疊線段；

364、464、564：信號連結(jié)線；

366、466、566：連接線；

C120A、C120C：數(shù)據(jù)線重疊正投影；

E120A、E120C：數(shù)據(jù)線外露正投影；

E162A、E162C：信號線外露正投影；

CD：數(shù)據(jù)線轉(zhuǎn)折部；

CV：信號線轉(zhuǎn)折部；

CH：通道層；

CM：導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；

DM：顯示介質(zhì)；

GI、PV1、PV2、PV3：絕緣層；

IC：觸控感測電路；

O150A、O250：開口；

OG：平坦層；

P1、P2、P3：節(jié)距；

PX：像素陣列結(jié)構(gòu)；

S：狹縫；

SUB1：第一基板；

SUB2：第二基板；

T1：第一端；

T2：第二端；

T3：第三端；

TR：橫向走線區(qū)；

U1、U2、U3：傳輸單元；

VD1、VD1’、VD2、VD2’：數(shù)據(jù)線縱向部；

VV1、VV1’、VV2、VV2’：信號線縱向部；

VR、VR1～VR12：縱向走線區(qū)；

W1、W2、W3、W4、W5、W6、W7、W8：接觸窗。

具體實(shí)施方式

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)的示意圖。請參照圖1，像素陣列結(jié)構(gòu)100包括多條掃描線110、多條數(shù)據(jù)線120、多個(gè)有源元件130、多個(gè)像素電極140、一信號電極層150以及一信號傳輸層160。數(shù)據(jù)線120與掃描 線110交錯(cuò)排列。有源元件130連接于掃描線110與數(shù)據(jù)線120。像素電極140連接于有源元件130，其中像素電極140陣列排列，且縱向走線區(qū)VR分別位于相鄰兩列的像素電極140之間。信號電極層150與像素電極140上下相迭且信號電極層150包括相互獨(dú)立的多個(gè)信號電極152。信號傳輸層160包括多條信號線162，且各信號線162電性連接其中一個(gè)信號電極152。數(shù)據(jù)線120與信號線162配置在縱向走線區(qū)VR中。在本實(shí)施例中，有源元件130可以是一種三端元件，其中第一端T1連接至掃描線110、第二端T2連接至數(shù)據(jù)線120而第三端T3連接至像素電極140。舉例而言，有源元件130可以是薄膜晶體管，其中掃描線110可以控制有源元件130的開啟與關(guān)閉，數(shù)據(jù)線120則用來傳遞顯示畫面所需要的信號，且數(shù)據(jù)線120上的信號可在有源元件130被開啟時(shí)輸入給對應(yīng)的像素電極140。

在圖1中，信號電極152與像素電極140彼此重疊，而可以用來提供像素驅(qū)動(dòng)電場，且信號電極152還可以作為觸控感測用的電極。一般來說，觸控感測用的電極所需要解析度僅需要分辨出使用者的指端或是觸控筆筆端的接觸面積大小即可，不需要像像素電極140一樣高的解析度。因此，各個(gè)信號電極152的面積可以大于像素電極140的面積。在本實(shí)施例中，以單一個(gè)信號電極152的面積涵蓋4×2個(gè)像素電極140的面積來說明。不過，在實(shí)際應(yīng)用中，單一個(gè)信號電極152的面積所涵蓋的像素電極140的數(shù)量可以依據(jù)實(shí)際產(chǎn)品的解析度而定。

另外，像素電極140排列成多個(gè)行與多個(gè)列。相鄰兩行像素電極140之間定義出一條橫向走線區(qū)TR，且每個(gè)橫向走線區(qū)TR中設(shè)置有一條掃描線110。相鄰兩列像素電極140之間定義出一條縱向走線區(qū)VR，且同一個(gè)縱向走線區(qū)VR中設(shè)置有一條數(shù)據(jù)線120與一條信號線162。此時(shí)，同一個(gè)縱向走線區(qū)VR中的數(shù)據(jù)線120與信號線162難以避免的會(huì)產(chǎn)生彼此耦合的現(xiàn)象而增加信號傳輸層160的負(fù)載。由于觸控感測電路往往希望信號傳輸層160所承受的負(fù)載(例如RC-loading)越小越好，數(shù)據(jù)線120與信號線162的耦合現(xiàn)象越顯著，將使觸控感測的功能受到不良影響，例如信號噪聲比(signal-noise ratio)不佳。因此，像素陣列結(jié)構(gòu)100可以依照以下實(shí)施例的任一種方式來實(shí)施以降低信號傳輸層160的負(fù)載而提升觸控感測的性能。

圖2為本發(fā)明另一實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)的俯視示意圖，而圖3為圖2 的像素陣列結(jié)構(gòu)沿剖線I-I’的剖面示意圖。請參照圖2，像素陣列結(jié)構(gòu)100A對應(yīng)于圖1的像素陣列結(jié)構(gòu)100中的部分E1，且在圖2中，部分構(gòu)件的元件符號沿用圖1中標(biāo)注的元件符號。因此，圖2中各個(gè)構(gòu)件的配置關(guān)系可以參照圖1。具體而言，像素陣列結(jié)構(gòu)100A包括掃描線110、數(shù)據(jù)線120A、有源元件130、像素電極140A、信號電極層150A以及信號傳輸層160A。在本實(shí)施例中，像素電極140A與其他構(gòu)件的連接關(guān)系相同于圖1的像素電極140，不過在此實(shí)施例中，像素電極140A可具有多個(gè)狹縫S。信號電極層150A與其他構(gòu)件的連接關(guān)系相同于圖1的信號電極層150，不過，在此實(shí)施例中，信號電極層150A可具有一開口O150A以暴露出有源元件130。同時(shí)，信號傳輸層160A的信號線162A與其他構(gòu)件的連接關(guān)系相同于圖1的信號傳輸層160的信號線162，且數(shù)據(jù)線120A與其他構(gòu)件的連接關(guān)系相同于圖1的數(shù)據(jù)線120。本實(shí)施例中，信號線162A與數(shù)據(jù)線120A彼此部分重疊且彼此部分不重疊。

在本實(shí)施例中，以垂直于第一基板110的正投影而言，數(shù)據(jù)線120A具有一數(shù)據(jù)線重疊正投影C120A以及一數(shù)據(jù)線外露正投影E120A，其中數(shù)據(jù)線重疊正投影C120A重疊于同樣位于同一個(gè)縱向走線區(qū)VR的信號線162A的正投影，且數(shù)據(jù)線外露正投影E120A在這條信號線162A的正投影之外。進(jìn)一步來說，信號線162A具有一信號線外露正投影E162A。信號線外露正投影E162A在對應(yīng)的數(shù)據(jù)線120A的正投影之外，并且在線寬方向上，數(shù)據(jù)線重疊正投影C120A位于數(shù)據(jù)線外露正投影E120A與信號線外露正投影E162A之間。在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線重疊正投影C120A可以占數(shù)據(jù)線120A的整體面積的50％以下。如此一來，信號線162A僅有一部分重疊于數(shù)據(jù)線120A而可以減輕數(shù)據(jù)線120A與信號線162A彼此間的耦合現(xiàn)象。

請同時(shí)參照圖2與圖3，像素陣列結(jié)構(gòu)100A實(shí)質(zhì)上是由堆疊于基板10上的多個(gè)膜層所構(gòu)成。有源元件130的第一端T1連接于掃描線110是由配置在基板10上的第一導(dǎo)電層構(gòu)成，其中圖3雖未標(biāo)注掃描線110，但第一端T1實(shí)質(zhì)上是掃描線110的一部分。絕緣層GI覆蓋第一導(dǎo)電層所構(gòu)成的第一端T1與掃描線110。絕緣層GI上設(shè)置有通道層CH，其作為有源元件130的通道，且由半導(dǎo)體材質(zhì)制作。有源元件130的第二端T2與第三端T3以及數(shù)據(jù)線120A都配置于絕緣層GI上而由第二導(dǎo)電層構(gòu)成，其中第二端T2與第三 端T3配置于通道層CH上且彼此實(shí)體上分隔開來。第一端T1、第二端T2、第三端T3與通道層CH共同構(gòu)成有源元件130。

絕緣層PV1覆蓋數(shù)據(jù)線120A、第二端T2、第三端T3與通道層CH，且信號傳輸層160A配置于絕緣層PV1上。信號傳輸層160A由第三導(dǎo)電層構(gòu)成。第三導(dǎo)電層可選擇性地還包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)CM，且絕緣層PV1具有接觸窗W1以讓導(dǎo)電結(jié)構(gòu)CM通過接觸窗W1連接于有源元件130的第三端T3。絕緣層PV2覆蓋信號傳輸層160A且平坦層OG配置于絕緣層PV2上。信號電極層150A配置于平坦層OG上，其中接觸窗W2貫穿平坦層OG與絕緣層PV2以讓信號電極層150A的信號電極152通過接觸窗W2電性連接至信號線162A。絕緣層PV3覆蓋信號電極層150A的信號電極152A。像素電極140A配置于絕緣層PV3上，且像素電極140A通過接觸窗W3連接至導(dǎo)電結(jié)構(gòu)CM以通過導(dǎo)電結(jié)構(gòu)CM電性連接至有源元件130的第三端T3，其中接觸窗W3貫穿絕緣層PV3、平坦層OG與絕緣層PV2。此外，信號電極層150A具有開口O150A以暴露出有源元件130且接觸窗W3位于開口O150A的面積中。在此實(shí)施例中，信號傳輸層160A位于平坦層OG下方，可通過平坦層OG的膜厚，增加信號傳輸層160A與信號電極層150A的距離，以降低信號傳輸層160A與信號電極層150A耦合(coupling)效應(yīng)。

在一實(shí)施例中，信號傳輸層160A的信號線162A可以延伸至重疊于不只一個(gè)信號電極152A，而僅與所重疊的其中一個(gè)信號電極152A電性連接。因此，在平坦層OG的設(shè)置下，增加信號傳輸層160A與信號電極層150A的距離，有助于降低信號傳輸層160A的信號線162A與未直接電性連接的信號電極152A之間的耦合現(xiàn)象。

在本實(shí)施例中，上述第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層與第三導(dǎo)電層的材質(zhì)可以是金屬、金屬合金、導(dǎo)電氧化物、有機(jī)導(dǎo)電材料或是上述材料的組合，且第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層與第三導(dǎo)電層各自可以是多層導(dǎo)電材料層構(gòu)成的迭層。絕緣層PV1、PV2與PV3的材質(zhì)可以是絕緣的氧化物、氮化物、氮氧化物，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。平坦層OG可以是有機(jī)絕緣材料。信號電極152A與像素電極140A可以由透明導(dǎo)電材料制作或是由可透光的導(dǎo)電層構(gòu)成，可透光的導(dǎo)電層例如有金屬網(wǎng)格層、奈米導(dǎo)電絲層、奈米碳管層或其他導(dǎo)電層。不過，上述材質(zhì)僅是舉例說明之用，并非用以限定本發(fā)明。另外， 絕緣層PV2與平坦層OG可以省略其中一者。

由圖3可知，信號電極152A位于像素電極140A與基板10之間，且像素電極140A可具有多個(gè)狹縫S。這些狹縫S的正投影重疊于信號電極152A本身的正投影。當(dāng)像素陣列結(jié)構(gòu)100A應(yīng)用于裝置中且顯示畫面時(shí)，信號電極152A可被輸入共用電位，像素電極140A則接收來自數(shù)據(jù)線120A所傳遞的信號，以通過狹縫S所在處產(chǎn)生邊緣電場效應(yīng)而產(chǎn)生像素驅(qū)動(dòng)電場E。如此一來，像素陣列結(jié)構(gòu)100A可以驅(qū)動(dòng)顯示裝置中的顯示介質(zhì)而實(shí)現(xiàn)顯示功能。不過，像素陣列結(jié)構(gòu)100A也可以采用其他方式來產(chǎn)生像素驅(qū)動(dòng)電場E，無須局限在上述方式。舉例而言，像素陣列結(jié)構(gòu)100A可以應(yīng)用于采用垂直驅(qū)動(dòng)電場式(vertical field type)的顯示裝置中或是共平面切換形式(in-plane switch type)的顯示裝置中。

另外，數(shù)據(jù)線120A所在膜層位于信號傳輸層160A所在膜層與掃描線110所在膜層之間，且數(shù)據(jù)線120A所在膜層(即第二導(dǎo)電層)與信號傳輸層160A所在膜層(即第三導(dǎo)電層)之間僅夾有一層絕緣層PV1，這可能使得數(shù)據(jù)線120A與信號傳輸層160A彼此之間的耦合現(xiàn)象較為顯著。不過，在本實(shí)施例中，如圖2所示，數(shù)據(jù)線120A僅有一部分的正投影重疊于信號線162A的正投影，且信號線162A的正投影僅有一部分重疊于數(shù)據(jù)線120A的正投影。藉此，數(shù)據(jù)線120A與信號傳輸層160A之間的耦合現(xiàn)象可減輕許多。換言之，數(shù)據(jù)線120A與信號傳輸層160A之間的負(fù)載可以降低而有助于提升的觸控感測性能。

在本實(shí)施例中，信號電極層150A單獨(dú)一層就可以實(shí)現(xiàn)觸控感測功能，因此像素陣列結(jié)構(gòu)100A是具有單層電極方案(One Layer Solution,OLS)的觸控感測結(jié)構(gòu)。信號電極層150A的各個(gè)信號電極152A可以采用自容式感測模式進(jìn)行觸控感測，或是信號電極層150A的信號電極152A可以兩兩成對而采用互容式感測模式進(jìn)行觸控感測。此外，信號電極層150A既作為顯示用的電極層也作為觸控用的電極層，因此本實(shí)施例可以在無須提供額外的膜層之下就具有內(nèi)建式的觸控感測結(jié)構(gòu)。

圖4為本發(fā)明又一實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)的俯視示意圖，而圖5為圖4的像素陣列結(jié)構(gòu)沿剖線II-II’的剖面示意圖。請參照圖4，像素陣列結(jié)構(gòu)100B相似于像素陣列結(jié)構(gòu)100A，且像素陣列結(jié)構(gòu)100B包括掃描線110、數(shù)據(jù)線 120A、有源元件130、像素電極140B、信號電極層150B以及信號傳輸層160A。具體而言，像素陣列結(jié)構(gòu)100B中的掃描線110、數(shù)據(jù)線120A、有源元件130以及信號傳輸層160A的具體描述可參照前述實(shí)施例的說明。

請同時(shí)參照圖4與圖5，在本實(shí)施例中，像素電極140B與信號電極層150B的迭置順序不同于前述圖2與圖3的實(shí)施例。具體而言，像素電極140B位于信號電極層150B與基板10之間，且信號電極層150B具有狹縫S，其中像素電極140B的正投影重疊于狹縫S的正投影以通過像素電極140B與信號電極層150B提供像素驅(qū)動(dòng)電場E。

由圖5可知，信號電極層150B的信號電極152B可以通過貫穿絕緣層PV3、平坦層OG與絕緣層PV2的接觸窗W4電性連接至信號傳輸層160A的信號線162A。另外，像素電極140B位于平坦層OG與絕緣層PV3之間并且通過貫穿平坦層OG與絕緣層PV2的接觸窗W5連接至導(dǎo)電結(jié)構(gòu)CM以電性連接于有源元件130的第三端T3。

在本實(shí)施例中，信號電極層150B的信號電極152B既可以提供顯示畫面的功能又可以提供觸控感測的功能，因此本實(shí)施例不需要額外的膜層就可以具有內(nèi)建式的觸控感測結(jié)構(gòu)。另外，數(shù)據(jù)線120A與信號傳輸層160A的信號線162A雖然位于同一個(gè)縱向走線區(qū)VR中，數(shù)據(jù)線120A的正投影與對應(yīng)的信號線162A的正投影僅有部分重疊，而有助于減輕數(shù)據(jù)線120A與信號線162A之間的耦合作用。因此，信號傳輸層160A的負(fù)載可以減少而有助于改善觸控感測性能。

圖6A為本發(fā)明再一實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)的俯視示意圖，而圖6B為圖6A的像素陣列結(jié)構(gòu)中數(shù)據(jù)線與信號線的示意圖。圖7與圖8則分別為圖6A的像素陣列結(jié)構(gòu)沿剖線III-III’與剖線IV-IV’的剖面示意圖。在圖6A、7與8中，像素陣列結(jié)構(gòu)100C相似于像素陣列結(jié)構(gòu)100A，且像素陣列結(jié)構(gòu)100C包括掃描線110、數(shù)據(jù)線120C、有源元件130、像素電極140A、信號電極層150A以及信號傳輸層160C。具體而言，像素陣列結(jié)構(gòu)100C中的掃描線110、有源元件130、像素電極140A、信號電極層150A、各膜層之間的絕緣層GI、PV1～PV3以及平坦層OG的具體描述可參照前述實(shí)施例的說明。在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線120C與信號傳輸層160C的信號線162C分別為折曲狀(zigzag shape)，此設(shè)計(jì)可以減少兩條線性結(jié)構(gòu)的正投影的重疊比例而減輕信號傳輸層 160C的負(fù)載。

由圖6A與圖6B可知，數(shù)據(jù)線120C包括多個(gè)數(shù)據(jù)線縱向部VD1、VD2以及多個(gè)數(shù)據(jù)線轉(zhuǎn)折部CD。數(shù)據(jù)線縱向部VD1、VD2各自沿著縱向方向延伸，且各數(shù)據(jù)線轉(zhuǎn)折部CD連接于兩個(gè)數(shù)據(jù)線縱向部VD1、VD2之間。信號線162C包括多個(gè)信號線縱向部VV1、VV2以及多個(gè)信號線轉(zhuǎn)折部CV。信號線縱向部VV1、VV2各自沿著縱向方向延伸，且各信號線轉(zhuǎn)折部CV連接于兩個(gè)信號線縱向部VV1與VV2之間。數(shù)據(jù)線轉(zhuǎn)折部CD與信號線轉(zhuǎn)折部CV的傾斜方向不同且數(shù)據(jù)線轉(zhuǎn)折部CD交錯(cuò)于信號線轉(zhuǎn)折部CV。

進(jìn)一步來說，數(shù)據(jù)線縱向部VD1與信號線縱向部VV1彼此并排，且數(shù)據(jù)線縱向部VD2與信號線縱向部VV2彼此并排。數(shù)據(jù)線縱向部VD1位于信號線縱向部VV2的延伸線上，且數(shù)據(jù)線縱向部VD2位于信號線縱向部VV1的延伸線上。也就是說，數(shù)據(jù)線縱向部VD1與信號線縱向部VV2交替的沿著同一個(gè)線性軌跡分布，且數(shù)據(jù)線縱向部VD2與信號線縱向部VV1交替的沿著同一個(gè)線性軌跡分布。另外，數(shù)據(jù)線縱向部VD1的正投影在線寬方向上部分重疊信號線縱向部VV1的正投影而部分位于這個(gè)信號線縱向部VV1的正投影之外。同樣地，數(shù)據(jù)線縱向部VD2的正投影在線寬方向上部分重疊信號線縱向部VV2的正投影而部分位于這個(gè)信號線縱向部VV2的正投影之外。換言之，由圖7與圖8可知，數(shù)據(jù)線120C具有一數(shù)據(jù)線重疊正投影C120C以及一數(shù)據(jù)線外露正投影E120C，其中數(shù)據(jù)線重疊正投影C120C重疊于對應(yīng)的信號線162C的正投影，且數(shù)據(jù)線外露正投影E120C在這條信號線162C的正投影之外。進(jìn)一步來說，信號線162C具有一信號線外露正投影E162C。信號線外露正投影E162C在對應(yīng)的數(shù)據(jù)線120C的正投影之外，并且數(shù)據(jù)線重疊正投影C120C位于數(shù)據(jù)線外露正投影E120C與信號線外露正投影E162C之間。并且，以圖6A、圖7至圖8的圖面與文字標(biāo)示方向來說，對應(yīng)于數(shù)據(jù)線縱向部VD1的數(shù)據(jù)線外露正投影E120C位于數(shù)據(jù)線重疊正投影C120C的右側(cè)而對應(yīng)于數(shù)據(jù)線縱向部VD2的數(shù)據(jù)線外露正投影E120C位于數(shù)據(jù)線重疊正投影C120C的左側(cè)。整體而言，數(shù)據(jù)線120C在第一基板110上的正投影與信號線162C在第一基板上的正投影僅有部分彼此重疊而另一部分彼此不重疊，藉此可減輕與數(shù)據(jù)線120C相關(guān)的耦合現(xiàn)象而降低信號傳輸層160C的負(fù)載。舉例而言，數(shù)據(jù)線重疊正投影C120C，即數(shù)據(jù)線120C與信號線162C 彼此重疊的面積，可以占數(shù)據(jù)線120C整體面積的50％以下。

在一實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線120C與信號線162C會(huì)在不同的圖案化步驟中加以制作。因此，兩個(gè)圖案化步驟分別進(jìn)行即有可能存在基于對位上的誤差而導(dǎo)致數(shù)據(jù)線120C與信號線162C的相對位置與預(yù)設(shè)條件不符。不過，在本實(shí)施例中數(shù)據(jù)線120C與信號線162C分別為折曲狀且兩個(gè)線性結(jié)構(gòu)的彎折方向相反。因此，一旦因?yàn)樯鲜鰧ξ徽`差發(fā)生導(dǎo)致數(shù)據(jù)線120C與信號線162C的相對位置與預(yù)設(shè)條件不符，數(shù)據(jù)線120C與信號線162C的重疊面積比例不會(huì)發(fā)生明顯變化。

舉例而言，若圖6A的像素陣列結(jié)構(gòu)100C中，因?yàn)閷ξ徽`差使得數(shù)據(jù)線120C相對于原本的預(yù)設(shè)位置向圖面的右偏移，則在第一基板110上的正投影中，數(shù)據(jù)線縱向部VD1重疊于信號線縱向部VV1的重疊面積會(huì)比預(yù)設(shè)值來的小，但數(shù)據(jù)線縱向部VD2重疊于信號線縱向部VV2的重疊面積會(huì)比預(yù)設(shè)值來的大。因此，數(shù)據(jù)線縱向部VD1與數(shù)據(jù)線縱向部VD2重疊于信號線162C的重疊面積可以彼此補(bǔ)償而不受到制程誤差影響。換言之，將數(shù)據(jù)線120C與信號線162C采用折曲狀的設(shè)計(jì)，則即使制程步驟中發(fā)生對位偏移的現(xiàn)象，數(shù)據(jù)線120C與信號線162C的面積重疊比例仍可維持在預(yù)設(shè)的范圍內(nèi)，這有助于提升制程裕度，并且使得最終產(chǎn)品具有一致的品質(zhì)。另外，即使發(fā)生對位偏移現(xiàn)象，數(shù)據(jù)線120C與信號線162C整體所占據(jù)的面積不會(huì)增加，因此像素陣列結(jié)構(gòu)100C應(yīng)用于顯示裝置時(shí)不會(huì)因?yàn)閿?shù)據(jù)線120C與信號線162C整體所占據(jù)的面積增加而導(dǎo)致透光區(qū)或有效顯示區(qū)的面積被犧牲。

圖9為本發(fā)明再一實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)的俯視示意圖，而圖10與圖11分別為圖9中剖線V-V’與剖線VI-VI’的剖面示意圖。像素陣列結(jié)構(gòu)100D相似于像素陣列結(jié)構(gòu)100C，且兩實(shí)施例中以相同元件符號標(biāo)示的構(gòu)件代表具有相同功能的構(gòu)件。兩實(shí)施例的差異點(diǎn)主要在于，信號傳輸層160D中，信號線162D的折曲幅度相較于前述信號線162C更大，且數(shù)據(jù)線120D的折曲幅度相較于前述數(shù)據(jù)線120C更大。如此一來，彼此并排的數(shù)據(jù)線縱向部VD1’與信號線縱向部VV1’相隔一間隙G1，且彼此并排的數(shù)據(jù)線縱向部VD2’與信號線縱向部VV2’相隔一間隙G2，其中間隙G1與間隙G2可以相等或是略有差異。如此一來，數(shù)據(jù)線120D的正投影與信號線162D的正投影的重疊僅在數(shù)據(jù)線轉(zhuǎn)折部CD交錯(cuò)于信號線轉(zhuǎn)折部CV處，因此可以更有效地減少數(shù)據(jù) 線120D對信號傳輸層160D造成的負(fù)載。

圖12為本發(fā)明又一實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)的示意圖。請參照圖12，像素陣列結(jié)構(gòu)100E大致相同于像素陣列結(jié)構(gòu)100C，不過數(shù)據(jù)線120E在不同列像素電極140A處具有不同的折曲方向，且信號傳輸層160E的信號線162E在不同列像素電極140A處也具有不同的折曲方向。以圖12中的文字方向而言，奇數(shù)條數(shù)據(jù)線120E由上至下的轉(zhuǎn)折方式是右、左、左、右，且奇數(shù)條信號線162E由上至下的轉(zhuǎn)折方式是左、右、右、左。偶數(shù)條數(shù)據(jù)線120E由上至下的轉(zhuǎn)折方式是右、左、右、左，且偶數(shù)條信號線162E由上至下的轉(zhuǎn)折方式是左、右、左、右。在其他實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線120E與信號線162E的轉(zhuǎn)折方向并不需特別限定，只要數(shù)據(jù)線120E與信號線162E的轉(zhuǎn)折方向相反，讓數(shù)據(jù)線120E與信號線162E在面積上的重疊比例降低就可以應(yīng)用于以上實(shí)施例中的任何一者，以降低觸控感測電路的負(fù)載而提升觸控感測性能。此設(shè)計(jì)亦可減少因?yàn)橹瞥躺蠈M的偏移誤差所造成的可視性問題。

前述圖2到圖12實(shí)施例都可以應(yīng)用于圖1的像素陣列結(jié)構(gòu)100中。由圖1可知，為了實(shí)現(xiàn)觸控感測的功能，信號傳輸層160中的信號線162可以朝向一連接端(未示出)延伸以連接至觸控感測電路，使得對應(yīng)的信號電極152通過信號線162連接至觸控感測電路。不過，連接端一般都設(shè)置在像素陣列結(jié)構(gòu)100的一側(cè)，使得不同信號電極152與連接端之間的距離不相等。如此一來，信號傳輸層160的信號線162的布線長度也會(huì)不一致。同時(shí)，不同信號線162與對應(yīng)的數(shù)據(jù)線120的重疊面積也可能會(huì)不同，這將導(dǎo)致對應(yīng)于不同信號電極152所受到的負(fù)載也不相同。

圖13為本發(fā)明另一實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)的示意圖。請參照圖13，像素陣列結(jié)構(gòu)200包括多個(gè)掃描線212、214、多條數(shù)據(jù)線220、多個(gè)有源元件232、234、多個(gè)像素電極240、一信號電極層250以及一信號傳輸層260，其中掃描線212與214可分別視為第一掃描線與第二掃描線而有源元件232、234可分別視為第一有源元件與第二有源元件。像素電極240排列成陣列，且像素電極240之間存在多個(gè)橫向走線區(qū)TR與多個(gè)縱向走線區(qū)VR。掃描線212與214彼此相鄰且位于其中一個(gè)橫向走線區(qū)TR，數(shù)據(jù)線220位于縱向走線區(qū)VR中并交錯(cuò)于掃描線212、214。各有源元件232連接于其中一條掃描線212與其中一條數(shù)據(jù)線120且各有源元件234連接于其中一條掃描線214 與其中一條數(shù)據(jù)線120。信號電極層250包括相互獨(dú)立的多個(gè)信號電極252，且各個(gè)信號電極252的面積可以大于像素電極240的面積。信號傳輸層260包括多條信號線262，且各信號線262電性連接其中一個(gè)信號電極252。在本實(shí)施例中，有源元件232或234可以是一種三端元件，其中第一端T1連接至掃描線212或214、第二端T2連接至數(shù)據(jù)線220而第三端T3連接至像素電極240。舉例而言，有源元件232或234可以是薄膜晶體管，其中掃描線212或214可以控制有源元件232或234的開啟與關(guān)閉，數(shù)據(jù)線220則用來傳遞顯示畫面所需要的信號，且數(shù)據(jù)線220上的信號可在有源元件232或234被開啟時(shí)輸入給對應(yīng)的像素電極240。

本實(shí)施例采用雙掃描線對應(yīng)一條數(shù)據(jù)線的布線設(shè)計(jì)，因此數(shù)據(jù)線220僅設(shè)置于相鄰兩個(gè)縱向走線區(qū)VR的其中一者，而信號線262可以設(shè)置于相鄰兩個(gè)縱向走線區(qū)VR的另一者中。也就是說，數(shù)據(jù)線220與信號線262配置在不同的縱向走線區(qū)VR中。在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線220的配置節(jié)距大致上相同于信號線262的配置節(jié)距，且這兩種線性結(jié)構(gòu)的配置節(jié)距大致上都是縱向走線區(qū)VR的節(jié)距的兩倍。因此，數(shù)據(jù)線220的整體面積都位于信號線262的面積之外而可以減輕數(shù)據(jù)線220對信號傳輸層260造成的負(fù)載。

圖14為圖13的像素陣列結(jié)構(gòu)中部分E2的一種實(shí)施方式的俯視示意圖，圖15為圖14的像素陣列結(jié)構(gòu)沿剖線VII-VII’的剖面示意圖。請同時(shí)參照圖14與圖15，像素陣列結(jié)構(gòu)200實(shí)質(zhì)上是由堆疊于基板20上的多個(gè)膜層所構(gòu)成。有源元件232(或234，不過圖15僅示出有源元件232)的第一端T1連接于掃描線212(或214)是由配置在基板20上的第一導(dǎo)電層構(gòu)成，其中圖15雖未標(biāo)注掃描線212，但第一端T1實(shí)質(zhì)上是掃描線212的一部分。絕緣層GI覆蓋第一導(dǎo)電層所構(gòu)成的第一端T1與掃描線212。絕緣層GI上設(shè)置有通道層CH，其作為有源元件232的通道，且由半導(dǎo)體材質(zhì)制作。有源元件232的第二端T2與第三端T3以及數(shù)據(jù)線220都配置在絕緣層GI上而由第二導(dǎo)電層構(gòu)成，其中第二端T2與第三端T3配置在通道層CH上且彼此實(shí)體上分隔開來。第一端T1、第二端T2、第三端T3與通道層CH共同構(gòu)成有源元件232。

絕緣層PV1覆蓋數(shù)據(jù)線220、第二端T2、第三端T3與通道層CH，且信號傳輸層260配置在絕緣層PV1上。信號傳輸層260由第三導(dǎo)電層構(gòu)成。第 三導(dǎo)電層可選擇性地還包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)CM，且絕緣層PV1具有接觸窗W6以讓導(dǎo)電結(jié)構(gòu)CM通過接觸窗W6電性連接于有源元件232的第三端T3。絕緣層PV2與平坦層OG覆蓋信號傳輸層260且信號電極層250配置在平坦層OG上，其中一接觸窗W7貫穿平坦層OG與絕緣層PV2以讓信號電極層250的信號電極252通過接觸窗W7電性連接至信號線262。絕緣層PV3則覆蓋信號電極層250的信號電極252。像素電極240配置在絕緣層PV3上，且像素電極240通過接觸窗W8連接至導(dǎo)電結(jié)構(gòu)CM并通過導(dǎo)電結(jié)構(gòu)CM電性連接至有源元件232的第三端T3，其中接觸窗W8貫穿絕緣層PV3、平坦層OG與絕緣層PV2。此外，信號電極層250具有開口O250以暴露出有源元件252的面積且接觸窗W8位于開口O250的面積中。

由圖15可知，信號電極252位于像素電極240與基板20之間，且像素電極240具有多個(gè)狹縫S。這些狹縫S的正投影重疊于信號電極252本身的正投影。當(dāng)像素陣列結(jié)構(gòu)200應(yīng)用于裝置中，信號電極252可被輸入共用電位，像素電極240則接收來自數(shù)據(jù)線220所傳遞的信號，以通過狹縫S所在處產(chǎn)生邊緣電場效應(yīng)而產(chǎn)生像素驅(qū)動(dòng)電場E。如此一來，像素陣列結(jié)構(gòu)200可以驅(qū)動(dòng)裝置中的顯示介質(zhì)而提供顯示功能。

另外，由圖14可知，數(shù)據(jù)線220的正投影與信號傳輸層260的信號線262的正投影彼此分離而無重疊，因此，無論數(shù)據(jù)線220所在膜層與信號線262所在膜層之間存在多少層絕緣層，數(shù)據(jù)線220與信號線262之間的耦合作用都不顯著而不會(huì)對信號傳輸層260造成負(fù)擔(dān)。因此，像素陣列結(jié)構(gòu)200可以符合觸控感測電路的要求，并具有理想的觸控感測性能。

在上述實(shí)施例中，連接于觸控感測電路的信號線數(shù)量僅需等于信號電極的數(shù)量即可以將每個(gè)信號電極都連接至觸控感測電路而實(shí)現(xiàn)觸控感測的功能。因此，信號傳輸層可以包括多條不需要向外延伸且不會(huì)直接的實(shí)體上連接至觸控感測電路但電性連通于其中一個(gè)信號電極的信號連結(jié)線。舉例而言，圖16為本發(fā)明一實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)的局部構(gòu)件的示意圖，其中圖16僅示出了像素陣列結(jié)構(gòu)的掃描線、數(shù)據(jù)線、信號電極層與信號傳輸層。請參照圖16，像素陣列結(jié)構(gòu)300包括多條掃描線310、多條數(shù)據(jù)線320、多個(gè)有源元件、多個(gè)像素電極、一信號電極層350以及一信號傳輸層360，其中本實(shí)施例為了簡化圖示以清楚表示部分構(gòu)件，圖16中省略了多個(gè)有源元件與多個(gè) 像素電極，而多個(gè)有源元件與多個(gè)像素電極的功能與配置位置可以參照上述實(shí)施例的任一者。另外，像素陣列結(jié)構(gòu)300中各構(gòu)件的堆疊順序可以參照前述實(shí)施例任一者的方式來配置。

在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線320與掃描線310交錯(cuò)排列。這些數(shù)據(jù)線320分別位于多個(gè)縱向走線區(qū)VR中，且每個(gè)縱向走線區(qū)VR中可以設(shè)置有一條數(shù)據(jù)線320，不過隨著數(shù)據(jù)線320的分布密度設(shè)計(jì)，部分縱向走線區(qū)VR中可以未設(shè)置有數(shù)據(jù)線320。在此，為了方便描述，部分的縱向走線區(qū)VR編號為縱向走線區(qū)VR1至縱向走線區(qū)VR12。信號電極層350包括多個(gè)信號電極352，其中各個(gè)信號電極352的正投影涵蓋12條數(shù)據(jù)線320以及3條掃描線310。上述數(shù)值僅是舉例說明之用，其他實(shí)施例的設(shè)計(jì)可以使各個(gè)信號電極352的正投影中設(shè)置有X條掃描線310與Y條數(shù)據(jù)線320，且X與Y分別為正整數(shù)。為了清楚說明信號電極352相對于其他構(gòu)件的設(shè)置關(guān)系，圖16中繪制的4個(gè)信號電極352分別以X1至X4標(biāo)注。

圖17為圖16的像素陣列結(jié)構(gòu)中標(biāo)注為X1與X2的信號電極的局部俯視示意圖。請同時(shí)參照圖16與圖17，在本實(shí)施例中，信號傳輸層360包括多條信號線362。各條信號線362用以將所連接的信號電極352連接至觸控感測電路。為了連接至觸控感測電路，信號線362可以延伸至未電性連接的信號電極352的正投影中。舉例而言，設(shè)置在縱向走線區(qū)域VR1與縱向走線區(qū)VR2中的信號線362電性連接標(biāo)注為X1的信號電極352，并且還延伸到標(biāo)注為X2的信號電極352的正投影中。另外，設(shè)置在縱向走線區(qū)域VR7與縱向走線區(qū)VR8中的信號線362電性連接標(biāo)注為X2的信號電極352并且向外延伸至標(biāo)注為X2的信號電極352的正投影之外。同時(shí)，信號傳輸層360還選擇性地設(shè)置有補(bǔ)償信號線362’，其中這些補(bǔ)償信號線362’位于標(biāo)注為X1的信號電極352的正投影內(nèi)且電性連接于標(biāo)注為X1的信號電極352。如此一來，縱向走線區(qū)域VR7與縱向走線區(qū)VR8的線路布局可以呈現(xiàn)相近的電性補(bǔ)償效果。不過，補(bǔ)償信號線362’可視實(shí)際的設(shè)計(jì)需求而省略。

信號傳輸層360還包括多條信號連結(jié)線364。各信號連結(jié)線364連接至其中一個(gè)信號電極352但不須向外延伸，以直接的實(shí)體上連接至觸控感測電路。信號線362的線長小于或是等于數(shù)據(jù)線320的線長，且信號線362的線長可與所連接的信號電極352的位置與尺寸有關(guān)。信號連結(jié)線364則與信號 電極352的尺寸有關(guān)。由圖16與圖17可知，各條信號連結(jié)線364完全位于所連接的一個(gè)信號電極352的正投影中。在圖17中，各信號連結(jié)線364的正投影重疊于同一個(gè)縱向走線區(qū)VR中的數(shù)據(jù)線320。因此，至少其中一條數(shù)據(jù)線320(例如對應(yīng)信號連結(jié)線364的數(shù)據(jù)線320)具有至少一外露線段322以及至少一重疊線段324。外露線段322的正投影位于對應(yīng)的信號連結(jié)線364的正投影之外且重疊線段324的正投影重疊于這條信號連結(jié)線364的正投影。并且，各條數(shù)據(jù)線320的外露線段322與重疊線段324是沿著數(shù)據(jù)線320的延伸方向交替排列。以縱向走線區(qū)VR3來說，縱向走線區(qū)VR3中的信號連結(jié)線364連接于標(biāo)注為X2的信號電極352，而且位于縱向走線區(qū)VR3中的這條數(shù)據(jù)線320在標(biāo)注為X1的信號電極352處具有外露線段322，而在標(biāo)注為X2的信號電極352處具有重疊線段324。

本實(shí)施例將多條信號連結(jié)線364連接同一個(gè)信號電極352，這有助于降低信號電極352的阻抗。不過，根據(jù)前述實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)與說明可知，信號連結(jié)線364所在膜層位于信號電極352所在膜層與數(shù)據(jù)線320所在膜層之間，且信號連結(jié)線364與對應(yīng)的數(shù)據(jù)線320之間的耦合作用可能增加信號電極352所受到的負(fù)載。因此，以本實(shí)施例來說，連接同一個(gè)信號電極352的多條信號連結(jié)線364的節(jié)距P1大于數(shù)據(jù)線320的節(jié)距P2。另外，節(jié)距P1可以是節(jié)距P2的兩倍使得兩條相鄰的信號連結(jié)線364之間即存在有一條數(shù)據(jù)線320的外露線段322。因此，同一個(gè)信號電極352的面積下，數(shù)據(jù)線320有部分重疊于信號連結(jié)線364且有部分不與任何信號線362或信號連結(jié)線364重疊，而有助于減少重疊于數(shù)據(jù)線320對信號傳輸層360造成負(fù)載。此外，信號連結(jié)線364的節(jié)距可為定值，或規(guī)則變化，或?yàn)殡S機(jī)改變。

另外，在一實(shí)施例中，信號傳輸層360中信號連結(jié)線364的末端可以為自由端，而且多條信號連結(jié)線364在實(shí)體上可以彼此獨(dú)立而呈現(xiàn)出多的獨(dú)立的條狀圖案。不過，以本實(shí)施例來說，信號傳輸層360也可選擇還包括至少一連接線366。連接線366的延伸方向垂直相交于各信號連結(jié)線364的延伸方向且連接線366將同一個(gè)信號電極352的M條信號連結(jié)線364作連接，其中M為2以上的正整數(shù)。如此一來，至少有兩條或兩條以上的信號連結(jié)線364通過連接線366實(shí)體上連接在一起構(gòu)成柵狀圖案。以本實(shí)施例來說，M為2，但M可以照實(shí)際設(shè)計(jì)需求而為其他數(shù)值。如此一來，連接線366與所連接的 信號連結(jié)線364可以使得信號電極352的電阻更小，且電位更加均勻。此外，連接線366的數(shù)目可以為N條，N為2以上的正整數(shù)。并且，連接線366的節(jié)距可為定值，或規(guī)則變化，或?yàn)殡S機(jī)改變。

由圖16可知，信號連結(jié)線364除了具備上述布局設(shè)計(jì)外，本實(shí)施例中，每個(gè)信號電極352的面積內(nèi)，信號線364的數(shù)量均一致。如此一來，對于每個(gè)信號電極352來說，基于數(shù)據(jù)線320所導(dǎo)致的耦合電容(或稱寄生電容)的大小彼此近似，這有助于觸控感測電路的信號運(yùn)算，也可以提升觸控感測的性能。此外，在一些實(shí)施例中，可通過調(diào)控信號電極352面積內(nèi)，信號線364的數(shù)目，使得面板內(nèi)，所有信號電極352的耦合電容，具有相近的電容值。

圖18為本發(fā)明另一實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)的局部部位中數(shù)據(jù)線、信號電極與信號傳輸層的示意圖。請參照圖18，像素陣列結(jié)構(gòu)400僅繪制出數(shù)據(jù)線320、信號電極層350與信號傳輸層460，而實(shí)際上像素陣列結(jié)構(gòu)400還包括前述實(shí)施例任一者中的掃描線、有源元件與像素電極。在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線320與信號電極層350的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及配置位置可以參照圖16與圖17的實(shí)施例，因而此處不另贅述。具體來說，本實(shí)施例不同于像素陣列結(jié)構(gòu)300之處主要在于，信號傳輸層460包括有多條信號線362、多條信號連結(jié)線464以及多條連接線466，其中信號線362可以參照圖16與圖17的實(shí)施例。另外，在本實(shí)施例中，連接同一個(gè)信號電極352且彼此相鄰的兩條信號連結(jié)線464之間的節(jié)距P3可以為數(shù)據(jù)線320的節(jié)距P2的3倍。因此，彼此相鄰的這兩條信號連結(jié)線464之間存在有兩條數(shù)據(jù)線320。另外，連接于上下相鄰兩個(gè)信號電極352的信號連結(jié)線464位于不同的數(shù)據(jù)線320上，而構(gòu)成交錯(cuò)排列的配置關(guān)系。

此外，在一些實(shí)施例中，節(jié)距P1可以為節(jié)距P2的A倍，A可為大于2的整數(shù)倍。此外，在一些實(shí)施例中，節(jié)距P1可以為大于節(jié)距P2的隨機(jī)正整數(shù)。

以圖18的縱向走線區(qū)VR1至VR8來說，標(biāo)注為X1的信號電極352的面積中的信號連結(jié)線464設(shè)置在縱向走線區(qū)VR3與縱向走線區(qū)VR6中，而標(biāo)注為X2的信號電極352的面積中的信號連結(jié)線464設(shè)置在縱向走線區(qū)VR4與縱向走線區(qū)VR7中。并且，標(biāo)注為X1的信號電極352與標(biāo)注為X2的信號電極352在縱向方向上下相鄰。此外，標(biāo)注為X2的信號電極352下方若 有另一信號電極352，則對應(yīng)于此另一個(gè)信號電極352的信號連結(jié)線464可選擇設(shè)置在縱向走線區(qū)VR5與縱向走線區(qū)VR8中。

在圖16至圖18的實(shí)施例中，連接線366都設(shè)置在對應(yīng)的信號連結(jié)線364或464的端部且連接于兩條信號連結(jié)線364之間或兩條信號連結(jié)線464之間，但不以此為限。舉例來說，圖19為本發(fā)明另一實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)的局部部位中數(shù)據(jù)線與信號傳輸層的示意圖。請參照圖19，像素陣列結(jié)構(gòu)500僅示出數(shù)據(jù)線320與信號傳輸層560，而實(shí)際上像素陣列結(jié)構(gòu)500還包括前述實(shí)施例任一者中的掃描線、數(shù)據(jù)線、有源元件、像素電極與信號電極層。在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線320的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及配置位置可以參照圖16與圖17的實(shí)施例，因而此處不另贅述。具體來說，本實(shí)施例不同于像素陣列結(jié)構(gòu)300之處主要在于，信號傳輸層560包括有多條信號線362、多條信號連結(jié)線564以及多條連接線566，其中信號線362可以參照圖16與圖17的實(shí)施例。另外，在本實(shí)施例中，彼此相鄰的兩條信號連結(jié)線564之間的節(jié)距P3可以為數(shù)據(jù)線320的節(jié)距P2的3倍，兩條信號連結(jié)線564可以由多條連接線566連接，且各連接線566的長度大于節(jié)距P3，使得連接線566的至少一末端不連接于信號連結(jié)線564。如此一來，可以沿著連接線566的長度方向設(shè)置多個(gè)接觸窗而讓對應(yīng)的信號電極通過這些接觸點(diǎn)電性連接連接線566，以通過連接線566的導(dǎo)電特性來降低對應(yīng)的信號電極的阻抗以及使得對應(yīng)的信號電極的電位均勻性提升。

另外，在圖19中，連接線566與信號連結(jié)線564可以構(gòu)成多個(gè)實(shí)體上獨(dú)立的傳輸單元U1、U2與U3，且傳輸單元U1、U2與U3中連接線566的設(shè)置位置不一致。也就是說，本實(shí)施例不須局限連接線566的設(shè)置位置。不過，在像素陣列結(jié)構(gòu)500中，連接線566的設(shè)置位置可選擇設(shè)置在掃描線的面積上，或是設(shè)置在原有的不須透光的構(gòu)件所在位置。

圖20為本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板的示意圖。請參照圖20，顯示面板1包括第一基板SUB1、第二基板SUB2、顯示介質(zhì)DM與像素陣列結(jié)構(gòu)PX。第一基板SUB1與第二基板SUB2上下相對。顯示介質(zhì)DM位于第一基板SUB1與第二基板SUB2之間且像素陣列結(jié)構(gòu)PX位于第一基板SUB1與顯示介質(zhì)DM之間。在本實(shí)施例中，像素陣列結(jié)構(gòu)PX可以是前述實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)100、100A～100E、200～500中的其中一者。在像素陣列結(jié)構(gòu)PX中的信號電極與像素電極里，具有狹縫的一者相對于另一者更鄰近顯示介質(zhì) DM。在本實(shí)施例中，顯示介質(zhì)DM可以為液晶，也可以是其他可通過像素陣列結(jié)構(gòu)PX提供的像素驅(qū)動(dòng)電場來驅(qū)動(dòng)的顯示材料，例如電泳顯示材料、電濕潤顯示材料等。由前述實(shí)施例可知，像素陣列結(jié)構(gòu)PX本身既可以提供像素驅(qū)動(dòng)電場又可以進(jìn)行觸控感測，因此顯示面板1具有內(nèi)建式觸控結(jié)構(gòu)。第二基板SUB2上可選擇性設(shè)置有彩色濾光層以使顯示面板1提供全彩化的顯示效果。此外，第二基板SUB2上可不需設(shè)置有用來提供像素驅(qū)動(dòng)電場的電極層。不過，在其他實(shí)施例中，為了實(shí)現(xiàn)不同驅(qū)動(dòng)模式，第二基板SUB2可選擇設(shè)置有用來提供像素驅(qū)動(dòng)電場的電極層。

圖21為本發(fā)明一實(shí)施例的觸控顯示裝置的示意圖。請參照圖21，觸控顯示裝置2包括顯示面板1以及觸控感測電路IC，其中顯示面板1可以參照圖20的相關(guān)描述。觸控感測電路IC連接于像素陣列結(jié)構(gòu)PX中的信號傳輸層。如此一來，觸控感測電路IC可以感測像素陣列結(jié)構(gòu)PX中的各信號電極所感應(yīng)的感測電容變化。由前述實(shí)施例可知，像素陣列結(jié)構(gòu)PX中的信號傳輸層用來將各信號電極連接至觸控感測電路IC，且信號傳輸層可以通過前述實(shí)施例的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)而降低與數(shù)據(jù)線之間的耦合現(xiàn)象。因此，觸控顯示裝置2可以具有理想的觸控感測性能。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)中，信號電極層包括多個(gè)實(shí)體上獨(dú)立的信號電極，這些信號電極既可用來提供像素驅(qū)動(dòng)電場又可以提供觸控感測的功能，而實(shí)現(xiàn)內(nèi)建式觸控感測結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。另外，本發(fā)明實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)設(shè)置有信號傳輸層，用以將各信號電極連接至觸控感測電路以及顯示所需要的共用電位。經(jīng)由調(diào)整信號傳輸層的輪廓，本發(fā)明實(shí)施例使得信號傳輸層的正投影至少部分不重疊于數(shù)據(jù)線的正投影。因此，數(shù)據(jù)線的耦合作用對信號傳輸層造成的負(fù)載可以減輕而使得觸控感測的信號噪聲比降低。如此一來，像素陣列結(jié)構(gòu)內(nèi)建的觸控感測功能具有良好的感測品質(zhì)。另外，本發(fā)明實(shí)施例的顯示面板與觸控顯示裝置具有這樣的像素陣列結(jié)構(gòu)而可以具有理想的觸控功能。

最后應(yīng)說明的是：以上各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。