技術(shù)總結(jié)
一種電能表掉電保護數(shù)據(jù)存貯方法，在電能表的MCU的RAM中設(shè)置掉電保護數(shù)據(jù)塊、指針PA、指針PB，將需要掉電保護的數(shù)據(jù)集中在一起并加上CRC校驗，存入掉電保護數(shù)據(jù)塊中；在電能表的非易失性存貯器中設(shè)置循環(huán)備份存貯區(qū)A和循環(huán)備份存貯區(qū)B，在循環(huán)備份存貯區(qū)A和循環(huán)備份存貯區(qū)B中均設(shè)置若干個用于存貯掉電保護數(shù)據(jù)塊中數(shù)據(jù)的備份數(shù)據(jù)區(qū)塊；當電能表MCU檢測到掉電時，若在上次定時寫入后有電量數(shù)據(jù)變化，也啟動一次上述的數(shù)據(jù)備份的寫操作，寫完后，進入休眠模式；當重新上電后，電能表MCU從休眠模式喚醒，先從非易失性存貯器中恢復(fù)數(shù)據(jù)到掉電保護數(shù)據(jù)塊。本發(fā)明在掉電時只寫入了2個數(shù)據(jù)塊，對整流電解電容的儲能要求較低，容易滿足要求。

技術(shù)研發(fā)人員：龍翔林;馬益平;劉秀峰;姚曉峰;章恩友;林鐵樹
受保護的技術(shù)使用者：寧波迦南智能電氣股份有限公司
文檔號碼：201611159928
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.15
技術(shù)公布日：2017.05.10