基膜、包括該基膜的層壓結(jié)構(gòu)以及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種基膜、包括該基膜的層壓結(jié)構(gòu)和顯示裝置，更具體地，設(shè)及一種顯 示出高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度而因此具有優(yōu)異的耐熱性并具有高透光率的基膜，W及設(shè)及一種包 括該基膜的層壓結(jié)構(gòu)和顯示裝置。
[0002] 本申請要求于2013年9月30日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局化IP0)提交的 第10-2013-0116560號韓國專利申請W及于2014年9月26日向KIP0提交的第 10-2014-0129369號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，上述申請的全部內(nèi)容在此通過引用并入本申 請。
【背景技術(shù)】
[0003] -般而言，觸摸面板，是安裝在顯示裝置的表面上并將物理接觸（如用戶的手指、 觸摸筆等）轉(zhuǎn)換成電信號的裝置，W及其被應(yīng)用到液晶顯示器、等離子體顯示面板、EL(電 致發(fā)光）裝置等。
[0004] 該些觸摸面板商業(yè)化的有；利用紅外線的光學(xué)型；透明電極型，其利用通過在聚 合物基膜上涂布金屬氧化物形成的透明導(dǎo)電膜的接觸點；檢測電容變化的電容型；位置傳 感型，其將力量分布的位置傳感到壓力傳感器；等等。
[0005] 在各種類型的觸摸面板中，透明電極型需要透明的基于金屬氧化物的導(dǎo)電膜。由 于通過將氧化銅錫（口0)涂布到聚合物基膜上形成的IT0膜是透明的并具有優(yōu)異的導(dǎo)電 性，其已經(jīng)得到了廣泛使用。
[0006] 特別是，基于金屬氧化物的導(dǎo)電膜可W在聚合物基膜或玻璃基板上通過真空沉積 或瓣射金屬氧化物來制備。因此，由于必須進(jìn)行在高溫下進(jìn)行的如真空沉積法、瓣射法等處 理，耐熱性成為所述基膜的基本特征之一。
[0007] 在一般情況下，耐熱性可W由玻璃化轉(zhuǎn)變溫度進(jìn)行評價，并且為了獲得在其上形 成光學(xué)優(yōu)異的透明的基于金屬氧化物的導(dǎo)電膜的基膜，需要在等于或大于約150°C的溫度 下、優(yōu)選等于或大于約200°C的溫度下進(jìn)行瓣射，從而對于基膜而言需要比所述瓣射溫度更 高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和優(yōu)異的機(jī)械物理性能。
[0008] 此外，為了將所述基膜進(jìn)行處理并應(yīng)用于顯示裝置等，除了上述的高玻璃化轉(zhuǎn)變 溫度之外，在可見光區(qū)域的透明度也是重要特征，并且需要90%W上的透光率。
[0009] 然而，在通常用作基膜的聚合物膜（例如聚對苯二甲酸己二醇醋（PET)、聚蒙二甲 酸己二醇醋（PEN)、聚碳酸醋（PC)等）具有120°CW下的低玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，從而產(chǎn)生在形 成透明的基于金屬氧化物的導(dǎo)電膜的過程中變形的問題。此外，由于聚酷亞胺（PI)膜的優(yōu) 異的耐熱性W及400°CW上的高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度而在最近被大量研究，但是該種膜是不 透明的，并且顯示澄色，因而不適合用于顯示領(lǐng)域中。
[0010] 此外，由于聚合物膜（例如聚對苯二甲酸己二醇醋（PET)等）具有高相位差，可用 作外部基膜；然而，其不能用作內(nèi)部基膜。
[0011] 因此，需要開發(fā)一種具有高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度、耐熱性等W及低相位差性能且透明 的基膜，包括該基膜的層壓結(jié)構(gòu)w及包括該層壓結(jié)構(gòu)的顯示裝置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[001引【技術(shù)問題】
[0013] 本發(fā)明的一個目的是提供一種顯示出高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度從而具有優(yōu)異的耐熱性 并具有高透光率的基膜。
[0014] 另外，本發(fā)明另一個目的是提供一種包括所述基膜的層壓結(jié)構(gòu)。
[0015] 另外，本發(fā)明又一個目的是提供一種包括所述層壓結(jié)構(gòu)的顯示裝置。
[001引【技術(shù)方案】
[0017] 本發(fā)明提供一種基膜，其包含；具有基于環(huán)締姪的重復(fù)單元的聚合物；W及包含 基于苯己締的重復(fù)單元和基于馬來酷亞胺的重復(fù)單元的共聚物；其中，在所述基于環(huán)締姪 的重復(fù)單元中，外型異構(gòu)體的含量為50mol%W上，并且在所述基膜上形成透明的基于金屬 氧化物的導(dǎo)電膜。
[0018] 本發(fā)明還提供一種層壓結(jié)構(gòu)，其包括所述基膜，W及在所述基膜上形成的透明的 基于金屬氧化物的導(dǎo)電膜。
[0019] 本發(fā)明還提供一種顯示裝置，其包括所述層壓結(jié)構(gòu)。
[0020] 下文中，將對根據(jù)本發(fā)明具體的實施方式的基膜、包括所述基膜的層壓結(jié)構(gòu)W及 顯示裝置進(jìn)行更加詳細(xì)地說明。
[0021] 根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，提供一種基膜，其包含；具有基于環(huán)締姪的重復(fù)單 元的聚合物；W及包含基于苯己締的重復(fù)單元和基于馬來酷亞胺的重復(fù)單元的共聚物；其 中，在所述基于環(huán)締姪的重復(fù)單元中，外型異構(gòu)體的含量為50mol%w上，并且在所述基膜 上形成透明的基于金屬氧化物的導(dǎo)電膜。
[0022] 在所述基膜中，基于環(huán)締姪的重復(fù)單元可W由W下化學(xué)式1來表示，并且所述具 有基于環(huán)締姪的重復(fù)單元的聚合物可W包含通過由W下化學(xué)式2表示的基于降冰片締的 單體中的一種單體加成聚合所制備的均聚物，或者通過由W下化學(xué)式2表示的單體中的兩 種或更多種單體加成聚合所制備的共聚物：
[0023] [化學(xué)式1]
[0024]
[002引[化學(xué)式引
【主權(quán)項】
1. 一種基膜，其包含：具有基于環(huán)烯烴的重復(fù)單元的聚合物；和包含基 于苯乙烯的重復(fù)單元和基于馬來酰亞胺的重復(fù)單元的共聚物； 其中，在所述基于環(huán)烯烴的重復(fù)單元中，外型異構(gòu)體的含量為50mol %以上，并且 在所述基膜上形成透明的基于金屬氧化物的導(dǎo)電膜。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基膜，其中，所述具有基于環(huán)烯烴的重復(fù)單元的聚合物為通 過由以下化學(xué)式2表示的基于降冰片烯的單體中的一種單體加成聚合所制備的均聚物，或 者通過由化學(xué)式2表示的兩種或更多種單體加成聚合所制備的共聚物： 在化學(xué)式2中，
q為〇至4的整數(shù)； Rl至R4獨立地為極性官能團(tuán)或非極性官能團(tuán)，或者 選自Rl與R2,以及R3與R4的至少一種組合可以彼此連接以形成Cl至ClO烷叉基， 或者Rl或R2可以與R3和R4中的一個連接以形成C4-C12飽和或不飽和脂族環(huán)或C6-C24 芳族環(huán)中。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基膜，其中，在所述基于環(huán)烯烴的重復(fù)單元中外型異構(gòu)體的 含量為50至IOOmol%。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基膜， 其中，所述具有基于環(huán)烯烴的重復(fù)單元的聚合物具有10, 〇〇〇至1，〇〇〇, 〇〇〇的重均分子 量。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基膜， 其中，所述包含基于苯乙烯的重復(fù)單元和基于馬來酰亞胺的重復(fù)單元的共聚物包含1 至50wt%的所述基于苯乙稀的重復(fù)單元。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基膜， 其中，所述包含基于苯乙烯的重復(fù)單元和基于馬來酰亞胺的重復(fù)單元的共聚物具有 500至1，000, 000的重均分子量。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基膜， 其中，所述具有基于環(huán)烯烴的重復(fù)單元的聚合物和所述包含基于苯乙烯的重復(fù)單元和 基于馬來酰亞胺的重復(fù)單元的共聚物以99:1至50:50的重量比進(jìn)行混合。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的基膜，其中，所述非極性官能團(tuán)選自：氫滷素；取代或未取 代的C1-20直鏈或支鏈烷基；取代或未取代的C2-20直鏈或支鏈烯基；取代或未取代的 C2-20直鏈或支鏈炔基；取代或未取代的C3