一種用于超高頻無線rfid標簽芯片的解調(diào)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種解調(diào)電路，尤其涉及一種用于超高頻無線RFID標簽芯片的解調(diào)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]超高頻射頻識別技術(shù)具有非接觸式、識別速度快、作用距離遠、存儲容量大和可多卡識別等優(yōu)點，已廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)、零售、交通和物流等行業(yè)。RFID無源標簽芯片作為超高頻射頻識別系統(tǒng)的核心組成部分，近年來一直是國內(nèi)外研究的熱點。但其模擬射頻前端的解調(diào)電路還存在功耗高、抗干擾能力差和低動態(tài)范圍的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的就在于為了解決上述問題而提供一種用于超高頻無線RFID標簽芯片的解調(diào)電路。
[0004]為了達到上述目的，本發(fā)明采用了以下技術(shù)方案:
[0005]一種用于超高頻無線RFID標簽芯片的解調(diào)電路，包括第一電容到第四電容、第一二極管、第二二極管、第一晶體管到六晶體管、第一電阻到第四電阻和比較器，電路輸入信號端與所述第一電容的第一端連接，電路輸出信號端分別與所述第二二極管的正極、所述第二電容的第一端、所述第一電阻的第一端、所述第二晶體管的源極、所述第三電容的第一端、所述第四電容的第一端、所述第四晶體管的源極和所述第六晶體管的源極連接后接地，所述第一電容的第二端分別與所述第一二極管的正極和所述第二二極管的負極連接，所述第一二極管的負極分別與所述第二電容的第二端、所述第一晶體管的源極、第二晶體管的漏極和所述第二電阻的第一端連接，所述第一晶體管的柵極分別與所述第一晶體管的漏極、所述第一電阻的第二端和所述第二晶體管的柵極連接，所述第二電阻的第二端分別與所述第三電容的第一端、所述第三電阻的第一端和所述比較器的負端連接，所述第三電阻的第二端分別與所述第四電容的第二端和所述比較器的正端連接，所述比較器的電源端分別與所述第三晶體管的源極、所述第五晶體管的源極和電壓輸入端連接連接后，所述比較器的輸出端分別與所述第三晶體管的柵極和所述第四晶體管的柵極連接，所述第三晶體管的漏極分別與所述第四晶體管的漏極、所述第五晶體管的柵極和所述第六晶體管的柵極連接，所述第五晶體管的漏極與所述第四電阻的第一端連接，所述第四電阻的第二端與所述第六晶體管的漏極連接。
[0006]本發(fā)明的有益效果在于:
[0007]本發(fā)明一種用于超高頻無線RFID標簽芯片的解調(diào)電路，該電路具有良好的噪聲抑制性能和高動態(tài)范圍，且功耗低。
【附圖說明】
[0008]圖1是本發(fā)明一種用于超高頻無線RFID標簽芯片的解調(diào)電路。
【具體實施方式】
[0009]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步說明:
[0010]如圖1所示，本發(fā)明一種用于超高頻無線RFID標簽芯片的解調(diào)電路，包括第一電容Cl到第四電容C4、第一二極管Dl、第二二極管D2、第一晶體管Pl到六晶體管P6、第一電阻Rl到第四電阻R4和比較器，電路輸入信號端與第一電容Cl的第一端連接，電路輸出信號端分別與第二二極管D2的正極、第二電容C2的第一端、第一電阻Rl的第一端、第二晶體管P2的源極、第三電容C3的第一端、第四電容C4的第一端、第四晶體管P4的源極和第六晶體管P6的源極連接后接地，第一電容Cl的第二端分別與第一二極管Dl的正極和第二二極管D2的負極連接，第一二極管Dl的負極分別與第二電容C2的第二端、第一晶體管Pl的源極、第二晶體管P2的漏極和第二電阻R2的第一端連接，第一晶體管Pl的柵極分別與第一晶體管Pl的漏極、第一電阻Rl的第二端和第二晶體管P2的柵極連接，第二電阻R2的第二端分別與第三電容C3的第一端、第三電阻R3的第一端和比較器的負端連接，第三電阻R3的第二端分別與第四電容C4的第二端和比較器的正端連接，比較器的電源端分別與第三晶體管P3的源極、第五晶體管P5的源極和電壓輸入端連接，比較器的輸出端分別與第三晶體管P3的柵極和第四晶體管P4的柵極連接，第三晶體管P3的漏極分別與第四晶體管P4的漏極、第五晶體管P5的柵極和第六晶體管P6的柵極連接，第五晶體管P5的漏極與第四電阻R4的第一端連接，第四電阻R4的第二端與第六晶體管P6的漏極連接。
[0011]本發(fā)明的工作原理如下所示:
[0012]電路輸入信號的頻率，通過由第一晶體管Pl和第二電阻R2，第三電容C3組成的低通濾波器，產(chǎn)生的信號先送入比較器的負端，再通過低通濾波為比較器提供參考電壓，然后通過兩個晶體管將輸出電壓進行整形，產(chǎn)生規(guī)則的方波信號，經(jīng)信號輸出端輸出。
【主權(quán)項】
1.一種用于超高頻無線RFID標簽芯片的解調(diào)電路，其特征在于:包括第一電容到第四電容、第一二極管、第二二極管、第一晶體管到六晶體管、第一電阻到第四電阻和比較器，電路輸入信號端與所述第一電容的第一端連接，電路輸出信號端分別與所述第二二極管的正極、所述第二電容的第一端、所述第一電阻的第一端、所述第二晶體管的源極、所述第三電容的第一端、所述第四電容的第一端、所述第四晶體管的源極和所述第六晶體管的源極連接后接地，所述第一電容的第二端分別與所述第一二極管的正極和所述第二二極管的負極連接，所述第一二極管的負極分別與所述第二電容的第二端、所述第一晶體管的源極、第二晶體管的漏極和所述第二電阻的第一端連接，所述第一晶體管的柵極分別與所述第一晶體管的漏極、所述第一電阻的第二端和所述第二晶體管的柵極連接，所述第二電阻的第二端分別與所述第三電容的第二端、所述第三電阻的第一端和所述比較器的負端連接，所述第三電阻的第二端分別與所述第四電容的第二端和所述比較器的正端連接，所述比較器的電源端分別與所述第三晶體管的源極、所述第五晶體管的源極和電壓輸入端連接，所述比較器的輸出端分別與所述第三晶體管的柵極和所述第四晶體管的柵極連接，所述第三晶體管的漏極分別與所述第四晶體管的漏極、所述第五晶體管的柵極和所述第六晶體管的柵極連接，所述第五晶體管的漏極與所述第四電阻的第一端連接，所述第四電阻的第二端與所述第六晶體管的漏極連接。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于超高頻無線RFID標簽芯片的解調(diào)電路，包括第一電容到第四電容、第一二極管、第二二極管、第一晶體管到六晶體管、第一電阻到第四電阻和比較器，電路輸入信號端與所述第一電容的第一端連接，電路輸出信號端分別與所述第二二極管的正極、所述第二電容的第一端、所述第一電阻的第一端、所述第二晶體管的源極、所述第三電容的第一端、所述第四電容的第一端、所述第四晶體管的源極和所述第六晶體管的源極連接后接地。本發(fā)明一種用于超高頻無線RFID標簽芯片的解調(diào)電路，該電路具有良好的噪聲抑制性能和高動態(tài)范圍，且功耗低。
【IPC分類】G06K19-077
【公開號】CN104636787
【申請?zhí)枴緾N201310553900
【發(fā)明人】唐海龍
【申請人】成都爪媒科技有限公司
【公開日】2015年5月20日
【申請日】2013年11月8日