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      觸控面板的制作方法

      文檔序號(hào):9261106閱讀:448來源:國知局
      觸控面板的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明是關(guān)于一種觸控面板,特別是關(guān)于一種防水、防鹽霧的觸控面板。
      【背景技術(shù)】
      [0002]以往,用戶是藉由鼠標(biāo)、鍵盤等傳統(tǒng)輸入模塊以傳送指令給電子裝置,進(jìn)而與電子裝置進(jìn)行互動(dòng)。然而,隨著科技的發(fā)展,電子裝置的體積越來越小,業(yè)者開始采用一觸控模塊作為輸入模塊,以傳送指令給電子裝置。如此,可大幅減少輸入模塊的體積和重量,以使電子裝置便于攜帶。
      [0003]一般來說,觸控模塊包括基板、觸控感應(yīng)層、導(dǎo)電引線及電性接點(diǎn),觸控感應(yīng)層、導(dǎo)電引線及電性接點(diǎn)均位于基板上,導(dǎo)電引線一端電性連接觸控感應(yīng)層,另一端匯聚至基板外緣的一接合區(qū)與接合區(qū)內(nèi)的電性接點(diǎn)連接。一柔性電路板(Flexible PrintedCircuit-board,簡稱FPC)搭接至接合區(qū)內(nèi)的電性接點(diǎn),以將感應(yīng)電極層的觸控信號(hào)傳遞至控制回路,透過控制回路的運(yùn)算之后,轉(zhuǎn)為可供電子裝置操作系統(tǒng)判讀的坐標(biāo)數(shù)據(jù)。
      [0004]接合區(qū)位于基板之外緣,電性接點(diǎn)搭接柔性電路板之后,由于柔性電路板具有一定的厚度,在基板外緣與外部具有一定的空隙,如此,水氣以及鹽霧容易自基板的外緣侵入電性接點(diǎn),造成柔性電路板與電性接點(diǎn)甚至導(dǎo)線引線之間的電性連接失效,造成觸控模塊故障。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]鑒于以上的問題,本發(fā)明揭露一種觸控面板,藉以解決以往柔性電路板搭接至觸控面板外緣的設(shè)計(jì),容易造成觸控模塊電性連接失效的問題。
      [0006]本發(fā)明的一實(shí)施例揭露一種觸控面板,其包含一驅(qū)動(dòng)薄膜層以及一感應(yīng)薄膜層。驅(qū)動(dòng)薄膜層的一頂面上具有至少一第一電性接合區(qū)。驅(qū)動(dòng)薄膜層的一驅(qū)動(dòng)層外緣環(huán)繞第一電性接合區(qū),并與第一電性接合區(qū)保持一間距。感應(yīng)薄膜層疊設(shè)于驅(qū)動(dòng)薄膜層的頂面上,感應(yīng)薄膜層背對驅(qū)動(dòng)薄膜層的一面具有至少一第二電性接合區(qū),感應(yīng)薄膜層的一感應(yīng)層外緣環(huán)繞第二電性接合區(qū),并與第二電性接合區(qū)保持一間距。
      [0007]本發(fā)明的另一實(shí)施例揭露一種觸控面板。觸控面板包含一觸控薄膜層,其一頂面上具有至少一第一電性接合區(qū)。觸控薄膜層的一觸控層外緣環(huán)繞第一電性接合區(qū),并與第一電性接合區(qū)保持一間距。
      [0008]綜合上述,本發(fā)明揭露的觸控面板,其中一實(shí)施例中,第一電性接合區(qū)以及第二電性接合區(qū)分別被驅(qū)動(dòng)層外緣以及感應(yīng)層外緣所環(huán)繞,意即第一電性接合區(qū)以及第二電性接合區(qū)并非是位于驅(qū)動(dòng)薄膜層以及感應(yīng)薄膜層的端緣處;于另一實(shí)施例中,觸控薄膜層的一觸控層外緣環(huán)繞第一電性接合區(qū),并與第一電性接合區(qū)保持一間距。如此,本發(fā)明的觸控面板解決了因柔性電路板是搭接于驅(qū)動(dòng)薄膜層以及感應(yīng)薄膜層的端緣處,或是搭接于觸控薄膜層的端緣處,使水氣以及鹽霧容易進(jìn)入觸控面板進(jìn)而造成腐蝕以及故障的問題。
      [0009]以上之關(guān)于本
      【發(fā)明內(nèi)容】
      之說明及以下之實(shí)施方式之說明是用以示范與解釋本發(fā)明之原理,并且提供本發(fā)明之專利申請范圍更進(jìn)一步之解釋。
      【附圖說明】
      [0010]圖1是為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的觸控面板的正視示意圖。
      [0011]圖2是為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的觸控面板的分解示意圖。
      [0012]圖3是為沿著圖1的線段3-3的剖切示意圖。
      [0013]圖4是為沿著圖1的線段4-4的剖切示意圖。
      [0014]圖5是為沿著圖1的線段5-5的剖切示意圖。
      [0015]圖6是為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的觸控面板的正視示意圖。
      [0016]圖7是為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的觸控面板的分解示意圖。
      [0017]圖8是為沿著圖6的線段8-8的剖切示意圖。
      [0018]圖9是為根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的觸控面板的剖切示意圖。
      [0019]圖10是為根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的觸控面板的剖切示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0020]下面結(jié)合附圖與【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
      [0021]以下在實(shí)施方式中詳細(xì)敘述本發(fā)明之詳細(xì)特征以及優(yōu)點(diǎn),其內(nèi)容足以使任何熟習(xí)相關(guān)技藝者了解本發(fā)明之技術(shù)內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施,且根據(jù)本說明書所揭露之內(nèi)容、申請專利范圍及圖式,任何熟習(xí)相關(guān)技藝者可輕易地理解本發(fā)明相關(guān)之目的及優(yōu)點(diǎn)。以下之實(shí)施例是進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明之觀點(diǎn),但非以任何觀點(diǎn)限制本發(fā)明之范疇。
      [0022]本發(fā)明提供一種觸控面板,是用以裝設(shè)于一電子裝置上。一用戶或一對象觸碰觸控面板,觸控面板根據(jù)所觸碰的位置計(jì)算出一相對位置,再將此一相對位置的訊號(hào)傳送給電子裝置,以進(jìn)行后續(xù)處理。在一實(shí)施例中,觸控面板是一薄膜電容式觸控面板,但非用以限定本發(fā)明。
      [0023]以下介紹觸控面板的結(jié)構(gòu),請共同參照『圖1』以及『圖2』。其中,『圖1』是為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的觸控面板的正視示意圖?!簣D2』是為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的觸控面板的分解示意圖。在本實(shí)施例中,觸控面板10包含一驅(qū)動(dòng)薄膜層11、一感應(yīng)薄膜層12(雙薄膜層結(jié)構(gòu))。
      [0024]驅(qū)動(dòng)薄膜層11具有一頂面114與一底面115,頂面114與底面115彼此相對,而驅(qū)動(dòng)層外緣112位于頂面114與底面115邊緣以使驅(qū)動(dòng)層外緣112的相對兩側(cè)分別連接頂面114與底面115。于頂面114上具有二第一電性接合區(qū)111。驅(qū)動(dòng)層外緣112環(huán)繞第一電性接合區(qū)111,并且驅(qū)動(dòng)層外緣112與第一電性接合區(qū)111保持一間距,該間距可介于0.2公厘(mm)至Imm之間,但非用以限定本發(fā)明。感應(yīng)薄膜層12疊設(shè)于驅(qū)動(dòng)薄膜層11的頂面114 上。
      [0025]感應(yīng)薄膜層12背對驅(qū)動(dòng)薄膜層11的一面上具有一第二電性接合區(qū)121。感應(yīng)薄膜層12具有一頂面124與一底面125,頂面124與底面125彼此相對,而感應(yīng)層外緣122位于頂面124與底面125邊緣以使感應(yīng)層外緣122的相對兩側(cè)分別連接頂面124與底面125。于頂面124上具有一第一電性接合區(qū)121。感應(yīng)層外緣122環(huán)繞第二電性接合區(qū)121,并與第二電性接合區(qū)121保持一間距。,該間距可介于0.2公厘(mm)至Imm之間,但非用以限定本發(fā)明。
      [0026]此外,驅(qū)動(dòng)薄膜層11上以及感應(yīng)薄膜層12上各包含一圖案層(未繪示,例如分別為X軸電極與Y軸電極)。驅(qū)動(dòng)薄膜層11以及感應(yīng)薄膜層12的圖案層的材料例如為氧化銦錫(indium tin oxide, ITO)、氧化銦鋒(indium zinc oxide, IZ0)、氧化鎘錫(cadmiumtin oxide, CTO)、氧化招鋒(aluminum zinc oxide, AZO)、氧化銦鋒錫(indium tin zincoxide, ITZO)、氧化鋒(zinc oxide)、氧化鎘(cadmium oxide)、氧化給(hafnium oxide,HfO)、氧化銦嫁鋒(indium galliumzinc oxide, InGaZno)、氧化銦嫁鋒續(xù)(indium galliumzinc magnesium oxide, InGaZnMgO)、氧化銦嫁續(xù)(indium gallium magnesium oxide,InGaMgO)、氧化銦嫁招(indium gallium aluminum oxide, InGaAlO)、石墨烯(Graphene)、奈米銀線(silver nanowire)或奈米碳管(Carbon nanotubes, CNT)、金屬網(wǎng)格(metalmesh)等,但不限于此。
      [0027]在本實(shí)施例中,是以圖案層各自位于驅(qū)動(dòng)薄膜層11的頂面114上和感應(yīng)薄膜層12的頂面124上為例。在其他實(shí)施例中,圖案層可各自位于驅(qū)動(dòng)薄膜層11的頂面114上和感應(yīng)薄膜層12的底面125上,或者各自位于驅(qū)動(dòng)薄膜層11的底面115上和感應(yīng)薄膜層12的頂面124上,甚至各自位于驅(qū)動(dòng)薄膜層11的底面115上和感應(yīng)薄膜層12的底面125上。且第一電極接合區(qū)111與第二電性接合區(qū)121的配置位置可隨著圖案層的配置位置而發(fā)生改變。再者,第一電性接合區(qū)111以及第二電性接合區(qū)121的數(shù)目與配置位置以及圖案層的數(shù)量與配置位置并非用以限定本發(fā)明。在其他實(shí)施例中,第一電性接合區(qū)111以及第二電性接合區(qū)121的數(shù)目是任何大于或等于一的正整數(shù)。
      [0028]請共同參照『圖2』、『圖3』以及『圖4』,『圖3』是為沿著『圖1』的線段3_3的剖切示意圖?!簣D4』是為沿著『圖1』的線段4-4的剖切示意圖。在本實(shí)施例中,驅(qū)動(dòng)薄膜層11具有一驅(qū)動(dòng)層破孔113,鄰接于該第一電性接合區(qū)111,且驅(qū)動(dòng)層外緣112亦環(huán)繞驅(qū)動(dòng)層破孔113。感應(yīng)薄膜層12具有一感應(yīng)層破孔123,鄰接于第二電性接合區(qū)121,且感應(yīng)層外緣122亦環(huán)繞感應(yīng)層破孔123。在本實(shí)施例以及部份的其他實(shí)施例中,第一電性接合區(qū)111具有一驅(qū)動(dòng)層電性接點(diǎn)1111,第二電性接合區(qū)121具有一感應(yīng)層電性接點(diǎn)1211。第一電性接合區(qū)111的驅(qū)動(dòng)層電性接點(diǎn)1111以及第二電性接合區(qū)121的感應(yīng)層電性接點(diǎn)1211分別用以電性連接于柔性電路板,以傳送訊號(hào)。
      [0029]以下介紹觸
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