本實(shí)用新型涉及光模塊領(lǐng)域，尤其涉及一種光模塊。

背景技術(shù)：

隨著技術(shù)的不斷更新，光模塊行業(yè)的快速發(fā)展，越來越多的設(shè)備商開始重視光模塊的功耗問題，這也就要求光模塊廠商開始研發(fā)低功耗的光模塊產(chǎn)品。

在光模塊中，多數(shù)的激光器驅(qū)動芯片的廠商中都采用了如圖1的芯片內(nèi)部電源供電方案，其中，數(shù)字I/O接口電路部分的工作電源電壓是1.8V的，與內(nèi)部的Core Circuit的電源電壓一樣，方便兩部分電路之間的通訊與控制。

但是，光模塊中的單片機(jī)MCU的通訊和控制線路均是標(biāo)準(zhǔn)的3.3V電源電壓，在圖2所示出的3.3V數(shù)字邏輯電路的轉(zhuǎn)換電平示意圖，各個(gè)符號所表示的意思如下：

輸入“1”電平V_IH：保證邏輯門的輸入為“1”電平時(shí)所允許的最小輸入“1”電平，當(dāng)輸入電平高于V_IH時(shí)，則認(rèn)為輸入電平為”1”電平。

輸入“0”電平V_IL：保證邏輯門的輸入為“0”電平時(shí)所允許的最大輸入“0”電平，當(dāng)輸入電平低于V_IL時(shí)，則認(rèn)為輸入電平為“0”電平。

輸出“1”電平V_OH：保證邏輯門的輸出為“1”電平時(shí)的輸出電平的最小值，邏輯門的輸出為“1”電平時(shí)的電平值都必須大于此V_OH。

輸出“0”電平V_OL：保證邏輯門的輸出為“0”電平時(shí)的輸出電平的最大值，邏輯門的輸出為“0”電平時(shí)的電平值都必須小于此V_OL。

閾值電平V_TH：數(shù)字電路芯片都存在一個(gè)閾值電平，就是電路剛剛勉強(qiáng)能翻轉(zhuǎn)動作時(shí)的電平。它是一個(gè)界于V_IL、V_IH之間的電壓值，若要保證穩(wěn)定的輸出，則必須要求輸入“1”電平>V_IH，輸入“0”電平<V_IL。

在圖3所示的光模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖中，光模塊內(nèi)部包含了MCU和激光器驅(qū)動芯片，且MCU是與激光器驅(qū)動芯片的數(shù)字I/O接口之間進(jìn)行通訊和控制，MCU的邏輯電平是3.3V，激光器驅(qū)動芯片的數(shù)字I/O接口的邏輯電平是1.8V，而MCU要準(zhǔn)確的識別激光器驅(qū)動芯片的數(shù)字I/O接口的輸出信號的話，就需要激光器驅(qū)動芯片的數(shù)字I/O接口的輸出邏輯電平為“1”電平大于2V，“0”電平小于0.8V，顯然激光器驅(qū)動芯片的數(shù)字I/O接口的“1”電平不能滿足這個(gè)要求，因此，MCU與激光器驅(qū)動芯片進(jìn)行通訊或控制的時(shí)候就出現(xiàn)了接口間的電壓不匹配的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的上述MCU與激光器驅(qū)動芯片進(jìn)行通訊或控制時(shí)電壓不匹配的缺陷，提供一種光模塊，能使MCU與激光器驅(qū)動芯片之間進(jìn)行正常的通訊和控制。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：構(gòu)造一種光模塊，包括MCU及激光器驅(qū)動芯片，還包括：連接在所述MCU及所述激光器驅(qū)動芯片之間的邏輯電平轉(zhuǎn)換芯片。

優(yōu)選地，所述邏輯電平轉(zhuǎn)換芯片為型號是TXS0102的集成芯片。

實(shí)施本實(shí)用新型的技術(shù)方案，邏輯電平轉(zhuǎn)換芯片能完成兩個(gè)不同工作電壓的MCU和激光器驅(qū)動芯片之間的邏輯電平的轉(zhuǎn)換工作，使MCU和激光器驅(qū)動芯片之間能進(jìn)行正常的通訊或控制。

附圖說明

下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，附圖中：

圖1是現(xiàn)有的激光器驅(qū)動芯片內(nèi)部電源供電的示意圖；

圖2是MCU數(shù)字邏輯電路的轉(zhuǎn)換電平的示意圖；

圖3是現(xiàn)有的光模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本實(shí)用新型的光模塊實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是圖4中邏輯電平轉(zhuǎn)換芯片實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

圖4是本實(shí)用新型的光模塊實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖，該實(shí)施例的光模塊包括MCU12、激光器驅(qū)動芯片11及邏輯電平轉(zhuǎn)換芯片13，該邏輯電平轉(zhuǎn)換芯片13連接兩個(gè)不同工作電壓的MCU12和激光器驅(qū)動芯片11，用于完成邏輯電平的轉(zhuǎn)換工作，使MCU12和激光器驅(qū)動芯片11之間能進(jìn)行正常的通訊或控制。

優(yōu)選地，邏輯電平轉(zhuǎn)換芯片13選用型號為TXS0102的集成芯片，能節(jié)省光模塊PCB的空間，順應(yīng)了光模塊小型化的趨勢。

在該優(yōu)選實(shí)施例中，如圖5所示，在型號為TXS0102的集成芯片中，OE引腳是邏輯電平轉(zhuǎn)換芯片的使能控制引腳，當(dāng)OE為“1”電平時(shí)，該芯片開啟電平轉(zhuǎn)換功能，通常情況下，V_CCA是接低電壓側(cè)，V_CCB是接高電壓側(cè)，N-MOS管N1的Gate Bias的門限電壓的設(shè)置值會比低壓側(cè)的VCC的電壓略高，N-MOS管N1此時(shí)是有一定的導(dǎo)通阻抗的，也就是在芯片開啟的狀態(tài)下通道A和通道B之間不是直連的，是有一定的阻抗的，目的就在于不會造成通道A和通道B因?yàn)殡妷翰煌瑢?dǎo)致的電流倒灌引起過載，同時(shí)由于通道A和通道B之間是有阻抗的，所以，在雙向通信的時(shí)候高頻信號就會衰減很嚴(yán)重，解決高頻衰減就是靠內(nèi)部的脈沖加速電路(One Shot Accelerator)，當(dāng)檢測到任何一個(gè)通道的上升沿后，脈沖加速電路就會打開P-MOS(T1,T2)來增加驅(qū)動電流的能力，加速信號的上升沿的斜率來補(bǔ)償因?yàn)橥ǖ繟和通道B之間因?yàn)镹-MOS的導(dǎo)通阻抗引起的高頻信號的衰減，實(shí)現(xiàn)了在不需要任何額外的控制下，通道A和通道B之間的邏輯電平可以自由的相互轉(zhuǎn)換。

結(jié)合圖4和圖5，當(dāng)該光模塊上電后，MCU12完成初始化，使控制邏輯電平轉(zhuǎn)換芯片13的OE引腳置“1”，電阻R3的作用就是起到把MCU12在復(fù)位期間其I/O引腳處于弱上拉的“1”電平狀態(tài)強(qiáng)制拉到“0”電平狀態(tài)，使邏輯電平轉(zhuǎn)換芯片13處于高阻狀態(tài)，防止不同工作電壓的芯片間的電位相互影響，引起異常，電阻R3的取值范圍為1K Ohm～2K Ohm，待各個(gè)芯片的上電均已完成，MCU12才會使能邏輯電平轉(zhuǎn)換芯片13的OE引腳。而且，該邏輯電平轉(zhuǎn)換芯片13是自動雙向通信的，不需要額外的控制，所以激光器驅(qū)動芯片11和MCU12間通信的邏輯電平可以實(shí)現(xiàn)自由轉(zhuǎn)換，激光器驅(qū)動芯片11的數(shù)字I/O接口的1.8V電平均可以轉(zhuǎn)換到3.3V的邏輯電平，解決了MCU12與激光器驅(qū)動芯片11的數(shù)字I/O接口之間的邏輯信號電平識別問題。

綜上所述，該實(shí)施例中的邏輯電平轉(zhuǎn)換芯片13能完成兩個(gè)不同工作電壓的MCU12和激光器驅(qū)動芯片11之間的邏輯電平的轉(zhuǎn)換工作，使光模塊內(nèi)部MCU12及激光器驅(qū)動芯片11之間能正常通信與控制，使得光模塊的低功耗方案得以實(shí)施，解決了設(shè)備廠商對光模塊的低功耗需求。

以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。