一種功能復(fù)位控制裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種功能復(fù)位控制裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，帶有邏輯控制的智能設(shè)備一般會(huì)預(yù)留復(fù)位功能或者恢復(fù)出廠功能，讓程序恢復(fù)到初始狀態(tài)。
[0003]現(xiàn)有方案中一般選用實(shí)體按鍵的方式，在產(chǎn)品設(shè)計(jì)階段，增加實(shí)體按鍵或者開(kāi)孔，用戶通過(guò)尖銳器件插入孔中觸發(fā)按鍵，實(shí)現(xiàn)復(fù)位功能或者恢復(fù)出廠功能。
[0004]但是，按鍵或開(kāi)孔一方面影響產(chǎn)品外觀，另一方面用戶使用的頻率非常低，浪費(fèi)了器件成本和空間成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種功能復(fù)位控制裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)非接觸式的復(fù)位功能，既不影響產(chǎn)品外觀，也節(jié)約了器件成本和空間成本。
[0006]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種功能復(fù)位控制裝置，可包括:
[0007]主控芯片、微控制單元(Microcontroller Unit，MQJ)以及磁場(chǎng)感應(yīng)模塊；
[0008]磁場(chǎng)感應(yīng)模塊與微控制單元連接，磁場(chǎng)感應(yīng)模塊感應(yīng)磁場(chǎng)變化規(guī)律，并將磁場(chǎng)變化規(guī)律上傳給微控制單元；
[0009]微控制單元獲取磁場(chǎng)變化規(guī)律，并判斷磁場(chǎng)變化規(guī)律是否符合預(yù)置的復(fù)位信號(hào)的發(fā)送條件，若符合，則向主控芯片發(fā)送復(fù)位信號(hào)；
[0010]主控芯片獲取復(fù)位信號(hào)，響應(yīng)復(fù)位信號(hào)，執(zhí)行相應(yīng)的功能復(fù)位操作。
[0011]可選的:
[00?2] 磁場(chǎng)感應(yīng)模塊包括傳感器，傳感器包括穩(wěn)壓器、霍爾片、差分放大器、觸發(fā)器和三極管。
[0013]可選的:
[0014]穩(wěn)壓器將接收到的輸入電壓進(jìn)行穩(wěn)壓操作，并將穩(wěn)壓后的輸入電壓加在霍爾片的兩端；
[0015]霍爾片在垂直于霍爾片的感應(yīng)面方向接收磁場(chǎng)后，產(chǎn)生霍爾電勢(shì)，將霍爾電勢(shì)發(fā)送給差分放大器；
[0016]差分放大器放大霍爾電勢(shì)，將放大后的霍爾電勢(shì)發(fā)送給觸發(fā)器；
[0017]觸發(fā)器整形霍爾電勢(shì)，當(dāng)磁場(chǎng)到達(dá)工作點(diǎn)時(shí)，輸出高電壓，使得三極管導(dǎo)通，輸出低電位;當(dāng)磁場(chǎng)到達(dá)釋放點(diǎn)時(shí)，輸出低電壓，使得三極管截止，輸出高電位。
[0018]可選的:
[0019]磁場(chǎng)變化規(guī)律為三極管在預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)高低電位的變化次數(shù)。
[0020]可選的:
[0021]霍爾片包括硅霍爾片。
[0022]可選的:
[0023]觸發(fā)器包括施密特觸發(fā)器。
[0024]可選的:
[0025]傳感器包括開(kāi)關(guān)型霍爾傳感器。
[0026]可選的:
[0027]復(fù)位信號(hào)包括恢復(fù)出廠信號(hào)、重啟信號(hào)或解除綁定信號(hào)。
[0028]可選的:
[0029]磁場(chǎng)包括手機(jī)耳機(jī)內(nèi)置的磁性線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)。
[0030]可選的:
[0031 ] 磁場(chǎng)感應(yīng)模塊通過(guò)I/O端口與MCU連接。
[0032]從以上技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn):通過(guò)感應(yīng)磁場(chǎng)變化規(guī)律，并判斷磁場(chǎng)變化規(guī)律是否符合預(yù)置的復(fù)位信號(hào)的發(fā)送條件，若符合，則向主控芯片發(fā)送復(fù)位信號(hào)，主控芯片根據(jù)復(fù)位信號(hào)執(zhí)行相應(yīng)的操作。顯然，主控芯片根據(jù)復(fù)位信號(hào)，能夠執(zhí)行恢復(fù)出廠、解除綁定、重啟等操作，由此可見(jiàn)，本發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)采用的實(shí)體按鍵的方式，本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)非接觸式的復(fù)位功能，既不影響產(chǎn)品外觀，也節(jié)約了器件成本和空間成本。
【附圖說(shuō)明】
[0033]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0034]圖1為本發(fā)明實(shí)施例裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖2為本發(fā)明實(shí)施例磁場(chǎng)感應(yīng)模塊電路圖；
[0036]圖3為本發(fā)明實(shí)施例高低電位變化圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種功能復(fù)位控制裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)非接觸式的復(fù)位功能，既不影響產(chǎn)品外觀，也節(jié)約了器件成本和空間成本。
[0038]為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分的實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0039]本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)及上述附圖中的術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”“第四”等(如果存在)是用于區(qū)別類似的對(duì)象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的實(shí)施例能夠以除了在這里圖示或描述的內(nèi)容以外的順序?qū)嵤?。此外，術(shù)語(yǔ)“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過(guò)程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒(méi)有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過(guò)程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。
[0040]請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明實(shí)施例中功能復(fù)位控制裝置包括:
[0041]主控芯片101、微控制單元M⑶102以及磁場(chǎng)感應(yīng)模塊103;
[0042]磁場(chǎng)感應(yīng)模塊103與MCU102連接，該磁場(chǎng)感應(yīng)模塊103感應(yīng)磁場(chǎng)變化規(guī)律，并將磁場(chǎng)變化規(guī)律上傳給MCUl 02;
[0043]MCU102獲取磁場(chǎng)變化規(guī)律，并判斷磁場(chǎng)變化規(guī)律是否符合預(yù)置的復(fù)位信號(hào)的發(fā)送條件，若符合，則向主控芯片101發(fā)送復(fù)位信號(hào)；
[0044]主控芯片101獲取復(fù)位信號(hào)，響應(yīng)復(fù)位信號(hào)，執(zhí)行相應(yīng)的功能復(fù)位操作。
[0045]本實(shí)施例中，通過(guò)感應(yīng)磁場(chǎng)變化規(guī)律，并判斷磁場(chǎng)變化規(guī)律是否符合預(yù)置的復(fù)位信號(hào)的發(fā)送條件，若符合，則向主控芯片發(fā)送復(fù)位信號(hào)，主控芯片根據(jù)復(fù)位信號(hào)執(zhí)行相