一體式電容觸摸屏的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及觸摸屏領(lǐng)域，尤其涉及一種一體式電容觸摸屏。
【背景技術(shù)】
[0002] 為了改善一體式電容觸摸屏（OGS)的效果，現(xiàn)有的做法是在觸摸屏中直接引入減 反射層，但是由于減反射層、消影層與導(dǎo)電層的等效直射率并非恰好匹配，因此直接引入減 反射層會(huì)導(dǎo)致OGS的消影效果遭到破壞，同時(shí)還會(huì)較低透過(guò)率。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003] 鑒于此，有必要提供一種消影效果較好且透過(guò)率較高的一體式電容觸摸屏。
[0004] 一種一體式電容觸摸屏，包括依次層疊的第一二氧化硅層、第一五氧化二鈮層、第 二二氧化硅層、氮化硅層、基板、第二五氧化二鈮層、第三二氧化硅層及導(dǎo)電層。
[0005] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一二氧化娃層的厚度為98. 5~104. 5nm ;所述第 一五氧化二鈮層的厚度為29~31nm ;所述第二二氧化硅層的厚度為21~27nm ;所述氮化 硅層的厚度為39~41nm。
[0006] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二五氧化二鈮層的厚度為3~7nm ;所述第三二氧化 娃層的厚度為45~55nm。
[0007] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二五氧化二鈮層的厚度為4~6nm ;所述第三二氧化 娃層的厚度為48~50nm。
[0008] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述導(dǎo)電層的厚度為20~30nm。
[0009] -體式電容觸摸屏，包括依次層疊的第一二氧化硅層、第一氮化硅層、第二二氧 化娃層、第一五氧化二銀層、第三二氧化娃層、第二氮化娃層、基板、第二五氧化二銀層、第 四二氧化硅層及導(dǎo)電層。
[0010] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一二氧化娃層的厚度為68. 5~74. 5nm ;所述第一氮 化娃層的厚度為79~82nm ;所述第二二氧化娃層的厚度為30. 5~36. 5nm ;所述第一五氧 化二銀層的厚度為17~19nm ;所述第三二氧化娃層的厚度為57~63nm ;所述第二氮化娃 層的厚度為2~3nm。
[0011] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二五氧化硅二鈮層的厚度為3~7nm ;所述第四二氧 化娃層的厚度為45~55nm。
[0012] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二五氧化硅二鈮層的厚度為4~6. 5nm;所述第四二 氧化硅層的厚度為47~48nm。
[0013] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述導(dǎo)電層的厚度為20~30nm。
[0014] 上述一體式電容觸摸屏的第一二氧化硅層、第一五氧化二鈮層、第二二氧化硅層 及氮化硅共同構(gòu)成減反射層，第二五氧化二鈮層和第三二氧化硅層共同構(gòu)成消影層，使具 有上述結(jié)構(gòu)的一體式電容觸摸屏的導(dǎo)電層的線條不可見(jiàn)，具有較好的消影效果；同時(shí)使得 具有上述結(jié)構(gòu)的一體式電容觸摸屏的透過(guò)率達(dá)到91%以上，減少了屏幕的反光，削弱了環(huán) 境光的干擾，是顯示色彩飽滿艷麗。
【附圖說(shuō)明】
[0015] 圖1為一實(shí)施方式的一體式電容觸摸屏的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016] 圖2為一實(shí)施方式的一體式電容觸摸屏的制備流程圖；
[0017] 圖3為二實(shí)施方式的一體式電容觸摸屏的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018] 圖4為二實(shí)施方式的一體式電容觸摸屏的制備流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019] 為了便于理解本實(shí)用新型，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行更全面的描 述。附圖中給出了本實(shí)用新型的較佳的實(shí)施例。但是，本實(shí)用新型可以以許多不同的形式 來(lái)實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)本實(shí)用新型 的公開(kāi)內(nèi)容的理解更加透徹全面。
[0020] 需要說(shuō)明的是，當(dāng)元件被稱為"固定于"另一個(gè)元件，它可以直接在另一個(gè)元件上 或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個(gè)元件被認(rèn)為是"連接"另一個(gè)元件，它可以是直接連接 到另一個(gè)元件或者可能同時(shí)存在居中元件。本文所使用的術(shù)語(yǔ)"垂直的"、"水平的"、"左"、 "右，，以及類似的表述只是為了說(shuō)明的目的。
[0021] 除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本實(shí)用新型的技術(shù)領(lǐng) 域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本實(shí)用新型的說(shuō)明書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為 了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本實(shí)用新型。本文所使用的術(shù)語(yǔ)"及/或"包 括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。
[0022] 如圖1所示，一實(shí)施方式的一體式電容觸摸屏100,包括依次層疊的第一二氧化硅 層110、第一五氧化二鈮層120、第二二氧化硅層130、氮化硅層140、基板150、第二五氧化二 銀層160、第三二氧化娃層170及導(dǎo)電層180。
[0023] 第一二氧化硅層110的厚度為98. 5~104. 5nm。
[0024] 第一五氧化二鈮層120的厚度為29~31nm。
[0025] 第二二氧化硅層130的厚度為21~27nm。
[0026] 氮化硅層140的厚度為39~41nm。
[0027] 其中，第一二氧化硅層110、第一五氧化二鈮層120、第二二氧化硅層130及氮化硅 層140共同形成減反射層。
[0028] 基板150可以為玻璃基板。其中，基板150的厚度為0· 3~2mm。
[0029] 第二五氧化二鈮層160的厚度為3~7nm ;第三二氧化硅層170的厚度為45~ 55nm。其中，第二五氧化二鈮層160和第三二氧化硅層170共同形成消影層，達(dá)到消影的效 果。
[0030] 優(yōu)選的，第二五氧化二鈮層160的厚度為4~6nm。第三二氧化硅層170的厚度為 48 ~50nm。
[0031] 導(dǎo)電層180優(yōu)選為ITO層，可以理解，導(dǎo)電層180還可以為AZO層、FTO層或GaZO 層等。導(dǎo)電層180的厚度為20~30nm。優(yōu)選的，導(dǎo)電層180的厚度為20~25nm。
[0032] 上述一體式電容觸摸屏100包括依次層疊的第一二氧化硅層110、第一五氧化二 鈮層120、第二二氧化硅層130、氮化硅層140、基板150、第二五氧化二鈮層160、第三二氧化 硅層170及導(dǎo)電層180,第一二氧化硅層110、第一五氧化二鈮層120、第二二氧化硅層130 及氮化硅共同構(gòu)成減反射層，第二五氧化二鈮層160和第三二氧化硅層170共同構(gòu)成消影 層，使具有上述結(jié)構(gòu)的一體式電容觸摸屏100的導(dǎo)電層180的線條不可見(jiàn)，具有較好的消影 效果；同時(shí)使得具有上述結(jié)構(gòu)的一體式電容觸摸屏100的透過(guò)率達(dá)到91%以上，減少了屏 幕的反光，削弱了環(huán)境光的干擾，使顯示色彩飽滿艷麗。
[0033] 如圖2所不，一實(shí)施方式的一體式電容觸摸屏的制備方法，可用于制備一實(shí)施方 式的一體式電容觸摸屏，該一體式電容觸摸屏的制備方法包括如下步驟：
[0034] 步驟S210 :在基板的一個(gè)表面上制備第一二氧化硅層、第一五氧化二鈮層、第 二二氧化硅層及氮化硅層，其中，第一二氧化硅層、第一五氧化二鈮層、第二二氧化硅層及 氮化娃層依次層疊，氮化娃層疊于基板上。即在基板的一個(gè)表面上依次形成氮化娃層、第 二二氧化硅層、第一五氧化二鈮層及第一二氧化硅層。
[0035] 其中，基板可以為玻璃基板。其中，基板的厚度為0. 3~2mm。
[0036] 其中，形成氮化硅層采用的是磁控濺射鍍膜的方法。氮化硅層的厚度為39~ 41nm〇
[0037] 其中，形成第二二氧化硅層采用的是磁控濺射鍍膜的方法。第二二氧化硅的厚度 為 21 ~27nm。
[0038] 其中，形成第一五氧化二鈮層采用的是磁控濺射鍍膜的方法。第一五氧化二鈮層 的厚度為29~31nm。
[0039] 形成第一二氧化硅層的采用的是磁控濺射鍍膜的方法。第一二氧化硅層的厚度為 98. 5 ~104. 5nm。
[0040] 步驟S220 :在基板的另一個(gè)表面上依次形成第二五氧化二鈮層、第三二氧化硅層 及導(dǎo)電層。
[0041] 形成第二五氧化二鈮層、第三二氧化硅層及導(dǎo)電層采用的均是磁控濺射鍍膜的方 法。
[0042] 第二五氧化二銀層的厚度為3~7nm ;第三二氧化娃層的厚度為45~55nm。
[0043] 優(yōu)選的，第二五氧化二鈮層的厚度為4~6nm。第三二氧化硅層的厚度為48~ 50nm〇
[0044] 導(dǎo)電層優(yōu)選為ITO層，可以理解，導(dǎo)電層，還可以為AZO層、FTO層或GaZO層等。 導(dǎo)電層的厚度為20~30nm。優(yōu)選的，導(dǎo)電層的厚度為20~25nm。
[0045] 上述一