本發(fā)明涉及觸摸屏領域，尤其涉及一種基于時域反射測量(TDR)的掃描式觸摸屏制作方法。

背景技術：

現(xiàn)有的觸摸屏主要有電阻式觸摸屏、電容式觸摸屏、紅外觸摸屏。

電阻式觸摸屏主要應用于低端產品，通常只有單點觸摸功能。電容式觸摸屏廣泛應用于各種電子產品，但應用在超大尺寸產品上時存在制造工藝復雜，成本較高等問題，所以大尺寸產品通常使用紅外觸摸屏。紅外觸摸屏需要在屏周圍排布紅外發(fā)射管和紅外接收管，導致體積和厚度較大，堆積灰塵后還會引起觸摸感應異常。

可見，無論是電阻式觸摸屏、電容式觸摸屏還是紅外觸摸屏，由于其結構復雜導致制造工藝繁瑣，而且結構復雜導致整個觸摸屏的厚度較大，無法滿足用戶對超薄型的觸控液晶顯示屏的需求。

另外，對于觸控液晶顯示屏，無論是采用電阻式觸摸屏、電容式觸摸屏還是紅外觸摸屏，通常是將電阻式觸摸屏、電容式觸摸屏或紅外觸摸屏單獨制作成型后再與液晶屏對齊貼合構成。這樣，不但制造工藝繁瑣，而且通過觸摸屏和液晶屏兩個屏構成的觸控液晶顯示屏厚度較大，無法滿足用戶對超薄型的觸控液晶顯示屏的需求。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種TDR觸摸屏制作方法，制造工藝簡單，能夠滿 足用戶對超薄型的觸控液晶顯示屏的需求。

為了實現(xiàn)上述目的，

本發(fā)明提供一種TDR觸摸屏制作方法，包括：

提供一襯底；

提供一導線層，所述導線層設于所述襯底上，所述導線層包括若干條平行且相互獨立分布的導線；

提供一絕緣層，所述絕緣層設于所述導線層上。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明提供的TDR觸摸屏制作方法，通過在襯底上形成導線層和絕緣層，結構簡單，能夠有效減少觸摸屏的厚度，制造工藝簡單，同時具有厚度超薄、質量輕的優(yōu)點，可以應用于大尺寸的液晶屏和超薄型產品的觸摸控制。

進一步地，還包括：

提供一隔離層，所述隔離層設于所述襯底與所述導線層之間；其中，所述襯底為PET膜，所隔離層為二氧化硅層。

進一步地，每一所述導線為透明導線；或每一所述導線為直導線。

本發(fā)明另一方面提供了一種TDR觸摸屏制作方法，包括步驟：

S1、提供襯底，并在襯底上覆蓋隔離層；

S2、沉積ITO：在覆蓋了隔離層的所述襯底表面沉積ITO薄膜；

S3、涂光刻膠：在所述ITO薄膜上涂覆光刻膠層；

S4、曝光：將預先制作好的TDR觸摸屏掩模板放置在涂覆光刻膠層的所述ITO薄膜上，然后使用紫外線照射光刻膠表面以對光刻膠進行部分曝光；其中，所述TDR觸摸屏掩模板上設有若干條平行且相互獨立分布的導線圖形；

S5、顯影：將所述TDR觸摸屏掩模板從所述ITO薄膜上移走，并利用顯影液處理曝光后的光刻膠表面，以溶解受紫外線照射部分的光刻膠溶，保留未曝光部分的光刻膠層；

S6、刻蝕：使用蝕刻液將未曝光部分的光刻膠層覆蓋外的全部ITO薄膜腐蝕掉；

S7、去膜：使用脫膜液將腐蝕后的ITO薄膜上的全部光刻膠剝離，從而使液晶屏表面上形成若干條平行且相互獨立分布的ITO導線；

S8、涂絕緣層：在所述ITO導線表面覆蓋絕緣層。

作為上述方案的改進，所述蝕刻液為酸液，所述脫膜液為高濃度的堿液；所述絕緣層為二氧化硅膜或PET膜。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明提供的TDR觸摸屏制作方法，通過沉積ITO、涂光刻膠、曝光、顯影、刻蝕、去膜以及涂絕緣層多個工藝在襯底上形成導線層和絕緣層，制造工藝簡單，能夠有效減少觸摸屏的厚度，同時具有厚度超薄、質量輕的優(yōu)點，可以應用于大尺寸的液晶屏和超薄型產品的觸摸控制。

本發(fā)明還提供了一種TDR觸摸屏制作方法，包括：

提供一導線層，所述導線層形成在液晶屏上，所述導線層包括若干條平行且相互獨立分布的導線；

提供一絕緣層，所述絕緣層形成在所述導線層上。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明提供的TDR觸摸屏制作方法，通過直接在液晶屏上形成導線層和絕緣層而制成，與液晶屏一體成型，能夠有效減少觸摸屏的厚度，制造工藝簡單，同時具有厚度超薄、質量輕的優(yōu)點，可以應用于大尺寸的液晶屏和超薄型產品的觸摸控制。

進一步地，每一所述導線通過鍍膜的形式直接形成在液晶屏上。

進一步地，每一所述導線為透明導線；或每一所述導線為直導線。

本發(fā)明另一方面提供了一種TDR觸摸屏制作方法，包括步驟：

S1、沉積ITO：直接在液晶屏表面沉積ITO薄膜；

S2、涂光刻膠：在所述ITO薄膜上涂覆光刻膠層；

S3、曝光：將預先制作好的TDR觸摸屏掩模板放置在涂覆光刻膠層的所述ITO薄膜上，然后使用紫外線照射光刻膠表面以對光刻膠進行部分曝光；其中，所述TDR觸摸屏掩模板上設有若干條平行且相互獨立分布的導線圖形；

S4、顯影：將所述TDR觸摸屏掩模板從所述ITO薄膜上移走，并利用顯影液處理曝光后的光刻膠表面，以溶解受紫外線照射部分的光刻膠溶，保留未曝 光部分的光刻膠層；

S5、刻蝕：使用蝕刻液將未曝光部分的光刻膠層覆蓋外的全部ITO薄膜腐蝕掉；

S6、去膜：使用脫膜液將腐蝕后的ITO薄膜上的全部光刻膠剝離，從而使液晶屏表面上形成若干條平行且相互獨立分布的ITO導線；

S7、涂絕緣層：在所述ITO導線表面覆蓋絕緣層。

作為上述方案的改進，所述蝕刻液為酸液，所述脫膜液為高濃度的堿液；所述絕緣層為二氧化硅膜或PET膜。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明提供的TDR觸摸屏制作方法，通過沉積ITO、涂光刻膠、曝光、顯影、刻蝕、去膜以及涂絕緣層多個工藝直接在液晶屏上形成導線層和絕緣層而制成，與液晶屏一體成型，能夠有效減少觸摸屏的厚度，制造工藝簡單，同時具有厚度超薄、質量輕的優(yōu)點，可以應用于大尺寸的液晶屏和超薄型產品的觸摸控制。

附圖說明

圖1是本發(fā)明提供的TDR觸摸屏的一個優(yōu)選實施例的觸摸屏結構示意圖。

圖2a是本發(fā)明提供的TDR觸摸屏的一個優(yōu)選實施例的觸摸屏的橫截面結構示意圖。

圖2b是本發(fā)明提供的TDR觸摸屏的另一個優(yōu)選實施例的觸摸屏的橫截面結構示意圖。

圖2c是本發(fā)明提供的TDR觸摸屏的另一個優(yōu)選實施例的觸摸屏的橫截面結構示意圖。

圖3是本發(fā)明提供的TDR觸摸屏的一個優(yōu)選實施例的電路連接框圖。

圖4是本發(fā)明提供的TDR觸摸屏的一個優(yōu)選實施例的導線阻抗等效模型圖。

圖5是本發(fā)明提供的TDR觸摸屏的一個優(yōu)選實施例中觸摸物與觸摸屏接觸的 示意圖。

圖6是本發(fā)明提供的TDR觸摸屏的一個優(yōu)選實施例的設于觸摸屏的導線無觸摸點的阻抗——時序曲線圖。

圖7是本發(fā)明提供的TDR觸摸屏的一個優(yōu)選實施例設于觸摸屏的導線有觸摸點8A時的阻抗——時序曲線圖。

圖8是本發(fā)明提供的TDR觸摸屏的一個優(yōu)選實施例的設于觸摸屏的導線有觸摸點8B時的阻抗——時序曲線圖。

圖9是本發(fā)明提供的TDR觸摸屏的一個優(yōu)選實施例設于觸摸屏的導線的輸入端的注入信號波形曲線圖。

圖10是本發(fā)明提供的一種TDR觸摸屏制作方法的一個優(yōu)選實施例的流程圖。

圖11是本發(fā)明提供的一種TDR觸摸屏制作方法的一個具體實施例的流程圖。

圖12a～12h對應顯示了圖11中TDR觸摸屏制作方法的各個流程步驟。

圖13是本發(fā)明提供的一種TDR觸摸屏制作方法的一個優(yōu)選實施例的流程圖。

圖14是本發(fā)明提供的一種TDR觸摸屏制作方法的一個具體實施例的流程圖。

圖15a～15g對應顯示了圖14中TDR觸摸屏制作方法的各個流程步驟。

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

參見圖1～圖2a，圖1和圖2a是本發(fā)明提供的TDR觸摸屏的一個優(yōu)選實施例的觸摸屏結構示意圖及截面圖。該TDR觸摸屏包括設于襯底10上的導線層20以及設于所述導線層20上的絕緣層3。其中，所述導線層20包括若干條平行且 相互獨立分布的導線2。

在另一實施例中，如圖2b所示，在圖2a的基礎上，圖2b提供的TDR觸摸屏還包括設于所述襯底10與所述導線層20之間的隔離層11。其中，所述襯底10采用PET膜，由于因PET膜不耐強堿，所以當所述襯底10的材料使用PET膜時，需要在PET膜表面覆蓋能耐酸/堿的隔離層11(比如：二氧化硅)。

在另一個實施例中，如圖2c所示，提供的TDR觸摸屏直接形成在液晶屏10’上的導線層20以及形成在所述導線層20上的絕緣層3。其中，所述導線層20包括若干條平行且相互獨立分布的導線2。作為優(yōu)選方案，所述導線層20通過鍍膜的形式直接形成在液晶屏10’上。每一所述導線2均為透明的直導線2，且每一所述導線2與相鄰導線之間的距離相等?？梢?，與圖2a或圖2b所示的實施例相比，圖2c所示的TDR觸摸屏是通過直接在液晶屏上形成導線層和絕緣層而制成，與液晶屏一體成型，能夠有效減少觸摸屏的厚度，同時具有厚度超薄、質量輕的優(yōu)點，可以應用于大尺寸的液晶屏和超薄型產品的觸摸控制。

在圖2a、圖2b或圖2c所示的實施例中，每一所述導線2均為透明的直導線2，且每一所述導線2與相鄰導線之間的距離相等。

如圖1所示，所述導線2共同構成TDR觸摸屏的觸控區(qū)1，即平行且相互獨立的導線2分布在整個觸摸區(qū)1上。TDR觸摸屏通過感應用戶觸控觸控區(qū)1中的每一導線2上對應的絕緣層位置來響應對應的觸控事件。具體的，每一導線2的材質采用透明且導電材料，例如摻錫氧化銦(IndiumTinOxide)，簡稱為ITO；絕緣層3采用二氧化硅膜或者PET膜。

可以理解的，相鄰兩根平行導線2之間的距離根據(jù)實際需求設定，相鄰兩根平行導線2之間的間距越小，計算量越大，計算精度越高，觸控越精準。在觸摸區(qū)1上所構建的坐標系中，設置每一根導線2分別對應觸摸區(qū)1的第一方向(例如，Y坐標方向)的一個坐標位置，且每一所述導線2沿觸摸區(qū)1的第二方向(例如，X坐標方向)上平行延伸，這樣，通過計算每根導線上發(fā)生阻抗變 化的位置的X坐標，即可得到對應的觸控位置。

下面，結合圖1、圖3～圖9，詳細描述例如利用本發(fā)明實施例提供的TDR觸摸屏實現(xiàn)觸控操作。

參見圖3，圖3是本實施例中觸摸屏的電路連接框圖。結合圖1，其中，每一導線2的輸入端21分別連接信號發(fā)射器4和反射信號檢測器5，信號發(fā)射器4負責發(fā)射階躍信號101到導線2的輸入端21，反射信號檢測器5負責接收導線2的輸入端21的反射信號102。

掃描驅動電路6連接信號發(fā)射器4，掃描驅動電路6驅動信號發(fā)射器4依次切換導線2發(fā)射階躍信號101。

每一導線2的輸出端22接負載7的一端，負載7的另一端接地。除此之外，在具體實施時，基于本發(fā)明提供的TDR觸摸屏結構原理，每一導線2的輸出端也可以不加負載7，作懸空處理，上述改進也在本發(fā)明的保護范圍之內。根據(jù)TDR原理，在本實施例的TDR觸摸屏中，當每一導線2的輸出端22在以其特性阻抗端接(接負載7)時不具有信號發(fā)射，而在輸出端22未端接(懸空)時具有振幅大致等于所產生脈沖的正信號發(fā)射。本實施例的每一導線2的輸出端22所連接的負載7具有大致等于每一導線2的特性阻抗的電阻。

可以理解的，在本實施例，每一導線2的輸入端21可分別單獨連接(獨有)一個信號發(fā)射器4和一個反射信號檢測器5，而每個信號發(fā)射器4均連接掃描驅動電路6，由掃描驅動電路6來依次驅動控制每個信號發(fā)射器4向對應連接的導線2發(fā)射階躍信號101，而每個反射信號檢測器5接收對應連接的導線的反射信號102。

另外，為了減少設備成本，本實施例的每一導線2的輸入端21也可共同連接(共有)一個信號發(fā)射器4和一個反射信號檢測器5，由掃描驅動電路6來驅動控制這個信號發(fā)射器4依次切換對導線2發(fā)射階躍信號101，而反射信號檢測器5依次接收對應的導線的反射信號102。

參見圖4，圖4是每一導線2的阻抗等效模型圖，實際的每根導線2可以表 示為各段等效網絡的級聯(lián)輸線，可以等效為由分布電阻R、分布電感L、分布電導G和分布電容C等集總元件構成的T型網絡的組合。對于無損耗的導線2，分布電阻R和分布電導G的值均為零。

這里以一個T型網絡為例進行說明：特征阻抗Z與分布電阻R、分布電感L、分布電導G和分布電容C的關系表示為以下兩個公式：

公式1：

公式2：

其中U為加在導線兩端的電壓，I為通過導線的電流，由上述兩個公式可以推導出特征阻抗對于無損耗的導線：特征阻抗

參見圖5，圖5是觸摸物與觸摸屏接觸的示意圖。當觸摸物觸摸時，觸摸物與絕緣層3的表面接觸，觸摸物作為一個導體，導體和絕緣層3間形成一個電容，使導線2的分布電容C產生變化，這時導線2在該觸摸點8處產生阻抗變化。阻抗變化會引起部分信號反射回導線的輸入端，這里的部分信號稱為反射信號102。

這里以輸出端22空載的導線2的阻抗為例進行說明：如圖6、圖7和圖8所示，圖6、圖7和圖8分別是任一導線2無觸摸點、有觸摸點8A和有觸摸點8B三種情況下的阻抗——時序曲線圖。其中，在圖6中，曲線111是輸入端21的阻抗曲線，曲線112是導線2的阻抗曲線，曲線113是輸出端22懸空的阻抗曲線。針對同一根導線2的不同位置的接觸點8A和接觸點8B，圖7中的曲線114是由觸摸點8A的引起阻抗變化曲線，圖8中的曲線115是由觸摸點8B的引起阻抗變化曲線。同一導線2上的觸摸位置不同，在阻抗特性曲線上的引起阻抗變化的時間點不同。

具體實施時，多條平行導線2的輸入端21依次由信號發(fā)射器4完成階躍信號101的輸入和由反射信號檢測器5完成反射信號102的接收，導線2的切換由掃描驅動電路6完成。

下面，結合圖1和圖9，詳細描述如何利用本實施例的TDR觸摸屏實現(xiàn)觸控操作的工作原理及工作過程。參見圖1，本實施例中采用的TDR觸摸屏的第一方向與第二方向相互垂直；其中，設定第一方向為Y軸方向，設定第二方向為X軸方向。

(1)首先，預置每一導線2在所述Y軸方向的位置，每一導線2沿從左向右的順序依次預置位置為Y、Y+1、Y+2……Y+n，且每一導線2沿X軸方向平行延伸。

(2)按照預設周期通過掃描驅動電路6驅動信號發(fā)射器4沿Y軸方向逐行依次發(fā)射階躍信號101到每一導線2的輸入端21。同時通過反射信號檢測器5依次對應接收每一導線2的輸入端21的反射信號102。

參見圖9，圖9是導線2的輸入端21的注入信號波形曲線圖，注入信號包括發(fā)射信號101和反射信號102，該曲線表示電壓幅度——時序的關系。由圖9可知，反射信號的電壓幅值與導線2的負載阻抗有關。

具體的，反射信號檢測器5具體通過以下步驟確定所接收的反射信號102是否為觸摸物的正常觸摸引起阻抗變化所產生的反射信號102：

首先，通過以下公式(b)計算反射信號檢測器5接收到導線2的反射信號102的反射系數(shù)ρ：

其中，V_i為信號發(fā)射器4向導線2發(fā)射的階躍信號101的幅值，V_r為反射信號檢測器5接收到導線2的反射信號102幅值。

接著，通過以下公式(a)計算該反射信號102的負載阻抗Z_L：

其中，Z₀為導線2的特征阻抗。

將計算所得的負載阻抗Z_L和特征阻抗Z₀進行比較，當負載阻抗Z_L與特征阻抗Z₀的差值大于預設值時，確定該反射信號102與預置的參考信號的差值大于 預設的閾值。這一步驟為確定該反射信號102為觸摸物的正常觸摸引起阻抗變化所產生的反射信號102，當確定接收該導線2的反射信號102為觸摸物的正常觸摸引起阻抗變化所產生的反射信號102時，則需要根據(jù)該反射信號102進行下一步的觸摸點8的位置定位。具體包括：

獲取信號發(fā)射器4從向產生該反射信號102的所在導線2的輸入端21發(fā)射階躍信號101到接收到該發(fā)射信號102的時間延遲T，并根據(jù)以下距離計算公式(c)計算得到觸摸點8在該導線2的X軸方向上的位置：

其中，D為觸摸點在X軸方向上的位置，e_r為介電常數(shù)，C為光傳輸?shù)乃俣取?/p>

將所得的位置D轉換為X坐標，并結合該反射信號102所在的導線2的Y軸方向上的Y坐標，確定觸摸點8的位置坐標點(X，Y)。系統(tǒng)可以根據(jù)觸摸點8的位置做出相應的觸控反應。

具體實施時，在掃描驅動電路6的驅動控制下，信號發(fā)射器4逐行發(fā)射階躍信號101到每一導線2的輸入端21，同時由反射信號檢測器5檢測對應導線2的輸入端21的反射信號102。

當觸摸物在觸摸屏上進行觸摸時，觸摸點8該點的導線2阻抗變化；反射信號檢測器5接收到來自該觸摸點8引起的反射信號102；通過計算該反射信號102的負載阻抗Z_L，當負載阻抗Z_L與預設特征阻抗Z₀的差值超過預設值時，進行觸摸點8的位置計算；通過該反射信號102所在的導線2輸入階躍信號101到檢測到該反射信號102的時間延遲T計算X坐標，結合所在導線2的位置確定Y坐標，由坐標點(X，Y)得出觸摸點8位置，從而實現(xiàn)整個觸摸屏的觸控功能，

在本實施例中，觸摸屏采用的掃描方式為：通過掃描驅動電路6驅動信號發(fā)射器4沿Y軸方向逐行發(fā)射階躍信號102到每一導線2的輸入端21。

除此之外，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，在具體實施過程中，本發(fā)明所提供的觸摸屏中掃描驅動電路6驅動信號發(fā)射器4依次發(fā)射階躍信號101到每一導線2的輸入端21還可以通過下述掃描方式實現(xiàn)：

先通過掃描驅動電路6驅動信號發(fā)射器4沿觸摸屏的Y軸方向逐行發(fā)射階躍信號101到位于奇數(shù)行的每一導線2的輸入端21；再通過掃描驅動電路6驅動信號發(fā)射器4沿觸摸屏的Y軸方向逐行發(fā)射階躍信號101到位于偶數(shù)行的每一導線2的輸入端21。

可見，本實施例的TDR觸摸屏的結構簡單，能夠有效減少觸摸屏的厚度，制造工藝簡單，同時具有厚度超薄、質量輕的優(yōu)點，可以應用于大尺寸的液晶屏和超薄型產品的觸摸控制；尤其采用鍍膜形式直接在液晶屏上形成導線層的TDR觸摸屏，可以將觸摸屏的厚度做到1um以下。另外，本發(fā)明提供的TDR觸摸屏可以在同一時間頻段里檢測到多個阻抗變化點從而實現(xiàn)多點觸控以及掃描觸摸物形狀的功能。

參考圖10，本實施例提供了一種TDR觸摸屏制作方法，該方法包括步驟S101～S1023：

S101、提供一襯底；

S102、提供一導線層，所述導線層設于所述襯底上，所述導線層包括若干條平行且相互獨立分布的導線；

S103、提供一絕緣層，所述絕緣層設于所述導線層上。

在步驟S101中，所述襯底10采用PET膜，由于因PET膜不耐強堿，所以當所述襯底10的材料使用PET膜時，本實施例優(yōu)選還在PET膜表面覆蓋能耐酸/堿的隔離層11(比如：二氧化硅)。

在步驟S102中，所述導線層的材質采用透明且導電材料，例如摻錫氧化銦(IndiumTinOxide)，簡稱為ITO。每一所述導線均為透明的直導線，且每一所述導線與相鄰導線之間的距離相等。

在步驟S103中，所述絕緣層采用二氧化硅膜或者PET膜。

下面，結合圖11，圖12a～12g，圖11詳細介紹了本實施例的一種TDR觸摸屏制作方法的詳細制作過程，包括步驟S1～S7：

S1、提供襯底，并在襯底上覆蓋隔離層；

具體實施時，所述襯底10采用PET膜，由于因PET膜不耐強堿，所以當所述襯底10的材料使用PET膜時，本實施例優(yōu)選還在PET膜表面覆蓋能耐酸/堿的隔離層11(比如：二氧化硅)，如圖12a所示。

S2、沉積ITO：在覆蓋了隔離層的所述襯底表面沉積ITO薄膜；

具體實施時，在覆蓋了隔離層的所述襯底10上沉積一層ITO薄膜20’(摻錫氧化銦)，其厚度可以為1um左右，如圖12b所示。

S3、涂光刻膠：在所述ITO薄膜上涂覆光刻膠層；

具體實施時，需要在ITO薄膜20’表面均勻涂上一層光刻膠70，如圖12c所示。

S4、曝光：將預先制作好的TDR觸摸屏掩模板放置在涂覆光刻膠層的所述ITO薄膜上，然后使用紫外線(UV)照射光刻膠表面以對光刻膠進行部分曝光；其中，所述TDR觸摸屏掩模板上設有若干條平行且相互獨立分布的導線圖形；

其中，TDR觸摸屏掩模板80如圖12d所示，該TDR觸摸屏掩模板80需要預先制作好，該TDR觸摸屏掩模板80上的導線圖形根據(jù)最終成型的導線層的形狀來設計，即，TDR觸摸屏掩模板80上設有若干條平行且相互獨立分布的導線圖形。

將設有若干條平行且相互獨立分布的導線圖形的TDR觸摸屏掩模板80放置在涂覆光刻膠層70的ITO薄膜20’，這樣，在利用紫外線(UV)對ITO薄膜20’進行照射時，被TDR觸摸屏掩模板80上的導線圖形遮擋的部分光刻膠層70不會曝光，而沒有被TDR觸摸屏掩模板80上的導線圖形遮擋的部分光刻膠層70會被曝光。

S5、顯影：將所述TDR觸摸屏掩模板從所述ITO薄膜上移走，并利用顯影液處理曝光后的光刻膠表面，以溶解受紫外線照射部分的光刻膠溶，保留未曝光部分的光刻膠層；

具體實施時，在曝光完成(使曝光的部分光刻膠層變成光刻膠溶)，將TDR觸摸屏掩模板80從所述ITO薄膜20’上移走后，利用顯影液處理曝光后的光刻膠表面，即可將受紫外線照射曝光的部分光刻膠溶溶解掉，從而保留未曝光部 分的光刻膠層70a，而未曝光部分的光刻膠層70a的形狀和所述TDR觸摸屏掩模板的導線圖形一致，如圖12e所示。

S6、刻蝕：使用蝕刻液將未曝光部分的光刻膠層覆蓋外的全部ITO薄膜腐蝕掉；

具體實施時，可以利用酸液作為蝕刻液進行蝕刻，由于未曝光部分的光刻膠層70a的形狀和所述TDR觸摸屏掩模板的導線圖形一致，那么沒有被所述未曝光部分的光刻膠層70a遮擋的部分ITO薄膜會外露，利用適當?shù)乃嵋簩ν饴兜倪@部分ITO薄膜蝕刻除去，如圖12f所示。

S7、去膜：使用脫膜液將腐蝕后的ITO薄膜上的全部光刻膠剝離，從而使襯底表面上形成若干條平行且相互獨立分布的ITO導線；

在蝕刻后，腐蝕后的ITO薄膜上的光刻膠只被酸液輕微蝕刻，還會殘留大部分的光刻膠，這時，可以采用高濃度的堿液(例如NaOH溶液)作為脫膜液，將腐蝕后的ITO薄膜上余下的所有光刻膠剝離，從而使襯底10表面上形成若干條平行且相互獨立分布的ITO導線20，如圖12g所示。

S8、涂絕緣層：在所述ITO導線表面覆蓋絕緣層。

在光刻工藝完成之后，在ITO導線20表面覆蓋二氧化硅膜或者PET膜3，如圖12h所示，至此完成了整個TDR觸摸屏制作方法的制作流程。

可見，本實施例的TDR觸摸屏制作方法，通過沉積ITO、涂光刻膠、曝光、顯影、刻蝕、去膜以及涂絕緣層多個工藝在襯底上形成導線層和絕緣層，制造工藝簡單，能夠有效減少觸摸屏的厚度，同時具有厚度超薄、質量輕的優(yōu)點，可以應用于大尺寸的液晶屏和超薄型產品的觸摸控制。

參考圖13，本實施例提供了一種TDR觸摸屏制作方法，該方法包括步驟S131～S132：

S131、提供一導線層，所述導線層形成在液晶屏上，所述導線層包括若干條平行且相互獨立分布的導線；

S132、提供一絕緣層，所述絕緣層形成在所述導線層上。

在步驟S131中，所述導線層通過鍍膜的形式直接形成在液晶屏上。所述導 線層的材質采用透明且導電材料，例如摻錫氧化銦(IndiumTinOxide)，簡稱為ITO。每一所述導線均為透明的直導線，且每一所述導線與相鄰導線之間的距離相等。

在步驟S132中，所述絕緣層采用二氧化硅膜或者PET膜。

下面，結合圖14，圖15a～15g，圖14詳細介紹了本實施例的一種TDR觸摸屏制作方法的詳細制作過程，包括步驟S141～S147：

S141、沉積ITO：直接在液晶屏表面沉積ITO薄膜；

具體實施時，直接在液晶屏10的玻璃基板上沉積一層ITO薄膜20’(摻錫氧化銦)，其厚度可以為1um或以下，如圖15a所示。

S142、涂光刻膠：在所述ITO薄膜上涂覆光刻膠層；

具體實施時，需要在ITO薄膜20’表面均勻涂上一層光刻膠70，如圖15b所示。

S143、曝光：將預先制作好的TDR觸摸屏掩模板放置在涂覆光刻膠層的所述ITO薄膜上，然后使用紫外線(UV)照射光刻膠表面以對光刻膠進行部分曝光；其中，所述TDR觸摸屏掩模板上設有若干條平行且相互獨立分布的導線圖形；

其中，TDR觸摸屏掩模板80如圖15c所示，該TDR觸摸屏掩模板80需要預先制作好，該TDR觸摸屏掩模板80上的導線圖形根據(jù)最終成型的導線層的形狀來設計，即，TDR觸摸屏掩模板80上設有若干條平行且相互獨立分布的導線圖形。

將設有若干條平行且相互獨立分布的導線圖形的TDR觸摸屏掩模板80放置在涂覆光刻膠層70的ITO薄膜20’，這樣，在利用紫外線(UV)對ITO薄膜20’進行照射時，被TDR觸摸屏掩模板80上的導線圖形遮擋的部分光刻膠層70不會曝光，而沒有被TDR觸摸屏掩模板80上的導線圖形遮擋的部分光刻膠層70會被曝光。

S144、顯影：將所述TDR觸摸屏掩模板從所述ITO薄膜上移走，并利用顯影液處理曝光后的光刻膠表面，以溶解受紫外線照射部分的光刻膠溶，保留未 曝光部分的光刻膠層；

具體實施時，在曝光完成(使曝光的部分光刻膠層變成光刻膠溶)，將TDR觸摸屏掩模板80從所述ITO薄膜20’上移走后，利用顯影液處理曝光后的光刻膠表面，即可將受紫外線照射曝光的部分光刻膠溶溶解掉，從而保留未曝光部分的光刻膠層70a，而未曝光部分的光刻膠層70a的形狀和所述TDR觸摸屏掩模板的導線圖形一致，如圖15d所示。

S145、刻蝕：使用蝕刻液將未曝光部分的光刻膠層覆蓋外的全部ITO薄膜腐蝕掉；

具體實施時，可以利用酸液作為蝕刻液進行蝕刻，由于未曝光部分的光刻膠層70a的形狀和所述TDR觸摸屏掩模板的導線圖形一致，那么沒有被所述未曝光部分的光刻膠層70a遮擋的部分ITO薄膜會外露，利用適當?shù)乃嵋簩ν饴兜倪@部分ITO薄膜蝕刻除去，如圖15e所示。

S146、去膜：使用脫膜液將腐蝕后的ITO薄膜上的全部光刻膠剝離，從而使液晶屏表面上形成若干條平行且相互獨立分布的ITO導線；

在蝕刻后，腐蝕后的ITO薄膜上的光刻膠只被酸液輕微蝕刻，還會殘留大部分的光刻膠，這時，可以采用高濃度的堿液(例如NaOH溶液)作為脫膜液，將腐蝕后的ITO薄膜上余下的所有光刻膠剝離，從而使液晶屏10表面上形成若干條平行且相互獨立分布的ITO導線20，如圖15f所示。

S147、涂絕緣層：在所述ITO導線表面覆蓋絕緣層。

在光刻工藝完成之后，在ITO導線20表面覆蓋二氧化硅膜或者PET膜3，如圖15g所示，至此完成了整個TDR觸摸屏制作方法的制作流程。

可見，本實施例的TDR觸摸屏制作方法，通過沉積ITO、涂光刻膠、曝光、顯影、刻蝕、去膜以及涂絕緣層多個工藝直接在液晶屏上形成導線層和絕緣層而制成，與液晶屏一體成型，能夠有效減少觸摸屏的厚度，制造工藝簡單，同時具有厚度超薄、質量輕的優(yōu)點，可以應用于大尺寸的液晶屏和超薄型產品的觸摸控制。

本發(fā)明的另一個實施例公開了一種觸控液晶顯示屏，包括：液晶屏、形成 在所述液晶屏上的導線層以及形成在所述導線層上的絕緣層，所述導線層包括若干條平行且相互獨立分布的導線，且所述導線層通過鍍膜的形式直接形成在液晶屏上。本發(fā)明提供的觸控液晶顯示屏通過直接在液晶屏上形成導線層和絕緣層以將觸摸屏和液晶屏一體成型，能夠有效減少觸摸屏的厚度，進而減少觸控液晶顯示屏的厚度，制造工藝簡單，同時具有厚度超薄、質量輕的優(yōu)點，可以應用于大尺寸的液晶屏和超薄型產品的觸摸控制。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和變形，這些改進和變形也視為本發(fā)明的保護范圍。