專(zhuān)利名稱(chēng)：磁阻頭及其制造方法,以及磁記錄重現(xiàn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有磁阻(MR)元件的MR頭，特別涉及對(duì)磁介質(zhì)接觸移動(dòng)的MR頭及其制造方法。另外，本發(fā)明還涉及使用該MR頭的磁記錄重現(xiàn)裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，隨著磁記錄的高密度化，應(yīng)用薄膜技術(shù)制造的磁頭正引人注目。特別是MR頭正被用作旋轉(zhuǎn)柱式VTR(磁帶錄像機(jī))等的磁頭(例如，IEEE Transactions on Magnetics，Vol.34，No.4，July1998(Sony))。


圖10中給出了MR頭(磁軛型)的典型結(jié)構(gòu)的斜視圖，圖11給出了其剖面圖。在該MR頭中，圖中左側(cè)的側(cè)面10與磁帶、磁盤(pán)等記錄介質(zhì)相接觸。由記錄介質(zhì)產(chǎn)生的磁通量從下部磁軛11傳向后上部磁軛13、MR元件14、前上部磁軛15，因MR元件14的磁化旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的電阻變化由輸出端點(diǎn)16取出。該MR頭進(jìn)而具有磁隙18、偏磁層19、保護(hù)膜20、下部基板21、上部基板22和粘結(jié)膜23。另外，為示出其內(nèi)部結(jié)構(gòu)，在圖10中省略了保護(hù)膜20、粘結(jié)膜23和上部基板22的圖示。
MR元件部30由于用薄膜形成技術(shù)形成，所以與體材料不同，強(qiáng)度較弱。因此，該元件部被下部基板21和上部基板(增強(qiáng)構(gòu)件)22夾住。為了與這樣的基板結(jié)合，在MR元件部30的至少一側(cè)設(shè)置了粘結(jié)膜23。粘結(jié)膜23可使用有機(jī)粘結(jié)劑。
但是。當(dāng)使MR頭對(duì)記錄介質(zhì)滑動(dòng)時(shí)，記錄介質(zhì)的成分就附著到MR頭的從對(duì)記錄介質(zhì)滑動(dòng)的面露出的粘結(jié)膜23上。反之，粘結(jié)膜的成分也附著到記錄介質(zhì)上。由于這些附著，MR頭和記錄介質(zhì)雙方都易受損傷。
另外，由于粘結(jié)膜23與下部基板21和上部基板(增強(qiáng)構(gòu)件)22的材料不相同，所以隨著對(duì)記錄介質(zhì)的滑移，MR頭容易產(chǎn)生偏磨耗。一旦因偏磨耗，使滑動(dòng)面上產(chǎn)生臺(tái)階，在MR頭和記錄介質(zhì)之間就產(chǎn)生間距損耗，使重現(xiàn)特性變壞。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供即使對(duì)磁記錄介質(zhì)滑動(dòng)，也能抑制可靠性下降的MR頭及其制造方法。另外，本發(fā)明的目的還在于提供使用該MR頭的磁記錄重現(xiàn)裝置。
為達(dá)到上述目的，在本發(fā)明中，在形成了MR元件部的基板和增強(qiáng)構(gòu)件在對(duì)磁記錄介質(zhì)滑動(dòng)的面上露出的MR頭中，以有機(jī)物膜不從對(duì)磁記錄介質(zhì)滑動(dòng)的面露出的方式粘結(jié)基板和增強(qiáng)構(gòu)件。
在本發(fā)明的MR頭的一種形態(tài)中，基板和增強(qiáng)構(gòu)件經(jīng)非有機(jī)物膜相粘結(jié)。
在本發(fā)明的MR頭的另一形態(tài)中，基板和增強(qiáng)構(gòu)件經(jīng)不在對(duì)磁記錄介質(zhì)滑動(dòng)的面上露出的粘結(jié)膜相粘結(jié)。該粘結(jié)膜可以是有機(jī)物膜，也可以是非有機(jī)物膜，但以不在從滑動(dòng)面起沿基板和增強(qiáng)構(gòu)件的交界面的5μm以?xún)?nèi)的范圍內(nèi)形成為宜。
另外，為達(dá)到上述目的，在本發(fā)明中，采用了如下方法進(jìn)行制造該方法包括將形成了MR元件部的基板和增強(qiáng)構(gòu)件在對(duì)磁記錄介質(zhì)滑動(dòng)的面上露出的MR頭，在基板的表面形成MR元件部的工序；使形成了該MR元件部的基板的表面平坦化的工序；在平坦化了的基板表面和增強(qiáng)構(gòu)件的表面分別形成含金屬層的非有機(jī)物膜的工序；以及借助于對(duì)上述金屬層進(jìn)行固相結(jié)合，將上述基板和上述增強(qiáng)構(gòu)件進(jìn)行結(jié)合的工序。
本發(fā)明還提供安裝了上述MR頭的磁記錄重現(xiàn)裝置以及安裝了用上述方法制造的MR頭的磁記錄重現(xiàn)裝置。
圖2是示出本發(fā)明的MR頭的另一形態(tài)的局部剖面圖。
圖3是示出在MR頭制造中使用的基板的一個(gè)例子的斜視圖。
圖4是示出MR頭制造工序中形成MR元件部的工序的一個(gè)例子的斜視圖。
圖5是示出用保護(hù)膜覆蓋圖4所示的MR元件部的工序的一個(gè)例子的斜視圖。
圖6是示出進(jìn)而形成圖5所示的保護(hù)膜并使其表面平坦化的工序的一個(gè)例子的斜視圖。
圖7是示出將圖6所示的基板和增強(qiáng)構(gòu)件進(jìn)行結(jié)合時(shí)的配置狀態(tài)的斜視圖。
圖8是示出從圖7所示狀態(tài)將基板和增強(qiáng)構(gòu)件進(jìn)行結(jié)合以制造MR頭的工序的斜視圖。
圖9是使用本發(fā)明的MR頭的磁記錄重現(xiàn)裝置的結(jié)構(gòu)例的配置概略圖。
圖10是示出現(xiàn)有的MR頭的局部剖開(kāi)的斜視圖。
圖11是現(xiàn)有的MR頭的局部剖面圖。
夾在基板和增強(qiáng)構(gòu)件的交界面間的粘結(jié)膜最好是非有機(jī)物膜，具體而言，是含金屬層的非有機(jī)物膜。進(jìn)而，再具體些，以含貴金屬的多層膜，特別是含貴金屬層的金屬多層膜最為合適。作為多層膜，例如可以是如圖所示在貴金屬層的兩側(cè)分別配置賤金屬(貴金屬以外的金屬)層的金屬多層膜。作為貴金屬層，以Au層或Pt層為宜。作為賤金屬層，雖然可以使用Ti、W、Mn、Ta等，但以用Cr層作為賤金屬層為宜。
為減少在滑動(dòng)面上露出的粘結(jié)膜的面積，粘結(jié)膜的厚度最好薄些。但是，如粘結(jié)膜過(guò)薄，有時(shí)不能確保充分的粘結(jié)強(qiáng)度。因此，非有機(jī)物膜的厚度最好是在20nm以上90nm以下。
在上面列舉的金屬多層膜中，貴金屬層的膜厚在10nm以上50nm以下，賤金屬層的膜厚在5nm以上20nm以下為合適。該金屬多層膜的一個(gè)最好例子是Cr層(膜厚5～20nm)/Au層或Pt層(膜厚10～50nm)/Cr層(膜厚5～20nm)在以不從滑動(dòng)面露出的形式形成粘結(jié)膜的場(chǎng)合，也可采用通過(guò)涂敷粘結(jié)劑等形成的有機(jī)粘結(jié)膜。該有機(jī)物膜的厚度以在約10nm以上1000nm以下為宜。
作為基板和增強(qiáng)構(gòu)件的理想結(jié)合方法，可以舉出對(duì)相對(duì)的一對(duì)金屬層進(jìn)行加熱和加壓的金屬固相結(jié)合方法。
固相結(jié)合例如可以通過(guò)對(duì)分別形成在基板和增強(qiáng)構(gòu)件的表面上的非有機(jī)物膜都做成依序形成賤金屬層和貴金屬層的金屬多層膜，并對(duì)貴金屬層實(shí)施固相結(jié)合來(lái)進(jìn)行。這時(shí)，貴金屬層(最好是Au層或Pt層)的厚度皆在5nm以上20nm以下為合適。結(jié)合后的貴金屬層膜厚和賤金屬層(最好是Cr層)膜厚在上述范圍內(nèi)為理想。
金屬層的固相結(jié)合可在100℃以上200℃以下進(jìn)行，在150℃以下進(jìn)行更好。因?yàn)橐唤?jīng)高溫處理，MR頭的的特性有變壞的可能性。
但是，也可不用貴金屬層對(duì)基板和增強(qiáng)構(gòu)件進(jìn)行結(jié)合，這時(shí)，可以在氧化膜不阻礙結(jié)合的條件下，例如在低壓氣氛中形成金屬層，并在該低壓氣氛中繼續(xù)對(duì)金屬層進(jìn)行固相結(jié)合。
下面參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)進(jìn)一步作詳細(xì)說(shuō)明。
圖1所示的MR頭，通過(guò)圖中左側(cè)的滑動(dòng)面60，與磁帶、磁盤(pán)等記錄介質(zhì)相接觸。由記錄介質(zhì)產(chǎn)生的磁通量，從下部磁軛31傳向后上部磁軛33、MR元件34、前上部磁軛35。因MR元件34的磁化旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的電阻變化從輸出端點(diǎn)(圖中從略)取出。該MR頭進(jìn)而具有磁隙38、偏磁層39、保護(hù)膜40、下部基板41、上部基板(增強(qiáng)構(gòu)件)42和非有機(jī)物粘結(jié)膜50。這樣，在該MR頭中，形成了MR元件部70的基板41和增強(qiáng)構(gòu)件42經(jīng)非有機(jī)物膜50結(jié)合起來(lái)。
由于沒(méi)有用粘結(jié)劑等有機(jī)物作為粘結(jié)膜，所以即使使MR頭對(duì)記錄介質(zhì)滑動(dòng)，也能抑制粘結(jié)膜/記錄介質(zhì)間的一方成分向另一方成分附著。因此，能夠防止MR頭及記錄介質(zhì)損傷。
另外，由于在滑動(dòng)面上露出的材料的磨耗特性的差異小，所以難以產(chǎn)生隨著對(duì)記錄介質(zhì)的滑移而形成的偏磨耗。因此?？梢砸种芃R頭和記錄介質(zhì)之間的間距損耗產(chǎn)生，可以得到穩(wěn)定的重現(xiàn)特性。
如上所述，粘結(jié)膜具有例如中心層為Au、Pt等貴金屬層，在中心層兩側(cè)配置Cr等賤金屬層的膜結(jié)構(gòu)。該金屬多層膜可借助于貴金屬的固相結(jié)合形成。如采用固相結(jié)合，可以在100～200℃左右的低溫下進(jìn)行結(jié)合。一般說(shuō)來(lái)，MR元件的耐熱性差，所以用固相結(jié)合法在低溫下粘結(jié)是保持MR元件特性的有效方法。
粘結(jié)膜的總厚度以20～90nm左右，特別是20～50nm左右，例如30nm左右為宜。
圖2所示的MR頭也具有與圖1相同的構(gòu)件，也以圖左側(cè)的側(cè)面為滑動(dòng)面60。但是，在此MR頭中，粘結(jié)膜51以不在滑動(dòng)面露出的方式，夾在下部基板41和上部基板(增強(qiáng)構(gòu)件)42之間。因此，即使使MR頭對(duì)記錄介質(zhì)滑動(dòng)，也能防止粘結(jié)膜/記錄介質(zhì)間的成分移動(dòng)引起的記錄介質(zhì)等的損傷。為切實(shí)達(dá)到該效果，使粘結(jié)膜51從滑動(dòng)面起沿基板和增強(qiáng)構(gòu)件間的界面至少后退5μm以上為宜。對(duì)該后退距離W，雖沒(méi)有特別限制，但以約10μm以下為宜。
在該MR頭中，也可以采用從以往一貫使用的粘結(jié)劑等構(gòu)成的有機(jī)物層。如采用有機(jī)物層，可在低溫下進(jìn)行結(jié)合，因而不損害MR元件的特性。另外，采用有機(jī)物層的結(jié)合，在成本方面也是有利的。有機(jī)物層的膜厚(相當(dāng)于基板和增強(qiáng)構(gòu)件間的間隔d)一般可為10～1000nm，例如100nm左右。
但是，當(dāng)用粘結(jié)劑時(shí)，粘結(jié)膜的厚度較厚。還有，膜厚也不易控制，膜厚易產(chǎn)生分散性。因此，隨著記錄介質(zhì)對(duì)MR頭的滑動(dòng)，會(huì)在基板和增強(qiáng)構(gòu)件之間塞滿(mǎn)記錄介質(zhì)的磁粉等，從而損傷記錄介質(zhì)。
因此，如圖2所示，在將粘結(jié)膜從滑動(dòng)面后退配置的場(chǎng)合，若用非有機(jī)物膜作為粘結(jié)膜，能進(jìn)一步使MR頭的特性穩(wěn)定。在這樣的狀態(tài)下，非有機(jī)物膜的理想膜結(jié)構(gòu)也是上面說(shuō)明的樣子。當(dāng)采用非有機(jī)物膜時(shí)，可以減少膜厚的分散性，能使基板和增強(qiáng)構(gòu)件之間的間隔d變窄。
如將間隔d變窄，則MR元件部、基板及增強(qiáng)構(gòu)件的塑性形變可使基板和增強(qiáng)構(gòu)件之間的間隙在實(shí)質(zhì)上消失。如果沒(méi)有間隔d，即使對(duì)記錄介質(zhì)滑移，也很難產(chǎn)生偏磨耗。若能防止偏磨耗，則可以得到穩(wěn)定的重現(xiàn)特性。
另外，上面雖然以磁軛型MR頭為例進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明也適用于屏蔽型MR頭。
下面參照?qǐng)D3～圖8對(duì)磁軛型MR頭的制造方法的一個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明。
首先，如圖3所示，準(zhǔn)備將表面加工成了鏡面的條狀陶瓷基板41，例如阿路奇克基板。然后。利用薄膜形成技術(shù)在該表面上按順序形成MR元件部。在這里，薄膜形成技術(shù)包括濺射、CVD(化學(xué)氣相淀積法)等成膜技術(shù)，以及借助于光刻、離子刻蝕、濕法化學(xué)刻蝕等薄膜加工技術(shù)。就這樣，如圖4所示，在基板41上制作多個(gè)MR元件部。這里，雖然示出了形成2個(gè)MR元件部的例子，但為了提高生產(chǎn)率，可以進(jìn)一步增加在一個(gè)基板上形成的元件數(shù)量。
進(jìn)而，如圖5所示，例如用濺射法形成保護(hù)膜40。作為保護(hù)膜，一般說(shuō)來(lái)，用Al2O3是合適的。進(jìn)而，如圖6所示，借助于摩擦等處理使保護(hù)膜40的表面平坦化。下部磁軛31、磁隙38、前上部磁軛35，同保護(hù)膜40一起從滑動(dòng)面60露出。
接著，如圖7所示，在平坦化了的表面上和另外準(zhǔn)備的增強(qiáng)構(gòu)件的表面上，分別形成粘結(jié)膜50a、50b，并使粘結(jié)膜相互接觸重疊。粘結(jié)膜50a、50b例如可制成分別依次形成Cr膜、Au膜的2層膜。
這樣，以Au膜相互面對(duì)的狀態(tài)，通過(guò)加壓和加熱進(jìn)行Au膜間的固相結(jié)合。作為該場(chǎng)合的結(jié)合條件，例如可以是，壓力10MPa，溫度200℃。熱處理溫度最好是考慮到MR元件的耐熱性而定。高性能的MR元件的耐熱性差，當(dāng)置于比150℃高的溫度下時(shí)，有時(shí)就不能得到充分的特性。
一般地說(shuō)，應(yīng)用薄膜工藝形成的MR頭，由于熱處理時(shí)的界面擴(kuò)散，特性會(huì)變壞。對(duì)通常的AMR(Anisotropic Magneto-Resistivity，各向異性磁阻)，最好將熱處理溫度限制在350℃以下。因此，對(duì)AMR不能使用無(wú)機(jī)玻璃類(lèi)材料進(jìn)行粘結(jié)，要使用有機(jī)類(lèi)材料。
如成為GMR(Giant Magneto-Resistivity，巨磁阻)，則因結(jié)構(gòu)材料的厚度薄，所以界面擴(kuò)散的影響增大。例如，在自旋泡型GMR的反強(qiáng)磁性層、α-Fe2O3的場(chǎng)合，其耐熱溫度約為150℃。因此，在這樣的場(chǎng)合，最好將熱處理溫度設(shè)定在150℃以下。如果采用上述的固相結(jié)合法，即使在這樣的低溫，也能進(jìn)行基板和增強(qiáng)構(gòu)件的結(jié)合。
將這樣結(jié)合的圖8所示的材料剖開(kāi)，就制成了MR磁頭。
上面雖然對(duì)使用貴金屬層的固相結(jié)合法進(jìn)行了說(shuō)明，但在真空中形成固相結(jié)合用的金屬層，并進(jìn)而繼續(xù)在該真空中進(jìn)行金屬層之間的結(jié)合時(shí)，可以使用幾乎所有的金屬和合金。這樣，如在真空中使結(jié)合表面保持在清潔狀態(tài)下相互接觸，則所結(jié)合的表面上不生成氧化膜。因此，可以不使用Au那樣昂貴的材料，以低成本制造MR頭。
這里，雖就磁軛型MR頭對(duì)MR頭的制造方法進(jìn)行了說(shuō)明，但對(duì)屏蔽型MR頭同樣也能應(yīng)用本發(fā)明。
圖9示出了本發(fā)明的磁記錄重現(xiàn)裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。安裝在螺旋式移動(dòng)旋轉(zhuǎn)柱103上的本發(fā)明的MR頭80，與在傾斜桿110間移動(dòng)的磁帶104接觸，重現(xiàn)該磁帶上的信號(hào)。該信號(hào)作為圖像信號(hào)和聲音信號(hào)從信號(hào)處理電路106輸出。另外，對(duì)記錄頭81雖無(wú)特別限制，但最好采用通常使用的電感式頭。
對(duì)于高密度記錄重現(xiàn)，重現(xiàn)頭的特性更為重要。因此，該磁記錄重現(xiàn)裝置適于高密度記錄重現(xiàn)，而且可靠性高。另外，如以上說(shuō)明的那樣，當(dāng)使用本發(fā)明的MR頭時(shí)，即使磁頭對(duì)磁記錄介質(zhì)滑動(dòng)，也能抑制MR頭和記錄介質(zhì)的損傷以及磁頭的偏磨耗。因此，能夠保持重現(xiàn)的高可靠性和重現(xiàn)特性的高穩(wěn)定性。這樣，由于MR頭特性?xún)?yōu)良，所以該磁記錄重現(xiàn)裝置特別適合于數(shù)字信號(hào)記錄等高密度信息的記錄和重現(xiàn)。
另外，上面雖然例示了設(shè)定為在旋轉(zhuǎn)柱類(lèi)中磁帶進(jìn)行移動(dòng)的VTR等系統(tǒng)的記錄重現(xiàn)裝置。但本發(fā)明也可應(yīng)用于盤(pán)狀介質(zhì)。另外，本發(fā)明對(duì)于使用GMR、TMR(Tunneling Giant Magneto-Resistivity，隧穿巨磁阻)元件的MR頭那樣的使用耐熱溫度低的元件的MR頭特別有效。
如以上的詳述，按照本發(fā)明，能夠提供可靠性高的MR頭。還有，能夠提供可靠性及重現(xiàn)效率均優(yōu)的磁記錄重現(xiàn)裝置。
按照條約第19條的修改1.(校正后)一種MR頭，它是形成了MR元件部的基板和增強(qiáng)構(gòu)件在對(duì)磁記錄介質(zhì)滑動(dòng)的面上露出的MR頭，其特征在于上述基板和上述增強(qiáng)構(gòu)件經(jīng)非有機(jī)物膜相結(jié)合，上述非有機(jī)物膜是含貴金屬層的多層膜。
2.一種MR頭，它是形成了MR元件部的基板和增強(qiáng)構(gòu)件在對(duì)磁記錄介質(zhì)滑動(dòng)的面上露出的MR頭，其特征在于上述基板和上述增強(qiáng)構(gòu)件經(jīng)在上述滑動(dòng)面沒(méi)有露出的粘結(jié)膜相結(jié)合。
3.如權(quán)利要求2所述的MR頭，其特征在于從滑動(dòng)面起，沿基板與增強(qiáng)構(gòu)件的界面，在5μm以?xún)?nèi)的范圍內(nèi)不形成粘結(jié)膜。
4.如權(quán)利要求2所述的MR頭，其特征在于粘結(jié)膜是有機(jī)物膜。
5.如權(quán)利要求4所述的MR頭，其特征在于有機(jī)物膜的厚度在10nm以上1000nm以下。
6.如權(quán)利要求2所述的MR頭，其特征在于粘結(jié)膜是非有機(jī)物膜。
7.如權(quán)利要求1或6所述的MR頭，其特征在于非有機(jī)物膜的厚度在20nm以上90nm以下。
8.(校正后)如權(quán)利要求6所述的MR頭，其特征在于非有機(jī)物膜含金屬層。
9.(校正后)如權(quán)利要求6所述的MR頭，其特征在于非有機(jī)物膜是含貴金屬層的多層膜。
10.(校正后)如權(quán)利要求1或9所述的MR頭，其特征在于貴金屬層是Au層或Pt層。
11.(校正后)如權(quán)利要求1或9所述的MR頭，其特征在于含貴金屬層的多層膜是在上述貴金屬層的兩側(cè)分別配置了賤金屬層的金屬多層膜。
12.如權(quán)利要求11所述的MR頭，其特征在于貴金屬層的厚度在10nm以上50nm以下。
13.如權(quán)利要求11所述的MR頭，其特征在于
賤金屬層是Cr層。
14.如權(quán)利要求11所述的MR頭，其特征在于賤金屬層的厚度分別在5nm以上20nm以下。
15.一種MR頭的制造方法，該MR頭是形成了MR元件部的基板和增強(qiáng)構(gòu)件在對(duì)磁記錄介質(zhì)滑動(dòng)的面上露出的MR頭，其特征在于在基板的表面形成MR元件部，使形成了上述MR元件部的基板的表面平坦化，在平坦化了的基板表面和增強(qiáng)構(gòu)件的表面分別形成含金屬層的非有機(jī)物膜，通過(guò)將上述金屬層固相結(jié)合，將上述基板和上述增強(qiáng)構(gòu)件進(jìn)行結(jié)合。
16.如權(quán)利要求15所述的MR頭的制造方法，其特征在于非有機(jī)物膜是依次形成賤金屬層和貴金屬層的金屬多層膜，并對(duì)上述貴金屬層進(jìn)行固相結(jié)合。
17.如權(quán)利要求16所述的MR頭的制造方法，其特征在于用Au層或Pt作貴金屬層。
18.如權(quán)利要求16所述的MR頭的制造方法，其特征在于設(shè)貴金屬層的厚度分別在5nm以上25nm以下。
19.如權(quán)利要求16所述的MR頭的制造方法，其特征在于用Cr層作賤金屬層。
20.如權(quán)利要求16所述的MR頭的制造方法，其特征在于設(shè)賤金屬層的厚度分別在5nm以上20nm以下。
21.如權(quán)利要求15所述的MR頭的制造方法，其特征在于在100℃以上200℃以下進(jìn)行金屬層的固相結(jié)合。
22.如權(quán)利要求21所述的MR頭的制造方法，其特征在于在150℃以下進(jìn)行金屬層的固相結(jié)合。
23.如權(quán)利要求15所述的MR頭的制造方法，其特征在于在低壓氣氛中形成金屬層，在上述低壓氣氛中繼續(xù)進(jìn)行固相結(jié)合。
24.一種磁記錄重現(xiàn)裝置，其特征在于它安裝有權(quán)利要求1或2所述的MR頭。
25.一種磁記錄重現(xiàn)裝置，其特征在于它安裝有按照權(quán)利要求15所述的制造方法制得的MR頭。
權(quán)利要求
1.一種MR頭，它是形成了MR元件部的基板和增強(qiáng)構(gòu)件在對(duì)磁記錄介質(zhì)滑動(dòng)的面上露出的MR頭，其特征在于上述基板和上述增強(qiáng)構(gòu)件經(jīng)非有機(jī)物膜相結(jié)合。
2.一種MR頭，它是形成了MR元件部的基板和增強(qiáng)構(gòu)件在對(duì)磁記錄介質(zhì)滑動(dòng)的面上露出的MR頭，其特征在于上述基板和上述增強(qiáng)構(gòu)件經(jīng)在上述滑動(dòng)面沒(méi)有露出的粘結(jié)膜相結(jié)合。
3.如權(quán)利要求2所述的MR頭，其特征在于從滑動(dòng)面起，沿基板與增強(qiáng)構(gòu)件的界面，在5μm以?xún)?nèi)的范圍內(nèi)不形成粘結(jié)膜。
4.如權(quán)利要求2所述的MR頭，其特征在于粘結(jié)膜是有機(jī)物膜。
5.如權(quán)利要求4所述的MR頭，其特征在于有機(jī)物膜的厚度在10nm以上1000nm以下。
6.如權(quán)利要求2所述的MR頭，其特征在于粘結(jié)膜是非有機(jī)物膜。
7.如權(quán)利要求1或6所述的MR頭，其特征在于非有機(jī)物膜的厚度在20nm以上90nm以下。
8.如權(quán)利要求1或6所述的MR頭，其特征在于非有機(jī)物膜含金屬層。
9.如權(quán)利要求1或6所述的MR頭，其特征在于非有機(jī)物膜是含貴金屬層的多層膜。
10.如權(quán)利要求9所述的MR頭，其特征在于貴金屬層是Au層或Pt層。
11.如權(quán)利要求9所述的MR頭，其特征在于含貴金屬層的多層膜是在上述貴金屬層的兩側(cè)分別配置了賤金屬層的金屬多層膜。
12.如權(quán)利要求11所述的MR頭，其特征在于貴金屬層的厚度在10nm以上50nm以下。
13.如權(quán)利要求11所述的MR頭，其特征在于賤金屬層是Cr層。
14.如權(quán)利要求11所述的MR頭，其特征在于賤金屬層的厚度分別在5nm以上20nm以下。
15.一種MR頭的制造方法，該MR頭是形成了MR元件部的基板和增強(qiáng)構(gòu)件在對(duì)磁記錄介質(zhì)滑動(dòng)的面上露出的MR頭，其特征在于在基板的表面形成MR元件部，使形成了上述MR元件部的基板的表面平坦化，在平坦化了的基板表面和增強(qiáng)構(gòu)件的表面分別形成含金屬層的非有機(jī)物膜，通過(guò)將上述金屬層固相結(jié)合，將上述基板和上述增強(qiáng)構(gòu)件進(jìn)行結(jié)合。
16.如權(quán)利要求15所述的MR頭的制造方法，其特征在于非有機(jī)物膜是依次形成賤金屬層和貴金屬層的金屬多層膜，并對(duì)上述貴金屬層進(jìn)行固相結(jié)合。
17.如權(quán)利要求16所述的MR頭的制造方法，其特征在于用Au層或Pt作貴金屬層。
18.如權(quán)利要求16所述的MR頭的制造方法，其特征在于設(shè)貴金屬層的厚度分別在5nm以上25nm以下。
19.如權(quán)利要求16所述的MR頭的制造方法，其特征在于用Cr層作賤金屬層。
20.如權(quán)利要求16所述的MR頭的制造方法，其特征在于設(shè)賤金屬層的厚度分別在5nm以上20nm以下。
21.如權(quán)利要求15所述的MR頭的制造方法，其特征在于在100℃以上200℃以下進(jìn)行金屬層的固相結(jié)合。
22.如權(quán)利要求21所述的MR頭的制造方法，其特征在于在150℃以下進(jìn)行金屬層的固相結(jié)合。
23.如權(quán)利要求15所述的MR頭的制造方法，其特征在于在低壓氣氛中形成金屬層，在上述低壓氣氛中繼續(xù)進(jìn)行固相結(jié)合。
24.一種磁記錄重現(xiàn)裝置，其特征在于它安裝有權(quán)利要求1或2所述的MR頭。
25.一種磁記錄重現(xiàn)裝置，其特征在于它安裝有按照權(quán)利要求15所述的制造方法制得的MR頭。
全文摘要
為提高形成了MR元件的基板和增強(qiáng)構(gòu)件在對(duì)磁記錄介質(zhì)滑動(dòng)的面露出的MR頭的可靠性,用非有機(jī)物膜,例如含金屬層的多層膜將基板和增強(qiáng)構(gòu)件進(jìn)行了結(jié)合?；蛘?經(jīng)在滑動(dòng)面沒(méi)有露出的粘結(jié)膜將基板和增強(qiáng)構(gòu)件進(jìn)行了結(jié)合。
文檔編號(hào)G11B5/31GK1351746SQ00807845
公開(kāi)日2002年5月29日 申請(qǐng)日期2000年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2000年1月20日
發(fā)明者本間義康, 長(zhǎng)谷川博幸 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社