數(shù)據(jù)寫入方法、存儲(chǔ)器控制電路單元與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置的制造方法【
技術(shù)領(lǐng)域：
】[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種數(shù)據(jù)寫入方法，且特別是有關(guān)于用于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的數(shù)據(jù)寫入方法、存儲(chǔ)器控制電路單元與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置?！?br>背景技術(shù)：
】[0002]數(shù)字相機(jī)、手機(jī)與MP3在這幾年來的成長(zhǎng)十分迅速，使得消費(fèi)者對(duì)儲(chǔ)存媒體的需求也急速增加。由于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器(rewritablenon-volatilememory)具有數(shù)據(jù)非易失性、省電、體積小、無機(jī)械結(jié)構(gòu)、讀寫速度快等特性，最適于便攜式電子產(chǎn)品，例如筆記本電腦。固態(tài)硬盤就是一種以快閃存儲(chǔ)器作為儲(chǔ)存媒體的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置。因此，近年快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)成為電子產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)熱門的一環(huán)。[0003]依據(jù)每個(gè)存儲(chǔ)單元可儲(chǔ)存的比特?cái)?shù)，與非(NAND)型快閃存儲(chǔ)器可區(qū)分為單階儲(chǔ)存單元(SingleLevelCell，簡(jiǎn)稱SLC)NAND型快閃存儲(chǔ)器、多階儲(chǔ)存單元(MultiLevelCell，簡(jiǎn)稱MLC)NAND型快閃存儲(chǔ)器與三階儲(chǔ)存單元(TrinaryLevelCell，簡(jiǎn)稱TLC)NAND型快閃存儲(chǔ)器，其中SLCNAND型快閃存儲(chǔ)器的每個(gè)存儲(chǔ)單元可儲(chǔ)存I個(gè)比特的數(shù)據(jù)(即，“I”與“0”)，MLCNAND型快閃存儲(chǔ)器的每個(gè)存儲(chǔ)單元可儲(chǔ)存2個(gè)比特的數(shù)據(jù)并且TLCNAND型快閃存儲(chǔ)器的每個(gè)存儲(chǔ)單元可儲(chǔ)存3個(gè)比特的數(shù)據(jù)。[0004]在NAND型快閃存儲(chǔ)器中，實(shí)體程序化單元是由排列在同一條字線上的數(shù)個(gè)存儲(chǔ)單元所組成。由于SLCNAND型快閃存儲(chǔ)器的每個(gè)存儲(chǔ)單元可儲(chǔ)存I個(gè)比特的數(shù)據(jù)，因此，在SLCNAND型快閃存儲(chǔ)器中，排列在同一條字線上的數(shù)個(gè)存儲(chǔ)單元是對(duì)應(yīng)一個(gè)實(shí)體程序化單元。[0005]相對(duì)于SLCNAND型快閃存儲(chǔ)器來說，MLCNAND型快閃存儲(chǔ)器的每個(gè)存儲(chǔ)單元的浮動(dòng)門儲(chǔ)存層可儲(chǔ)存2個(gè)比特的數(shù)據(jù)，其中每一個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)(B卩，“11”、“10”、“01”與“00”)包括最低有效比特(LeastSignificantBit，簡(jiǎn)稱LSB)以及最高有效比特(MostSignificantBit，簡(jiǎn)稱MSB)。例如，儲(chǔ)存狀態(tài)中從左側(cè)算起的第I個(gè)比特的值為L(zhǎng)SB，而從左側(cè)算起的第2個(gè)比特的值為MSB。因此，排列在同一條字線上的數(shù)個(gè)存儲(chǔ)單元可組成2個(gè)實(shí)體程序化單元，其中由此些存儲(chǔ)單元的LSB所組成的實(shí)體程序化單元稱為下實(shí)體程序化單元(lowphysicalprogrammingunit),并且由此些存儲(chǔ)單元的MSB所組成的實(shí)體程序化單元稱為上實(shí)體程序化單元(upperphysicalprogrammingunit)。特別是,下實(shí)體程序化單元的寫入速度會(huì)快于上實(shí)體程序化單元的寫入速度，并且當(dāng)程序化上實(shí)體程序化單元發(fā)生錯(cuò)誤時(shí)，下實(shí)體程序化單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)也可能因此遺失。[0006]類似地，在TLCNAND型快閃存儲(chǔ)器中，每個(gè)存儲(chǔ)單元可儲(chǔ)存3個(gè)比特的數(shù)據(jù)，其中每一個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)(即，“111”、“110”、“101”、“100”、“011”、“010”、“001”與“000”)包括每一個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)包括左側(cè)算起的第I個(gè)比特的LSB、從左側(cè)算起的第2個(gè)比特的中間有效比特(CenterSignificantBit,簡(jiǎn)稱CSB)以及從左側(cè)算起的第3個(gè)比特的MSB。因此,排列在同一條字線上的數(shù)個(gè)存儲(chǔ)單元可組成3個(gè)實(shí)體程序化單元，其中由此些存儲(chǔ)單元的LSB所組成的實(shí)體程序化單元稱為下實(shí)體單元，由此些存儲(chǔ)單元的CSB所組成的實(shí)體程序化單元稱為中實(shí)體程序化單元，并且由此些存儲(chǔ)單元的MSB所組成的實(shí)體程序化單元稱為上實(shí)體程序化單元。特別是，對(duì)排列在同一條字線上的數(shù)個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行程序化時(shí)，僅能選擇僅程序化下實(shí)體程序化單元或者同時(shí)下實(shí)體單元、中實(shí)體程序化單元與上實(shí)體程序化單元，否則所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)可能會(huì)遺失。[0007]一般而言，使用TLCNAND型快閃存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器模塊，會(huì)將其中的部分實(shí)體抹除單元分組為使用只操作于下實(shí)體程序化單元的一單頁模式來模擬SLCNAND型快閃存儲(chǔ)器的運(yùn)作，藉此也提高了壽命(抹除次數(shù)上限)，也因?yàn)橹徊僮饔谙聦?shí)體程序化單元，寫入、讀取速度也增進(jìn)許多。而此模擬SLCNAND型快閃存儲(chǔ)器操作模式的部分實(shí)體抹除單元，會(huì)被使用于作為存儲(chǔ)器模塊的緩沖區(qū)，用來暫存數(shù)據(jù)，或是用來儲(chǔ)存系統(tǒng)數(shù)據(jù)。但，若是大量使用此緩沖區(qū)來做數(shù)據(jù)暫存，會(huì)使此緩沖區(qū)的實(shí)體抹除單元抹除次數(shù)快速增加導(dǎo)致老化，而使之后暫存其中的數(shù)據(jù)容易發(fā)生不可恢復(fù)的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。[0008]基于上述，如何避免因?yàn)榇司彌_區(qū)的實(shí)體抹除單元老化所導(dǎo)致的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤，以及提升每一存儲(chǔ)單元可儲(chǔ)存多個(gè)比特的快閃存儲(chǔ)器的可靠度與效能是此領(lǐng)域技術(shù)人員所致力的目標(biāo)。【
發(fā)明內(nèi)容】[0009]本發(fā)明提供一種數(shù)據(jù)寫入方法、存儲(chǔ)器控制電路單元及存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其能夠有效地延長(zhǎng)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置的壽命。[0010]本發(fā)明的一范例實(shí)施例提出一種數(shù)據(jù)寫入方法，用于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊，其中可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊具有多個(gè)實(shí)體抹除單元。本數(shù)據(jù)寫入方法包括:將這些實(shí)體抹除單元至少分組為閑置區(qū)與暫駐存儲(chǔ)區(qū)；接收第一數(shù)據(jù)，其中第一數(shù)據(jù)欲被儲(chǔ)存至第一邏輯單元的多個(gè)邏輯子單元中；根據(jù)暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元的平均抹除次數(shù)，從暫駐存儲(chǔ)區(qū)、或閑置區(qū)、或者暫駐存儲(chǔ)區(qū)及閑置區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取多個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的多個(gè)暫存實(shí)體抹除單元；使用單頁模式將第一數(shù)據(jù)寫入至第一暫存實(shí)體抹除單元組的這些暫存實(shí)體抹除單元；以及從閑置區(qū)中的這些實(shí)體抹除單元中提取第一實(shí)體抹除單元，從第一暫存實(shí)體抹除單元組的這些暫存實(shí)體抹除單元中將第一數(shù)據(jù)復(fù)制至第一實(shí)體抹除單元中并且將第一邏輯單元映射至第一實(shí)體抹除單元，其中這些第一數(shù)據(jù)會(huì)被寫入至第一實(shí)體抹除單元的每個(gè)實(shí)體程序單元組的下實(shí)體程序化單元與上實(shí)體程序化單元中并且第一實(shí)體抹除單元的每個(gè)實(shí)體程序化單元組的下實(shí)體程序化單元與上實(shí)體程序化單元會(huì)同時(shí)被程序化。[0011]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述根據(jù)暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元的平均抹除次數(shù)，從暫駐存儲(chǔ)區(qū)、或閑置區(qū)、或者暫駐存儲(chǔ)區(qū)及閑置區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取多個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的多個(gè)暫存實(shí)體抹除單元的步驟包括:判斷暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元的平均抹除次數(shù)是否小于第一預(yù)設(shè)門檻值；以及倘若暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元的平均抹除次數(shù)小于第一預(yù)設(shè)門檻值時(shí)，僅從暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取多個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的這些暫存實(shí)體抹除單元。[0012]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述根據(jù)暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元的平均抹除次數(shù)，從暫駐存儲(chǔ)區(qū)、或閑置區(qū)、或者暫駐存儲(chǔ)區(qū)及閑置區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取多個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的多個(gè)暫存實(shí)體抹除單元的步驟還包括:判斷暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元的平均抹除次數(shù)是否大于第二預(yù)設(shè)門檻值；以及倘若暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元的平均抹除次數(shù)大于第二預(yù)設(shè)門檻值時(shí)，僅從閑置區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取多個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的這些暫存實(shí)體抹除單元。[0013]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述根據(jù)暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元的平均抹除次數(shù)，從暫駐存儲(chǔ)區(qū)、或閑置區(qū)、或者暫駐存儲(chǔ)區(qū)及閑置區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取多個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的多個(gè)暫存實(shí)體抹除單元的步驟還包括:倘若暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元的平均抹除次數(shù)介于第一預(yù)設(shè)門檻值與第二預(yù)設(shè)門檻值之間時(shí)，從暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取至少一個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的這些暫存實(shí)體抹除單元的一部分且從閑置區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取至少一個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的這些暫存實(shí)體抹除單元的另一部分。[0014]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述根據(jù)暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元的平均抹除次數(shù)，從暫駐存儲(chǔ)區(qū)、或閑置區(qū)、或者暫駐存儲(chǔ)區(qū)及閑置區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取多個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的多個(gè)暫存實(shí)體抹除單元的步驟還包括:根據(jù)暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元的平均抹除次數(shù)計(jì)算暫駐存儲(chǔ)區(qū)提取比率；建立隨機(jī)亂數(shù)模塊，其中隨機(jī)亂數(shù)模塊是由多個(gè)第一數(shù)值與多個(gè)第二數(shù)值所組成并且這些第一數(shù)值的數(shù)目與這些第二數(shù)值的數(shù)目的比率相同于暫駐存儲(chǔ)區(qū)提取比率；從隨機(jī)亂數(shù)模塊中的這些第一數(shù)值與這些第二數(shù)值之中隨機(jī)取得數(shù)值，并且判斷此數(shù)值是否屬于這些第一數(shù)值的其中之一；倘若此數(shù)值屬于這些第一數(shù)值的其中之一時(shí)，則從暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取一個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的這些暫存實(shí)體抹除單元的其中之一；以及倘若數(shù)值不屬于這些第一數(shù)值的其中之一時(shí)，則從閑置區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取一個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的這些暫存實(shí)體抹除單元的其中之另一。[0015]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述閑置區(qū)的這些實(shí)體抹除單元和暫駐存儲(chǔ)區(qū)的這些實(shí)體抹除單元是彼此獨(dú)立地被操作。[0016]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，在第一數(shù)據(jù)復(fù)制至第一實(shí)體抹除單元之后，作為該第一暫存實(shí)體抹除單元組的該些暫存實(shí)體抹除單元之中取自該暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元會(huì)被關(guān)聯(lián)回該暫駐存儲(chǔ)區(qū)，并且作為該第一暫存實(shí)體抹除單元組的該些暫存實(shí)體抹除單元之中取自該閑置區(qū)的實(shí)體抹除單元會(huì)被關(guān)聯(lián)回該閑置區(qū)。[0017]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述僅從暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取多個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的這些暫存實(shí)體抹除單元的步驟包括:從暫駐存儲(chǔ)區(qū)的這些實(shí)體抹除單元之中提取3個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的第一暫存實(shí)體抹除單元、第二暫存實(shí)體抹除單元與第三暫存實(shí)體抹除單元。[0018]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述僅從閑置區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取多個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的這些暫存實(shí)體抹除單元的步驟包括:從閑置區(qū)的這些實(shí)體抹除單元之中提取3個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的第一暫存實(shí)體抹除單元、第二暫存實(shí)體抹除單元與第三暫存實(shí)體抹除單元。[0019]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述從暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取至少一個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的這些暫存實(shí)體抹除單元的一部分且從閑置區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取至少一個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的這些暫存實(shí)體抹除單元的另一部分的步驟包括:從暫駐存儲(chǔ)區(qū)的這些實(shí)體抹除單元之中提取I個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的第一暫存實(shí)體抹除單元；以及從閑置區(qū)的這些實(shí)體抹除單元之中提取2個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的第二暫存實(shí)體抹除單元與第三暫存實(shí)體抹除單元。[0020]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述從暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取至少一個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的這些暫存實(shí)體抹除單元的一部分且從閑置區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取至少一個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的這些暫存實(shí)體抹除單元的另一部分的步驟包括:從暫駐存儲(chǔ)區(qū)的這些實(shí)體抹除單元之中提取2個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的第一暫存實(shí)體抹除單元與第二暫存實(shí)體抹除單元；以及從閑置區(qū)的這些實(shí)體抹除單元之中提取I個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的第三暫存實(shí)體抹除單元。[0021]本發(fā)明一范例實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)器控制電路單元，用于控制可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊，其中可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊具有多個(gè)實(shí)體抹除單元。此存儲(chǔ)器控制電路單元包括:用以電性連接至主機(jī)系統(tǒng)的主機(jī)接口；用以電性連接至可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊的存儲(chǔ)器接口；以及電性連接至主機(jī)接口與存儲(chǔ)器接口的存儲(chǔ)器管理電路。存儲(chǔ)器管理電路用以將此些實(shí)體抹除單元至少分組為閑置區(qū)與暫駐存儲(chǔ)區(qū)，并且從主機(jī)系統(tǒng)中接收第一數(shù)據(jù)，其中主機(jī)系統(tǒng)指示將第一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存至第一邏輯單元的多個(gè)邏輯子單元中。此外，存儲(chǔ)器管理電路還用以根據(jù)暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元的平均抹除次數(shù)，從暫駐存儲(chǔ)區(qū)、或閑置區(qū)、或者暫駐存儲(chǔ)區(qū)及閑置區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取多個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的多個(gè)暫存實(shí)體抹除單元。再者，存儲(chǔ)器管理電路還使用單頁模式將第一數(shù)據(jù)寫入至第一暫存實(shí)體抹除單元組的這些暫存實(shí)體抹除單元。另外，存儲(chǔ)器管理電路還用以從閑置區(qū)中的這些實(shí)體抹除單元中提取第一實(shí)體抹除單元，從第一暫存實(shí)體抹除單元組的這些暫存實(shí)體抹除單元中將第一數(shù)據(jù)合并至第一實(shí)體抹除單元中并且將第一邏輯單元映射至第一實(shí)體抹除單元，其中這些第一數(shù)據(jù)會(huì)被寫入至第一實(shí)體抹除單元的每個(gè)實(shí)體程序化單元組的下實(shí)體程序化單元與上實(shí)體程序化單元中并且第一實(shí)體抹除單元的每個(gè)實(shí)體程序化單元組的下實(shí)體程序化單元與上實(shí)體程序化單元會(huì)同時(shí)被程序化。[0022]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，在根據(jù)暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元的平均抹除次數(shù)，從暫駐存儲(chǔ)區(qū)、或閑置區(qū)、或者暫駐存儲(chǔ)區(qū)及閑置區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取多個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的這些暫存實(shí)體抹除單元的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器管理電路還用以判斷暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元的平均抹除次數(shù)是否大于第二預(yù)設(shè)門檻值，其中倘若暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元的平均抹除次數(shù)大于第二預(yù)設(shè)門檻值時(shí)，存儲(chǔ)器管理電路僅從閑置區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取多個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的這些暫存實(shí)體抹除單元。[0023]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，在根據(jù)暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元的平均抹除次數(shù)，從暫駐存儲(chǔ)區(qū)、或閑置區(qū)、或者暫駐存儲(chǔ)區(qū)及閑置區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取多個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的這些暫存實(shí)體抹除單元的運(yùn)作中，倘若暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元的平均抹除次數(shù)介于第一預(yù)設(shè)門檻值與第二預(yù)設(shè)門檻值之間時(shí)，存儲(chǔ)器管理電路從暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取至少一個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的這些暫存實(shí)體抹除單元的一部分且從閑置區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取至少一個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的這些暫存實(shí)體抹除單元的另一部分。[0024]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，上述存儲(chǔ)器管理電路還用以根據(jù)暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元的平均抹除次數(shù)計(jì)算暫駐存儲(chǔ)區(qū)提取比率，并且設(shè)定隨機(jī)亂數(shù)模塊，其中隨機(jī)亂數(shù)模塊是由多個(gè)第一數(shù)值與多個(gè)第二數(shù)值所組成并且這些第一數(shù)值的數(shù)目與這些第二數(shù)值的數(shù)目的比率相同于暫駐存儲(chǔ)區(qū)提取比率。并且，在根據(jù)暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元的平均抹除次數(shù)，從暫駐存儲(chǔ)區(qū)、或閑置區(qū)、或者暫駐存儲(chǔ)區(qū)及閑置區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取多個(gè)實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的這些暫存實(shí)體抹除單元的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器管理電路從隨機(jī)亂數(shù)模塊中的這些第一數(shù)值與這些第二數(shù)值之中隨機(jī)取得數(shù)值，并且判斷數(shù)值是否屬于這些第一數(shù)值的其中之一。倘若數(shù)值屬于這些第一數(shù)值的其中之一時(shí)，存儲(chǔ)器管理電路從暫駐存儲(chǔ)區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的這些暫存實(shí)體抹除單元的其中之一；并且倘若數(shù)值不屬于這些第一數(shù)值的其中之一時(shí)，存儲(chǔ)器管理電路從閑置區(qū)的實(shí)體抹除單元之中提取實(shí)體抹除單元作為對(duì)應(yīng)第一邏輯單元的第一暫存實(shí)體抹除單元組的這些暫存實(shí)體抹除單元的其中之另一。[0025]在本發(fā)明的一范例實(shí)施例中，在第一數(shù)據(jù)復(fù)制至第一實(shí)體抹除單元之后，上述存儲(chǔ)器管理電路還將作為該第一暫存實(shí)體抹除單元當(dāng)前第1頁1 2 3 4 5 6