觸控裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型是有關(guān)于一種觸控技術(shù)，特別是指一種觸控裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的觸控裝置包含一基板、多個彼此相間隔設(shè)置在基板上的橋接層及一用以產(chǎn)生觸控訊號的觸控電路層。觸控電路層包括多個沿一第一軸線方向設(shè)置在基板，且分別位于橋接層之間的第一觸控電極。而每一第一觸控電極的兩端分別延伸至鄰近的橋接層上，并藉由橋接層使得相鄰的第一觸控電極彼此電連接。然而由于橋接層的厚度遠(yuǎn)大于第一觸控電極的厚度，使得第一觸控電極容易在由基板向上延伸至橋接層的區(qū)域斷裂，而導(dǎo)致觸控裝置的功能異常。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]為了解決上述問題，克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的在于避免第一觸控電極因橋接層與基板之間的高低落差而斷裂，進(jìn)而避免觸控裝置的功能產(chǎn)生異常。
[0004]本實(shí)用新型提供一種觸控裝置。
[0005]觸控裝置包含:一基板、多個橋接單元及一觸控電路層。
[0006]該等橋接單元彼此相間隔地設(shè)置在該基板，且各包括一橋接層及至少一緩沖結(jié)構(gòu)，各該緩沖結(jié)構(gòu)分別由該橋接層的側(cè)壁延伸至該基板而形成一斜坡。
[0007]該觸控電路層包括多個沿一第一方向間隔地設(shè)置在該基板的第一觸控電極，該等第一觸控電極分別重疊于至少一橋接層，并且覆蓋設(shè)于該緩沖結(jié)構(gòu)的該斜坡。
[0008]在一些實(shí)施態(tài)樣中，該等斜坡的斜率小于85度。
[0009]在一些實(shí)施態(tài)樣中，各該緩沖結(jié)構(gòu)還覆蓋各該橋接層。
[0010]在一些實(shí)施態(tài)樣中，該等橋接層的厚度范圍各介于0.3微米至0.4微米之間，該等緩沖結(jié)構(gòu)的斜坡厚度不小于0.5微米。
[0011]在一些實(shí)施態(tài)樣中，該等橋接層是由導(dǎo)電材料所制成，且相鄰的各該第一觸控電極藉由各該橋接層電連接。
[0012]在一些實(shí)施態(tài)樣中，該等橋接層呈長條狀，且各該緩沖結(jié)構(gòu)分別位于各該橋接層的至少一末端。
[0013]在一些實(shí)施態(tài)樣中，該等橋接層呈長條狀，且各該緩沖結(jié)構(gòu)分別位于各該橋接層的兩相反末端之間。
[0014]在一些實(shí)施態(tài)樣中，該等橋接單元各包括多個緩沖結(jié)構(gòu)，該等橋接層呈長條狀，且該等緩沖結(jié)構(gòu)分別設(shè)置在各該橋接層的兩相反末端及兩相反末端之間。
[0015]在一些實(shí)施態(tài)樣中，該等橋接單元還各包括一間隔于該緩沖結(jié)構(gòu)的絕緣結(jié)構(gòu)，該絕緣結(jié)構(gòu)橫跨該橋接層且延伸至該基板；該觸控電路層還包括多個分別沿一第二方向設(shè)置在該基板并跨越該絕緣結(jié)構(gòu)上的第二觸控電極。
[0016]在一些實(shí)施態(tài)樣中，各該絕緣結(jié)構(gòu)設(shè)置在各該橋接層與各該第二觸控電極之間，使各該第一觸控電極與各該第二觸控電極彼此電性絕緣。
[0017]在一些實(shí)施態(tài)樣中，該等緩沖結(jié)構(gòu)及該等絕緣結(jié)構(gòu)由絕緣材料所制成。
[0018]本實(shí)用新型透過設(shè)置緩沖結(jié)構(gòu)，用以在橋接層的側(cè)壁與基板之間形成斜坡，可避免第一觸控電極因橋接層與基板之間的高低落差而斷裂，進(jìn)而導(dǎo)致觸控裝置的功能異常的冋題。
[0019]為讓本實(shí)用新型的特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下:
【附圖說明】
[0020]圖1是一立體圖，說明本實(shí)用新型觸控裝置的一實(shí)施例；
[0021]圖2是關(guān)于圖1中觸控裝置的一局部放大圖；
[0022]圖3是依據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的觸控裝置的一部分剖面示意圖；
[0023]圖4是依據(jù)本實(shí)用新型另一實(shí)施態(tài)樣的觸控裝置的一部分剖面示意圖；
[0024]圖5是依據(jù)本實(shí)用新型另一實(shí)施例的觸控裝置的一部分剖面示意圖；及
[0025]圖6至圖10是說明本實(shí)用新型觸控裝置的制造方法的一實(shí)施例。
【具體實(shí)施方式】
[0026]參閱圖1、2與3，為本實(shí)用新型觸控裝置的一實(shí)施例，其中，圖1是一立體圖，說明本實(shí)用新型觸控裝置的一實(shí)施例；圖2是關(guān)于圖1中觸控裝置的一局部放大圖；圖3是依據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的觸控裝置的一部分剖面示意圖。本實(shí)用新型觸控裝置包含一基板
1、一遮蔽層2、多個橋接單元3、一觸控電路層4及一訊號傳送層5。
[0027]基板I的材質(zhì)選自于由玻璃、聚碳酸酯、聚對苯二酸乙二脂、聚甲基丙烯酸甲脂、聚砜，及其他環(huán)烯共聚物所組成的群體，但不以此為限。此外，為了確保生產(chǎn)過程中基板I的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度與耐用性，亦可對基板I的表面進(jìn)行強(qiáng)化處理，使基板I具有較佳的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度及耐用程度。
[0028]遮蔽層2設(shè)置在基板I周圍，且通常是由有色光阻或有色油墨所制成，并用以形成觸控裝置周圍部分的非可視區(qū)。且遮蔽層2上還形成一個或多個圖案21，圖案21可依據(jù)需求設(shè)計成首頁鍵、返回鍵、窗口切換鍵等功能鍵的圖標(biāo)(Icon)。
[0029]橋接單元3彼此相間隔地設(shè)置在基板1，并各包括一橋接層31、一絕緣結(jié)構(gòu)32及多個緩沖結(jié)構(gòu)33 (此處緩沖結(jié)構(gòu)33的數(shù)量是以四個為例，但不以此為限)。橋接層31主要是由金屬或金屬氧化物(例如氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO))等導(dǎo)電材料所制成，可提供電傳導(dǎo)的路徑。緩沖結(jié)構(gòu)33與絕緣結(jié)構(gòu)32主要是由例如聚亞酰胺(Polyimide)的高分子絕緣材料所制成。每一緩沖結(jié)構(gòu)33覆蓋部分橋接層31，并由橋接層31的側(cè)壁延伸至基板I而形成一斜坡331，該斜坡331具體來說為緩沖結(jié)構(gòu)33由較高的橋接層31的頂面延伸至較低的基板I的頂面而成，因此形成介于橋接層31與基板I之間的高度漸變結(jié)構(gòu)(見圖3)。并且，在一些實(shí)施態(tài)樣中，斜坡331的斜率小于85度。優(yōu)選的，斜坡331的斜率可以是75度、60度、45度、30度、15度或10度。每一絕緣結(jié)構(gòu)32則橫跨橋接層31且延伸至基板1，并相間隔于緩沖結(jié)構(gòu)33。在本實(shí)施例中，橋接層31呈長條狀，并以數(shù)組方式排列于基板I上；緩沖結(jié)構(gòu)33同樣為長條狀，并分別位于橋接層31的兩相反末端及兩相反末端之間；絕緣結(jié)構(gòu)32概呈矩形，并覆蓋于橋接層31的中央位置。但在不同的實(shí)施態(tài)樣中，橋接層31、絕緣結(jié)構(gòu)32、緩沖結(jié)構(gòu)33的形狀、數(shù)量、設(shè)置位置均可視需要而對應(yīng)調(diào)整，不以此處揭露的內(nèi)容為限。
[0030]觸控電路層4主要是由透明導(dǎo)電材料所制成，較常見的透明導(dǎo)電材料為氧化銦錫、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide, IZO)、氧化銷鋅(Aluminum Zinc Oxide, ΑΖ0)、氧化鋅(Zinc Oxide)、氧化銦嫁鋅(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO)、納米碳管(Carbon NanoTube, CNT)、納米銀、納米銅，或是其他透明導(dǎo)電材質(zhì)與金屬或非金屬的合成物。
[0031]觸控電路層4用以產(chǎn)生觸控訊號，包括多個第一觸控電極41及多個第二觸控電極42。第一觸控電極41沿一第一方向A間隔地設(shè)置在基板1，且兩端分別重疊于橋接層31而藉由橋接層31形成電連接，并同時覆蓋設(shè)于各橋接層31的緩沖結(jié)構(gòu)33。由于第一觸控電極41通常是由ITO等具有透明導(dǎo)電特性的金屬氧化物制作，此種金屬氧化物不像金屬材料具有良好的延展性，因此制作在高低落差較大的表面容易產(chǎn)生斷裂、破裂等問題。但本實(shí)施例在橋接層31與基板I之間鋪設(shè)形成斜坡331的緩沖結(jié)構(gòu)33，使得第一觸控電極41能夠在基板1、緩沖結(jié)構(gòu)33與橋接層31上連續(xù)延伸，而能避免結(jié)構(gòu)斷裂的問題。且在本實(shí)施例中，橋接層31的厚度范圍介于0.3微米至0.4微米之間，而緩沖結(jié)構(gòu)33的厚度不小于0.5微米，也就是說緩沖結(jié)構(gòu)33的厚度大于橋接層31的厚度，如此能確保緩沖結(jié)構(gòu)33完整地覆蓋橋接層31并在橋接層31的側(cè)壁形成斜坡331，進(jìn)而避免第一觸控電極41在由基板I向上延