一種觸控面板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種觸控面板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在顯示技術(shù)領(lǐng)域，觸控面板的應(yīng)用范圍變得越來越廣，尤其是在消費電子產(chǎn)品領(lǐng)域中的發(fā)展尤為迅速，如:在平板電腦、智能手機等中的發(fā)展迅速?，F(xiàn)有技術(shù)中的觸控面板按照其工作原理主要包括電阻式和電容式，電容式觸控面板以其反應(yīng)靈敏、支持多點觸控、壽命長等特點漸漸成為市場的主流。
[0003]電容式觸控面板又包括表面電容式和投射電容式，其中投射電容式目前應(yīng)用比較廣泛，投射電容式觸控面板一般由在基板的觸控區(qū)域設(shè)置的具有觸控功能的多條第一電極和多條第二電極組成，第一電極和第二電極可以設(shè)置在不同層，也可以設(shè)置在同一層。若第一電極和第二電極設(shè)置在同一層時，第一電極或第二電極在第一電極和第二電極交叉處斷開，斷開部分通過橋接層連接。
[0004]具體地，現(xiàn)有技術(shù)投射電容式觸控面板的結(jié)構(gòu)如圖1所示，在制作該觸控面板時，首先在襯底基板10上制作橋接層11;再在橋接層11上制作第一有機膜層12，第一有機膜層
12覆蓋在橋接層11上，但不完全覆蓋橋接層11;接著在第一有機膜層12上制作第一電極13和第二電極14，第一電極13和第二電極14位于同一層，第一電極13和第二電極14的交界處被第一有機膜層12隔開，第一電極13通過橋接層11連接;最后在第一電極13和第二電極14上制作第二有機膜層15，第二有機膜層15對下層膜層進行保護。在整個制作過程中，橋接層
11、第一有機膜層12、第一電極13和第二電極14的制作均需要各自特定的掩膜板。
[0005]綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)在制作觸控面板時，各個膜層均需要各自的掩膜板，需要的掩膜板較多，生產(chǎn)成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明實施例提供了一種觸控面板及其制作方法、顯示裝置，用以減少掩膜板的使用，降低生產(chǎn)成本，簡化生產(chǎn)流程。
[0007]本發(fā)明實施例提供的一種觸控面板的制作方法，包括:
[0008]在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝制作第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極在交叉位置處斷開；
[0009]沉積一層有機膜層，通過一掩膜板形成有機膜層完全保留區(qū)、有機膜層部分保留區(qū)和有機膜層去除區(qū)，所述有機膜層去除區(qū)對應(yīng)后續(xù)制作的橋接層與第一電極或第二電極的接觸區(qū)，有機膜層部分保留區(qū)對應(yīng)后續(xù)需要形成橋接層的區(qū)域，所述有機膜層完全保留區(qū)和所述有機膜層部分保留區(qū)對應(yīng)的有機膜層形成第一有機膜層；
[0010]沉積一導電層，在所述導電層上涂覆光刻膠，通過所述掩膜板形成光刻膠完全保留區(qū)、光刻膠部分保留區(qū)和光刻膠去除區(qū)，光刻膠完全保留區(qū)對應(yīng)導電層與第一電極或第二電極接觸的區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)對應(yīng)需要形成橋接層的區(qū)域；
[0011]對完成上述步驟的襯底基板進行刻蝕以及去除光刻膠，形成橋接層。
[0012]由本發(fā)明實施例提供的觸控面板的制作方法，該方法在制作第一有機膜層和橋接層時，僅需要采用一張掩膜板，與現(xiàn)有技術(shù)在制作第一有機膜層和橋接層時需要兩張不同的掩膜板相比，本發(fā)明實施例可以減少掩膜板的數(shù)量，簡化制作流程，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。
[0013]較佳地，所述第一電極和所述第二電極為透明電極;或，所述第一電極和所述第二電極為金屬電極。
[0014]較佳地，所述導電層為透明導電層;或，所述導電層為金屬導電層。
[0015]較佳地，所述襯底基板為形成陣列基板的襯底基板，當所述第一電極和所述第二電極為透明電極時，所述第一電極和所述第二電極與像素電極同層制作，或與公共電極同層制作；
[0016]當所述第一電極和所述第二電極為金屬電極時，所述第一電極和所述第二電極與柵極同層制作，或與源極和漏極同層制作。
[0017]較佳地，所述襯底基板為形成陣列基板的襯底基板，當所述導電層為透明導電層時，所述導電層與像素電極同層制作，或與公共電極同層制作；
[0018]當所述導電層為金屬導電層時，所述導電層與柵極同層制作，或與源極和漏極同層制作。
[0019]較佳地，所述有機膜層為負性曝光膠，所述光刻膠為正性曝光膠。
[0020 ]較佳地，所述掩膜板為灰階掩膜板，或為半階掩膜板。
[0021]較佳地，還包括:通過構(gòu)圖工藝在制作有所述第一有機膜層和所述橋接層的襯底基板上制作第二有機膜層。
[0022]本發(fā)明實施例還提供了一種觸控面板，該觸控面板為采用上述方法制作得到的觸控面板。
[0023]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的觸控面板。
【附圖說明】
[0024]圖1為現(xiàn)有技術(shù)觸控面板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種觸控面板的制作方法流程圖；
[0026]圖3-圖10為本發(fā)明實施例提供的觸控面板制作過程中不同階段的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0027]本發(fā)明實施例提供了一種觸控面板及其制作方法、顯示裝置，用以減少掩膜板的使用，降低生產(chǎn)成本，簡化生產(chǎn)流程。
[0028]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0029]下面結(jié)合附圖詳細介紹本發(fā)明具體實施例提供的觸控面板的制作方法。
[0030]如圖2所示，本發(fā)明具體實施例提供了一種觸控面板的制作方法，包括:
[0031]S201、在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝制作第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極在交叉位置處斷開；
[0032]S202、沉積一層有機膜層，通過一掩膜板形成有機膜層完全保留區(qū)、有機膜層部分保留區(qū)和有機膜層去除區(qū)，所述有機膜層去除區(qū)對應(yīng)后續(xù)制作的橋接層與第一電極或第二電極的接觸區(qū)，有機膜層部分保留區(qū)對應(yīng)后續(xù)需要形成橋接層的區(qū)域，所述有機膜層完全保留區(qū)和所述有機膜層部分保留區(qū)對應(yīng)的有機膜層形成第一有機膜層；
[0033]S203、沉積一導電層，在所述導電層上涂覆光刻膠，通過所述掩膜板形成光刻膠完全保留區(qū)、光刻膠部分保留區(qū)和光刻膠去除區(qū)，光刻膠完全保留區(qū)對應(yīng)導電層與第一電極或第二電極接觸的區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)對應(yīng)需要形成橋接層的區(qū)域；
[0034]S204、對完成上述步驟的襯底基板進行刻蝕以及去除光刻膠，形成橋接層。
[0035]下面結(jié)合附圖詳細介紹本發(fā)明具體實施例提供的觸控面板的制作過程，附圖中各膜層厚度和區(qū)域大小、形狀不反應(yīng)各膜層的真實比例，目的只是示意說明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0036]如圖3所示，首先在襯底基板10上通過構(gòu)圖工藝制作第一電極31和第二電極32，本發(fā)明具體實施例中的襯底基板10可以為玻璃基板，也可以為柔性基板，還可以為其它類型的基板，這里不做具體限定。本發(fā)明具體實施例中的構(gòu)圖工藝包括光刻膠的涂覆、曝光、顯影、刻蝕以及去除光刻膠的部分或全部過程，制作得到的第一電極31和第二電極32在交叉位置處斷開。接著，在制作有第一電極31和第二電極32的襯底基板上沉積一層有機膜層33。[0037 ]具體地，本發(fā)明具體實施例中的第一電極31和第二電極32為透明電極，優(yōu)選地，本發(fā)明具體實施例中的第一電極31和第二電極32為氧化銦錫(ITO)的單層膜，或為氧化銦鋅(IZO)的單層膜，或為ITO和IZO的復合膜層，當然，在實際生產(chǎn)過程中，還可以選擇其它的透明導電薄膜。若本發(fā)明具體實施例中的襯底基板10為形成陣列基板的襯底基板時，第一電極31和第二電極32可以與像素電極同層制作，也可以與公共電極同層制作，還可以通過單獨沉積的透明導電層制作形成，當與像素電極或公共電極同層制作時，能夠節(jié)省工藝流程，降低生產(chǎn)成本。
[0038]當然，本發(fā)明具體實施例中的襯底基板10還可以為形成彩膜基板的襯底基板，此時第一電極和第二電極可以通過單獨沉積的透明導電層制作形成，第一電極和第二電極的具體制作過程與現(xiàn)有技術(shù)類似，這里不再贅述。
[0039]具體地，本發(fā)明具體實施例中的第一電極31和第二電極32還可以為金屬電極，優(yōu)選地，本發(fā)明具體實施例中的第一電極31和第二電極32為鉬(Mo)、鋁(Al)等金屬的單層膜或復合膜。若本發(fā)明具體實施例中的襯底基板10為形成陣列基板的襯底基板時，第一電極31和第二電極32可以與柵極同層制作，也可以與源極和漏極同層制作，還可以通過單獨沉積的金屬層制作形成，當與柵極或源極和漏極同層制作時，能夠節(jié)省工藝流程，降低生產(chǎn)成本。
[0040]當然，本發(fā)明具體實施例中的襯底基板10還可以為形成彩膜基板的襯底基板，此時第一電極和第二電極可以通過單獨沉積的金屬層制作形成，第一電極和第二電極的具體制作過程與現(xiàn)有技術(shù)類似，這里不再贅述。
[0041]如圖4所示，沉積有機膜層33后，通過一掩膜板41形成有機膜層完全保留區(qū)、有機膜層部分保留區(qū)和有機膜層去除區(qū)，優(yōu)選地，本發(fā)明具體