本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種觸控顯示基板、裝置及其驅(qū)動方法。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的飛速發(fā)展，觸摸面板(touchscreenpanel)已經(jīng)逐漸遍及人們的生活中。目前，觸摸面板按照組成結(jié)構(gòu)可以分為外掛式(addonmode)、覆蓋表面式(oncell)、內(nèi)嵌式(incell)等。其中，外掛式觸摸面板是將觸摸模組與顯示模組分開生產(chǎn)，然后貼合到一起成為具有觸摸功能的觸摸面板，存在制作成本較高、光透過率較低、模組較厚等缺點。而內(nèi)嵌式觸摸面板是將觸摸模組的觸控電極內(nèi)嵌在顯示模組內(nèi)部，不僅大大減小了模組整體厚度，而且大大降低了制作成本，受到各大面板廠家青睞。

現(xiàn)有內(nèi)嵌式觸摸面板主要分為互容式結(jié)構(gòu)和自容式結(jié)構(gòu)，與利用互容原理的觸摸面板相比，利用自容原理的觸摸面板能有效提高觸控的信噪比，從而提高觸控感應(yīng)的準(zhǔn)確性。

在實際使用中，本申請的發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有自容內(nèi)嵌式觸控顯示裝置存在功耗較大且顯示質(zhì)量較低等缺陷。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例所要解決的技術(shù)問題是，提供一種觸控顯示基板、裝置及其驅(qū)動方法，以克服現(xiàn)有結(jié)構(gòu)存在功耗較大且顯示質(zhì)量較低的缺陷。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供了一種觸控顯示基板，包括：基底，所述基底上包括多個相互獨立且呈陣列排布的電極塊和設(shè)置在相鄰兩個電極塊之間的開關(guān)單元；所述電極塊用于在顯示時段內(nèi)接收公共電壓，在觸控時段內(nèi)接收觸控掃描信號；所述開關(guān)單元用于在顯示時段內(nèi)使相鄰的電極塊電連接。

可選地，還包括：所述開關(guān)單元包括依次設(shè)置在所述基底上的功能信號線、絕緣層，有源層和金屬線層，所述功能信號線在基底上的正投影至少覆蓋相鄰兩個電極塊之間間隙在基底上的正投影。

可選地，所述金屬線層包括間隔設(shè)置的第一金屬線和第二金屬線，所述第一金屬線和第二金屬線在基底上的正投影分別與相鄰兩個電極塊在基底上的正投影部分重疊。

可選地，相鄰兩個電極塊分別與所述第一金屬線和第二金屬線連接。

可選地，所述觸控顯示基板還包括交叉設(shè)置的柵線和數(shù)據(jù)線，所述功能電極線與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置。

可選地，所述觸控顯示基板還包括連接每列電極塊的觸控信號線，以及多條與所述觸控信號線同層且平行設(shè)置的虛設(shè)觸控信號線，所述功能信號線包括位于相鄰兩列電極塊之間的虛設(shè)觸控信號線。

本發(fā)明實施例還提供了一種觸控顯示裝置，包括如上所述的觸控顯示基板。

本發(fā)明實施例還提供了一種觸控顯示基板的驅(qū)動方法，所述觸控顯示基板包括設(shè)置在基底上的多個相互獨立且呈陣列排布的電極塊和設(shè)置在相鄰兩個電極塊之間的開關(guān)單元；所述驅(qū)動方法包括：

在觸控時段內(nèi)，所述電極塊接收觸控掃描信號；

在顯示時段內(nèi)，所述電極塊接收公共電壓，所述開關(guān)單元控制相鄰的電極塊電連接。

可選地，所述觸控顯示基板還包括連接每列電極塊的觸控信號線；在觸控時段內(nèi)，所述觸控信號線向所述電極塊提供觸控掃描信號，在顯示時段內(nèi)，所述觸控信號線向所述電極塊提供公共電壓。

可選地，所述觸控顯示基板還包括多條與所述觸控信號線同層且平行設(shè)置的虛設(shè)觸控信號線，位于相鄰兩列電極塊之間的虛設(shè)觸控信號線作為功能信號線；在觸控時段內(nèi)，所述功能信號線提供低電壓，所述開關(guān)單元關(guān)斷，在顯示時段內(nèi)，所述功能信號線提供高電壓，所述開關(guān)單元導(dǎo)通，使相鄰的電極塊電連接。

本發(fā)明實施例提供了一種觸控顯示基板、裝置及其驅(qū)動方法，通過在相鄰的電極塊之間設(shè)置開關(guān)單元，開關(guān)單元用于在顯示時段內(nèi)將各個電極塊導(dǎo)通，使得觸控顯示基板的所有電極塊處于整面導(dǎo)通狀態(tài)，不僅使得公共電壓供給更加均勻，降低了對觸控驅(qū)動電路公共電壓供給能力的高要求，降低了功耗，而且避免了因單一觸控信號線無法供給公共電壓或供給不足而導(dǎo)致的顯示不良，提高了顯示質(zhì)量。

當(dāng)然，實施本發(fā)明的任一產(chǎn)品或方法并不一定需要同時達(dá)到以上所述的所有優(yōu)點。本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書實施例中闡述，并且，部分地從說明書實施例中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明實施例的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。

附圖說明

附圖用來提供對本發(fā)明技術(shù)方案的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本申請的實施例一起用于解釋本發(fā)明的技術(shù)方案，并不構(gòu)成對本發(fā)明技術(shù)方案的限制。附圖中各部件的形狀和大小不反映真實比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。

圖1為現(xiàn)有自容內(nèi)嵌式觸控顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1中c位置的放大圖；

圖3為本發(fā)明實施例觸控顯示基板的等效電路圖圖；

圖4為本發(fā)明第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為圖4中a-a向剖視圖；

圖6為本發(fā)明第一實施例形成第一柵電極和柵線圖案后的示意圖；

圖7為本發(fā)明第一實施例形成第一有源層圖案后的示意圖；

圖8a為本發(fā)明第一實施例形成數(shù)據(jù)線、功能信號線、第一源電極和第一漏電極圖案后的示意圖；

圖8b為圖8a中a-a向剖視圖；

圖9a為本發(fā)明第一實施例形成第一鈍化層圖案后的示意圖；

圖9b為圖9a中a-a向剖視圖；

圖10a為本發(fā)明第一實施例形成像素電極圖案后的示意圖；

圖10b為圖10a中a-a向剖視圖；

圖11a為本發(fā)明第一實施例形成第二有源層和金屬線層圖案后的示意圖；

圖11b為圖11a中a-a向剖視圖；

圖12a為本發(fā)明第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12b為圖12a中a-a向剖視圖。

附圖標(biāo)記說明:

10—基底；11—柵絕緣層；12—功能信號線；

13—第一鈍化層；14—第二鈍化層；15—第二有源層；

16—第二源電極；17—第二漏電極；18—配向膜層；

20—柵線；30—數(shù)據(jù)線；40—第一薄膜晶體管；

50—像素電極；60—電極塊；70—信號線；

80—第二薄膜晶體管；90—金屬線層；100—觸控電極；

101—觸控信號線；102—虛設(shè)觸控信號線。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明的具體實施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互任意組合。

圖1為現(xiàn)有自容內(nèi)嵌式觸控顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖1中c位置的放大圖。如圖1所示，觸控顯示裝置中每一個大小約為4*4mm或5*5mm的矩形圖案即為一個觸控電極100，每個觸控電極100通過觸控信號線101與觸控驅(qū)動電路連接。工作時，人手指的觸摸會導(dǎo)致相應(yīng)觸控電極100的自電容發(fā)生變化，觸控驅(qū)動電路根據(jù)觸控電極100的電容變化來判斷手指的具體位置。通常，觸控顯示裝置采用提供公共電壓的電極層作為觸控層，將電極層進(jìn)行“分割”形成圖1所示矩形的觸控電極100，一個觸控電極100覆蓋多個像素，由一根觸控信號線101控制，觸控信號線101設(shè)置在相鄰的像素之間。為了保證像素結(jié)構(gòu)的一致性，相鄰的像素之間都設(shè)置了信號線，但由于一個觸控電極覆蓋多個像素，因此這些信號線只有少數(shù)作為控制觸控電極100的觸控信號線101，其余均為虛設(shè)觸控(dummy)觸控信號線102，虛設(shè)觸控信號線無信號輸入，僅起到均勻顯示效果的作用，如圖2所示。

如圖1和圖2所示觸控顯示基板采用分時驅(qū)動的工作方式，顯示時段和觸控時段的驅(qū)動信號分開處理。在顯示時段內(nèi)，數(shù)據(jù)線由數(shù)據(jù)驅(qū)動電路供給顯示信號，觸控電極復(fù)用為公共電極，觸控信號線復(fù)用為公共電極線，觸控信號線向觸控電極提供公共電壓，不進(jìn)行觸控信號掃描，確保正常顯示。在觸控時段內(nèi)，觸控驅(qū)動電路通過觸控信號線進(jìn)行觸控信號掃描，此時一幀顯示已經(jīng)完成，顯示狀態(tài)基本不受觸控信號影響，兩者分時獨立工作。

經(jīng)本申請的發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，如圖1、2所示現(xiàn)有自容內(nèi)嵌式觸控顯示基板存在對公共電壓供給能力要求較高且公共電壓供給不穩(wěn)定的原因是：由于觸控顯示基板的觸控電極相互分離，因此每個觸控電極都需要觸控信號線提供公共電壓，受觸控信號線制備質(zhì)量的影響，不同觸控信號線的傳輸特性不同，為了保證觸控性能，要求觸控驅(qū)動電路具有較強的公共電壓供給能力，因而導(dǎo)致功耗增大。進(jìn)一步地，由于觸控顯示基板的觸控電極相互分離，使得觸控電極的公共電壓必須由觸控信號線供給，觸控電極對觸控信號依賴程度較高，當(dāng)某一觸控信號線因制程不良出現(xiàn)無法供給或供給不足時，該觸控信號線對應(yīng)的電極塊會因像素壓差變化而出現(xiàn)顯示不良，因而導(dǎo)致顯示質(zhì)量降低。

為此，本發(fā)明實施例提供了一種觸控顯示基板、裝置及其驅(qū)動方法，以克服現(xiàn)有結(jié)構(gòu)功耗較大且顯示質(zhì)量較低等缺陷。圖3為本發(fā)明實施例觸控顯示基板的等效電路圖。如圖3所示，本發(fā)明實施例提供的自容內(nèi)嵌式觸控顯示基板的主體結(jié)構(gòu)包括柵線20、數(shù)據(jù)線30、第一薄膜晶體管40、像素電極50、電極塊60、信號線70和第二薄膜晶體管80，柵線20和數(shù)據(jù)線30垂直交叉限定若干個像素單元，第一薄膜晶體管40和像素電極50設(shè)置在每個像素單元內(nèi)。多個相互獨立且呈陣列排布的電極塊60為4*4mm或5*5mm的矩形圖案，每一個電極塊60對應(yīng)多個像素，第二薄膜晶體管80設(shè)置在相鄰的電極塊之間。信號線70設(shè)置在相鄰的像素單元之間，其中一部分分別與每列電極塊連接，作為觸控信號線，另一部分為虛設(shè)觸控信號線，位于相鄰兩列電極塊之間的虛設(shè)觸控信號線作為功能信號線。第一薄膜晶體管40用于在顯示時段內(nèi)將來自數(shù)據(jù)線30的顯示信號加載到像素電極50上，作為開關(guān)單元的第二薄膜晶體管80用于在顯示時段內(nèi)使相鄰的電極塊60導(dǎo)通。

本發(fā)明實施例所提供的自容內(nèi)嵌式觸控顯示基板，通過在相鄰的電極塊之間設(shè)置第二薄膜晶體管，第二薄膜晶體管用于在顯示時段內(nèi)將各個電極塊導(dǎo)通，使得觸控顯示基板的所有電極塊處于整面導(dǎo)通狀態(tài)，不僅使得公共電壓供給更加均勻，降低了對觸控驅(qū)動電路公共電壓供給能力的高要求，降低了功耗，而且避免了因單一觸控信號線無法供給公共電壓或供給不足而導(dǎo)致的顯示不良，提高了顯示質(zhì)量。

下面通過具體實施例詳細(xì)說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案。

第一實施例

圖4為本發(fā)明第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，圖5為圖4中a-a向剖視圖。如圖4、5所示，本實例中，第一薄膜晶體管40包括：設(shè)置在基底上的第一柵電極，覆蓋第一柵電極的柵絕緣層，設(shè)置在柵絕緣層上的第一有源層，設(shè)置在第一有源層上的第一源電極和第一漏電極，第一柵電極與柵線連接，第一源電極和第一漏電極與數(shù)據(jù)線同層，第一源電極與數(shù)據(jù)線連接，第一漏電極與第一源電極相對設(shè)置，其間區(qū)域形成水平溝道，第一漏電極通過鈍化層過孔與像素電極連接。第二薄膜晶體管80包括：作為第二柵電極的功能信號線12、絕緣層、第二有源層15和金屬線層90。其中，功能信號線12在基底上的正投影位于相鄰兩個電極塊在基底上的正投影之間，且至少覆蓋相鄰兩個電極塊之間間隙在基底上的正投影。金屬線層90包括間隔設(shè)置的第一金屬線和第二金屬線，第一金屬線作為第二源電極16，在基底上的正投影與相鄰兩個電極塊中一個電極塊在基底上的正投影部分重疊；第二金屬線作為第二漏電極17，在基底上的正投影與相鄰兩個電極塊中另一個電極塊在基底上的正投影部分重疊。進(jìn)一步地，第二薄膜晶體管80還包括，設(shè)置在基底10上的柵絕緣層11、覆蓋功能信號線12的第一鈍化層13和第二鈍化層14，作為第二柵電極的功能信號線12設(shè)置在柵絕緣層11上，與數(shù)據(jù)線30同層，第二有源層15設(shè)置在第二鈍化層14上，作為第二源電極16的第一金屬線和作為第二漏電極的第二金屬線設(shè)置在第二有源層15上，其間形成水平溝道。第一金屬線和第二金屬線分別與相鄰的電極塊60連接，電極塊60上覆蓋有配向膜層18。

基于本實施例觸控顯示基板的上述結(jié)構(gòu)，本實施例觸控顯示基板的驅(qū)動方法包括：

在觸控時段內(nèi)，所述電極塊接收觸控掃描信號；

在顯示時段內(nèi)，所述電極塊接收公共電壓，所述開關(guān)單元控制相鄰的電極塊電連接。

其中，所述觸控顯示基板還包括連接每列電極塊的觸控信號線；在觸控時段內(nèi)，所述觸控信號線向所述電極塊提供觸控掃描信號，在顯示時段內(nèi)，所述觸控信號線向所述電極塊提供公共電壓。

其中，所述觸控顯示基板還包括多條與所述觸控信號線同層且平行設(shè)置的虛設(shè)觸控信號線，位于相鄰兩列電極塊之間的虛設(shè)觸控信號線作為功能信號線；在觸控時段內(nèi)，所述功能信號線提供低電壓，所述開關(guān)單元關(guān)斷，在顯示時段內(nèi)，所述功能信號線提供高電壓，所述開關(guān)單元導(dǎo)通，使相鄰的電極塊電連接。

具體地，本實施例觸控顯示基板工作中，在觸控時段(touchtime)內(nèi)，向作為第二柵電極的功能信號線提供低電壓，第二薄膜晶體管關(guān)斷，各電極塊正常工作。在顯示時段(displaytime)內(nèi)，向作為第二柵電極的功能信號線提供高電壓，第二薄膜晶體管打開，第二源電極與第二漏電極導(dǎo)通狀態(tài)使分別與第二源電極和第二漏電極連接的相鄰的電極塊電連接，進(jìn)而使觸控顯示基板的所有電極塊處于整面導(dǎo)通狀態(tài)。此時，所有電極塊上的公共電壓更加均勻，不僅降低了對觸控驅(qū)動電路公共電壓供給能力的高要求，降低了功耗，而且避免了因單一觸控信號線無法供給公共電壓或供給不足而導(dǎo)致的顯示不良，提高了顯示質(zhì)量。

下面通過觸控顯示基板的制備過程進(jìn)一步說明本實施例的技術(shù)方案。

圖6～11b為本發(fā)明第一實施例制備觸控顯示基板的示意圖。其中，本實施例中所說的“構(gòu)圖工藝”包括沉積膜層、涂覆光刻膠、掩模曝光、顯影、刻蝕、剝離光刻膠等處理，是現(xiàn)有成熟的制備工藝。沉積可采用濺射、蒸鍍、化學(xué)氣相沉積等已知工藝，涂覆可采用已知的涂覆工藝，刻蝕可采用已知的方法，在此不做具體的限定。

第一次構(gòu)圖工藝中，在基底上通過構(gòu)圖工藝形成第一柵電極和柵線圖案。形成第一柵電極和柵線圖案包括：在基底上沉積一第一金屬薄膜，在第一金屬薄膜上涂覆一層光刻膠，采用單色調(diào)掩膜版對光刻膠進(jìn)行曝光并顯影，在第一柵電極和柵線圖案位置形成未曝光區(qū)域，保留有光刻膠，在其它位置形成完全曝光區(qū)域，光刻膠被去除，對完全曝光區(qū)域的第一金屬薄膜進(jìn)行刻蝕并剝離剩余的光刻膠，形成第一柵電極和柵線20圖案。隨后，沉積一柵絕緣層，柵絕緣層覆蓋第一柵電極和柵線20圖案，如圖6所示。

第二次構(gòu)圖工藝中，在形成有柵電極圖案和柵絕緣層的基底上，通過構(gòu)圖工藝形成第一有源層圖案。形成第一有源層圖案包括：在柵絕緣層12上沉積一有源層薄膜，在有源層薄膜上涂覆一層光刻膠，采用單色調(diào)掩膜版對光刻膠進(jìn)行曝光并顯影，在第一有源層圖案位置形成未曝光區(qū)域，保留有光刻膠，在其它位置形成完全曝光區(qū)域，光刻膠被去除，對完全曝光區(qū)域的有源層薄膜進(jìn)行刻蝕并剝離剩余的光刻膠，形成第一有源層圖案，如圖7所示。其中，第一有源層位于第一柵電極上。

第三次構(gòu)圖工藝中，在形成有前述圖案的基底上，通過構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線、功能信號線、第一源電極和第一漏電極圖案。形成數(shù)據(jù)線、功能信號線、第一源電極和第一漏電極圖案包括：在形成有前述圖案的基底上沉積一第二金屬薄膜，在第二金屬薄膜上涂覆一層光刻膠，采用單色調(diào)掩膜版對光刻膠進(jìn)行曝光并顯影，在數(shù)據(jù)線、功能信號線、第一源電極和第一漏電極圖案位置形成未曝光區(qū)域，保留有光刻膠，在其它位置形成完全曝光區(qū)域，光刻膠被去除，對完全曝光區(qū)域的第二金屬薄膜進(jìn)行刻蝕并剝離剩余的光刻膠，形成數(shù)據(jù)線30、功能信號線12、第一源電極和第一漏電極圖案，如圖8a、圖8b所示。其中，第一源電極與數(shù)據(jù)線30連接，第一漏電極與第一源電極相對設(shè)置，其間形成水平溝道，水平溝道的刻蝕工藝需要過刻處理，功能信號線12設(shè)置在相鄰像素區(qū)域之間的間隙處。

第四次構(gòu)圖工藝中，在形成有前述圖案的基底上，通過構(gòu)圖工藝形成第一鈍化層圖案。形成第一鈍化層圖案包括：在形成有前述圖案的基底上沉積一鈍化層薄膜，在鈍化層薄膜上涂覆一層光刻膠，采用單色調(diào)掩膜版對光刻膠進(jìn)行曝光并顯影，在鈍化層過孔圖案位置形成完全曝光區(qū)域，光刻膠被去除，在其它位置形成未曝光區(qū)域，保留有光刻膠，對完全曝光區(qū)域的鈍化層薄膜進(jìn)行刻蝕并剝離剩余的光刻膠，形成具有鈍化層過孔的第一鈍化層13圖案，如圖9a、圖9b所示。其中，鈍化層過孔設(shè)置在第一漏電極位置，暴露出第一漏電極表面。

第五次構(gòu)圖工藝中，在形成有前述圖案的基底上，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極圖案。形成像素電極圖案包括：在形成有前述圖案的基底上沉積一透明導(dǎo)電薄膜，在透明導(dǎo)電薄膜上涂覆一層光刻膠，采用單色調(diào)掩膜版對光刻膠進(jìn)行曝光并顯影，在像素電極圖案位置形成未曝光區(qū)域，保留有光刻膠，在其余位置形成完全曝光區(qū)域，光刻膠被去除，對完全曝光區(qū)域的透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行刻蝕并剝離剩余的光刻膠，形成像素電極50圖案，如圖10a、圖10b所示。其中，像素電極50設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)，通過鈍化層過孔與第一漏電極連接。

第六次構(gòu)圖工藝中，在形成有前述圖案的基底上，通過構(gòu)圖工藝形成第二有源層和金屬線層圖案。形成第二有源層和金屬線圖案包括：在形成有前述圖案的基底上依次沉積鈍化層薄膜、有源層薄膜和第三金屬薄膜，在第三金屬薄膜上涂覆一層光刻膠，采用半色調(diào)掩膜版或灰色調(diào)掩膜版對光刻膠進(jìn)行階梯曝光并顯影，在金屬線圖案位置形成未曝光區(qū)域，具有第一厚度的光刻膠，在有源層溝道位置形成部分曝光區(qū)域，具有第二厚度的光刻膠，在其余位置形成完全曝光區(qū)域，無光刻膠，第一厚度大于第二厚度。通過第一次刻蝕工藝刻蝕掉完全曝光區(qū)域的第三金屬薄膜和有源層薄膜，進(jìn)行光刻膠灰化處理，使光刻膠在整體上去除第二厚度，暴露出部分曝光區(qū)域的第三金屬薄膜，通過第二次刻蝕工藝刻蝕掉部分曝光區(qū)域的第三金屬薄膜，剝離掉剩余的光刻膠，形成第二有源層15和金屬線層圖案，如圖11a、圖11b所示。其中，第二有源層15設(shè)置在第二鈍化層14上，位于相鄰兩個像素區(qū)域之間的間隙處，金屬線層包括作為第二薄膜晶體管的第二源電極16的第一金屬線和作為第二薄膜晶體管的第二漏電極17的第二金屬線，第一金屬線和第二金屬線設(shè)置在第二有源層15上，其間區(qū)域形成水平溝道。其中，形成第二薄膜晶體管水平溝道的刻蝕工藝與形成第一薄膜晶體管水平溝道的刻蝕工藝一致，有源層需要過刻處理。

第七次構(gòu)圖工藝中，在形成有前述圖案的基底上，通過構(gòu)圖工藝形成電極塊圖案。形成電極塊圖案包括：在形成有前述圖案的基底上沉積一透明導(dǎo)電薄膜，在透明導(dǎo)電薄膜上涂覆一層光刻膠，采用單色調(diào)掩膜版對光刻膠進(jìn)行曝光并顯影，在電極塊圖案位置形成未曝光區(qū)域，保留有光刻膠，在其余位置形成完全曝光區(qū)域，光刻膠被去除，對完全曝光區(qū)域的透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行刻蝕并剝離剩余的光刻膠，形成電極塊60圖案。其中，相鄰的電極塊60中，一個電極塊60的端部搭設(shè)在第二源電極16上，形成與第二源電極16的連接，另一個電極塊60的端部搭設(shè)在第二漏電極17上，形成與第二漏電極17的連接。最后，沉積一配向膜層18，覆蓋前述圖案及整個基底，如圖4、圖5所示。形成電極塊圖案中，使得功能信號線在基底上的正投影位于相鄰兩個電極塊在基底上的正投影之間，且至少覆蓋相鄰兩個電極塊之間間隙在基底上的正投影，第一金屬線在基底上的正投影與相鄰兩個電極塊中一個電極塊在基底上的正投影部分重疊，第二金屬線在基底上的正投影與相鄰兩個電極塊中另一個電極塊在基底上的正投影部分重疊，最后形成設(shè)置在相鄰兩個電極塊之間作為開關(guān)單元的第二薄膜晶體管。

本實施例中，基底可以采用玻璃基底或石英基底。第一金屬薄膜、第二金屬薄膜和第三金屬薄膜可以采用鉑pt、釕ru、金au、銀ag、鉬mo、鉻cr、鋁al、鉭ta、鈦ti、鎢w等金屬中的一種或多種。柵絕緣層、第一鈍化層和第二鈍化層可以采用氮化硅sinx、氧化硅siox或sinx/siox的復(fù)合薄膜。第一有源層和第二有源層的材料既可以是多晶硅，形成低溫多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，ltps)薄膜晶體管，也可以是金屬氧化物，形成氧化物(oxide)薄膜晶體管，金屬氧化物材料可以是銦鎵鋅氧化物(indiumgalliumzincoxide，igzo)或銦錫鋅氧化物(indiumtinzincoxide，itzo)。透明導(dǎo)電薄膜可以采用氧化銦錫ito或氧化銦鋅izo。

通過圖6～11b所示的制備觸控顯示基板的過程可以看出，本實施例通過功能信號線、第二有源層和金屬線層形成第二薄膜晶體管，第二薄膜晶體管用于在顯示時段內(nèi)將各個電極塊導(dǎo)通，使得觸控顯示基板的所有電極塊處于整面導(dǎo)通狀態(tài)，不僅使得公共電壓供給更加均勻，降低了對觸控驅(qū)動電路公共電壓供給能力的高要求，降低了功耗，而且避免了因單一觸控信號線無法供給公共電壓或供給不足而導(dǎo)致的顯示不良，提高了顯示質(zhì)量。

需要說明的是，雖然本實施例以七次構(gòu)圖工藝為例描述了制備觸控顯示基板的過程，但實際實施時，制備本實施例觸控顯示基板也可以采用六次構(gòu)圖工藝或更少的構(gòu)圖工藝。例如，前述第二次構(gòu)圖工藝形成有源層圖案和第三次構(gòu)圖工藝形成第一源電極和第一漏電極圖案，實際上可以通過采用半色調(diào)掩膜或灰色調(diào)掩技術(shù)的一次構(gòu)圖工藝形成，本實施例在此不做具體限定。雖然本實施例以底柵結(jié)構(gòu)為例描述了第一薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)，但實際實施時，第一薄膜晶體管也可以采用頂柵結(jié)構(gòu)，本實施例在此不做具體限定。

如圖4、5所示，本實施例觸控顯示基板包括：

基底10；

設(shè)置在基底10上的柵線20和第一柵電極；第一柵電極與柵線20連接；

覆蓋柵線20和第一柵電極的柵絕緣層11；

設(shè)置在柵絕緣層11上的第一有源層；

設(shè)置在柵絕緣層11上的數(shù)據(jù)線30和功能信號線12，設(shè)置在第一有源層上的第一源電極和第一漏電極；第一源電極與數(shù)據(jù)線30連接，第一漏電極與第一源電極相對設(shè)置，其間區(qū)域形成水平溝道；作為第二柵電極的功能信號線12與數(shù)據(jù)線30同層，設(shè)置在相鄰電極塊之間，在基底上的正投影至少覆蓋相鄰兩個電極塊之間間隙在基底上的正投影；

覆蓋數(shù)據(jù)線30、功能信號線12、第一源電極和第一漏電極的第一鈍化層13，第一鈍化層13在第一漏電極位置開設(shè)有鈍化層過孔；

設(shè)置在第一鈍化層13上的像素電極50，像素電極50通過鈍化層過孔與第一漏電極連接；

覆蓋像素電極50的第二鈍化層14；

設(shè)置在第二鈍化層14上的第二有源層15，第二有源層15設(shè)置在作為第二柵電極的功能信號線12的上方；

設(shè)置在第二有源層15上的第一金屬線和第二金屬線，兩條金屬線分別作為第二源電極16和第二漏電極17，其間區(qū)域形成水平溝道；

多個相互獨立且呈陣列排布的電極塊60，相鄰的電極塊60中，一個電極塊60的端部搭設(shè)在第一金屬線上，形成與第二源電極16的連接，另一個電極塊60的端部搭設(shè)在第二金屬線上，形成與第二漏電極17的連接；

覆蓋上述圖案的配向膜層18。

第二實施例

圖12a為本發(fā)明第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，圖12b為圖12a中a-a向剖視圖。如圖12a、12b所示，與第一實施例不同的是，本實施例觸控顯示基板是在相鄰電極塊之間僅設(shè)置了功能信號線和第二有源層，功能信號線、第二有源層和兩個相鄰的電極塊一起構(gòu)成第二薄膜晶體管，即兩個相鄰電極塊中，一個作為第二源電極，另一個作為第二漏電極。本實施例觸控顯示基板的工作過程與第一實施例相同。

下面通過觸控顯示基板的制備過程進(jìn)一步說明本實施例的技術(shù)方案。

本實施例第一次～第五次構(gòu)圖工藝與前述第一實施例相同。

第六次構(gòu)圖工藝中，在形成有前述圖案的基底上，通過構(gòu)圖工藝形成有源層圖案。形成第二有源層圖案包括：在形成有前述圖案的基底上依次沉積鈍化層薄膜和有源層薄膜，在有源層薄膜上涂覆一層光刻膠，采用單色調(diào)掩膜版對光刻膠進(jìn)行曝光并顯影，在第二有源層圖案位置形成未曝光區(qū)域，保留有光刻膠，在其它位置形成完全曝光區(qū)域，光刻膠被去除，對完全曝光區(qū)域的有源層薄膜進(jìn)行刻蝕并剝離剩余的光刻膠，形成第二有源層15圖案。

第七次構(gòu)圖工藝中，在形成有前述圖案的基底上，通過構(gòu)圖工藝形成電極塊圖案。形成電極塊圖案包括：在形成有前述圖案的基底上沉積一透明導(dǎo)電薄膜，在透明導(dǎo)電薄膜上涂覆一層光刻膠，采用單色調(diào)掩膜版對光刻膠進(jìn)行曝光并顯影，在電極塊圖案位置形成未曝光區(qū)域，保留有光刻膠，在其余位置形成完全曝光區(qū)域，光刻膠被去除，對完全曝光區(qū)域的透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行刻蝕并剝離剩余的光刻膠，形成電極塊60圖案。其中，兩個相鄰的電極塊60中，一個電極塊60的端部搭設(shè)在第二有源層15的一側(cè)，作為第二源電極，另一個電極塊60的端部搭設(shè)在第二有源層15的另一側(cè)，作為第二漏電極，兩個電極塊60之間的區(qū)域形成水平溝道。最后，沉積一配向膜層18，覆蓋前述圖案及整個基底，如圖12a、12b所示。

本實施例中，由于只需采用普通掩膜工藝形成第二有源層，電極塊與第二有源層直接接觸，既不需采用半色調(diào)掩膜或灰色調(diào)掩技術(shù)，又減少了金屬線制備，因此具有工藝簡單、制備成本低的優(yōu)點。此外，本實施例通過功能信號線、第二有源層和電極塊形成第二薄膜晶體管，同樣實現(xiàn)了第一實施例在顯示時段內(nèi)將各個電極塊導(dǎo)通的效果。本實施例中，各膜層材料以及工藝要求與前述第一實施例相同。

如圖12a、12b所示，本實施例觸控顯示基板包括：

基底10；

設(shè)置在基底10上的柵線20和第一柵電極；第一柵電極與柵線20連接；

覆蓋柵線20和第一柵電極的柵絕緣層11；

設(shè)置在柵絕緣層11上的第一有源層；

設(shè)置在柵絕緣層11上的數(shù)據(jù)線30和功能信號線12，設(shè)置在第一有源層上的第一源電極和第一漏電極；第一源電極與數(shù)據(jù)線30連接，第一漏電極與第一源電極相對設(shè)置，其間區(qū)域形成水平溝道；作為第二柵電極的功能信號線12與數(shù)據(jù)線30同層，設(shè)置在相鄰電極塊之間，在基底上的正投影至少覆蓋相鄰兩個電極塊之間間隙在基底上的正投影；

覆蓋數(shù)據(jù)線30、功能信號線12、第一源電極和第一漏電極的第一鈍化層13，第一鈍化層13在第一漏電極位置開設(shè)有鈍化層過孔；

設(shè)置在第一鈍化層13上的像素電極50，像素電極50通過鈍化層過孔與第一漏電極連接；

覆蓋像素電極50的第二鈍化層14；

設(shè)置在第二鈍化層14上的第二有源層15，第二有源層15設(shè)置在作為第二柵電極的功能信號線12的上方；

多個相互獨立且呈陣列排布的電極塊60，設(shè)置在第二鈍化層14上的電極塊60，相鄰的電極塊60中，一個電極塊60的端部搭設(shè)在第二有源層15的一側(cè)，另一個電極塊60的端部搭設(shè)在第二有源層15的另一側(cè)，兩個電極塊60之間區(qū)域形成水平溝道；

覆蓋上述圖案的配向膜層18。

第三實施例

基于前述實施例的發(fā)明構(gòu)思，本實施例提供了一種觸控顯示基板的制備方法，包括：

形成開關(guān)單元和多個相互獨立且呈陣列排布的電極塊，所述開關(guān)單元形成在相鄰兩個電極塊之間；所述電極塊用于在顯示時段內(nèi)接收公共電壓，在觸控時段內(nèi)接收觸控掃描信號；所述開關(guān)單元用于在顯示時段內(nèi)使相鄰的電極塊電連接。

在一個實施例中，所述形成開關(guān)單元，包括：

依次形成功能信號線、絕緣層、有源層和金屬線層，所述功能信號線在基底上的正投影至少覆蓋相鄰兩個電極塊之間間隙在基底上的正投影，所述金屬線層包括間隔設(shè)置的第一金屬線和第二金屬線，第一金屬線和第二金屬線之間的區(qū)域形成水平溝道，所述第一金屬線和第二金屬線在基底上的正投影分別與相鄰兩個電極塊在基底上的正投影部分重疊。

所述形成多個相互獨立且呈陣列排布的電極塊，包括：

形成多個相互獨立且呈陣列排布的電極塊，相鄰兩個電極塊分別與所述第一金屬線和第二金屬線連接。

在另一個實施例中，所述形成開關(guān)單元，包括：

依次形成功能信號線、絕緣層和有源層，所述功能信號線在基底上的正投影至少覆蓋相鄰兩個電極塊之間間隙在基底上的正投影。

所述形成多個相互獨立且呈陣列排布的電極塊，包括：

形成多個相互獨立且呈陣列排布的電極塊，相鄰兩個電極塊中，一個電極塊的端部搭設(shè)在有源層的一側(cè)，另一個電極塊的端部搭設(shè)在有源層的另一側(cè)，兩個電極塊之間的區(qū)域形成水平溝道。

其中，還包括：在基底上形成交叉設(shè)置的柵線和數(shù)據(jù)線，所述功能電極線與所述數(shù)據(jù)線同層且在一次構(gòu)圖工藝中同時形成。

第四實施例

基于前述實施例的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供了一種觸控顯示裝置，觸控顯示裝置包括采用前述實施例的觸控顯示基板。觸控顯示裝置可以為：手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

在本發(fā)明實施例的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明實施例的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

雖然本發(fā)明所揭露的實施方式如上，但所述的內(nèi)容僅為便于理解本發(fā)明而采用的實施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所揭露的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式及細(xì)節(jié)上進(jìn)行任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。