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      交互式手勢(shì)掃描矩陣及其控制方法_2

      文檔序號(hào):9489074閱讀:來源:國(guó)知局
      操作的應(yīng)用程序,例如在游戲場(chǎng)景中,通過對(duì)游戲玩家手勢(shì)的捕捉和處理,可以通過一個(gè)或多個(gè)虛擬骨架對(duì)手勢(shì)建模還原,經(jīng)建模的骨架的各個(gè)方面可用于交互用戶界面的輸入命令。
      [0031]同樣可以通過三維的交互式手勢(shì)掃描矩陣來構(gòu)建三維的立體模型,將掃描以后的三維模型數(shù)據(jù)通過輸出端口與計(jì)算機(jī)等圖形處理設(shè)備相連,可用于快速構(gòu)建立體模型。
      [0032]三維的交互式手勢(shì)掃描矩陣由于各個(gè)紅外對(duì)管分布均勻,掃描后的三維立體圖形數(shù)據(jù)不存在扭曲變形的情況,手勢(shì)特征庫(kù)更容易構(gòu)造。
      [0033]用戶可以根據(jù)自己的習(xí)慣自主定義各種手勢(shì),也可以使用存儲(chǔ)介質(zhì)中預(yù)存的手勢(shì),用戶可以自由的錄入各種手勢(shì),并可以為自己錄入的各種手勢(shì)配置手勢(shì)指令,手勢(shì)特征與手勢(shì)指令一一對(duì)應(yīng),因此增加了用戶的自由度,更加符合用戶的使用習(xí)慣。在切換手勢(shì)的時(shí)候,0LED顯示屏?xí)⑹謩?shì)匹配信息及手勢(shì)的二維或三維圖形實(shí)時(shí)更新。
      [0034]可以構(gòu)建其它形狀的交互式手勢(shì)掃描矩陣,例如球形、長(zhǎng)方體形及其它。
      【附圖說明】
      [0035]圖1為本發(fā)明的邏輯框圖1。
      [0036]圖2為本發(fā)明的邏輯框圖2。
      [0037]圖3為本發(fā)明的串入并出移位寄存器和鎖存器電路單元、紅外發(fā)射管驅(qū)動(dòng)電路單元和4*2紅外對(duì)管矩陣電路單元原理圖。
      [0038]圖4為本發(fā)明的電壓比較器電路單元、并入串出移位寄存器和鎖存器電路單元原理圖。
      [0039]圖5為本發(fā)明的穩(wěn)壓供電電路單元原理圖。
      [0040]圖6為本發(fā)明通過三片74HC595級(jí)聯(lián)拓展I/O 口原理圖。
      [0041]圖7為本發(fā)明通過三片74HC165級(jí)聯(lián)拓展I/O 口原理圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0042]下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步描述。
      [0043]第一實(shí)施例
      參見圖3,串入并出移位寄存器和鎖存器電路單元1.1包括74HC595芯片,74HC595芯片具有8位移位寄存器和一個(gè)鎖存器,具有三態(tài)輸出功能,其中移位寄存器和鎖存器具有相互獨(dú)立的時(shí)鐘。
      [0044]紅外發(fā)射管驅(qū)動(dòng)電路單元1.2包括ULN2003電路驅(qū)動(dòng)芯片ULN1、ULN2,電阻R8、R1、R12、R13、R19、R20、R21、R22。
      [0045]ULN2003電路驅(qū)動(dòng)芯片是高耐壓、大電流復(fù)合晶體管陣列,由七個(gè)硅NPN復(fù)合晶體管組成;電阻R8、R10、R12、R13、R19、R20、R2UR22為紅外發(fā)射管驅(qū)動(dòng)輸入端的限流電阻。
      [0046]4*2 紅外對(duì)管矩陣電路單元 1.2 包括電阻 Rl、R4、R5、R6、R7、R14、R15、R16、R17、R18,紅外對(duì)管 Infra Al、Infra A2、Infra A3、Infra A4、Infra Bl、Infra B2、Infra B3、Infra B4。電阻Rl、R14為上拉電阻;電阻R4、R5、R6、R7、R15、R16、R17、R18為紅外發(fā)射管的限流電阻。
      [0047]4*2紅外對(duì)管矩陣電路單元中所有的紅外接收管的集電極接地,發(fā)射極外接上拉電阻R1/R14,因此4*2紅外對(duì)管矩陣電路單元中所有的紅外接收管一直處于工作狀態(tài),等待著發(fā)射管發(fā)射的光線的觸發(fā)。
      [0048]紅外對(duì)管Infra Al,Infra A2,Infra A3,和Infra A4中的接收管的發(fā)射極相連,通過OUT 1將發(fā)射極處的電壓送至電壓比較器C0M1的輸入端,紅外對(duì)管Infra Bl,InfraB2,Infra B3,和InfraB4中的接收管的發(fā)射極相連,通過OUT 2將發(fā)射極處的電壓送至電壓比較器C0M1的輸入端。
      [0049]參見圖4,電壓比較器電路單元1.3包括電壓比較器C0M1,電阻R2、R3,滑動(dòng)變阻器尺9、1?11,動(dòng)作指示燈01、02 ;電壓比較器C0M1內(nèi)部含有兩路電壓比較器;通過調(diào)節(jié)R9,R11的阻值,可以調(diào)節(jié)電壓比較器C0M1預(yù)設(shè)的電壓值,因此可以調(diào)節(jié)手勢(shì)感應(yīng)距離;電阻R2和R3分別為動(dòng)作指示燈D1和D2的限流電阻。
      [0050]D1、D2為動(dòng)作指示燈,當(dāng)0UT1或0UT2處的電壓大于電壓比較器預(yù)設(shè)的電壓時(shí),則電壓比較器C0M1輸出端第一引腳或第七引腳輸出高電平,則動(dòng)作指示燈D1或D2處于關(guān)閉狀態(tài);當(dāng)0UT1或0UT2處的電壓小于電壓比較器預(yù)設(shè)的電壓時(shí),則電壓比較器C0M1輸出端第一引腳或第七引腳輸出低電平,則動(dòng)作指示燈D1或D2動(dòng)作發(fā)光。
      [0051]并入串出移位寄存器和鎖存器電路單元1.4包括74HC165芯片UB1,電阻R24、R25 ;74HC165是8位并行輸入串行輸出移位寄存器,可在末級(jí)得到互斥的串行輸出;R24,R25為上拉電阻,使74HC165的第5、6引腳保持高電平,當(dāng)電壓比較器的R0W1引腳輸出低電平時(shí),74HC165芯片的第5引腳處電壓被拉低。
      [0052]參見圖3和圖4,74HC595芯片UA1的第11、12、14引腳與MCU的I/O 口相連,第14引腳為串行信號(hào)輸入端;INT 1、INT 2、INT 3、INT4為74HC595芯片UA1并行信號(hào)輸出端,在時(shí)鐘脈沖的作用下,UA1芯片將串行輸入的8位數(shù),轉(zhuǎn)變?yōu)椴⑿休敵龅?位數(shù),進(jìn)而將并行輸出的8位數(shù)送至紅外發(fā)射管驅(qū)動(dòng)ULN1和ULN2的驅(qū)動(dòng)輸入端。
      [0053]當(dāng)INT1處為高電平,INT2,、INT3、INT4為低電平時(shí),則4*2紅外對(duì)管矩陣第一列的紅外發(fā)射管都發(fā)射光線,其余列不發(fā)射光線;當(dāng)INT2處為高電平,INT1,、INT3、INT4為低電平時(shí),則4*2紅外對(duì)管矩陣第二列的紅外發(fā)射管都發(fā)射光線,其余列不發(fā)射光線;當(dāng)INT3處為高電平,INTI,、INT2、INT4為低電平時(shí),則4*2紅外對(duì)管矩陣第三列的紅外發(fā)射管都發(fā)射光線,其余列不發(fā)射光線;當(dāng)INT4處為高電平,INTI,、INT2、INT3為低電平時(shí),則4*2紅外對(duì)管矩陣第四列的紅外發(fā)射管都發(fā)射光線,其余列不發(fā)射光線。
      [0054]當(dāng)INT 1為高電平時(shí),INT2,、INT3、INT4為低電平時(shí),4*2紅外對(duì)管矩陣第一列Infra Al和Infra Bl中的紅外發(fā)射管發(fā)射光線,當(dāng)紅外對(duì)管Infra Al和Infra Bl發(fā)射管發(fā)射的光線未被障礙物擋回到接收管時(shí),紅外對(duì)管Infra Al和Infra Bl接收管的集電極和發(fā)射極之間的電阻阻值遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于上拉電阻Rl和R14的阻值,因此集電極和發(fā)射極之間分得的壓降遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于上拉電阻R1/R14分得的壓降,通過0UT1/0UT2處的電壓與電壓比較器C0M1第二引腳和第六引腳預(yù)設(shè)的電壓相比較,此時(shí)的電壓大于預(yù)設(shè)的電壓,因此電壓比較器C0M1的第一引腳和第八引腳分別輸出高電平到74HC165。
      [0055]當(dāng)紅外對(duì)管InfraAl發(fā)射管發(fā)射的光線被障礙物擋回到接收管,Infra Bl發(fā)射管發(fā)射的光線未被障礙物擋回到接收管時(shí),紅外對(duì)管Infra Al中的接收管的集電極和發(fā)射極導(dǎo)通,集電極和發(fā)射極導(dǎo)通后的飽和壓降為0.2V左右,紅外對(duì)管Infra Al的發(fā)射極處的的電壓約為0.2V,通過0UT1處的電壓與電壓比較器C0M1第2引腳預(yù)設(shè)的電壓相比較,此時(shí)的電壓小于預(yù)設(shè)的電壓,則電壓比較器C0M1的第一引腳輸出低電平,第八引腳輸出低電平到 74HC165。
      [0056]當(dāng)紅外接收管未被觸發(fā)時(shí),則掃描值持續(xù)為高電平,若人手擋住某一個(gè)紅外發(fā)射管,相應(yīng)的紅外接收管被觸發(fā)時(shí),則掃描值持續(xù)為低電平,動(dòng)作指示燈發(fā)光,直到人手離開,紅外接收管恢復(fù)觸發(fā)前的狀態(tài),掃描值再次變?yōu)楦唠娖?,?dòng)作指示燈熄滅。
      [0057]74HC165芯片UBLUB1的第1、2、9引腳與MCU的I/O 口相連,第9引腳為串行數(shù)據(jù)輸出端,第6、5、4、3、14、13、12、11引腳為74HC165芯片并行數(shù)據(jù)輸入端。
      [0058]通過74HC165芯片將并行輸入的8位數(shù)轉(zhuǎn)變?yōu)榇休敵龅?位數(shù),串行輸出的8位數(shù)送至MCU的I/O 口處。
      [0059]先對(duì)INT 1輸入高電平,對(duì)INT 2、INT 3、INT4輸入低電平,通過74HC165芯片檢測(cè)R0W1,R0W2處的電平狀態(tài),然后在時(shí)鐘脈沖的作用下將串行數(shù)據(jù)輸出至MCU的I/O
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