專(zhuān)利名稱(chēng)：去激活和激活電子物品監(jiān)控系統(tǒng)(eas)設(shè)備的方法和eas設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子物品監(jiān)控系統(tǒng)設(shè)備。進(jìn)一步涉及激活和去激活電子物品監(jiān)控設(shè)備的方法。
背景技術(shù)：
廣泛使用類(lèi)型的電子物品監(jiān)控系統(tǒng)(EAS)基于RF技術(shù)，并利用工作于約8. 2MHz 電磁頻譜的專(zhuān)用部分的諧振電路。當(dāng)激活的EAS標(biāo)記(下文也稱(chēng)之為標(biāo)簽)經(jīng)過(guò)包括適當(dāng)天線(xiàn)的門(mén)時(shí)，諧振電路改變了磁場(chǎng)，因此可以檢測(cè)到EAS標(biāo)記的存在。例如，這樣的技術(shù)在通常用于將EAS標(biāo)記附著在零售商店將要出售的物品上。當(dāng)物品在售賣(mài)終端(P0Q處出售時(shí)，可以去激活EAS標(biāo)記，于是其允許顧客攜帶仍附著EAS標(biāo)記的物品通過(guò)位于零售商店的出口附近的門(mén)，而不會(huì)觸發(fā)警報(bào)。顧客在EAS標(biāo)記未被去激活時(shí)任何試圖通過(guò)門(mén)的嘗試將導(dǎo)致警報(bào)觸發(fā)，從而提醒零售商可能?chē)L試偷竊物品的行為。與通信站進(jìn)行無(wú)接觸通信的應(yīng)答器(也被稱(chēng)作RFID)還被廣泛使用在零售物品上。RFID標(biāo)記通常粘貼在大范圍的零售產(chǎn)品上，并且可用于后勤目的，如項(xiàng)目跟蹤和存貨控制。然而，與8. 2MHz的主要EAS頻率相比，不同的頻帶分配給了 RFID應(yīng)用；這些頻率包括 125kHz、13. 56MHz、865MHz(適用于歐洲，在美國(guó)等同頻帶為約920MHz)和2. 45GHz。去激活EAS標(biāo)記的常規(guī)方法是產(chǎn)生高磁場(chǎng)，該高磁場(chǎng)“燒斷”諧振電路內(nèi)的保險(xiǎn)絲。諧振電路典型地因此而開(kāi)路，并且不再能夠改變門(mén)內(nèi)的磁場(chǎng)。備選地且更頻繁地，例如可以通過(guò)燒斷例如兩個(gè)電容板之間的電介質(zhì)的絕緣體而造成短路。然而，由于這些去激活依賴(lài)于諧振電路內(nèi)的機(jī)械破壞，其并不可靠，并且EAS標(biāo)記在燒斷的保險(xiǎn)絲的末端接觸時(shí)可重新激活。此外，去激活(至少有意地)是不可逆的，在這種情況下一旦去激活EAS標(biāo)記，則不能重新激活，因此不可能重新使用EAS標(biāo)記。對(duì)于EAS標(biāo)記，存在這樣的需求，使其不會(huì)遭遇或只在很小程度上遭遇上述缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是，提供一種EAS，不會(huì)遭遇或只在有限程度內(nèi)遭遇上述缺點(diǎn)。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種用于電子物品監(jiān)控系統(tǒng)的設(shè)備，所述設(shè)備包括與通信站進(jìn)行無(wú)接觸通信的應(yīng)答器和諧振電路，其中諧振電路被配置為呈現(xiàn)第一諧振特性或第二諧振特性，并且所述設(shè)備被配置為響應(yīng)于應(yīng)答器的第一信號(hào)，從第一諧振特性和第二諧振特性中的一個(gè)改變到第一諧振特性和第二諧振特性中的另一個(gè)。在實(shí)施例中，諧振電路包括電開(kāi)關(guān)，所述電開(kāi)關(guān)具有第一電阻和比第一電阻高的第二電阻，當(dāng)開(kāi)關(guān)具有第一電阻時(shí)諧振電路呈現(xiàn)第一諧振特性，以及當(dāng)開(kāi)關(guān)具有第二電阻時(shí)諧振電路呈現(xiàn)第二諧振特性。優(yōu)選地，電開(kāi)關(guān)包括相變存儲(chǔ)器材料，所述相變存儲(chǔ)器材料具有相對(duì)晶體的第一狀態(tài)和相對(duì)非晶體的第二狀態(tài)，并且當(dāng)相變存儲(chǔ)器材料處于第一狀態(tài)時(shí)電開(kāi)關(guān)呈現(xiàn)第一電阻，以及當(dāng)相變存儲(chǔ)器材料處于第二狀態(tài)時(shí)電開(kāi)關(guān)呈現(xiàn)第二電阻。在實(shí)施例中，相對(duì)于第一諧振特性，第二諧振特性具有更低的Q因子和不同的諧振頻率中的至少一個(gè)，從而損壞電子物品監(jiān)控系統(tǒng)設(shè)備的使用。在實(shí)施例中，設(shè)備進(jìn)一步被配置為響應(yīng)于應(yīng)答器的第二信號(hào)，從第一諧振特性和第二諧振特性中的另一個(gè)改變到第一諧振特性和第二諧振特性中的一個(gè)。在實(shí)施例中，第一信號(hào)和第二信號(hào)的每一個(gè)包括通過(guò)電子開(kāi)關(guān)且具有相應(yīng)上升時(shí)間和相應(yīng)下降時(shí)間的電流脈沖，并且第二信號(hào)的電流脈沖的下降時(shí)間相對(duì)于第一信號(hào)的電流脈沖的下降時(shí)間較短。在實(shí)施例中，第二信號(hào)的電流脈沖的下降時(shí)間小于10ns。在實(shí)施例中，第一信號(hào)的電流脈沖的下降時(shí)間大于100ns。在實(shí)施例中，第二信號(hào)的電流脈沖的峰值比第一信號(hào)的電流脈沖的峰值大。優(yōu)選地，至少一個(gè)諧振是約8. 2MHz，并且應(yīng)答器可工作在125kHz、13. 56MHz、 865MHz、920MHz 和 2. 45GHz 之一。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種激活或去激活用于電子物品監(jiān)控系統(tǒng)的設(shè)備的方法，所述設(shè)備具有諧振電路和與通信站進(jìn)行無(wú)接觸通信的應(yīng)答器，所述方法包括響應(yīng)于來(lái)自通信站的指令，應(yīng)答器向諧振電路提供相應(yīng)激活信號(hào)或去激活信號(hào)，并且諧振電路響應(yīng)于信號(hào)分別進(jìn)行調(diào)諧或去調(diào)諧。在實(shí)施例中，分別進(jìn)行調(diào)諧或去調(diào)諧包括改變相變存儲(chǔ)器材料的電阻，所述相變存儲(chǔ)器材料包括諧振電路的至少一部分。在實(shí)施例中，提供相應(yīng)激活或去激活信號(hào)包括提供第一電流脈沖到相變存儲(chǔ)器材料，第一電流脈沖具有足夠高的峰值和足夠長(zhǎng)的下降時(shí)間以允許相變存儲(chǔ)器材料的重結(jié)
曰
曰曰ο在實(shí)施例中，提供相應(yīng)激活或去激活信號(hào)包括提供第二電流脈沖到相變存儲(chǔ)器材料，第二電流脈沖具有足夠高的峰值以在局部熔化相變存儲(chǔ)器材料并且具有足夠短的下降時(shí)間以禁止相變存儲(chǔ)器材料的重結(jié)晶。本發(fā)明的這些和其它方面將是顯而易見(jiàn)的，并參考下文描述的實(shí)施例進(jìn)行闡述。


參考附圖，僅作為示例來(lái)描述本發(fā)明的實(shí)施例，圖中圖1示出了傳統(tǒng)的EAS標(biāo)記；圖2以示意圖示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的EAS標(biāo)記；圖3示出了包括相變存儲(chǔ)器材料的可編程開(kāi)關(guān)的示例；圖4示出了例如可用于編程相變存儲(chǔ)器材料的圖如中的復(fù)位脈沖和圖4b中的設(shè)置脈沖；圖5示意性地示出了處于非晶體狀態(tài)和晶體狀態(tài)的相變存儲(chǔ)器材料；以及圖6示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的諧振電路。應(yīng)指出的是，附圖均是示意圖且未按比例畫(huà)出。出于畫(huà)圖清晰和便利的目的，這些附圖的各部分的相對(duì)尺寸和比例在大小上以放大或縮小的方式描述，在修改的或不同的實(shí)
4施例中，同樣的參考符號(hào)通常用于指示相應(yīng)或類(lèi)似的特征。
具體實(shí)施例方式圖1描述了傳統(tǒng)的EAS標(biāo)簽的示例，其之前被附著于零售物品上。標(biāo)簽1包括兩個(gè)部分(half) 10和20。標(biāo)簽1被設(shè)置附著于零售物品上，例如通過(guò)將兩個(gè)部分10和20和衣物的織物夾在一起。標(biāo)簽應(yīng)不能被零售物品的購(gòu)買(mǎi)者輕易移除。在售賣(mài)終端(P0Q處， 出于去除標(biāo)簽的目的，標(biāo)簽可以由零售商使用專(zhuān)用工具剪去或去激活。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的EAS標(biāo)簽的示意性配置如圖2所示。設(shè)備2包括具有諧振電路30的EAS標(biāo)記。在傳統(tǒng)的EAS標(biāo)簽中，諧振電路可以包括保險(xiǎn)絲(未示出)，為了去激活標(biāo)簽，可以通過(guò)施加高磁場(chǎng)來(lái)燒斷保險(xiǎn)絲；相反，圖2中所示的諧振電路30具有可編程開(kāi)關(guān) 40?？删幊涕_(kāi)關(guān)40由應(yīng)答器50控制，應(yīng)答器50是一個(gè)本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的RFID器件。 RFID器件包括連接到集成電路(IC)70的天線(xiàn)60。在無(wú)源RFID器件的情況下，可以從天線(xiàn) (aerial或antenna)60經(jīng)歷的電磁場(chǎng)中提取操作IC 70所需的功率，所述天線(xiàn)可以是線(xiàn)圈的形式。備選地，其他天線(xiàn)可以用于提取，或使用組合天線(xiàn)。對(duì)于UHF頻率(例如865MHz 或2. 45GHz)，典型使用偶極或折疊偶極天線(xiàn)。RFID器件50可以采用數(shù)個(gè)已知形式之一，其對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員是熟知的。可編程開(kāi)關(guān)40可以采用數(shù)個(gè)形式之一；重要的是它在兩種狀態(tài)之一中的鎖存 (latch)能力。在次優(yōu)選實(shí)施例中，可編程開(kāi)關(guān)40可以采用可擦除電可編程只讀存儲(chǔ)器 (EEPROM)的形式；然而，這種形式的可編程開(kāi)關(guān)是次優(yōu)選的，因?yàn)樗枰竺娣e(也稱(chēng)之為 real estate)的半導(dǎo)體來(lái)實(shí)現(xiàn)，并且需要相對(duì)昂貴的處理；此外，至少在編程期間，相對(duì)來(lái)說(shuō)它功率消耗較大。在優(yōu)選實(shí)施例中，可編程開(kāi)關(guān)40包括由相變存儲(chǔ)器材料制成的電阻，如圖3所示。 相變存儲(chǔ)器材料(PCM)是一種可呈現(xiàn)兩種或更多狀態(tài)的材料，并且在所述材料中，所展示的特定相依賴(lài)于材料的處理歷程。圖5示意地示出了具有兩種相的相變存儲(chǔ)器材料。在第一狀態(tài)，在510處圖示，材料處于晶體狀態(tài)，其中原子排列有序；在另一種狀態(tài)，在520處圖示，材料處于非晶體狀態(tài)，其中每個(gè)原子未有序排列，而是隨機(jī)或偽隨機(jī)排列。通過(guò)對(duì)材料適當(dāng)?shù)奶幚?，從晶體狀態(tài)510改變到非晶體狀態(tài)520是可能的，如箭頭530所示；相反，通過(guò)對(duì)材料不同的處理，從非晶體狀態(tài)520改變到晶體狀態(tài)510也是可能的，如箭頭540所示。對(duì)于大多數(shù)但并非所有材料而言，還可能處于晶體狀態(tài)，同時(shí)材料的剩余部分處于非晶體狀態(tài)，反之亦然。改變材料的相的處理的示例在圖4中示出；其中圖4(a)示出了對(duì)應(yīng)從晶體狀態(tài) 510改變到非晶體狀態(tài)520(對(duì)應(yīng)箭頭530)，圖4(b)示出了對(duì)應(yīng)從非晶體狀態(tài)520改變到晶體狀態(tài)510(對(duì)應(yīng)箭頭M0)。圖4 (a)示出了電流脈沖410，電流脈沖經(jīng)過(guò)PCM材料。電流在上升時(shí)間期間迅速上升到一個(gè)相對(duì)高的值，并且在時(shí)間段tl內(nèi)保持此高值。然后電流在很短的下降時(shí)間 tfl內(nèi)迅速消失。由于此電流的焦耳加熱效應(yīng)，PCM材料的溫度迅速上升到材料局部熔化的熔點(diǎn)；當(dāng)關(guān)閉電流時(shí)，材料迅速淬火。作為淬火的結(jié)果，材料內(nèi)的原子沒(méi)有時(shí)間重結(jié)晶到有序結(jié)構(gòu)；相反，材料開(kāi)始處于非晶體狀態(tài)。在沒(méi)有任何進(jìn)一步不同的控制處理出現(xiàn)時(shí)，材料保持這種非晶體狀態(tài)。也就是說(shuō)，圖4(a)所示形式的另一個(gè)脈沖410的施加使得材料處于非晶體狀態(tài)。為了使淬火有效，下降時(shí)間tfl必須相對(duì)短，并且典型為IOns或更短。此外， 由于淬火需要溫度上的迅速變化，需要材料的導(dǎo)熱率足以迅速耗散來(lái)自相變材料的活躍部分的熱。因此相變材料典型采用 鈴型的幾何結(jié)構(gòu)，如圖3所示，其中沿軌道長(zhǎng)度《的材料的寬度W被設(shè)計(jì)為改變相，并且在 鈴的兩個(gè)鈴端的每一個(gè)處，從諧振電路的剩余部分電接觸到PCM材料。圖4 (b)示出了電流脈沖420，其適于將PCM材料從非晶體狀態(tài)520改變到晶體狀態(tài)510(對(duì)應(yīng)于箭頭MO的改變)。此電流脈沖在上升時(shí)間段、2內(nèi)上升到不足以熔化材料但允許在其內(nèi)的高水平固態(tài)相擴(kuò)散的電流水平；在保持此電流水平時(shí)間段t2后，電流在相對(duì)長(zhǎng)的下降時(shí)間tfl內(nèi)下降。由于下降時(shí)間相對(duì)較長(zhǎng)的持續(xù)時(shí)間，原子有足夠的時(shí)間重新排列為能量有序的整齊晶體晶格510。對(duì)于重結(jié)晶的發(fā)生，為了在足夠高的溫度處提供足夠的時(shí)間，下降時(shí)間可以是IOOns或更長(zhǎng)，或幾百納秒，或甚至是幾毫秒。在無(wú)源應(yīng)答器的情況下，對(duì)于下降時(shí)間長(zhǎng)度的限制在于可用于應(yīng)答器的能量量。在沒(méi)有涉及從熔化狀態(tài)迅速淬火的任意其他電流脈沖出現(xiàn)的情況下，材料保持為此晶體狀態(tài)。也就是說(shuō)，施加圖4 (b)所示形式的另一個(gè)脈沖420使材料仍然處于晶體狀態(tài)。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解的，與其它材料一樣，處于晶體相的PCM材料典型呈現(xiàn)比它們處于非晶體相時(shí)明顯低的電阻。通過(guò)適當(dāng)配置諧振電路30，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的EAS標(biāo)記的諧振電路可以被配置為具有兩個(gè)不同的諧振特性，這依賴(lài)于PCM材料的狀態(tài)。具體地，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，當(dāng) PCM材料呈現(xiàn)出與PCM材料的第一狀態(tài)相對(duì)應(yīng)的低電阻時(shí)，第一狀態(tài)中相對(duì)較高比例的材料處于晶體相，電路可以被配置為在8. 2MHz處具有高品質(zhì)諧振因子⑴因子)，也就是說(shuō)具有尖峰；相反，當(dāng)相對(duì)較高比例的材料為非晶體相時(shí)，PCM材料呈現(xiàn)較高的標(biāo)稱(chēng)(letter)電阻，并且諧振電路被配置為在8. 2MHz處具有較低的Q因子諧振。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，當(dāng)PCM材料處于具有相對(duì)高比例晶體相的第一狀態(tài)時(shí)，諧振頻率可以配置為接近匹配 8. 2MHz，并且當(dāng)PCM材料處于具有相對(duì)高比例非晶體相的第二狀態(tài)時(shí)，諧振頻率可以配置為遠(yuǎn)離8. 2MHz。備選地，當(dāng)PCM材料處于具有相對(duì)高比例的非晶體相材料的第二狀態(tài)時(shí)， EAS標(biāo)記可以被配置為使至少一個(gè)諧振的Q因子較高，或諧振較好地集中于8. 2MHz。在另一個(gè)實(shí)施例中，如圖6所示，諧振電路具有主諧振環(huán)，所述主諧振環(huán)包括電容 C和電感L，并具有寄生電阻Rp ；PCM材料被設(shè)置在諧振電路的輔助旁路(arm)中，與附加電容Cadd串聯(lián)。PCM材料擔(dān)當(dāng)開(kāi)關(guān)的作用，從而使在第一狀態(tài)中(在此示例中，這對(duì)應(yīng)于PCM 處于非晶體或相對(duì)非晶體相)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)(具有高電阻)，并且在第二狀態(tài)開(kāi)關(guān)閉合，并且輔助旁路具有附加寄生電阻Rp. add，包括當(dāng)開(kāi)關(guān)閉合時(shí)開(kāi)關(guān)的電阻(PCM處于第二狀態(tài)，對(duì)應(yīng)于晶體相或主要是晶體相主導(dǎo))。當(dāng)開(kāi)關(guān)閉合時(shí)，附加電容Cadd和附加寄生電阻Rp. add的存在，使諧振電路去調(diào)諧(de-time)。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，RFID標(biāo)記在接收到來(lái)自RFID讀取器和控制器(未示出)的指令時(shí)向諧振電路發(fā)送去激活信號(hào)。例如，RFID讀取器和控制器可以置于零售商店的POS處，并且例如可以用于控制零售交易，例如識(shí)別物品類(lèi)型到自動(dòng)校驗(yàn)系統(tǒng)。因此可以避免零售商用于去激活EAS的任何單獨(dú)或額外的動(dòng)作需求。去激活信號(hào)可以是圖4(a)所示的“復(fù)位”電流脈沖，開(kāi)始于非晶體相主導(dǎo)的電流脈沖，或如圖4(b)所示的“設(shè)置”電流脈沖，開(kāi)始于晶體相主導(dǎo)，這取決于諧振電路的具體配置。
應(yīng)答器所需的用于去激活信號(hào)的電流典型地可以從RF場(chǎng)中獲取(在無(wú)源應(yīng)答器的示例中)，或例如單獨(dú)存儲(chǔ)在電池中。與傳統(tǒng)包括可以熔斷的保險(xiǎn)絲的EAS標(biāo)記相反，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的EAS標(biāo)記可以被重新激活。這對(duì)于例如物品可以返回商店以便重新出售的情況是需要的或期望的。通過(guò)應(yīng)答器向諧振電路提供激活信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)重新激活。依賴(lài)于諧振電路的配置，激活信號(hào)可以是對(duì)應(yīng)圖4(a)中所示的或圖4(b)中所示的電流脈沖。有利的是，由于PCM材料可以“鎖存”在兩種狀態(tài)中的任何一種，EAS標(biāo)記分別保持為激活或去激活狀態(tài)，無(wú)論應(yīng)答器處于工作中還是加電中?？傊?，從其中一點(diǎn)可知，以上公開(kāi)了一種用于電子物品監(jiān)控EAS的設(shè)備，所述設(shè)備除了應(yīng)答器(例如與通信站進(jìn)行無(wú)接觸通信的RFID)之外，還包括諧振電路，諧振電路典型被設(shè)計(jì)為工作在8. 2MHz。RFID應(yīng)答器可以提供信號(hào)使諧振電路去調(diào)諧以禁用EAS，并且可選的提供另外的信號(hào)調(diào)諧或重新調(diào)諧諧振電路以啟用或重新啟用EAS。優(yōu)選地，利用相變存儲(chǔ)器材料實(shí)現(xiàn)去調(diào)諧和調(diào)諧或重調(diào)諧，所述相變存儲(chǔ)器材料被配置為一種具有不同電阻的兩種狀態(tài)的可編程開(kāi)關(guān)。通過(guò)閱讀本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)，其它變體和修改對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的。這樣的變體和修改可以涉及EAS領(lǐng)域所熟知的等同或其它的特征，并且可以用于替代或附加于本文已描述的特征。具體地，盡管在圖4中將材料重結(jié)晶的電流脈沖的下降示為線(xiàn)性，其可以是非線(xiàn)性，例如可以包括一個(gè)或多個(gè)梯級(jí)，以更好地控制結(jié)晶。盡管附加的權(quán)利要求書(shū)關(guān)注于特征的特定組合，應(yīng)理解的是，本發(fā)明公開(kāi)的范圍還包括在本文中顯式或隱式或總結(jié)公開(kāi)的任意新特征或任意新特征的組合，無(wú)論是否涉及權(quán)利要求中所要求的相同的發(fā)明，或無(wú)論是否解決了如本發(fā)明中相同的技術(shù)問(wèn)題的任意或所有。在各自實(shí)施例的上下文中描述的特征也可以組合應(yīng)用于單一實(shí)施例中。相反的， 還可以單獨(dú)或以任意適當(dāng)子組合的形式提供在單個(gè)實(shí)施例的上下文中為了簡(jiǎn)要而描述的各種特征。發(fā)明人提請(qǐng)注意，在本申請(qǐng)的訴訟或源自本申請(qǐng)的任意進(jìn)一步申請(qǐng)的訴訟期間， 可以將新的權(quán)利要求闡述為這樣的特征和/或這樣的特征的組合。出于完整性起見(jiàn)，還應(yīng)陳述的是，術(shù)語(yǔ)“包括”并不排除其他元件或步驟，術(shù)語(yǔ)“一個(gè)”不排除多個(gè)，并且在權(quán)利要求中的參考符號(hào)不應(yīng)解釋為限制本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于電子物品監(jiān)控系統(tǒng)的設(shè)備O)，所述設(shè)備包括與通信站進(jìn)行無(wú)接觸通信的應(yīng)答器(50)和諧振電路(30)，其中諧振電路被配置為呈現(xiàn)第一諧振特性或第二諧振特性， 所述設(shè)備被配置為響應(yīng)來(lái)自應(yīng)答器(50)的第一信號(hào)G20)，從第一諧振特性和第二諧振特性中的一個(gè)改變到第一諧振特性和第二諧振特性中的另一個(gè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中諧振電路包括電開(kāi)關(guān)(40)，所述電開(kāi)關(guān)能夠具有第一電阻和比第一電阻高的第二電阻，當(dāng)開(kāi)關(guān)具有第一電阻時(shí)，諧振電路呈現(xiàn)第一諧振特性，以及當(dāng)開(kāi)關(guān)具有第二電阻時(shí)，諧振電路呈現(xiàn)第二諧振特性。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中電開(kāi)關(guān)包括相變存儲(chǔ)器材料，所述相變存儲(chǔ)器材料具有相對(duì)晶體的第一狀態(tài)(510)和相對(duì)非晶體的第二狀態(tài)(520)，并且當(dāng)相變存儲(chǔ)器材料處于第一狀態(tài)時(shí)電開(kāi)關(guān)呈現(xiàn)第一電阻，以及當(dāng)相變存儲(chǔ)器材料處于第二狀態(tài)時(shí)電開(kāi)關(guān)呈現(xiàn)第二電阻。
4.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中相對(duì)于第一諧振特性，第二諧振特性具有更低的Q因子和不同諧振頻率中的至少之一，從而損害電子物品監(jiān)控系統(tǒng)設(shè)備的使用。
5.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，進(jìn)一步被配置為響應(yīng)來(lái)自應(yīng)答器的第二信號(hào) (410)，從第一諧振特性和第二諧振特性中的另一個(gè)改變到第一諧振特性和第二諧振特性中的一個(gè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3到5中任何一個(gè)所述的設(shè)備，其中第一和第二信號(hào)中的每一個(gè)包括通過(guò)電開(kāi)關(guān)且具有相應(yīng)上升時(shí)間和相應(yīng)下降時(shí)間的電流脈沖，并且第二信號(hào)的電流脈沖的下降時(shí)間相對(duì)于第一信號(hào)的電流脈沖的下降時(shí)間較短。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中第二信號(hào)010)的電流脈沖的下降時(shí)間小于 IOns0
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的設(shè)備，其中第一信號(hào)020)的電流脈沖的下降時(shí)間大于 100ns。
9.根據(jù)權(quán)利要求6到8中任何一個(gè)所述的設(shè)備，其中第二信號(hào)010)的電流脈沖的峰值比第一信號(hào)G20)的電流脈沖的峰值大。
10.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中至少一個(gè)諧振是約8.2MHz，并且應(yīng)答器可工作在 125kHz、13. 56MHz、865MHz、920MHz 和 2. 45GHz 中的至少一個(gè)處。
11.一種激活或去激活用于電子物品監(jiān)控系統(tǒng)的設(shè)備的方法，所述設(shè)備具有諧振電路和與通信站進(jìn)行無(wú)接觸通信的應(yīng)答器，所述方法包括步驟響應(yīng)于來(lái)自通信站的指令，應(yīng)答器向諧振電路提供相應(yīng)激活信號(hào)或去激活信號(hào)，以及諧振電路響應(yīng)于信號(hào)分別進(jìn)行調(diào)諧或去調(diào)諧。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中分別進(jìn)行調(diào)諧或去調(diào)諧包括改變相變存儲(chǔ)器材料的電阻，所述相變存儲(chǔ)器材料包括諧振電路的至少一部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中提供相應(yīng)激活或去激活信號(hào)包括提供第一電流脈沖到相變存儲(chǔ)器材料，第一電流脈沖具有足夠高的峰值和足夠長(zhǎng)的下降時(shí)間以允許相變存儲(chǔ)器材料的重結(jié)晶。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中提供相應(yīng)激活或去激活信號(hào)包括提供第二電流脈沖到相變存儲(chǔ)器材料，第二電流脈沖具有足夠高的峰值以局部熔化相變存儲(chǔ)器材料， 并且具有足夠短的下降時(shí)間以禁止相變存儲(chǔ)器材料的重結(jié)晶。
全文摘要
公開(kāi)了一種用于電子物品監(jiān)控系統(tǒng)EAS的設(shè)備，所述設(shè)備除了諸如RFID之類(lèi)用于與通信站進(jìn)行無(wú)接觸通信的應(yīng)答器之外，還包括諧振電路，所述諧振電路典型被設(shè)計(jì)為工作在8.2MHz。RFID應(yīng)答器可以提供信號(hào)使諧振電路去調(diào)諧以禁用EAS，并且可選地提供另外的信號(hào)以調(diào)諧或重新調(diào)諧諧振電路以啟用或重新啟用EAS。優(yōu)選地，利用相變存儲(chǔ)器材料來(lái)實(shí)現(xiàn)去調(diào)諧和調(diào)諧或重新調(diào)諧，所述相變存儲(chǔ)器材料被配置為一種具有不同電阻的兩種狀態(tài)的可編程開(kāi)關(guān)。
文檔編號(hào)G08B13/24GK102194298SQ20111003510
公開(kāi)日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月3日
發(fā)明者弗朗茨·阿姆特曼, 海因茨·艾林格, 馬里奧·斯泰恩爾 申請(qǐng)人:Nxp股份有限公司