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      一種內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置的制造方法

      文檔序號(hào):8731822閱讀:278來源:國(guó)知局
      一種內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型涉及觸控技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置。
      【背景技術(shù)】
      [0002]目前,現(xiàn)有的內(nèi)嵌(Incell)式觸摸屏是利用互電容或自電容的原理實(shí)現(xiàn)檢測(cè)手指觸摸位置。其中,利用自電容的原理可以在觸摸屏中設(shè)置多個(gè)同層設(shè)置且相互絕緣的自電容電極,當(dāng)人體未觸碰屏幕時(shí),各自電容電極所承受的電容為一固定值,當(dāng)人體觸碰屏幕時(shí),對(duì)應(yīng)的自電容電極所承受的電容為固定值疊加人體電容,觸控偵測(cè)芯片在觸控時(shí)間段通過檢測(cè)各自電容電極的電容值變化可以判斷出觸控位置。由于人體電容可以作用于全部自電容,相對(duì)于人體電容僅能作用于互電容中的投射電容,由人體碰觸屏幕所引起的觸控變化量會(huì)大于利用互電容原理制作出的觸摸屏,因此相對(duì)于互電容的觸摸屏能有效提高觸控的信噪比,從而提高觸控感應(yīng)的準(zhǔn)確性。
      [0003]在上述電容式內(nèi)嵌觸摸屏的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中,需要在現(xiàn)有的顯示面板內(nèi)部增加加新的膜層,導(dǎo)致在制作面板時(shí)需要增加新的工藝,使生產(chǎn)成本增加,不利于提高生產(chǎn)效率。
      【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0004]有鑒于此,本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置,用以降低內(nèi)嵌式觸摸屏的生產(chǎn)成本、提高生產(chǎn)效率。
      [0005]因此,本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種內(nèi)嵌式觸摸屏,包括具有呈陣列排布的多個(gè)像素區(qū)域的陣列基板,在所述陣列基板上還包括:
      [0006]被分割成多個(gè)相互獨(dú)立的自電容電極的公共電極層;各所述自電容電極覆蓋多個(gè)像素區(qū)域;
      [0007]與所述自電容電極異層設(shè)置且對(duì)應(yīng)連接的觸控?cái)?shù)據(jù)線,各所述觸控?cái)?shù)據(jù)線在所述陣列基板的正投影均位于像素區(qū)域之間間隙所在區(qū)域內(nèi);
      [0008]通過所述觸控?cái)?shù)據(jù)線與各自電容電極連接的觸控偵測(cè)芯片,用于通過所述觸控?cái)?shù)據(jù)線在顯示時(shí)間段對(duì)各所述自電容電極加載公共電極信號(hào),在觸控時(shí)間段通過所述觸控?cái)?shù)據(jù)線檢測(cè)各所述自電容電極的電容值變化以判斷觸控位置。
      [0009]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中,在所述陣列基板的各像素區(qū)域內(nèi)具有位于所述公共電極層下方的薄膜晶體管結(jié)構(gòu),所述觸控?cái)?shù)據(jù)線位于所述公共電極層與所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之間的膜層。
      [0010]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中,在所述陣列基板上還包括:相互交叉而置的柵極信號(hào)線和數(shù)據(jù)信號(hào)線;
      [0011 ] 所述觸控?cái)?shù)據(jù)線的延伸方向與所述柵極信號(hào)線相同,或與所述數(shù)據(jù)信號(hào)線相同。
      [0012]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中,所述內(nèi)嵌式觸摸屏的邊框具有四個(gè)側(cè)邊,各所述自電容電極在所述觸控?cái)?shù)據(jù)線互不交叉的基礎(chǔ)上通過對(duì)應(yīng)的所述觸控?cái)?shù)據(jù)線連接至距離最近的側(cè)邊后與所述觸控偵測(cè)芯片連接。
      [0013]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中,所述觸控?cái)?shù)據(jù)線在所述陣列基板上分布均勻。
      [0014]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中,在所述陣列基板上還包括:位于所述公共電極層與所述觸控?cái)?shù)據(jù)線所在膜層之間的像素電極;
      [0015]與所述像素電極同層設(shè)置且相互絕緣的第一導(dǎo)通部,所述自電容電極通過所述第一導(dǎo)通部與對(duì)應(yīng)的觸控?cái)?shù)據(jù)線連接。
      [0016]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中,在所述陣列基板上還包括:位于所述公共電極層之上的像素電極;
      [0017]與所述公共電極層同層設(shè)置且相互絕緣的第二導(dǎo)通部,所述薄膜晶體管的漏極通過所述第二導(dǎo)通部與所述像素電極連接。
      [0018]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中,所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)為底柵型薄膜晶體管或頂柵型薄膜晶體管;
      [0019]在所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)為頂柵型薄膜晶體管時(shí),在所述頂柵型薄膜晶體管與襯底基板之間還設(shè)置有遮光層;所述遮光層的圖案在所述陣列基板的正投影覆蓋所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中柵極的圖案的正投影。
      [0020]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種顯示裝置,包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏。
      [0021]本實(shí)用新型實(shí)施例的有益效果包括:
      [0022]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置,利用自電容的原理復(fù)用公共電極層作為自電容電極,將公共電極層圖形進(jìn)行變更,分割成多個(gè)相互獨(dú)立的自電容電極;并在陣列基板上增加連接各自電容電極與觸控偵測(cè)芯片的觸控?cái)?shù)據(jù)線,各觸控?cái)?shù)據(jù)線在陣列基板的正投影均位于像素區(qū)域之間間隙所在區(qū)域內(nèi),會(huì)被觸摸屏中的黑矩陣遮擋不會(huì)影響像素的開口率;觸控偵測(cè)芯片在觸控時(shí)間段通過檢測(cè)各自電容電極的電容值變化可以判斷出觸控位置。由于本實(shí)用新型實(shí)施例提供的觸摸屏是將公共電極層的結(jié)構(gòu)進(jìn)行變更分割成自電容電極,因此,在現(xiàn)有的陣列基板制備工藝的基礎(chǔ)上,不需要增加額外的工藝,節(jié)省了生產(chǎn)成本,提高了生產(chǎn)效率。
      【附圖說明】
      [0023]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0024]圖2a至圖2d分別為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏的側(cè)視示意圖;
      [0025]圖3a和圖3b分別為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏的驅(qū)動(dòng)時(shí)序不意圖;
      [0026]圖4a和圖4b分別為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏中相鄰的自電容電極相對(duì)的側(cè)邊設(shè)置為折線的結(jié)構(gòu)示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0027]目前,能夠?qū)崿F(xiàn)寬視角的液晶顯示技術(shù)主要有平面內(nèi)開關(guān)(IPS,In-PlaneSwitch)技術(shù)和高級(jí)超維場(chǎng)開關(guān)(ADS,Advanced Super Dimens1n Switch)技術(shù);其中,ADS技術(shù)通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng),使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn),從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-LCD產(chǎn)品的畫面品質(zhì),具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。
      [0028]本實(shí)用新型實(shí)施例基于傳統(tǒng)的ADS技術(shù)以及ADS技術(shù)的一種重要改進(jìn)方式H-ADS (高開口率-高級(jí)超維場(chǎng)開關(guān)),提出了新的電容式內(nèi)嵌觸摸屏結(jié)構(gòu)。
      [0029]下面結(jié)合附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)地說明。
      [0030]附圖中各膜層的厚度和形狀不反映真實(shí)比例,目的只是示意說明本【實(shí)用新型內(nèi)容】。
      [0031]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種內(nèi)嵌式觸摸屏,如圖1所示,包括具有呈陣列排布的多個(gè)像素區(qū)域01的陣列基板100,在陣列基板100上還包括:
      [0032]被分割成多個(gè)相互獨(dú)立的自電容電極02的公共電極層;各自電容電極02覆蓋多個(gè)像素區(qū)域01 ;
      [0033]與自電容電極02異層設(shè)置且對(duì)應(yīng)連接的觸控?cái)?shù)據(jù)線03,各觸控?cái)?shù)據(jù)線03在陣列基板100的正投影均位于像素區(qū)域01之間間隙所在區(qū)域內(nèi);
      [0034]通過觸控?cái)?shù)據(jù)線03與各
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