一種信息保護(hù)裝置及保護(hù)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種信息保護(hù)裝置及保護(hù)方法，以及包含所述信心保護(hù)裝置的電子裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM, Electrically Erasable ProgrammableRead-QnlyMemory)，是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片；其可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。EEPROM是非易失性存儲器，其中的閃速EEPROM發(fā)展迅速。EEPROM比DRAM復(fù)雜，因此EEPROM的集成度很難提高。
[0003]—個EEPROM存儲單元的存儲信息的部分就像一個常閉或常開的晶體管，當(dāng)浮柵充電時，容納電荷或者阻礙電子從控制柵流向硅；充電通過將源/漏接地，于控制柵上施加電壓來完成；施加反向電壓，將使電荷流向娃襯底。這樣，基于一個存儲單兀存儲I位(bit)數(shù)據(jù)，隨著大規(guī)模的存儲單元陣列結(jié)構(gòu)，芯片尺寸增大。
[0004]隨著集成電路技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，芯片上將集成更多器件，芯片也將采用更快的速度。在這些要求的推進(jìn)下，器件的幾何尺寸將不斷縮小，在芯片的制造工藝中不斷采用新材料、新技術(shù)和新的制造工藝。同時對于器件的穩(wěn)定性提出了更高的要求。
[0005]隨著EEPROM在智能卡以及銀行卡等產(chǎn)品中的應(yīng)用，如何保持卡片內(nèi)部保密信息的安全成為非常關(guān)鍵的因此，例如所述卡片具有自身安全保護(hù)功能，如果卡片需要在特定的環(huán)境下刪除信息，例如在光照(light illuminat1n)情況下，所述信息會自動丟失(loss)。
[0006]在EEPROM平臺中現(xiàn)在并沒有如上所述的自身安全保護(hù)功能，所述器件存在很大的安全隱患，因此需要對所述器件作進(jìn)一步的改進(jìn)，以便消除上述缺陷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在【具體實(shí)施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0008]本發(fā)明為了克服目前存在問題，提供了一種信息保護(hù)裝置，包括控制電路和光電二級管，其中所述控制電路和所述光電二級管相串聯(lián)，并控制所述光電二級管導(dǎo)通，以實(shí)現(xiàn)電位信號的重設(shè)，防止信息外泄。
[0009]作為優(yōu)選，所述控制電路至少包括重設(shè)晶體管Ml和輸出晶體管M3，其中，所述重設(shè)晶體管Ml的漏極與電源電壓相連接，所述重設(shè)晶體管Ml的柵極與重設(shè)控制信號端相連接，所述重設(shè)晶體管Ml的源極與所述輸出晶體管M3的漏極相連接，所述輸出晶體管M3的源極和信號輸出端相連接；
[0010]其中，所述光電二極管的負(fù)極與所述重設(shè)晶體管Ml的源極相連接，所述光電二極管的正極接地。
[0011]作為優(yōu)選，所述輸出晶體管M3的柵極與信號選擇端相連接。
[0012]作為優(yōu)選，所述重設(shè)控制信號選用脈沖電壓。
[0013]作為優(yōu)選，所述脈沖電壓的脈沖周期為0.2秒，所述脈沖電壓為矩形波，所述脈沖電壓的幅度為1.8V并持續(xù)0.05s。
[0014]作為優(yōu)選，所述控制電路還進(jìn)一步包括第二晶體管M2，設(shè)置于所述重設(shè)晶體管Ml和輸出晶體管M3之間，所述第二晶體管M2的柵極與所述重設(shè)晶體管Ml源極相連接，所述第二晶體管M2漏極與電源電壓相連接，所述第二晶體管M2源極與所述輸出晶體管M3的漏極相連接。
[0015]本發(fā)明還提供了一種基于上述保護(hù)裝置的保護(hù)方法，包括所述控制電路控制所述光電二極管導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)對所述保護(hù)電路的重設(shè)，以防信息外泄。
[0016]作為優(yōu)選，所述電源電壓和所述信號選擇端選用大小相同的恒定電壓。
[0017]作為優(yōu)選，所述重設(shè)控制信號選用脈沖電壓。
[0018]作為優(yōu)選，所述重設(shè)信號處于低電位時，所述光電二極管斷開；所述重設(shè)控制信號處于高電位時，所述光電二極管導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)信息的重設(shè)。
[0019]本發(fā)明還提供了一種電子裝置，包括信息存儲裝置及上述的信息保護(hù)裝置。
[0020]作為優(yōu)選，所述信息存儲裝置包括EEPR0M。
[0021]作為優(yōu)選，所述電子裝置包括銀行卡和金融卡。
[0022]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種信息保護(hù)裝置，所述保護(hù)裝置中包括控制電路以及光電二極管，其中所述控制電路在接受信號后能夠控制所述光電二極管導(dǎo)通，導(dǎo)通之后對原有的電位信息進(jìn)行重設(shè)，從而破壞原有的電位信息，以防信息外泄，從而實(shí)現(xiàn)信息的自我保護(hù)功能，從而使各種保密信息更加安全。
【附圖說明】
[0023]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，
[0024]圖1a-1b為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中所述保護(hù)裝置的電路示意圖；
[0025]圖2為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中所述控制電路中重設(shè)信號的脈沖示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0027]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的描述，以說明本發(fā)明所述保護(hù)裝置和保護(hù)方法。顯然，本發(fā)明的施行并不限于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0028]應(yīng)予以注意的是，這里所使用的術(shù)語僅是為了描述具體實(shí)施例，而非意圖限制根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式。此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
[0029]現(xiàn)在，將參照附圖更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，這些示例性實(shí)施例可以多種不同的形式來實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施例是為了使得本發(fā)明的公開徹底且完整，并且將這些示例性實(shí)施例的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見，夸大了層和區(qū)域的厚度，并且使用相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件，因而將省略對它們的描述。
[0030]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種信息保護(hù)裝置，包括控制電路和光電二級管，其中所述控制電路和所述光電二級管相串聯(lián)，并控制所述光電二級管導(dǎo)通，以實(shí)現(xiàn)電位信號的重設(shè)，防止信息的外泄。
[0031]其中，所述控制電路至少包括重設(shè)晶體管Ml和輸出晶體管M3，其中，所述重設(shè)晶體管Ml的漏極與電源電壓相連接，所述重設(shè)晶體管Ml的柵極與重設(shè)控制信號相連接，所述重設(shè)晶體管Ml的源極與所述輸出晶體管M3的漏極相連接，所述輸出晶體管M3的源極和信號輸出端相連接；
[0032]其中，所述光電二極管的負(fù)極與所述重設(shè)晶體管Ml的源極相連接，所述光電二極管的正極接地。
[0033]所述控制電路在接受信號后能夠控制所述光電二極管導(dǎo)通，導(dǎo)通之后對原有的電位信息進(jìn)行重設(shè)，從而破壞原有的電位信息，以防信息外泄，從而實(shí)現(xiàn)信息的自我保護(hù)功倉泛。
[0034]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的一【具體實(shí)施方式】做進(jìn)一步的說明。
[0035]實(shí)施例1
[0036]在本發(fā)明中，所述信息保護(hù)裝置，包括控制電路和光電二級管，其中所述控制電路和所述光電二級管相串聯(lián)，并控制所述光電二級管導(dǎo)通，以實(shí)現(xiàn)電位信號的重設(shè)，防止信息的外泄。
[0037]如圖1a所示，所述控制電路至少包括重設(shè)晶體管Ml和輸出晶體管M3，其中，所述重設(shè)晶體管Ml的漏極與電源電壓相連接，所述重設(shè)晶體管Ml的柵極與重設(shè)控制信號相連接，所述重設(shè)晶體管Ml的源極與所述輸出晶體管M3的漏極相連接，所述輸出晶體管M3的源極和信號輸出端相連接；
[0038]其中，所述光電二極管的負(fù)極與所述重設(shè)晶體管Ml