本發(fā)明涉及顯示面板技術領域，尤其涉及一種觸控面板及其制備方法。

背景技術：

觸摸屏是允許用戶直接用手或物體，通過選擇顯示在圖像顯示器等的屏幕上的指令內容來輸入用戶的指令的輸入設備，用戶用手或物體直接與觸摸屏接觸時，觸摸屏檢測到觸摸點并根據(jù)所選圖標對應的指令來驅動顯示裝置，以實現(xiàn)特定的顯示。

傳統(tǒng)的觸摸顯示屏一般由顯示層(Display layers)和觸控層構成。其中，位于顯示層的，比如可以是液晶(Liquid Crystal Display，LCD)結構或有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)結構；位于觸控層的，是觸控面板(或稱觸控結構)。

針對觸控面板而言，參考圖1中所示，現(xiàn)有技術中的觸控面板包括基板1、位于基板上的金屬布線2和用于隔離金屬布線2的介質層3、位于介質層3上且與金屬布線2電性連接的透明電極4以及覆蓋透明電極4和金屬布線2的覆蓋層5。從圖1中可知，觸控面板通常包括多層結構，使得觸控面板的厚度較大，并且，使得觸控面板中光的透過率較低，這也就使得觸摸屏的可見度較低，影響用戶體驗。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于，提供一種觸控面板及其制備方法，解決現(xiàn)有技術中觸控面板厚度較大且光的透過率低的問題。

為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種觸控面板的制備方法，包括：

提供一基板；

在部分所述基板上形成金屬布線；

形成介質層，所述介質層覆蓋所述金屬布線的側壁及部分頂壁，且暴露出所述金屬布線的邊緣；

形成透明電極，所述透明電極覆蓋部分所述介質層、剩余的所述基板及剩余的所述金屬布線，且暴露出所述金屬布線上的介質層的邊緣；

形成覆蓋層，所述覆蓋層覆蓋所述透明電極及剩余的所述介質層。

可選的，所述基板為玻璃基板或聚酰亞胺基板。

可選的，所述透明電極為氧化銦錫或氧化銦鋅，所述透明電極的厚度為200nm～1000nm。

可選的，形成所述介質層的步驟包括：

形成光阻，所述光阻覆蓋所述金屬布線的邊緣及部分所述基板，且暴露出所述金屬布線周圍的另一部分基板；

沉積介質層，所述介質層覆蓋圍繞所述金屬布線側壁的所述另一部分基板及剩余的所述金屬布線；以及

去除所述光阻。

可選的，形成所述介質層的步驟包括：

形成介質層，所述介質層覆蓋所述金屬布線及所述基板；

形成光阻，所述光阻覆蓋所述金屬布線周圍的部分所述介質層及部分所述金屬布線；

以所述光阻為掩膜刻蝕所述介質層，保留所述金屬布線周圍的部分所述介質層及部分所述金屬布線上的所述介質層；以及

去除所述光阻。

可選的，所述介質層為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一種或其組合。

可選的，采用化學氣相沉積工藝形成所述介質層，所述介質層的厚度為200nm～500nm。

可選的，圍繞所述金屬布線的側壁的介質層的寬度為1.0μm～10μm。

可選的，所述覆蓋層為聚酰亞胺材料。

相應的，本發(fā)明還提供一種觸控面板，包括：

基板；

位于部分所述基板上的金屬布線；

介質層，所述介質層圍繞所述金屬布線的側壁及部分頂壁，且暴露出所述金屬布線的邊緣；

透明電極，所述透明電極覆蓋部分所述介質層、剩余的所述基板及剩余的所述金屬布線，且暴露出所述金屬布線上的介質層的邊緣；以及

覆蓋層，所述覆蓋層覆蓋所述透明電極及剩余的所述介質層。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的觸控面板及其制備方法具有以下有益效果：

本發(fā)明中，所述介質層圍繞所述金屬布線的側壁，所述透明電極覆蓋所述介質層、剩余的所述基板及部分所述金屬布線，使得部分基板上僅包括透明電極和覆蓋層，不包括介質層，從而降低觸控面板的厚度。并且，透明電極覆蓋部分基板，增加觸控面板的光的透過率，提高觸控面板的可見度。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術中觸控面板的結構示意圖；

圖2為本發(fā)明一實施例中觸控面板制備方法的流程圖；

圖3為本發(fā)明一實施例中基板與金屬布線的結構示意圖；

圖4為本發(fā)明一實施例中光阻的結構示意圖；

圖5為本發(fā)明一實施例中介質層的結構示意圖；

圖6為本發(fā)明另一實施例中光阻與介質層的結構示意圖；

圖7為本發(fā)明一實施例中透明電極的結構示意圖；

圖8為本發(fā)明一實施例中覆蓋層的結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合示意圖對本發(fā)明的觸控面板及其制備方法進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。

本發(fā)明的核心思想在于，提供一種觸控面板及其制備方法，所述介質層圍繞所述金屬布線的側壁，所述透明電極覆蓋所述介質層、剩余的所述基板及部分所述金屬布線，使得部分基板上僅包括透明電極和覆蓋層，不包括介質層，從而降低觸控面板的厚度。并且，透明電極覆蓋部分基板，增加觸控面板的光的透過率，提高觸控面板的可見度。

下文結合附圖2至圖8對本發(fā)明的觸控面板及其制備方法進行具體的說明，圖2為觸控面板制備方法的流程示意圖，圖3至圖8為各步驟對應的剖面結構示意圖。

首先，執(zhí)行步驟S1，參考圖3所示，提供一基板10。本實施例中，所述基板10可以是剛性基板，也可以是柔性基板。進一步的，所述基板10可以為玻璃基板、BT(雙馬來酰亞胺改性三嗪樹脂)基板或PI(聚酰亞胺)基板等現(xiàn)有技術中公知的可以作為基板的結構，本發(fā)明中對此不予限制。

接著，執(zhí)行步驟S2，繼續(xù)參考圖3所示，在部分所述基板10上形成金屬布線20，即，在所述基板10的部分區(qū)域上形成金屬布線20。其中，金屬布線20可以全部位于基板的中心區(qū)域，當然，金屬布線20還可以全部位于基板10的邊緣區(qū)域，亦或是，一部分金屬布線20位于基板的部分中心區(qū)域，另一部分金屬布線20位于基板的部分邊緣區(qū)域，此為根據(jù)實際的電路結構進行的設置，本發(fā)明對此不予限制。本實施例中，采用物理氣相沉積工藝比如濺射工藝形成所述金屬布線20，當然也可以采用蒸發(fā)工藝形成所述金屬布線20。所述金屬布線20可以為銅金屬線、鋁金屬線、金金屬線或銀金屬線的一種，也可以是由銅、鋁、金等金屬的合金制成所述金屬布線。本實施例中，所述金屬布線20用于形成電容式傳感器的一個電極，使得與操作者的手指之間形成電容，通過檢測檢測的變化感應觸控的位置。

之后，執(zhí)行步驟S3，形成介質層，所述介質層圍繞所述金屬布線20的側壁及部分所述金屬布線20的頂壁，暴露出金屬布線20的邊緣區(qū)域，并且，暴露出部分所述基板10。

本實施例中形成所述介質層的具體步驟包括：

子步驟1：參考圖4所示，形成光阻30，所述光阻30覆蓋所述金屬布線20的邊緣及部分所述基板10，且暴露出金屬布線20的中間區(qū)域及所述金屬布線20周圍的另一部分基板10，可采用旋涂工藝形成所述光阻；

子步驟2：參考圖5所示，沉積介質層40，所述介質層40覆蓋暴露出的所述另一部分基板及剩余的所述金屬布線，所述介質層40圍繞所述金屬布線20的側壁，并覆蓋所述金屬布線的中間區(qū)域；

子步驟3：繼續(xù)參考圖5所示，去除所述光阻30，可采用等離子體灰化工藝去除所述光阻30。

本實施例中，所述介質層40可以為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一種或其組合，可以采用化學氣相沉積工藝(CVD)形成所述介質層40，所述介質層40的厚度為200nm～500nm，例如，厚度可以為300nm、350nm、400nm等。此外，參考圖4和圖5中所示，所述介質層40的寬度d是均勻的(即金屬布線20外圍的介質層40是等寬度的)，其中，d的范圍在1.0μm～10μm之間，例如，介質層40的寬度d為2.0μm、3.0μm、4.0μm、5.0μm、6.0μm、7.0μm、8.0μm、9.0μm。需要說明的是，所述介質層40圍繞所述金屬布線20的側壁，使得后續(xù)形成的所述透明電極直接覆蓋剩余的所述基板，從而部分基板上僅包括透明電極和覆蓋層，而不包括介質層40，從而降低透明電極的厚度，減小觸控面板的厚度。進一步的，透明電極直接覆蓋基板，從而增加觸控面板的光的透過率，提高觸控面板的可見度。

此外，在本發(fā)明的其他實施例中，形成所述介質層的具體步驟還可以包括：

子步驟1’：參考圖6所示，形成介質層40’，所述介質層40’覆蓋所述金屬布線20及所述基板10，同樣的，可以采用采用化學氣相沉積工藝形成介質層40’，所述介質層40可以為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一種或其組合，所述介質層40的厚度為200nm～500nm，例如，厚度可以為300nm、350nm、400nm等；

子步驟2’：繼續(xù)參考圖6所示，形成光阻30’，所述光阻30’覆蓋所述金屬布線20周圍的部分所述介質層40’以及金屬布線20的部分頂壁，暴露出金屬布線頂壁的邊緣區(qū)域；

子步驟3’：以所述光阻30’為掩膜刻蝕所述介質層40’，保留所述金屬布線20周圍的部分所述介質層40’及金屬布線中間區(qū)域的部分介質層40’，即，未被所述光阻30’覆蓋的介質層均被去除；所述介質層40’的寬度d’為1.0μm～10μm，例如，介質層40的寬度d’為2.0μm、3.0μm、4.0μm、5.0μm、6.0μm、7.0μm、8.0μm、9.0μm；

子步驟4’，去除所述光阻30’，即形成了如圖5所示的結構。

接著，執(zhí)行步驟S4，參考圖7所示，形成透明電極50，所述透明電極50覆蓋金屬布線20側壁處的部分所述介質層40、金屬布線20上的部分所述介質層40、剩余的所述基板10及剩余的所述金屬布線20。本發(fā)明中，透明電極50直接與部分基板接觸，增加了基板的透光率，并與金屬布線20電性連接。本實施例中，所述透明電極50例如為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)，所述透明電極50的厚度為200nm～1000nm，例如，厚度為30nm、500nm、700nm、900nm等。

接著，執(zhí)行步驟S5，參考圖8所示，形成覆蓋層60，所述覆蓋層60覆蓋所述透明電極50及剩余的所述介質層40。本實施例中，所述覆蓋層60用于保護下方的透明電極50及金屬布線20，所述覆蓋層60優(yōu)選為聚酰亞胺材料等透明材料，從而進一步的保證觸控基板的透光率。

相應的，作為本發(fā)明的另一面，本發(fā)明還提供一種觸控面板，參考圖8所示，所述觸控面板包括：

基板10；

位于部分所述基板10上的金屬布線20；

介質層40，所述介質層40圍繞所述金屬布線20的側壁及部分頂壁，且暴露出金屬布線頂壁的邊緣；

透明電極50，所述透明電極50覆蓋部分所述介質層40、剩余的所述基板10及剩余的所述金屬布線20，且暴露出金屬布線上方介質層頂壁的邊緣；以及

覆蓋層60，所述覆蓋層60覆蓋所述透明電極50及剩余的所述介質層。

需要說明的是，所述介質層40圍繞所述金屬布線20的側壁，使得后續(xù)形成的所述透明電極直接覆蓋剩余的所述基板，從而部分基板上僅包括透明電極和覆蓋層，而不包括介質層40，從而降低透明電極的厚度，減小觸控面板的厚度。進一步的，透明電極直接覆蓋基板，從而增加觸控面板的光的透過率，提高觸控面板的可見度。

綜上所述，本發(fā)明提供的觸控面板及其制備方法中，提供一種觸控面板及其制備方法，所述介質層圍繞所述金屬布線的側壁，所述透明電極覆蓋所述介質層、剩余的所述基板及部分所述金屬布線，使得部分基板上僅包括透明電極和覆蓋層，不包括介質層，從而降低觸控面板的厚度。并且，透明電極覆蓋部分基板，增加觸控面板的光的透過率，提高觸控面板的可見度。

本說明書中實施例采用遞進的方式描述，對于實施例公開的結構而言，由于與實施例公開的方法相對應，所以描述的比較簡單，相關之處參見方法部分說明即可。

顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。