本發(fā)明涉及固態(tài)硬盤性能監(jiān)測,尤其涉及一種固態(tài)硬盤的實(shí)時(shí)性能檢測方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù):
1、隨著計(jì)算機(jī)系統(tǒng)性能的不斷提升,固態(tài)硬盤作為高性能存儲設(shè)備,正在被廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化、邊緣計(jì)算等領(lǐng)域。這些應(yīng)用場景通常要求存儲設(shè)備具有可靠、高效的實(shí)時(shí)性能保障。然而,由于固態(tài)硬盤本身的微觀物理特性,在長期高強(qiáng)度工作負(fù)載下,其性能可能會出現(xiàn)不同程度的退化,如讀寫速度降低、訪問延遲增大等。這些性能變化會直接影響到上層應(yīng)用系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行,給用戶和設(shè)備運(yùn)維帶來諸多挑戰(zhàn)。
2、傳統(tǒng)的固態(tài)硬盤性能檢測方法,通常依賴于靜態(tài)的基準(zhǔn)測試或人工觀測,難以實(shí)時(shí)反映硬盤在實(shí)際工作環(huán)境下的動態(tài)性能特征。這種方法不僅無法及時(shí)反映固體硬盤的實(shí)時(shí)性能,得到的性能結(jié)果也不準(zhǔn)確,因此,迫切需要一種智能化的固態(tài)硬盤實(shí)時(shí)性能檢測方法,能夠深入洞察硬盤在復(fù)雜工作負(fù)載下的實(shí)時(shí)性能表現(xiàn),為關(guān)鍵應(yīng)用系統(tǒng)提供可靠的性能保障。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題,提出了一種固態(tài)硬盤的實(shí)時(shí)性能檢測方法及系統(tǒng),以解決至少一個(gè)上述技術(shù)問題。
2、為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種固態(tài)硬盤的實(shí)時(shí)性能檢測方法,包括以下步驟:
3、步驟s1:對固態(tài)硬盤進(jìn)行空閑扇區(qū)識別,并進(jìn)行標(biāo)記塊常態(tài)化運(yùn)行植入處理,得到多個(gè)常態(tài)化運(yùn)行植入標(biāo)記塊;
4、步驟s2:對多個(gè)常態(tài)化運(yùn)行植入標(biāo)記塊進(jìn)行順序數(shù)據(jù)訪問請求,并進(jìn)行硬盤磁頭尋道追蹤分析,構(gòu)建全局尋道追蹤軌跡;
5、步驟s3:對全局尋道追蹤軌跡進(jìn)行標(biāo)記塊理論訪問速度計(jì)算,并進(jìn)行訪問延遲計(jì)算,從而得到硬盤常態(tài)化訪問延遲數(shù)據(jù);
6、步驟s4:對固態(tài)硬盤進(jìn)行校驗(yàn)塊遞進(jìn)植入分析,并進(jìn)行硬盤負(fù)載演化,從而生成每一個(gè)方案的硬盤負(fù)載數(shù)據(jù);
7、步驟s5:對每一個(gè)方案的硬盤負(fù)載數(shù)據(jù)進(jìn)行負(fù)載趨勢下降突變識別,并進(jìn)行最大運(yùn)行負(fù)載計(jì)算,從而得到固態(tài)硬盤實(shí)時(shí)最大運(yùn)行負(fù)載數(shù)據(jù);
8、步驟s6:對硬盤常態(tài)化訪問延遲數(shù)據(jù)及固態(tài)硬盤實(shí)時(shí)最大運(yùn)行負(fù)載數(shù)據(jù)進(jìn)行綜合性能評估,以生成固態(tài)硬盤實(shí)時(shí)性能評估結(jié)果。
9、本發(fā)明通過識別硬盤上的空閑扇區(qū),避免對正在使用的數(shù)據(jù)塊進(jìn)行干擾,確保檢測過程不會影響正常業(yè)務(wù),在空閑扇區(qū)上植入標(biāo)記塊并進(jìn)行常態(tài)化運(yùn)行,模擬出硬盤的正常工作狀態(tài),為后續(xù)的性能分析提供可靠的基準(zhǔn)數(shù)據(jù),順序訪問標(biāo)記塊最大化利用硬盤的并行讀寫能力,從而更準(zhǔn)確地反映硬盤的實(shí)際性能表現(xiàn),通過對磁頭尋道軌跡的分析,深入了解硬盤的工作機(jī)制,為性能瓶頸的診斷提供重要依據(jù),計(jì)算標(biāo)記塊的理論訪問速度,得到硬盤最佳工作狀態(tài)下的性能指標(biāo),同時(shí)計(jì)算實(shí)際的訪問延遲,反映出硬盤在實(shí)際負(fù)載下的性能表現(xiàn),為性能分析提供全面的數(shù)據(jù)支撐,通過遞進(jìn)植入校驗(yàn)塊,模擬出不同負(fù)載強(qiáng)度下硬盤的工作狀態(tài),為后續(xù)的負(fù)載分析提供基礎(chǔ)數(shù)據(jù),對硬盤負(fù)載進(jìn)行演化分析,更加全面地反映出硬盤在復(fù)雜工作條件下的性能變化,識別負(fù)載下降的突變點(diǎn),精準(zhǔn)地定位出硬盤的性能極限,為合理配置硬盤容量提供依據(jù),計(jì)算出硬盤的最大運(yùn)行負(fù)載,為業(yè)務(wù)系統(tǒng)的硬盤選型提供重要參考,將硬盤的常態(tài)化訪問延遲和最大運(yùn)行負(fù)載兩個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)進(jìn)行綜合分析,全面反映出硬盤的實(shí)時(shí)性能表現(xiàn),這種基于多維度數(shù)據(jù)的性能評估方法,更準(zhǔn)確地診斷出硬盤的性能瓶頸,為優(yōu)化策略的制定提供依據(jù)。
10、優(yōu)選地,步驟s1包括以下步驟:
11、步驟s11:對固態(tài)硬盤進(jìn)行邏輯塊掃描處理,識別固態(tài)硬盤邏輯塊數(shù)據(jù);
12、步驟s12:對固態(tài)硬盤邏輯塊數(shù)據(jù)進(jìn)行空閑扇區(qū)識別,提取固態(tài)硬盤空閑扇區(qū);
13、步驟s13:對固態(tài)硬盤空閑扇區(qū)進(jìn)行逐個(gè)扇區(qū)利用率計(jì)算,從而得到每一個(gè)空閑扇區(qū)的空間利用率;
14、步驟s14:基于每一個(gè)空閑扇區(qū)的空間利用率對固態(tài)硬盤進(jìn)行標(biāo)記塊常態(tài)化運(yùn)行植入處理,得到多個(gè)常態(tài)化運(yùn)行植入標(biāo)記塊。
15、本發(fā)明通過邏輯塊掃描處理準(zhǔn)確識別固態(tài)硬盤中存儲的邏輯塊數(shù)據(jù),幫助系統(tǒng)了解硬盤中存儲的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu),從而為后續(xù)的數(shù)據(jù)操作和分析提供準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)基礎(chǔ),通過對固態(tài)硬盤邏輯塊數(shù)據(jù)進(jìn)行空閑扇區(qū)的識別和提取,系統(tǒng)能夠有效地辨別出硬盤中未被占用的空間,的結(jié)果優(yōu)化硬盤的存儲空間利用率,提高數(shù)據(jù)的存儲效率,逐個(gè)扇區(qū)計(jì)算空閑扇區(qū)的利用率,系統(tǒng)得知每個(gè)空閑扇區(qū)的具體空間利用情況,對于了解硬盤存儲空間的利用情況至關(guān)重要,為后續(xù)的存儲優(yōu)化提供了重要信息,根據(jù)空閑扇區(qū)的空間利用率,對固態(tài)硬盤進(jìn)行標(biāo)記塊的常態(tài)化運(yùn)行植入處理,為后續(xù)的硬盤延遲監(jiān)測計(jì)算創(chuàng)造實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。
16、優(yōu)選地,步驟s14具體步驟為:
17、對固態(tài)硬盤空閑扇區(qū)進(jìn)行扇區(qū)空間分布分析,以生成空閑扇區(qū)空間分布數(shù)據(jù);
18、對空閑扇區(qū)空間分布數(shù)據(jù)進(jìn)行扇區(qū)分布拓?fù)潢P(guān)聯(lián)分析,構(gòu)建扇區(qū)空閑分布拓?fù)鋱D;
19、基于每一個(gè)空閑扇區(qū)的空間利用率進(jìn)行最大校驗(yàn)塊植入計(jì)算,從而得到每一個(gè)空閑扇區(qū)的最大校驗(yàn)塊植入數(shù)量;
20、根據(jù)每一個(gè)空閑扇區(qū)的最大校驗(yàn)塊植入數(shù)量進(jìn)行校驗(yàn)塊分布均勻約束分析,提取校驗(yàn)塊植入均勻約束數(shù)據(jù);
21、根據(jù)校驗(yàn)塊植入均勻約束數(shù)據(jù)對扇區(qū)空閑分布拓?fù)鋱D進(jìn)行最佳植入分析,從而得到每一個(gè)空閑扇區(qū)的最佳植入數(shù)量;
22、根據(jù)每一個(gè)空閑扇區(qū)的最佳植入數(shù)量對固態(tài)硬盤進(jìn)行標(biāo)記塊隨機(jī)植入處理,得到多個(gè)常態(tài)化運(yùn)行植入標(biāo)記塊。
23、本發(fā)明通過對固態(tài)硬盤空閑扇區(qū)進(jìn)行分析,生成了空閑扇區(qū)空間分布數(shù)據(jù),系統(tǒng)了解硬盤中空閑空間的分布情況,為后續(xù)的優(yōu)化提供了基礎(chǔ)數(shù)據(jù),在空閑扇區(qū)空間分布數(shù)據(jù)的基礎(chǔ)上,進(jìn)行扇區(qū)分布拓?fù)潢P(guān)聯(lián)分析,構(gòu)建扇區(qū)空閑分布拓?fù)鋱D,幫助可視化硬盤空間的結(jié)構(gòu),發(fā)現(xiàn)扇區(qū)之間的關(guān)聯(lián)性,為后續(xù)的植入計(jì)算提供依據(jù),基于空閑扇區(qū)的空間利用率,計(jì)算每個(gè)空閑扇區(qū)的最大校驗(yàn)塊植入數(shù)量,確定最大可容納的校驗(yàn)塊數(shù)量,為數(shù)據(jù)校驗(yàn)和冗余提供支持,根據(jù)最大校驗(yàn)塊植入數(shù)量,進(jìn)行校驗(yàn)塊分布均勻約束分析,提取校驗(yàn)塊植入均勻約束數(shù)據(jù),確保校驗(yàn)塊在硬盤上的均勻分布,提高數(shù)據(jù)的安全性和可靠性,基于校驗(yàn)塊植入均勻約束數(shù)據(jù),對扇區(qū)空閑分布拓?fù)鋱D進(jìn)行最佳植入分析,得到每個(gè)空閑扇區(qū)的最佳植入數(shù)量,優(yōu)化校驗(yàn)塊的分布,提高數(shù)據(jù)的讀寫效率和硬盤的穩(wěn)定性。
24、優(yōu)選地,步驟s2具體步驟為:
25、步驟s21:對多個(gè)常態(tài)化運(yùn)行植入標(biāo)記塊進(jìn)行順序編碼,得到植入標(biāo)記塊編碼序列;
26、步驟s22:基于植入標(biāo)記塊編碼序列進(jìn)行順序數(shù)據(jù)訪問請求,記錄每一個(gè)標(biāo)記塊的訪問請求數(shù)據(jù);
27、步驟s23:對每一個(gè)標(biāo)記塊的訪問請求數(shù)據(jù)進(jìn)行硬盤磁頭尋道追蹤分析,生成每一個(gè)標(biāo)記塊的磁頭尋道追蹤軌跡;
28、步驟s24:對每一個(gè)標(biāo)記塊的磁頭尋道追蹤軌跡進(jìn)行時(shí)序連接處理,構(gòu)建全局尋道追蹤軌跡。
29、本發(fā)明通過對多個(gè)常態(tài)化運(yùn)行植入標(biāo)記塊進(jìn)行順序編碼,得到植入標(biāo)記塊編碼序列,這樣的編碼序列確定標(biāo)記塊的排列順序,為后續(xù)數(shù)據(jù)訪問請求和性能分析提供依據(jù),基于植入標(biāo)記塊編碼序列,進(jìn)行順序數(shù)據(jù)訪問請求,記錄每個(gè)標(biāo)記塊的訪問請求數(shù)據(jù),模擬真實(shí)數(shù)據(jù)訪問情況,為后續(xù)的性能分析和優(yōu)化提供準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)支持,對每個(gè)標(biāo)記塊的訪問請求數(shù)據(jù)進(jìn)行硬盤磁頭尋道追蹤分析,生成每個(gè)標(biāo)記塊的磁頭尋道追蹤軌跡,這種分析了解磁頭在硬盤上的移動情況,為提高數(shù)據(jù)讀取速度和硬盤性能提供重要信息,對每個(gè)標(biāo)記塊的磁頭尋道追蹤軌跡進(jìn)行時(shí)序連接處理,構(gòu)建全局尋道追蹤軌跡,這個(gè)全局尋道追蹤軌跡幫助優(yōu)化數(shù)據(jù)的讀取路徑,提高硬盤的讀取效率和性能穩(wěn)定性。
30、優(yōu)選地,步驟s3具體步驟為:
31、步驟s31:對多個(gè)常態(tài)化運(yùn)行植入標(biāo)記塊進(jìn)行相鄰標(biāo)記塊間隔計(jì)算,提取多個(gè)標(biāo)記塊間隔距離;
32、步驟s32:提取每一個(gè)標(biāo)記塊的訪問請求數(shù)據(jù)提取啟始、終止時(shí)間戳;
33、步驟s33:根據(jù)啟始、終止時(shí)間戳對多個(gè)標(biāo)記塊間隔距離進(jìn)行標(biāo)記塊理論訪問速度計(jì)算,以生成標(biāo)記塊理論訪問速度;
34、步驟s34:基于標(biāo)記塊理論訪問速度對全局尋道追蹤軌跡進(jìn)行訪問延遲計(jì)算,從而得到硬盤常態(tài)化訪問延遲數(shù)據(jù)。
35、本發(fā)明通過對多個(gè)常態(tài)化運(yùn)行植入標(biāo)記塊進(jìn)行相鄰標(biāo)記塊間隔計(jì)算,提取多個(gè)標(biāo)記塊間隔距離,了解標(biāo)記塊之間的空間分布,為后續(xù)訪問速度和延遲計(jì)算提供基礎(chǔ)數(shù)據(jù),提取每個(gè)標(biāo)記塊的訪問請求數(shù)據(jù)的啟始和終止時(shí)間戳,這些時(shí)間戳記錄確定標(biāo)記塊的訪問持續(xù)時(shí)間,為后續(xù)的速度和延遲計(jì)算提供時(shí)間參考,根據(jù)每個(gè)標(biāo)記塊的啟始和終止時(shí)間戳以及標(biāo)記塊間隔距離,計(jì)算多個(gè)標(biāo)記塊的理論訪問速度,了解標(biāo)記塊之間的訪問速度情況,為后續(xù)延遲計(jì)算提供依據(jù),基于標(biāo)記塊理論訪問速度,對全局尋道追蹤軌跡進(jìn)行訪問延遲計(jì)算,得到硬盤的常態(tài)化訪問延遲數(shù)據(jù),這個(gè)延遲數(shù)據(jù)幫助評估硬盤的訪問性能,發(fā)現(xiàn)并優(yōu)化潛在的延遲問題,提高硬盤的實(shí)時(shí)性能。
36、優(yōu)選地,步驟s34的具體步驟為:
37、根據(jù)啟始、終止時(shí)間戳對每一個(gè)標(biāo)記塊的磁頭尋道追蹤軌跡進(jìn)行訪問速度計(jì)算,得到每一個(gè)標(biāo)記塊的訪問速度參數(shù);
38、基于每一個(gè)標(biāo)記塊的訪問速度參數(shù)對標(biāo)記塊理論訪問速度進(jìn)行理論偏差識別,提取訪問速度偏差的標(biāo)記塊;
39、對訪問速度偏差的標(biāo)記塊進(jìn)行訪問延遲計(jì)算,從而得到標(biāo)記塊訪問延遲數(shù)據(jù);
40、根據(jù)標(biāo)記塊訪問延遲數(shù)據(jù)對全局尋道追蹤軌跡進(jìn)行訪問延遲分布分析,從而得到全局軌跡延遲分布數(shù)據(jù);
41、對全局軌跡延遲分布數(shù)據(jù)進(jìn)行常態(tài)化延遲平均計(jì)算,從而得到硬盤常態(tài)化訪問延遲數(shù)據(jù)。
42、本發(fā)明通過每個(gè)標(biāo)記塊的啟始和終止時(shí)間戳,對磁頭尋道追蹤軌跡進(jìn)行訪問速度計(jì)算,得到每個(gè)標(biāo)記塊的訪問速度參數(shù),了解每個(gè)標(biāo)記塊的實(shí)際訪問速度情況,基于每個(gè)標(biāo)記塊的訪問速度參數(shù),識別標(biāo)記塊的理論訪問速度與實(shí)際訪問速度之間的偏差,提取訪問速度偏差的標(biāo)記塊,發(fā)現(xiàn)訪問速度異?;蚱钶^大的標(biāo)記塊,為后續(xù)延遲分析做準(zhǔn)備,對訪問速度偏差的標(biāo)記塊進(jìn)行訪問延遲計(jì)算,得到標(biāo)記塊的訪問延遲數(shù)據(jù),這個(gè)步驟量化訪問速度偏差對訪問延遲的影響,進(jìn)一步分析硬盤的性能狀況,根據(jù)標(biāo)記塊訪問延遲數(shù)據(jù),對全局尋道追蹤軌跡進(jìn)行訪問延遲分布分析,得到全局軌跡延遲分布數(shù)據(jù),了解整體的訪問延遲情況和分布特點(diǎn),對全局軌跡延遲分布數(shù)據(jù)進(jìn)行常態(tài)化延遲平均計(jì)算,得到硬盤的常態(tài)化訪問延遲數(shù)據(jù),能夠提供硬盤常態(tài)化訪問延遲的平均值,為評估硬盤的性能提供重要指標(biāo)。
43、優(yōu)選地,步驟s4的具體步驟為:
44、步驟s41:根據(jù)每一個(gè)空閑扇區(qū)的最大校驗(yàn)塊植入數(shù)量進(jìn)行校驗(yàn)塊遞進(jìn)植入分析,從而得到校驗(yàn)塊數(shù)量遞進(jìn)植入方案;
45、步驟s42:基于校驗(yàn)塊數(shù)量遞進(jìn)植入方案對固態(tài)硬盤進(jìn)行遞進(jìn)植入模擬,并獲取每一個(gè)方案的實(shí)時(shí)硬盤狀態(tài)數(shù)據(jù);
46、步驟s43:對每一個(gè)方案的實(shí)時(shí)硬盤狀態(tài)數(shù)據(jù)進(jìn)行整體吞吐率計(jì)算,生成每一個(gè)方案的硬盤實(shí)時(shí)吞吐率;
47、步驟s44:根據(jù)每一個(gè)方案的硬盤實(shí)時(shí)吞吐率進(jìn)行硬盤負(fù)載演化,從而生成每一個(gè)方案的硬盤負(fù)載數(shù)據(jù)。
48、本發(fā)明通過根據(jù)每個(gè)空閑扇區(qū)的最大校驗(yàn)塊植入數(shù)量,進(jìn)行校驗(yàn)塊數(shù)量遞進(jìn)植入分析,得到校驗(yàn)塊數(shù)量遞進(jìn)植入方案,確定最佳的校驗(yàn)塊植入數(shù)量方案,以提高硬盤的穩(wěn)定性和性能,基于校驗(yàn)塊數(shù)量遞進(jìn)植入方案對固態(tài)硬盤進(jìn)行遞進(jìn)植入模擬,獲取每個(gè)方案的實(shí)時(shí)硬盤狀態(tài)數(shù)據(jù),評估不同方案對硬盤性能的影響,為性能調(diào)優(yōu)提供實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),對每個(gè)方案的實(shí)時(shí)硬盤狀態(tài)數(shù)據(jù)進(jìn)行整體吞吐率計(jì)算,生成每個(gè)方案的硬盤實(shí)時(shí)吞吐率,了解不同方案下硬盤的數(shù)據(jù)讀寫能力,為選擇最佳方案提供依據(jù),根據(jù)每個(gè)方案的硬盤實(shí)時(shí)吞吐率,進(jìn)行硬盤負(fù)載演化分析,生成每個(gè)方案的硬盤負(fù)載數(shù)據(jù),評估硬盤的負(fù)載情況,發(fā)現(xiàn)潛在的負(fù)載瓶頸和優(yōu)化空間。
49、優(yōu)選地,步驟s5的具體步驟為:
50、步驟s51:對每一個(gè)方案的硬盤負(fù)載數(shù)據(jù)進(jìn)行時(shí)序負(fù)載變化分析,生成硬盤時(shí)序負(fù)載變化數(shù)據(jù);
51、步驟s52:對硬盤時(shí)序負(fù)載變化數(shù)據(jù)進(jìn)行趨勢變化擬合,以構(gòu)建硬盤負(fù)載趨勢曲線;
52、步驟s53:對硬盤負(fù)載趨勢曲線進(jìn)行趨勢下降突變識別,標(biāo)記負(fù)載趨勢下降突變節(jié)點(diǎn);
53、步驟s54:根據(jù)負(fù)載趨勢下降突變節(jié)點(diǎn)定義為硬盤性能瓶頸節(jié)點(diǎn);
54、步驟s55:對硬盤性能瓶頸節(jié)點(diǎn)進(jìn)行最大運(yùn)行負(fù)載計(jì)算,從而得到固態(tài)硬盤實(shí)時(shí)最大運(yùn)行負(fù)載數(shù)據(jù)。
55、本發(fā)明通過對每個(gè)方案的硬盤負(fù)載數(shù)據(jù)進(jìn)行時(shí)序負(fù)載變化分析,生成硬盤時(shí)序負(fù)載變化數(shù)據(jù),了解硬盤負(fù)載隨時(shí)間的變化規(guī)律,為后續(xù)趨勢分析提供數(shù)據(jù)基礎(chǔ),對硬盤時(shí)序負(fù)載變化數(shù)據(jù)進(jìn)行趨勢變化擬合,構(gòu)建硬盤負(fù)載趨勢曲線,發(fā)現(xiàn)負(fù)載的整體變化趨勢,為性能瓶頸的識別提供依據(jù),對硬盤負(fù)載趨勢曲線進(jìn)行趨勢下降突變識別,標(biāo)記負(fù)載趨勢下降突變節(jié)點(diǎn),捕捉負(fù)載下降的突變點(diǎn),指示性能瓶頸的出現(xiàn),根據(jù)負(fù)載趨勢下降突變節(jié)點(diǎn)定義為硬盤性能瓶頸節(jié)點(diǎn),明確標(biāo)識出性能瓶頸的位置,為后續(xù)性能優(yōu)化提供方向,對硬盤性能瓶頸節(jié)點(diǎn)進(jìn)行最大運(yùn)行負(fù)載計(jì)算,得到固態(tài)硬盤的實(shí)時(shí)最大運(yùn)行負(fù)載數(shù)據(jù),確定硬盤在性能瓶頸情況下的最大承載能力,為系統(tǒng)性能規(guī)劃和負(fù)載管理提供參考。
56、優(yōu)選地,步驟s6的具體步驟為:
57、步驟s61:對硬盤常態(tài)化訪問延遲數(shù)據(jù)及固態(tài)硬盤實(shí)時(shí)最大運(yùn)行負(fù)載數(shù)據(jù)進(jìn)行參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)化處理,從而得到標(biāo)準(zhǔn)化訪問延遲數(shù)據(jù)及標(biāo)準(zhǔn)化實(shí)時(shí)最大運(yùn)行負(fù)載數(shù)據(jù);
58、步驟s62:對標(biāo)準(zhǔn)化訪問延遲數(shù)據(jù)及標(biāo)準(zhǔn)化實(shí)時(shí)最大運(yùn)行負(fù)載數(shù)據(jù)進(jìn)行綜合性能評估,以生成固態(tài)硬盤實(shí)時(shí)性能評估結(jié)果;
59、步驟s63:基于固態(tài)硬盤實(shí)時(shí)性能評估結(jié)果對固態(tài)硬盤進(jìn)行實(shí)時(shí)性能優(yōu)化,構(gòu)建固態(tài)硬盤性能優(yōu)化策略。
60、本發(fā)明通過對硬盤常態(tài)化訪問延遲數(shù)據(jù)和固態(tài)硬盤實(shí)時(shí)最大運(yùn)行負(fù)載數(shù)據(jù)進(jìn)行參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)化處理,得到標(biāo)準(zhǔn)化訪問延遲數(shù)據(jù)和標(biāo)準(zhǔn)化實(shí)時(shí)最大運(yùn)行負(fù)載數(shù)據(jù),將不同類型的數(shù)據(jù)統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)化處理,方便后續(xù)性能評估和比較,對標(biāo)準(zhǔn)化訪問延遲數(shù)據(jù)和標(biāo)準(zhǔn)化實(shí)時(shí)最大運(yùn)行負(fù)載數(shù)據(jù)進(jìn)行綜合性能評估,生成固態(tài)硬盤的實(shí)時(shí)性能評估結(jié)果,這能夠綜合考慮訪問延遲和運(yùn)行負(fù)載兩方面的數(shù)據(jù),為硬盤性能提供全面評估,基于固態(tài)硬盤的實(shí)時(shí)性能評估結(jié)果,對固態(tài)硬盤進(jìn)行實(shí)時(shí)性能優(yōu)化,構(gòu)建固態(tài)硬盤性能優(yōu)化策略,根據(jù)評估結(jié)果有針對性地優(yōu)化硬盤性能,提高系統(tǒng)整體性能和穩(wěn)定性。
61、在本說明書中,提供一種固態(tài)硬盤的實(shí)時(shí)性能檢測系統(tǒng),用于執(zhí)行如上所述的固態(tài)硬盤的實(shí)時(shí)性能檢測方法,包括:
62、標(biāo)記塊植入模塊,用于對固態(tài)硬盤進(jìn)行空閑扇區(qū)識別,并進(jìn)行標(biāo)記塊常態(tài)化運(yùn)行植入處理,得到多個(gè)常態(tài)化運(yùn)行植入標(biāo)記塊;
63、全局尋道模塊,用于對多個(gè)常態(tài)化運(yùn)行植入標(biāo)記塊進(jìn)行順序數(shù)據(jù)訪問請求,并進(jìn)行硬盤磁頭尋道追蹤分析,構(gòu)建全局尋道追蹤軌跡;
64、訪問延遲模塊,用于對全局尋道追蹤軌跡進(jìn)行標(biāo)記塊理論訪問速度計(jì)算,并進(jìn)行訪問延遲計(jì)算,從而得到硬盤常態(tài)化訪問延遲數(shù)據(jù);
65、硬盤負(fù)載演化模塊,用于對固態(tài)硬盤進(jìn)行校驗(yàn)塊遞進(jìn)植入分析,并進(jìn)行硬盤負(fù)載演化,從而生成每一個(gè)方案的硬盤負(fù)載數(shù)據(jù);
66、最大運(yùn)行負(fù)載模塊,用于對每一個(gè)方案的硬盤負(fù)載數(shù)據(jù)進(jìn)行負(fù)載趨勢下降突變識別,并進(jìn)行最大運(yùn)行負(fù)載計(jì)算,從而得到固態(tài)硬盤實(shí)時(shí)最大運(yùn)行負(fù)載數(shù)據(jù);
67、實(shí)時(shí)性能評估模塊,用于對硬盤常態(tài)化訪問延遲數(shù)據(jù)及固態(tài)硬盤實(shí)時(shí)最大運(yùn)行負(fù)載數(shù)據(jù)進(jìn)行綜合性能評估,以生成固態(tài)硬盤實(shí)時(shí)性能評估結(jié)果。
68、本發(fā)明通過對固態(tài)硬盤進(jìn)行空閑扇區(qū)識別,進(jìn)而進(jìn)行標(biāo)記塊常態(tài)化運(yùn)行植入處理,得到多個(gè)常態(tài)化運(yùn)行植入標(biāo)記塊,優(yōu)化硬盤的數(shù)據(jù)分布,提高數(shù)據(jù)讀寫效率,對多個(gè)常態(tài)化運(yùn)行植入標(biāo)記塊進(jìn)行順序數(shù)據(jù)訪問請求,進(jìn)行硬盤磁頭尋道追蹤分析,構(gòu)建全局尋道追蹤軌跡,這可減少尋道時(shí)間,提高數(shù)據(jù)訪問速度,通過對全局尋道追蹤軌跡進(jìn)行標(biāo)記塊理論訪問速度計(jì)算和訪問延遲計(jì)算,得到硬盤的常態(tài)化訪問延遲數(shù)據(jù),評估硬盤的讀寫速度和性能狀況,對固態(tài)硬盤進(jìn)行校驗(yàn)塊遞進(jìn)植入分析,進(jìn)行硬盤負(fù)載演化,生成每一個(gè)方案的硬盤負(fù)載數(shù)據(jù),了解硬盤使用過程中的負(fù)載情況,為性能評估提供數(shù)據(jù)支持,對每一個(gè)方案的硬盤負(fù)載數(shù)據(jù)進(jìn)行負(fù)載趨勢下降突變識別,進(jìn)行最大運(yùn)行負(fù)載計(jì)算,得到固態(tài)硬盤實(shí)時(shí)最大運(yùn)行負(fù)載數(shù)據(jù),確定硬盤的最大負(fù)載能力,提供性能參考,對硬盤常態(tài)化訪問延遲數(shù)據(jù)及固態(tài)硬盤實(shí)時(shí)最大運(yùn)行負(fù)載數(shù)據(jù)進(jìn)行綜合性能評估,生成固態(tài)硬盤的實(shí)時(shí)性能評估結(jié)果,全面了解硬盤的性能表現(xiàn),能夠高效計(jì)算得出精準(zhǔn)的硬盤性能,為性能優(yōu)化提供依據(jù)。