觸摸面板的層堆疊和用于形成層堆疊的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實(shí)施例涉及觸摸面板的層堆疊和用于形成觸摸面板的層堆疊的方法。本發(fā)明的實(shí)施例尤其涉及包括TCO層的觸摸面板的層堆疊(特別地涉及層堆疊中的圖案化的TCO層)以及用于形成包括TCO層的層堆疊的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]觸摸面板或觸摸屏面板是能夠檢測并定位顯示區(qū)域內(nèi)的觸摸的特定類別的電子視覺顯示器。一般而言，觸摸面板包括層堆疊，并且配置成感測觸摸。觸摸面板的主體應(yīng)當(dāng)是基本上透明的，使得由屏幕發(fā)射的可見光譜中的光可透射過所述主體。至少一些已知的觸摸面板包括在基板上方形成的透明導(dǎo)體。此類面板的顯示區(qū)域上的觸摸通常導(dǎo)致在導(dǎo)體區(qū)域中的可測量的電容變化?？墒褂貌煌募夹g(shù)來測量電容變化，使得可確定觸摸的位置。
[0003]包括與觸摸面板一起使用的導(dǎo)電層的層堆疊受制于一些特定要求。具體而言，一個關(guān)鍵的要求在于，層堆疊足夠穩(wěn)定以承受在屏幕上的多個接觸以及苛刻的條件，使得觸摸屏幕的可靠性不隨時間而折損。然而，由于例如導(dǎo)電層的厚度、成分和結(jié)構(gòu)，被包括在觸摸屏中的、被視為強(qiáng)健的至少一些已知層堆疊干擾光穿過所述層堆疊的適當(dāng)?shù)耐干洹４送?，以高質(zhì)量(例如，利用均勻且無缺陷的阻擋)來制造此類穩(wěn)定層具有挑戰(zhàn)性。
[0004]此外，尤其是當(dāng)用于測量電容變化的導(dǎo)電層是結(jié)構(gòu)化的導(dǎo)電層時，必須為層堆疊考慮光學(xué)特性(例如，向使用者呈現(xiàn)的外觀)的特定考量。由此，需要一種基于膜的平板顯示器和觸摸屏技術(shù)的設(shè)計，所述設(shè)計術(shù)提供不可見的對象，所述對象根據(jù)導(dǎo)電性來圖案化(類似于觸摸傳感器結(jié)構(gòu))并且呈現(xiàn)出相比常規(guī)的結(jié)構(gòu)的增強(qiáng)的光學(xué)和電性能。
[0005]鑒于上文，本發(fā)明的目標(biāo)在于提供克服本領(lǐng)域中的至少一些問題且提供所需性質(zhì)的觸摸面板的層堆疊、觸摸面板以及用于形成觸摸面板的層堆疊的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]鑒于上文，提供了一種根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求的觸摸面板的層堆疊以及一種用于形成觸摸面板的層堆疊的方法。本發(fā)明的進(jìn)一步的方面、優(yōu)點(diǎn)和特征通過從屬權(quán)利要求、說明書和附圖是顯而易見的。
[0007]根據(jù)一個實(shí)施例，提供一種用于觸摸面板的層堆疊。所述層堆疊包括:基板，所述基板包括用于沉積一個或更多個層的聚合物;透明導(dǎo)電氧化物的圖案化的層，提供在所述基板上方，所述透明導(dǎo)電氧化物的圖案化的層包括透明導(dǎo)電氧化物的區(qū)域以及所述透明導(dǎo)電氧化物的區(qū)域之間的間隙。在所述透明導(dǎo)電氧化物的圖案化的層的間隙中提供第一電介質(zhì)材料。此外，所述層堆疊包括電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層直接地沉積在所述透明導(dǎo)電氧化物層的所述透明導(dǎo)電氧化物的區(qū)域上且直接地沉積在所述第一電介質(zhì)材料上。
[0008]根據(jù)另一實(shí)施例，提供一種用于形成觸摸面板的層堆疊的方法。所述方法包括以下步驟:在包含聚合物的基板上沉積透明導(dǎo)電氧化物層；以及圖案化所述透明導(dǎo)電氧化物層以在透明導(dǎo)電氧化物的區(qū)域之間形成間隙。所述方法進(jìn)一步包括以下步驟:以第一電介質(zhì)材料來填充所述透明導(dǎo)電氧化物的圖案化的層的所述間隙；去除直接地沉積在所述透明導(dǎo)電氧化物的圖案化的層的所述透明導(dǎo)電氧化物的區(qū)域上的第一電介質(zhì)材料；以及直接地在所述透明導(dǎo)電氧化物的區(qū)域上且直接地在所述第一電介質(zhì)材料上提供電介質(zhì)層。
[0009]實(shí)施例還涉及用于執(zhí)行所公開方法的裝置，并且包括用于執(zhí)行每一個所述方法步驟的裝置部件。可通過硬件元件、由適當(dāng)?shù)能浖幊痰挠嬎銠C(jī)，通過這兩者的任何組合或以任何其他方式來執(zhí)行這些方法步驟。此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例還涉及所述裝置通過其來操作的方法。它包括用于執(zhí)行裝置的每一個功能的方法步驟。
【附圖說明】
[0010]因此，為了可詳細(xì)地理解本發(fā)明的上述特征的方式，可參考實(shí)施例進(jìn)行對上文簡要概述的本發(fā)明的更特定的描述。附圖涉及本發(fā)明的實(shí)施例，并且在下文中描述:
[0011]圖1示出根據(jù)本文中所述的實(shí)施例的觸摸面板的層堆疊的示意圖；
[0012]圖2a至圖2e示出根據(jù)本文中所述的實(shí)施例的制造觸摸面板的示例性層堆疊的示意圖；
[0013]圖3示出根據(jù)本文中所述的實(shí)施例的、在層堆疊中提供的圖案化的TCO層的示意圖；
[0014]圖4a示出根據(jù)本文中所述的實(shí)施例的、包括層堆疊的觸摸面板的截面示意圖；
[0015]圖4b示出根據(jù)本文中所述的實(shí)施例的、圖4a中所示的觸摸面板從另一側(cè)看的截面示意圖；
[0016]圖5示出根據(jù)本文中所述的實(shí)施例的層堆疊的光學(xué)行為的示意性表示；
[0017]圖6示出根據(jù)本文中所述的實(shí)施例的層堆疊的光學(xué)行為的示意性表示；
[0018]圖7示出根據(jù)本文中所述的實(shí)施例的、形成觸摸面板的層堆疊的方法的流程圖；
[0019]圖8示出根據(jù)本文中所述的實(shí)施例的、形成觸摸面板的層堆疊的方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]現(xiàn)在將詳細(xì)參照本發(fā)明的各種實(shí)施例，在附圖中示出所述實(shí)施例的一個或更多個示例。在以下對附圖的描述中，相同的元件符號指代相同的元件。一般而言，僅描述相對于個別實(shí)施例的差異。每一個示例作為對本發(fā)明的解釋來提供，并且不旨在作為對本發(fā)明的限制。此外，作為一個實(shí)施例的部分闡釋或描述的特征可用于其他實(shí)施例或可結(jié)合其他實(shí)施例來使用以產(chǎn)生更進(jìn)一步的實(shí)施例。說明書旨在包括此類修改和變型。
[0021]圖1示出根據(jù)本文中所述的實(shí)施例的層堆疊100。根據(jù)典型的實(shí)施例，層堆疊由形成(例如，通過沉積)在彼此的頂部的許多膜構(gòu)成。一般而言，可在基板110上沉積膜或?qū)?。如本文中所述的基板可以是聚合物基板。如本文所使用的術(shù)語“基板”將涵蓋非柔性基板(例如，剛性聚合物基板)和柔性基板(諸如，幅材或箔)兩者。在一個實(shí)施例中，基板是聚合物箔，尤其是PET箔。
[0022]根據(jù)一些實(shí)施例，如本文所述的層堆疊可以是觸摸面板的層堆疊，尤其是觸摸面板的抗反射層堆疊。為了在觸摸面板中使用，根據(jù)本文中所述的實(shí)施例的層堆疊包括圖案化的透明導(dǎo)電氧化物(transparent conductive oxide;TC0)層，此圖案化的TCO層在圖1中可被看成TCO圖案16 O。TCO層的圖案可包括TCO區(qū)域以及多個TCO區(qū)域之間的間隙。在圖1中，可以看出材料170被填充在TCO圖案的間隙中。電介質(zhì)層180被直接地沉積在材料170上，并且被直接地沉積在TCO區(qū)域160上。根據(jù)一些實(shí)施例，電介質(zhì)層180可包含第二電介質(zhì)材料。在一個示例中，電介質(zhì)層可被描述為是頂層。
[0023]根據(jù)可與本文中所述的其他實(shí)施例結(jié)合的典型的實(shí)施例，本文中提及的透明導(dǎo)電氧化物可以是氧化銦錫(I TO)層(例如，結(jié)晶ITO )、摻雜的ITO層、雜質(zhì)摻雜的ZnO、In2O3、SnO2和 CdO、ITO(In2O3 = Sn)、ΑΖ0(Ζη0: Al)、ΙΖ0(Ζη0:1n)、GZ0(Zn0:Ga)或多組分氧化物，所述多組分氧化物包括1!'0、摻雜的11'0、雜質(zhì)摻雜的2110、111203、31102和0(10^20、120、620的組合或由所述組合組成。
[0024]—般而言，基于堅固且不易破損的PET箔基板的較大尺寸的投射式容性觸摸面板傳感器要求低薄層電阻的TCO層(諸如，具有小于150歐姆/平方或更小的薄層電阻的TCO層)、與在TCO圖案化之后的傳感器元件的不可見性相結(jié)合的高光學(xué)和顏色中性透射。為了實(shí)現(xiàn)最佳的器件性能，需要極薄的ITO層以實(shí)現(xiàn)TCO層的不可見性。例如，薄層厚度可在小于約25nm的范圍中。當(dāng)前的工藝技術(shù)和設(shè)計集成方案受限于約100歐姆/平方。對于TCO沉積在層堆疊的頂部上的當(dāng)前的層架構(gòu)，較低的薄層電阻是不可能的。
[0025]在制造觸摸面板的層堆疊的標(biāo)準(zhǔn)工藝流程中，ITO層作為最后的層被沉積在層堆疊的頂部上。在替代的已知層結(jié)構(gòu)中，ITO層被嵌入在層系統(tǒng)內(nèi)。這個所謂的“埋入式ΙΤ0”允許具有較低的薄層電阻的較厚的ITO層以及對于圖案化的ITO層的相對較高的光學(xué)和顏色中性透射。然而，“埋入式ΙΤ0”的降低的薄層電阻和增加的TCO層厚度導(dǎo)致對層堆疊的進(jìn)一步改善的期望，因?yàn)槔巛^厚的、結(jié)構(gòu)化的TCO層區(qū)域更容易可見。
[0026]此外，在已知的系統(tǒng)中，經(jīng)常獲得低質(zhì)的日光下可讀性、屏幕的有色顯現(xiàn)(反射)、相對于來自下層顯示器的所產(chǎn)生的圖片的顏色變化、以及來自功能性屏幕的