觸控面板及其制造方法、觸控顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及觸控顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種觸控面板及其制造方法、觸控顯示
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]作為內(nèi)嵌式(In Cell)光學(xué)觸控的一種實(shí)現(xiàn)方式，現(xiàn)有技術(shù)常利用設(shè)置在像素中的光傳感器(Photo Sensor)通過對手指的遮光或反光情況的傳感來實(shí)現(xiàn)外部觸控。
[0003]具體來說，在位于觸控面板的每一像素單元中的光傳感器電路中，現(xiàn)有技術(shù)常會設(shè)置一柵極與該行像素的一條掃描線相連的晶體管(下文稱為“讀出晶體管”)，同時(shí)該晶體管的源極和漏極的一個(gè)連接該列像素的一條數(shù)據(jù)線，另一個(gè)連接用于存儲觸控信號的電容。從而，該晶體管可以實(shí)現(xiàn)對每一像素單元的觸控信號的掃描讀出。
[0004]但是，由于讀出晶體管會存在漏電流的情況，因而在掃描讀出一行像素單元的觸控信號時(shí)，數(shù)據(jù)線有可能接收到由其他行漏電流產(chǎn)生的噪聲信號，造成誤讀取現(xiàn)象的發(fā)生。另一方面，為了提高觸控的響應(yīng)速度，讀出晶體管需要在很短的時(shí)間內(nèi)完成觸控信號的讀取，這就要求讀出晶體管的尺寸要足夠大，從而會導(dǎo)致每一像素的開口率大幅度減小。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明提供一種觸控面板及其制造方法、觸控顯示裝置，可以解決設(shè)置讀出晶體管會產(chǎn)生噪聲信號并大幅度減小開口率的問題。
[0006]第一方面，本發(fā)明提供了一種觸控面板，包括基板，所述基板上形成有多行掃描線與多列數(shù)據(jù)線，所述多行掃描線與所述多列數(shù)據(jù)線交叉限定出位于所述基板上的多個(gè)觸控單元；所述觸控面板在所述基板上的任意的一個(gè)或兩個(gè)以上所述觸控單元中包括:
[0007]第一端連接第一偏置電壓的電容；
[0008]采用非晶硅形成有源區(qū)的第一晶體管，所述第一晶體管的柵極連接第二偏置電壓，所述第一晶體管的源極與漏極中的一個(gè)連接第三偏置電壓，另一個(gè)與所述電容的第二端相連；
[0009]采用氧化物半導(dǎo)體形成有源區(qū)的第二晶體管，所述第二晶體管的柵極與一行所述掃描線相連，所述第二晶體管的源極與漏極中的一個(gè)與所述電容的第二端相連，另一個(gè)與一列所述數(shù)據(jù)線相連；
[0010]所述觸控面板在所述基板上方還設(shè)有遮光層，所述遮光層在與所述第一晶體管的有源區(qū)對應(yīng)的至少部分區(qū)域內(nèi)設(shè)有開口部。
[0011]可選地，所述第一晶體管占所述觸控單元的面積小于等于第一預(yù)設(shè)值；所述第二晶體管占所述觸控單元的面積小于等于第二預(yù)設(shè)值。
[0012]可選地，所述觸控單元中還包括偏置電壓線；所述第一偏置電壓、所述第二偏置電壓以及所述第三偏置電壓相等，并均由所述偏置電壓線提供。
[0013]可選地，所述觸控面板還包括與任意一列或兩列以上所述數(shù)據(jù)線相連的觸控信號處理電路，所述觸控信號處理電路用于采集所述任意一列或兩列以上數(shù)據(jù)線上的信號并生成觸控響應(yīng)信號。
[0014]第二方面，本發(fā)明還提供了一種上述任意一種觸控面板的制造方法，包括:
[0015]在基板上形成包括第一晶體管的柵極和第二晶體管的柵極的圖形；
[0016]形成包括柵絕緣層的圖形；
[0017]在所述柵絕緣層上與所述第一晶體管的柵極對應(yīng)的至少部分區(qū)域內(nèi)形成第一晶體管的有源區(qū)；
[0018]在所述柵絕緣層上與所述第二晶體管的柵極對應(yīng)的至少部分區(qū)域內(nèi)形成第二晶體管的有源區(qū)。
[0019]可選地，該方法還包括:
[0020]在所述第二晶體管的有源區(qū)上形成包括刻蝕阻擋層的圖形，所述刻蝕阻擋層中設(shè)有源漏極連接過孔；
[0021]形成包括第一晶體管的源極與漏極、第二晶體管的源極與漏極的圖形；
[0022]形成包括鈍化層的圖形。
[0023]第三方面，本發(fā)明還提供了一種上述任意一種觸控面板的制造方法，包括:
[0024]在基板上形成包括第一晶體管的柵極和第二晶體管的柵極的圖形；
[0025]形成包括柵絕緣層的圖形；
[0026]在所述柵絕緣層上與所述第二晶體管的柵極對應(yīng)的至少部分區(qū)域內(nèi)形成第二晶體管的有源區(qū)；
[0027]形成覆蓋所述第二晶體管的有源區(qū)的保護(hù)層；
[0028]在所述柵絕緣層上與所述第一晶體管的柵極對應(yīng)的至少部分區(qū)域內(nèi)形成第一晶體管的有源區(qū)。
[0029]可選地，所述在所述柵絕緣層上與所述第一晶體管的柵極對應(yīng)的至少部分區(qū)域內(nèi)形成第一晶體管的有源區(qū)之前，還包括:
[0030]采用刻蝕工藝去除所述保護(hù)層。
[0031 ] 可選地，該方法還包括:
[0032]在所述第二晶體管的有源區(qū)上形成包括刻蝕阻擋層的圖形，所述刻蝕阻擋層中設(shè)有源漏極連接過孔；
[0033]形成包括第一晶體管的源極與漏極、第二晶體管的源極與漏極的圖形；
[0034]形成包括鈍化層的圖形。
[0035]第四方面，本發(fā)明還提供了一種觸控顯示裝置，包括上述任意一種觸控面板。
[0036]由上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明將采用氧化物半導(dǎo)體形成有源區(qū)的第二晶體管作為讀出晶體管，將采用非晶硅形成的第一晶體管作為光傳感器中的感光元件，電容可以存儲由第一晶體管的源極或漏極輸入的觸控信號，而第二晶體管可以在掃描線上信號的作用下將電容存儲的觸控信號逐行掃描讀出，從而可以實(shí)現(xiàn)內(nèi)嵌式(In Cell)的光學(xué)觸控。
[0037]氧化物半導(dǎo)體形成的晶體管開關(guān)速度快而漏電流低，作為讀出晶體管時(shí)不需要很大的尺寸也可以很好地解決設(shè)置讀出晶體管會產(chǎn)生噪聲信號的問題。同時(shí)，非晶硅形成的第一晶體管對可見光波段的光有很好的感光特性，因而不需要具有很大的尺寸也可以具備足夠的感光能力。因此，相較于現(xiàn)有技術(shù)而言，包括這兩種晶體管的光傳感器電路可以具有更強(qiáng)的感光性能、更低的噪聲信號以及更高的像素開口率，有利于提升觸控面板的觸控性能并提尚其開口率。
【附圖說明】
[0038]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0039]圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中一種觸控面板中觸控單元內(nèi)的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖2是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中一種觸控面板在厚度方向上的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖3是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中一種觸控面板中陣列基板上的局部電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖4是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中一種觸控面板的制造方法的步驟流程示意圖；
[0043]圖5是本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例中一種觸控面板的制造方法的步驟流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0044]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
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