專利名稱：光盤刻錄方法
技術領域：
本發(fā)明涉及可刻錄CD-R、DVD-R或其它光盤的刻錄方法和刻錄裝置。所述刻錄方法和裝置可用于將有關光束輻照時間的刻錄策略的校正量控制到一個適當的數值，同時可用于將光束控制到適當的刻錄功率，從而在根據光束在光盤上的徑向位置采用相應的可變線速度倍增因子進行刻錄時可達到較高的質量水準。
在采用線速度恒定的刻錄方法(CLV)對CD-R或DVD-R等可刻錄光盤進行刻錄時，可能會采用高于標準線速度(標稱參考速度)的線速度進行高速刻錄。
在恒定線速度刻錄中，隨著刻錄位置向光盤內邊緣的移動，主軸電機的轉數增加。特別是在高速刻錄時，這種傾向更為突出，例如在16倍速的情況下，在最內邊緣處電機轉數可達每分鐘8000轉或更高。因此，在光盤內緣側進行刻錄時，驅動機制的自激振動加大(特別是在光盤偏心度較大時)，凹斑的形成變得不夠穩(wěn)定。在高速進行轉錄時，即數據的寫入是由另一CD-ROM驅動器直接到CD-R驅動器而無須在硬盤中臨時建立一個鏡象文件，對這種情況已發(fā)展了一種方法，可在恒定角速度(CAV)下高速復制CD-ROM驅動器和在恒定線速度下高速刻錄CD-R驅動器。但在這種情況下，受CAV復制影響的CD-ROM驅動器的線速度在外緣側約為32倍速，而在內緣側約為16倍速。對于內緣側的復制而言，數據傳送的速度過慢，即出現所謂的緩沖不足問題，有可能導致刻錄的失敗。
作為解決問題的一個途徑，可考慮采用圖2所示的CD-R刻錄方法，即在內緣側應用CAV，而在外緣側應用CLV刻錄模式。也就是說，在光盤程序區(qū)最內緣位置以一定的轉數開始CAV刻錄，所述轉數下的線速度與例如12倍速相應。然后，在轉數增加使線速度達到例如16倍速時，在16倍速下開始進行CLV刻錄。通過這種CAV和CLV刻錄模式的轉換，可抑制最大轉數，從而抑制自激振動，避免高速轉錄時的寫入失敗。
如上所述，因為在進行CAV和CLV刻錄轉換的過程中，CAV刻錄的線速度會發(fā)生變化，刻錄光束的刻錄功率隨之也會產生變化。此外，對有關刻錄光束輻照時間的刻錄策略來說，有方程(N+K)T，式中T相應于單位凹斑長度的時間；N相對于單位凹斑長度的凹斑長度倍數(整數)；K校正量。
校正量K的相應值也會隨著刻錄時線速度的變化而產生變化。
正是針對上述問題而進行了本項發(fā)明，本發(fā)明的一個目的是提供一種光盤刻錄方法和光盤刻錄裝置，所述方法和裝置可控制同任一時間點光束輻照時間有關的刻錄策略的校正量和控制光束達到適當的刻錄功率，從而在采用與光束在光盤上徑向位置相應的可變線速度倍增因子進行刻錄時可保證刻錄的高質量。
本發(fā)明提供的光盤刻錄方法，可控制刻錄光束的輻照時間(N+K)T而形成一個與記錄數據相應的凹斑長度，從而實現光盤上的數據記錄，上述式中T相應于單位凹斑長度的時間；N相對于單位凹斑長度的凹斑長度倍數(整數)；K校正量。
本發(fā)明光盤刻錄方法包括以下步驟在變化光盤線速度倍增因子的同時進行數據刻錄；隨著線速度倍增因子的增加而提高刻錄光束的功率；當線速度倍增因子小于預定的線速度倍增因子臨界值時根據線速度倍增因子而改變校正量K，當線速度倍增因子不小于預定的臨界值時使校正量保持不變。也就是說，本發(fā)明人所做的實驗發(fā)現，當隨著刻錄線速度倍增因子的增加而提高光束的刻錄功率時，可獲得良好復制信號質量的校正量K的數值在刻錄線速度較低的區(qū)域變化很大，在刻錄線速度較高的區(qū)域基本保持為常數，后邊對此將予以詳細說明。因此，本發(fā)明將一個預定的線速度倍增因子作為臨界約束，在小于預定的線速度臨界值時使校正量K隨線速度倍增因子變化，而在不小于預定的線速度倍增因子時使校正量不變，以便實現有效的刻錄。結果表明，可獲得高質量刻錄。在這種情況下發(fā)現，雖然同所用光盤的種類(生產廠家、所用添加劑及其它方面可能有所不同)有關，但線速度倍增因子臨界值一般可設定為不小于8倍速(例如，8倍速，10倍速或更高)。
按本發(fā)明，只有在不小于線速度倍增因子臨界值的情況下，才能通過改變線速度并在校正量K保持不變的情況下進行刻錄。此外，當采用與光束在光盤上的徑向位置相應的可變線速度倍增因子進行刻錄并確定臨界線速度倍增因子處于可變線速度倍增因子變化范圍的中間時，如果線速度倍增因子小于臨界線速度倍增因子，可根據線速度倍增因子改變校正量K，如果線速度倍增因子不小于臨界線速度倍增因子，可保持校正量K為一常數。
按本發(fā)明，提供了一種采用與光束在光盤上徑向位置相應的可變線速度倍增因子而實現數據記錄的光盤刻錄方法，所述方法包括以下步驟在開始實際刻錄前，采用多個小于實際刻錄所用線速度倍增因子可能變化范圍的試驗線速度倍增因子進行刻錄試驗，以得出每個試驗線速度倍增因子下的適當的輻照光束刻錄功率；根據所獲得的每個試驗線速度倍增因子的適當刻錄功率，為實際刻錄采用的線速度倍增因子繪出作為輻照光束徑向位置函數的適當功率的特性曲線；根據同輻照光束徑向位置相應的實際線速度倍增因子下的適當功率特性曲線計算應采用的輻照光束的適當功率，然后進行實際刻錄。按本發(fā)明，由于試驗刻錄采用了多個低于實際所用線速度倍增因子變化范圍的線速度倍增因子，因此即使在實際刻錄所用的線速度倍增因子較大的情況下，也可用相對較低的轉數進行刻錄試驗。此外，試驗刻錄中的自激振動也可受到抑制，適當的刻錄功率可被穩(wěn)定地檢測，從而可實現高質量的實際刻錄。
按本發(fā)明，提供了一種采用與光束在光盤上徑向位置相應的可變線速度倍增因子而實現數據記錄的光盤刻錄方法，所述方法包括以下步驟在開始實際刻錄前，采用一個在實際刻錄所用線速度倍增因子可能變化范圍內的第一線速度倍增因子和一個低于實際刻錄所用線速度倍增因子變化范圍的第二線速度倍增因子進行刻錄試驗，以得出輻照光束對于第一和第二線速度倍增因子的適當的刻錄功率；根據所獲得的第一和第二線速度倍增因子的適當刻錄功率，為實際刻錄采用的線速度倍增因子繪出作為輻照光束徑向位置函數的適當功率的特性曲線；根據同輻照光束徑向位置相應的實際線速度倍增因子下的適當功率特性曲線計算應采用的輻照光束的適當功率，然后進行實際刻錄。按本發(fā)明，由于試驗刻錄采用了一個在實際應用線速度倍增因子可變范圍內的線速度倍增因子和一個或多個低于實際所用線速度倍增因子變化范圍的線速度倍增因子，因此至少在一個點上可用相對較低的轉數進行刻錄試驗。此外，試驗刻錄中的自激振動也可受到抑制，適當的刻錄功率可被穩(wěn)定地檢測，從而可實現高質量的實際刻錄。同時，由于試驗刻錄采用了一個在實際刻錄所用線速度倍增因子變化范圍內的線速度倍增因子和一個低于所述變化范圍的線速度倍增因子，即試驗刻錄是在在線速度倍增因子互不相同的情況下進行的，因此得到的特性曲線錯誤較少，例如沒有明顯的偏向。
值得注意的是，上述適當刻錄功率可很容易地通過一個方程進行表示，例如用一個線性方程、或者一個二次方程或高次方程來進行表示。在通過一個線性方程表示所述特性曲線時，可用方程Y＝AX+B表示光束刻錄功率Y隨線速度倍增因子X變化的函數關系。在光盤上進行實際刻錄前，采用一個在實際所用線速度倍增因子可變范圍內的線速度倍增因子和一個低于實際所用線速度倍增因子可變范圍的線速度倍增因子進行試驗刻錄(或者用兩個低于實際所用線速度倍增因子可變范圍的線速度倍增因子進行試驗刻錄)，并計算出了每個線速度倍增因子下的適當刻錄功率。那么在刻錄功率和各線速度倍增因子被算出或置定時，常數A和B的值可通過方程解出。在實際刻錄中，根據上述方程計算出適當刻錄功率并將光束控制到計算出的適當功率水平，所述方程中的常數A和B按各徑向位置線速度倍增因子確定。
按本發(fā)明，提供了一種采用與光束在光盤上徑向位置相應的可變線速度倍增因子而實現數據記錄的光盤刻錄方法，所述方法包括以下步驟采用與線速度倍增因子相應的可變輻照光束刻錄功率Y＝AX+B進行刻錄，其中常數A根據光盤類型置定為一個固定值；在開始實際刻錄前，采用試驗線速度倍增因子進行刻錄試驗，以得出輻照光束的適當刻錄功率；利用試驗刻錄結果解方程Y＝AX+B以確定方程中常數B，在上述方程式中Y為適當刻錄功率，X為試驗線速度倍增因子；然后采用根據所確定的常數A、B和由方程Y＝AX+B計算出的適當功率Y進行實際刻錄。
按本發(fā)明，提供了一種采用與光束在光盤上徑向位置相應的可變線速度倍增因子而實現數據記錄的光盤刻錄方法，所述方法包括以下步驟采用與線速度倍增因子X相應的可變輻照光束刻錄功率Y＝AX+B進行刻錄，其中常數A根據光盤類型置定為一個固定值；在開始實際刻錄前，采用多個試驗線速度倍增因子進行刻錄試驗，以得出各試驗線速度倍增因子下輻照光束的適當刻錄功率；利用試驗刻錄結果解方程Y＝AX+B以確定方程中常數B并使所得到的適當刻錄功率的誤差平方和為最小。本發(fā)明人所做的試驗發(fā)現，當光束刻錄功率Y可根據線速度倍增因子X按方程式Y＝AX+B進行可變控制時，方程中常數A可根據光盤類型確定為一個固定的數值，常數B可通過用一個適當的試驗線速度倍增因子進行試驗刻錄進行確定。按本發(fā)明，通過事先正確計算和確定常數A的數值，與通過試驗刻錄同時確定常數A和B數值的情況比較起來，可降低計算和確定常數A數值中的誤差。
在此順便指出，本發(fā)明刻錄方法采用了與光盤徑向位置相應的可變線速度倍增因子，其中包括下述情況對光盤進行恒定角速度控制，從而線速度倍增因子隨光盤徑向位置的變化而變化。在這種情況下，根據由光盤讀取的時間信息和恒定角速度控制的轉數可計算每個時間點的線速度，在線速度達到預定值時和達到預定值后，對外緣側實施恒定線速度控制，然后進行刻錄。
按本發(fā)明，提供了一種光盤刻錄裝置，包括一個用于驅動光盤旋轉的伺服單元；一個可使光束輻照光盤、用于刻錄和復制數據的光發(fā)射器；一個用于控制光發(fā)射器發(fā)射光束功率的光束功率控制單元；一個用于控制刻錄光束輻照時間的刻錄策略單元，它可將輻照時間控制到與所形成的凹斑長度相應的(N+K)T，式中T為與單位凹斑長度相應的輻照時間，N為要形成的凹斑長度相對于單位凹斑長度的倍數(整數)，K為校正量；一個用于存儲第一特性曲線和第二特性曲線的存儲單元，所述第一特性曲線為光束刻錄功率隨光盤線速度倍增因子增加而提高的函數曲線，所述第二特性曲線為校正量K隨線速度倍增因子變化的函數關系—當線速度倍增因子小于預定的臨界線速度倍增因子時，校正量K隨線速度倍增因子的變化而變化，當線速度倍增因子不小于預定的臨界線速度倍增因子時，校正量K固定不變；以及一個系統(tǒng)控制單元，用于根據存儲在存儲單元中的光束刻錄功率隨光盤刻錄數據時線速度倍增因子變化的第一特性曲線將適當的光束刻錄功率作為指令發(fā)送給光束功率控制單元，同時用于根據存儲在存儲單元中校正量K的第二特性曲線將校正量K發(fā)送到刻錄策略單元。例如在這種情況下，存儲單元存儲著各類光盤的校正量K與刻錄線速度倍增因子之間的相互關系，系統(tǒng)控制單元可識別光盤類型和根據存儲單元存儲的校正量K特性曲線將校正量K作為指令發(fā)送到刻錄策略單元。
按本發(fā)明，提供了一種光盤存儲裝置，包括一個用于驅動光盤旋轉的伺服單元；一個使光束輻照光盤并以復制信號的形式復制數據和刻錄數據的光發(fā)射器；一個用于控制光發(fā)射器發(fā)射光束功率的光束功率控制單元；一個用于根據光發(fā)射器產生的復制信號計算有關信號質量水平的預定參數的信號質量檢測單元；以及一個系統(tǒng)控制單元，用于在實際刻錄前、在預定的光盤試驗區(qū)、和采用多個小于實際刻錄所用線速度倍增因子可變范圍的試驗線速度倍增因子進行試驗刻錄，然后根據試驗刻錄中的復制信號得出每個試驗線速度倍增因子的適當刻錄光功率，根據所得到的每個線速度倍增因子的適當刻錄功率確定適當刻錄功率對于線速度倍增因子的特性曲線，再根據包含取決于刻錄光束徑向位置的線速度倍增因子的特性曲線計算出適當的刻錄功率，并將計算出的適當光束刻錄功率發(fā)送給實際刻錄中的光束功率控制單元。
按本發(fā)明，提供了一種光盤存儲裝置，包括一個用于驅動光盤旋轉的伺服單元；一個使光束輻照光盤并以復制信號形式復制數據和刻錄數據的光發(fā)射器；一個用于控制光發(fā)射器發(fā)射光束功率的光束功率控制單元；一個用于根據光發(fā)射器產生的復制信號計算有關信號質量水平的預定參數的信號質量檢測單元；以及一個系統(tǒng)控制單元，用于在實際刻錄前、在預定的光盤試驗區(qū)、和采用一個在實際刻錄所用光盤線速度倍增因子可變范圍之內的第一試驗線速度倍增因子和一個小于實際刻錄所用線速度倍增因子可變范圍的第二試驗線速度倍增因子進行試驗刻錄，然后根據試驗刻錄中計算出的預定參數得出第一和第二試驗線速度倍增因子的適當刻錄功率，根據所得到的第一和第二線速度倍增因子的適當刻錄功率確定適當刻錄功率對于線速度倍增因子的特性曲線，再根據包含取決于刻錄光束徑向位置的線速度倍增因子的特性曲線計算出適當的刻錄功率，并將計算出的適當光束刻錄功率發(fā)送給實際刻錄中的光束功率控制單元。
按本發(fā)明，提供了一種采用與光束在光盤上徑向位置相應的可變線速度倍增因子而實現數據記錄的光盤刻錄裝置，包括一個用于驅動光盤旋轉的伺服單元；一個使光束輻照光盤并以復制信號形式復制數據和刻錄數據的光發(fā)射器；一個用于控制光發(fā)射器發(fā)射光束功率的光束功率控制單元；一個用于根據光發(fā)射器產生的復制信號計算復制信號質量水平的信號質量檢測單元；一個用于存儲光束刻錄功率Y隨刻錄線速度倍增因子X函數關系Y＝AX+B特性曲線的存儲單元，方程式中常數A為一取決于光盤類型的固定常數；以及一個系統(tǒng)控制單元，用于在數據實際刻錄前、在預定的光盤試驗區(qū)、和采用一個試驗線速度倍增因子進行數據試驗刻錄，然后根據試驗刻錄中檢測的復制信號質量得出該試驗線速度倍增因子的適當刻錄功率，利用試驗刻錄的結果通過解方程Y＝AX+B計算和確定方程中系數B，根據Y＝AX+B和取決于光束徑向位置的線速度倍增因子計算適當的刻錄功率，并將計算出的適當光束刻錄功率發(fā)送給實際刻錄中的光束功率控制單元。
按本發(fā)明，提供了一種采用與光束在光盤上徑向位置相應的可變線速度倍增因子而實現數據記錄的光盤刻錄裝置，包括一個用于驅動光盤旋轉的伺服單元；一個使光束輻照光盤并以復制信號形式復制數據和刻錄數據的光發(fā)射器；一個用于控制光發(fā)射器發(fā)射光束功率的光束功率控制單元；一個用于根據光發(fā)射器產生的復制信號計算復制信號質量水平的信號質量檢測單元；一個用于存儲光束刻錄功率Y隨刻錄線速度倍增因子X函數關系Y＝AX+B特性曲線的存儲單元，方程式中常數A為一取決于光盤類型的固定常數；以及一個系統(tǒng)控制單元，用于在數據實際刻錄前、在預定的光盤試驗區(qū)、和采用多個試驗線速度倍增因子進行數據試驗刻錄，然后根據試驗刻錄中檢測的復制信號質量得出每個試驗線速度倍增因子的適當刻錄功率，利用試驗刻錄的結果通過解方程Y＝AX+B計算和確定方程中系數B并使得到的刻錄功率的誤差平方和為最小，根據Y＝AX+B和取決于光束徑向位置的線速度倍增因子計算適當的刻錄功率，并將計算出的適當光束刻錄功率發(fā)送給實際刻錄中的光束功率控制單元。
按本發(fā)明，提供了一種采用與光束在光盤上徑向位置相應的可變線速度倍增因子而實現數據記錄的光盤刻錄裝置，包括一個用于驅動光盤旋轉的伺服單元；一個使光束輻照光盤并以復制信號形式復制數據和刻錄數據的光發(fā)射器；一個用于控制光發(fā)射器發(fā)射光束功率的光束功率控制單元；一個用于根據光發(fā)射器產生的復制信號計算復制信號質量水平的信號質量檢測單元；一個用于存儲光束刻錄功率Y隨刻錄線速度倍增因子X函數關系Y＝AX2+BX+C特性曲線的存儲單元，方程式中常數A和B為取決于光盤類型的固定常數；以及一個系統(tǒng)控制單元，用于在數據實際刻錄前、在預定的光盤試驗區(qū)、和采用一個試驗線速度倍增因子進行數據試驗刻錄，然后根據試驗刻錄中檢測的復制信號質量得出該試驗線速度倍增因子的適當刻錄功率，利用試驗刻錄的結果通過解方程Y＝AX2+BX+C計算和確定方程中系數C，根據方程Y＝AX2+BX+C和取決于光束徑向位置的線速度倍增因子計算適當的刻錄功率，并將計算出的適當光束刻錄功率發(fā)送給實際刻錄中的光束功率控制單元。
按本發(fā)明，提供了一種采用與光束在光盤上徑向位置相應的可變線速度倍增因子而實現數據記錄的光盤刻錄裝置，包括一個用于驅動光盤旋轉的伺服單元；一個使光束輻照光盤并以復制信號形式復制數據和刻錄數據的光發(fā)射器；一個用于控制光發(fā)射器發(fā)射光束功率的光束功率控制單元；一個用于根據光發(fā)射器產生的復制信號計算復制信號質量水平的信號質量檢測單元；一個用于存儲光束刻錄功率Y隨刻錄線速度倍增因子X函數關系Y＝AX2+BX+C特性曲線的存儲單元，方程式中常數A和B為取決于光盤類型的固定常數；以及一個系統(tǒng)控制單元，用于在數據實際刻錄前、在預定的光盤試驗區(qū)、和采用多個試驗線速度倍增因子進行數據試驗刻錄，然后根據試驗刻錄中檢測的復制信號質量得出每個試驗線速度倍增因子的適當刻錄功率，利用試驗刻錄的結果通過解方程Y＝AX2+BX+C計算和確定方程中系數C并使得到的刻錄功率的誤差平方和最小，根據方程Y＝AX2+BX+C和取決于光束徑向位置的線速度倍增因子計算適當的刻錄功率，并將計算出的適當光束刻錄功率發(fā)送給實際刻錄中的光束功率控制單元。
在此順便指出，在本發(fā)明光盤刻錄裝置中，所述存儲單元可存儲適用于各種類型光盤的光束刻錄功率Y與刻錄線速度函數關系的特性曲線，所述系統(tǒng)控制單元可識別光盤類型并根據存儲在所述存儲單元中的相應特性曲線控制光束的刻錄功率。同時，在光盤內緣側適當徑向位置的范圍內進行刻錄時，所述系統(tǒng)控制單元可發(fā)出以恒定角速度驅動伺服單元的指令；在光盤的外緣側，所述系統(tǒng)控制單元發(fā)出以恒定角速度控制中最終速度值進行恒定線速度驅動的指令。此外，本發(fā)明光盤刻錄裝置進一步包括一個用于由光盤讀取時間信息的時間信息讀出單元，使得根據恒定角速度控制的轉數和由光盤讀取的時間信息可計算每一時間點的線速度，從而在外緣側當線速度達到預定值時和達到預定值后可實現恒定線速度控制，從而可進行有效刻錄。
還有，本發(fā)明中的試驗刻錄可在光盤最內緣的PCA區(qū)(功率校正區(qū))進行。此外，本發(fā)明可應用于基于添加劑的CD-R、DVD-R等一次刻錄數次讀取型光盤以及其他類型的光盤。


圖1為表明本發(fā)明光盤刻錄裝置一個實施例的原理框圖。
圖2表明采用CAV在CD-R內緣側和采用CLV在外緣側進行數據刻錄的方法。
圖3為表明CD-R光盤徑向分區(qū)的剖視圖。
圖4為表明相對于CD-R光盤刻錄線速度倍增因子的校正量K適當范圍之一例的特性曲線。
圖5表明采用具有圖4所示特性曲線的光盤時，圖1所示刻錄策略電路校正量K的一個示例特性曲線。
圖6表明通過CAV和CLV刻錄模式轉換和應用圖5所示校正量K特性曲線進行刻錄時，線速度倍增因子和校正量K隨光盤徑向位置進行變化的一個示例特性曲線。
圖7表明通過CAV和CLV刻錄模式轉換和應用圖5所示校正量K特性曲線進行刻錄時，線速度倍增因子和校正量K隨光盤徑向位置進行變化的另一個示例特性曲線。
圖8表明通過CAV和CLV刻錄模式轉換和應用圖5所示校正量K特性曲線進行刻錄時，線速度倍增因子和校正量K隨光盤徑向位置進行變化的再一個示例特性曲線。
圖9表明刻錄線速度倍增因子和刻錄功率隨光盤徑向位置進行變化的示例特性曲線。
圖10表明在使用光盤A和以多種方式變化不同線速度倍增因子的刻錄功率時，相對于刻錄功率的復制RF信號β值的特性曲線。
圖11表明由于進行圖10所示刻錄引起的C1誤差在EFM-解調復制RF信號時相對β值的誤差特性曲線。
圖12表明由于進行圖10所示刻錄引起的凹斑分散相對于復制RF信號β值的特性曲線。
圖13表明由圖10特性曲線導出的每個β值的刻錄功率相對于刻錄線速度倍增因子的特性曲線。
圖14表明利用不同波長光束在刻錄功率隨不同線速度倍增因子變化的情況下對光盤A進行刻錄時，復制RF信號的β值相對于刻錄功率的特性曲線。
圖15表明由圖14特性曲線導出的每個β值的刻錄功率相對刻錄線速度倍增因子的特性曲線。
圖16為表明在光盤A試驗刻錄中由刻錄功率特性曲線Y＝AX+B獲得B值技術的一個示例。
圖17為表明在光盤A試驗刻錄中由刻錄功率特性曲線Y＝AX+B獲得B值技術的另一個示例。
圖18為表明在光盤A試驗刻錄中由刻錄功率特性曲線Y＝AX+B獲得B值技術的再一個示例。
圖19表明對光盤A進行刻錄并以多種方式使刻錄功率隨不同線速度倍增因子變化時，復制RF信號β值相對刻錄功率的特性曲線。
圖20表明進行圖19所示刻錄對復制RF信號解調時引起的相對β值的C1誤差特性曲線。
圖21表明進行圖19所示刻錄對復制RF信號解調時引起的相對β值的凹斑分散度特性曲線。
圖22為由圖19所示特性曲線導出的每個β值的相對刻錄線速度倍增因子的刻錄功率特性曲線。
圖23為表明在光盤B試驗刻錄中由刻錄功率特性曲線Y＝AX2+BX+C計算B和C的一個技術示例。
圖24為表明在光盤B試驗刻錄中由刻錄功率特性曲線Y＝AX2+BX+C計算B和C的另一個技術示例。
圖25為表明在光盤B試驗刻錄中由刻錄功率特性曲線Y＝AX2+BX+C計算B和C的再一個技術示例。
圖26表明在對光盤B進行刻錄且以多種方式變化不同線速度倍增因子的刻錄功率時，相對刻錄功率的復制RF信號β值的特性曲線。
圖27表明進行圖26所示刻錄對復制RF信號解調時引起的相對β值的C1誤差特性曲線。
圖28表明進行圖26所示刻錄引起的相對復制RF信號β值的凹斑分散度特性曲線。
圖29為由圖26所示特性曲線導出的β值的相對刻錄線速度倍增因子的刻錄功率特性曲線。
圖30表明當插入的光盤類型沒有存儲在圖1中所示存儲器52之中時確定相對刻錄線速度倍增因子的刻錄功率特性方程的一個技術示例。
圖31表明當插入的光盤類型沒有存儲在圖1中所示存儲器52之中時確定相對刻錄線速度倍增因子的刻錄功率特性方程的另一個技術示例。
現描述本發(fā)明的實施模式。在此，描述將針對本發(fā)明應用于CD-R光盤的情形，并且根據在CD-R光盤上的徑向位置進行CAV和CLV刻錄模式的變換。圖3表明CD-R光盤的分區(qū)。在光盤(CD-R光盤)10中，直徑46-50mm的區(qū)域留做寫入區(qū)14，內緣側作為PCA區(qū)(功率校正區(qū))12。PCA區(qū)12由試驗區(qū)12A和計算區(qū)12B組成。在試驗區(qū)12A進行OPC(最佳功率控制調準刻錄光束的最佳刻錄功率)試驗刻錄。例如，進行一次試驗刻錄時可按15級改變刻錄功率，在每一級刻錄功率下刻錄一個子碼幀EFM信號(本發(fā)明并不局限于此)，總共刻錄15個子碼幀EFM信號。試驗區(qū)12A配置的能力(例如1500子碼幀)可進行100次試驗刻錄(相當于100次OPC，因為每進行一次試驗刻錄就要有一次OPC)。每實現一次OPC，在計算區(qū)12B就記錄下一個子碼幀的EFM信號。計算區(qū)12B配置了與試驗區(qū)相同的、與OPC實施次數相應的能力(例如，100次OPC，100子碼幀)。在實施OPC時，需事先檢測有多少EFM信號已記錄在計算區(qū)12B并確定在實驗區(qū)12A中由哪個適當位置開始進行試驗。
程序區(qū)18位于外緣側，與寫入區(qū)14鄰接。作為ATIP信息的時間及其它信息記錄在信息區(qū)16中全部磁道的相應結構。就ATIP時間信息來說，由作為基點的程序區(qū)18的開始位置到位于外緣側的信息區(qū)16的外緣末端記錄著連續(xù)遞增的一系列數值，由所述基點到位于內緣側的信息區(qū)16的內緣末端記錄著連續(xù)遞減的一系列數值。讀取區(qū)的配置緊接程序區(qū)18的末端(即刻錄終了的部分)。
圖1表明本發(fā)明光盤刻錄裝置的一個實施例。光盤(CD-R光盤)10由一個主軸電機24帶動旋轉。頻率發(fā)生器26對主軸電機的轉數進行檢測。光發(fā)射器28向光盤10輻射光束(激光光束)以實現數據信息的刻錄/復制。光發(fā)射器28的回束接受信號(EFM信號)饋送到RF放大器30。一個ATIP檢測電路32由EFM信號中抽取出相應結構信號成分，并對包括這種相應結構信號在內的ATIP信息進行解碼。所述ATIP信息中包括每個位置(地址信息)的時間信息或光盤類型的識別信息(光盤ID)。β值檢測電路34由EFM信號波形中計算涉及復制信號質量水準的參數β的值。假定復制EFM信號波形的峰值(符號為+)為A、谷值(符號為-)為B，則可通過算式(A+B)/(A-B)得到β值。包絡檢測電路36用于檢測EFM信號的包絡。在實施OPC前為檢測計算區(qū)12B(圖3)中已記錄了多少EFM信號，需要進行包絡檢測。解碼電路38對EFM信號進行解調，以獲得復制數據。
伺服電路40對主軸電機24的轉數進行控制，并對光束發(fā)射器28的聚焦、軌道跟蹤和進給等實施控制。根據徑向位置通過轉換CAV和CLV控制模式對主軸電機24進行控制。CAV控制模式是控制主軸電機24的轉數，使頻率發(fā)生器26檢測到的轉數同預定的轉數互相一致。CLV模式對主軸電機的控制是使由EFM信號中檢測的相應結構信號具有一個預定的線速度倍增因子。激光驅動器42用于驅動光束發(fā)生器28中的激光光源。光束功率控制電路44用于控制激光驅動器42，以調節(jié)刻錄(試驗刻錄和實際刻錄)和復制時的激光功率?？啼洈祿浘幋a器46進行EFM調制，時間軸經刻錄策略電路48進行校正，以調制激光驅動器42的激光驅動信號。當光束發(fā)射器28中的激光光源由調制的激光驅動信號進行驅動時，信息將被記錄下來。在復制中，激光驅動器42以預定的復制功率驅動光束發(fā)射器28中的激光光源。
存儲器52由閃存ROM等器件組成，用于存儲相對刻錄線速度倍增因子的刻錄策略的校正量K的特性曲線和相對刻錄線速度倍增因子的刻錄功率的特性曲線。有關這些特性的信息可通過下載而進行適時修改。
系統(tǒng)控制電路50(CPU)用于控制整個光盤刻錄裝置。具體就本發(fā)明來說，所述系統(tǒng)控制電路50可實施下述控制(A)根據ATIP檢測電路32檢測的光盤ID對光盤類型進行識別，并據此由存儲在存儲器52中的特性曲線中選用適當的刻錄策略校正量K特性曲線和光束刻錄功率特性曲線。
(B)在對光盤10進行實際刻錄前，先在PCA區(qū)12進行OPC試驗刻錄；根據試驗刻錄的復制信號得到使β值檢測電路34檢測的β值適當時的刻錄功率；并根據這一試驗結果確定光束刻錄功率特性方程中的未定系數。
(C)在實際刻錄中，根據恒定角速度控制(轉數上限預先置定在驅動器等器件中)的轉數和由ATIP檢測電路32檢測到的時間信息計算每個時間點的線速度倍增因子。在內緣線速度倍增因子達到預定值(由用戶置定)前，系統(tǒng)控制電路50指令伺服電路40以預定轉數實施恒定角速度驅動。另一方面，在外緣線速度倍增因子達到預定值后，系統(tǒng)控制電路50指令以預定線速度倍增因子實施恒定線速度驅動。在這種情況下，每個時間點的線速度倍增因子V可通過下式進行計算V＝2πR*Vcav/Vclv式中--R相應位置的半徑Vcav恒定角速度控制轉數Vclv光盤線速度在此值得注意的是，上述表達式中相應位置的半徑可由下式解出R＝{(T*P*Vclv/π)+Ro2}1/2這里-T相應位置的ATIP時間信息P光盤磁道間距Ro程序區(qū)最內緣半徑例如，假定光盤磁道間距P＝1.6微米，采用每秒1.2米的Vclv以實施Vcav＝6000rpm的CAV驅動，T＝5∶00∶00幀位的半徑距離R可用下式表示R＝[{(5*60)*(1.6*10-3)*(1.2*103)/π}+252]1/2＝28.43mm因此，該位置的線速度倍增因子V可用下式表示V＝2π*28.43*(6000/60)/(1.2*103)＝14.88倍速。在此要注意，光盤線速度Vclv和磁道間距P可在光盤10插入光盤刻錄裝置后和進行實際刻錄前通過測量得到，或者在存儲器52中存儲各種光盤的這些數據。
(D)在實際刻錄中，隨著刻錄線速度倍增因子的變化，光束刻錄功率指令依據光束的刻錄功率特性曲線被送至光束功率功率控制電路44，有關校正量的指令依據刻錄策略的校正量K特性曲線被送至刻錄策略電路48。
順便指出，如果光盤10的類型沒有存儲在存儲器52中，系統(tǒng)控制電路50指令至少采用兩個線速度倍增因子進行OPC試驗刻錄，并由此確定其刻錄功率相對于刻錄線速度倍增因子的特性曲線。此時就刻錄策略的校正量K來說，一個標準特性曲線被存儲在存儲器52中并被加以利用。
現對圖1所示光盤刻錄裝置調整刻錄光束輻照時間校正量的過程進行描述。根據要形成的凹斑長度，策略電路48控制刻錄光束的輻照時間到(N+K)T，式中T與單位凹斑相應的時間；N要形成的凹斑相對于單位凹斑的倍數(整數3-11)；K校正量。
圖4表明校正量K的范圍(影線區(qū))，在適當保持刻錄光束的刻錄功率和改變線速度倍增因子的條件下進行刻錄，在此區(qū)域內的復制信號的分散度或C1誤差很小。由該圖可以理解，當將范圍界定為八倍速時，在不超過界定范圍的情況下，相對于刻錄線速度倍增因子的適當的K值范圍隨刻錄線速度倍增因子變動，在不小于界定范圍的情況下，適當的K值范圍很少隨線速度倍增因子而變化。圖5表明在使用具有圖4所示特性的光盤時校正量K特性曲線的一個示例。按圖5所示特性曲線，當將八倍速界定為線速度倍增因子的范圍時，在小于八倍速的情況下，校正量K隨刻錄線速度倍增因子基本呈線性變化，在不小于八倍速的情況下，校正量K為一個置定值KC。值得注意的是，各類型光盤的校正量K特性曲線事先已存儲在存儲器52中，按檢測到的光盤ID讀取和選用適當的特性曲線。
圖6-8表明，在使用圖5所示校正量K特性曲線和轉換CAV和CLV模式進行刻錄時，相對于光盤徑向位置的校正量K和線速度倍增因子的變化。圖6所示為CAV刻錄線速度倍增因子一直不超過8倍速(VI表示CAV刻錄線速度倍增因子的起始值，VE表示其終了值)時，校正量K在CAV刻錄區(qū)變化的情況。圖7所示為CAV刻錄線速度倍增因子在中心區(qū)以8倍速變化時，校正量K在線速度倍增因子達到8倍速后固定為一個常數KC。圖8所示為CAV刻錄線速度倍增因子一直不小于8倍速時，校正量K在程序區(qū)為一固定常數KC。
現將描述圖1所示光盤刻錄裝置對刻錄光束功率的控制過程。這里，刻錄中線速度倍增因子如圖9(A)所示變化，即CLV刻錄線速度倍增因子被(用戶等)置定為VE，在程序區(qū)18內緣側區(qū)域以置定的轉數進行CAV刻錄，在所述區(qū)域內轉數達到與線速度倍增因子VE相應的置定值(轉數的上限值預置于驅動器等部件中)。CAV刻錄線速度倍增因子的起始值為VI，終了值為VE。圖9(B)表明此時的光束刻錄功率變化。在CAV刻錄區(qū)，刻錄功率隨線速度倍增因子的增加而提高(線速度倍增因子為起始值VI時的刻錄功率為PI，線速度倍增因子為終了值VE時的刻錄功率為PE)，在到達CLV刻錄區(qū)后，刻錄功率為PE并保持不再變化。
現在將通過例子說明，在圖9所示控制刻錄線速度倍增因子和刻錄功率進行刻錄時，如何獲得相對于刻錄線速度倍增因子的刻錄功率特性曲線。當采用A生產的CYANINE型CD-R光盤時(以下簡稱為光盤A)圖10表明在使用光盤A進行刻錄的情況下，當以多種方式變化不同線速度倍增因子的刻錄功率時，相對于刻錄功率的復制RF信號β值的特性曲線。圖11表明EFM-解調復制RF信號時，相對于β值的C1誤差特性曲線。圖12表明相對于復制RF信號β值的凹斑分散特性曲線。圖13表明由圖10所示特性曲線導出的每個β值的相對于刻錄線速度倍增因子的刻錄功率特性曲線。按圖13，在保持β值為一預定值進行刻錄時，相對于線速度倍增因子的刻錄功率特性曲線可表示為下述線性方程Y＝AX+B，式中Y刻錄功率；X線速度倍增因子。
在使用光盤A的情況下，按圖11和12，由于即使在高速刻錄時功率的邊界也足夠寬(當C1誤差和凹斑分散度較低時，β值的范圍較寬)，β值的目標值(目標β值)可置定為一個與刻錄線速度倍增因子無關的固定值。因此，如果置定目標β值為5％，則由圖13可知，相對刻錄線速度倍增因子的刻錄功率特性曲線方程Y＝AX+B中的系數A(斜率)和B(截距)可被確定為A＝1.8258和B＝3.8579。
圖10所示特性曲線是光束波長為787nm的情況，驅動器不同可能會使光束的波長產生變化，因此必須考慮光束波長變化的影響。圖14表明在使用光盤A刻錄信息的情況下，當采用光束波長為783.7nm的驅動器和以多種方式改變不同線速度倍增因子的刻錄功率時，相對于刻錄功率的復制RF信號β值的特性曲線。圖15表明由圖14所示特性曲線導出的每個β值的相對于刻錄線速度倍增因子的刻錄功率特性曲線。按圖15，如果β值置定為5％，則方程Y＝AX+B中的系數A＝1.8244和B＝3.1841。如將兩種情況下的系數值進行比較，可發(fā)現系數A的值變化不大，而系數B的值彼此相差較大。由此比較結果可知，即使在光束波長變化不大的情況下，也要變化系數B的數值，而系數A的數值可相對固定。因此就光盤A而言，刻錄功率相對于刻錄線速度倍增因子的特性方程Y＝AX+B(系數A固定，系數B待定)事先存儲在存儲器52中，在實際刻錄前進行OPC試驗刻錄以確定B值。
以下介紹一些示例，說明由試驗刻錄中計算和確定B值的技術。(圖16所示技術)在實際刻錄所用線速度倍增因子的可變范圍之內(VI-VE)或之外(例如不超過所述可變范圍)采用一個適當的線速度倍增因子V1進行OPC試驗刻錄，計算該線速度倍增因子的適當的刻錄功率(在此功率下可得到置定的目標β值)P1。當刻錄功率P1和線速度倍增因子V1被置定和計算出來后，可通過特性方程Y＝AX+B解出B值。
(圖17所示技術)采用兩個低于實際刻錄所用線速度倍增因子可變范圍(VI-VE)的線速度倍增因子V1和V2(例如在VI＝10倍速和VE＝16倍速的情況下，采用V1＝4倍速和V2＝8倍速)進行OPC試驗刻錄，計算V1和V2線速度倍增因子的適當的刻錄功率(在此功率下可得到與線速度V1和V2相應的置定的目標β值)P1和P2。應用最小平方誤差法計算和確定B值，即使相對于特性方程Y＝AX+B的P1和P2的誤差平方和為最小?；蛘?，采用三個或更多的低于實際刻錄所用線速度倍增因子可變范圍(VI-VE)的線速度倍增因子進行試驗刻錄，再通過以上方法計算和確定B值。(圖18所示技術)采用一個低于實際刻錄所用線速度倍增因子可變范圍(VI-VE)的線速度倍增因子V1和一個在所述可變范圍之內的線速度倍增因子(例如在VI＝10倍速和VE＝16倍速時，采用V1＝8倍速和V2＝12倍速進行試驗刻錄，計算V1和V2線速度倍增因子的適當的刻錄功率(在此功率下可得到置定的目標β值)P1和P2。應用最小平方誤差法計算和確定B值，即使相對于特性方程Y＝AX+B的P1和P2的誤差平方和為最小?；蛘撸捎脙蓚€或更多低于實際刻錄所用線速度倍增因子可變范圍(VI-VE)的線速度倍增因子和一個在所述可變范圍之內的線速度倍增因子進行試驗刻錄，然后通過類似方法計算和確定B值。[例2]在使用B生產的CYANINE型光盤的情況下(以下簡稱為光盤B)圖19表明在使用光盤B進行刻錄的情況下，當以多種方式變化不同線速度倍增因子的刻錄功率時，相對于刻錄功率的復制RF信號β值的特性曲線。圖20表明EFM-解調復制RF信號時，相對于β值的C1誤差特性曲線。圖21表明相對于復制RF信號β值的凹斑分散特性曲線。圖22表明由圖19所示特性曲線導出的每個β值的相對于刻錄線速度倍增因子的刻錄功率特性曲線。按圖22，在保持β值為一預定值進行刻錄時，相對于線速度倍增因子的刻錄功率特性曲線可表示為下述線性方程Y＝AX+B，式中Y刻錄功率；
X線速度倍增因子。
然而，如圖20和21所示在使用光盤B的情況下，由于在高速刻錄時功率的邊界較窄(當C1誤差和凹斑分散度較低時，β值的范圍較窄)，希望隨著刻錄線速度倍增因子變化β值的目標值(目標β值)。圖22中粗黑線表示，當β值變化使C1誤差和凹斑分散度隨刻錄線速度倍增因子保持較小變化時，相對于刻錄線速度倍增因子的刻錄功率特性曲線的一個例子。這一特性曲線可用下述二次方程來進行表示Y＝AX2+BX+C。
在本例中，A＝-0.0217，B＝1.81699，C＝4.408。但系數C根據光束的波長可有較大的變化。因此，在使用光盤B的情況下，相對于刻錄線速度倍增因子的刻錄功率特性方程Y＝AX2+BX+C(A和B的值固定，C值待定)事先存儲在存儲器52中，并在實際刻錄前進行試驗刻錄(OPC)以確定C值。
以下介紹一些示例，說明由試驗刻錄中計算和確定C值的技術。(圖23所示技術)在實際刻錄所用線速度倍增因子的可變范圍之內(VI-VE)或之外(例如不超過所述可變范圍)采用一個適當的線速度倍增因子V1進行試驗刻錄，計算該線速度倍增因子的適當的刻錄功率(在此功率下可得到置定的目標β值)P1。當刻錄功率P1和線速度倍增因子V1被置定和計算出來后，可通過特性方程Y＝AX2+BX+C解出C值。(圖24所示技術)采用兩個低于實際刻錄所用線速度倍增因子可變范圍(VI-VE)的線速度倍增因子V1和V2(例如在VI＝10倍速和VE＝16倍速的情況下，采用V1＝4倍速和V2＝8倍速)進行OPC試驗刻錄，計算V1和V2線速度倍增因子的適當的刻錄功率(在此功率下可得到與線速度倍增因子V1和V2相應的置定目標β值)P1和P2。應用最小平方誤差法計算和確定C值，即使相對于特性方程Y＝AX2+BX+C的P1和P2的誤差平方和為最小?；蛘撸捎萌齻€或更多的低于實際刻錄所用線速度倍增因子可變范圍(VI-VE)的線速度倍增因子進行試驗刻錄，再通過以上方法計算和確定C值。(圖25所示技術)
采用一個低于實際刻錄所用線速度倍增因子可變范圍(VI-VE)的線速度倍增因子V1和一個在所述可變范圍之內的線速度倍增因子V2(例如在VI＝10倍速和VE＝16倍速時，采用V1＝8倍速和V2＝12倍速進行OPC試驗刻錄，計算V1和V2線速度倍增因子的適當的刻錄功率(在此功率下可得到與線速度倍增因子V1和V2相應的置定的目標β值)P1和P2。應用最小平方誤差法計算和確定C值，即使相對于特性方程Y＝AX2+BX+C的P1和P2的誤差平方和為最小?；蛘?，采用兩個或更多低于實際刻錄所用線速度倍增因子可變范圍(VI-VE)的線速度倍增因子和一個在所述可變范圍之內的線速度倍增因子進行試驗刻錄，然后通過類似方法計算和確定C值。在使用C生產的PHTHALOCYANINE型CD-R光盤的情況下(以下簡稱為光盤C)圖26表明在使用光盤C進行刻錄的情況下，當以多種方式變化不同線速度倍增因子的刻錄功率時，相對于刻錄功率的復制RF信號β值的特性曲線。圖27表明EFM-解調復制RF信號時，相對于β值的C1誤差特性曲線。圖28表明相對于復制RF信號β值的凹斑分散特性曲線。圖29表明由圖26所示特性曲線導出的每個β值的相對于刻錄線速度倍增因子的刻錄功率特性曲線。按圖29，在保持β值為一預定值進行刻錄時，相對于線速度倍增因子的刻錄功率特性曲線可表示為下述線性方程Y＝AX+B，式中Y刻錄功率；X線速度倍增因子。
然而，如圖27和28所示在使用光盤C的情況下，由于在高速刻錄時功率的邊界較窄(當C1誤差和凹斑分散度較低時，β值的范圍較窄)，希望隨著刻錄線速度倍增因子變化β值的目標值(目標β值)。圖29中粗黑線表示，當β值變化使C1誤差和凹斑分散度隨刻錄線速度倍增因子保持較小變化時，相對于刻錄線速度倍增因子的刻錄功率特性曲線的一個例子。這一特性曲線可用下述二次方程來進行表示Y＝AX2+BX+C。在本例中，A＝-0.0148，B＝1.4232，C＝4.5933。但系數C根據光束的波長可有較大的變化。因此，在使用光盤C的情況下，相對于刻錄線速度倍增因子的刻錄功率特性方程Y＝AX2+BX+C(A和B的值固定，C值待定)事先存儲在存儲器52中，并在實際刻錄前進行試驗刻錄(OPC)以確定C值。在試驗刻錄中計算和確定C值的技術與圖23-25所述使用光盤B時的情況類似。
以下將介紹一些示例，說明插入使用的光盤類型沒有存儲在存儲器中時，如何確定刻錄功率相對于刻錄線速度倍增因子的特性曲線的技術。(圖30所示技術)采用兩個低于實際刻錄所用線速度倍增因子可變范圍(VI-VE)的線速度倍增因子V1和V2(例如在VI＝10倍速和VE＝16倍速的情況下，采用V1＝4倍速和V2＝8倍速)進行OPC試驗刻錄，計算V1和V2線速度倍增因子的適當的刻錄功率(在此功率下可得到與線速度倍增因子V1和V2相應的置定目標β值)P1和P2。確定和計算特性方程Y＝AX+B，使P1和P2為方程的解。或者，采用三個或更多的低于實際刻錄所用線速度倍增因子可變范圍(VI-VE)的線速度倍增因子進行試驗刻錄，再通過最小平方法得出特性方程Y＝AX+B?；蛘?，將三個或更多的適當刻錄功率用直線或曲線連接起來，采用線性近似或曲線近似的方法確定特性方程。(圖31所示技術)采用一個低于實際刻錄所用線速度倍增因子可變范圍(VI-VE)的線速度倍增因子V1和一個在所述可變范圍之內的線速度倍增因子V2(例如在VI＝10倍速和VE＝16倍速時，采用V1＝8倍速和V2＝12倍速)進行OPC試驗刻錄，計算V1和V2線速度倍增因子的適當的刻錄功率(在此功率下可得到與線速度倍增因子V1和V2相應的置定的目標β值)P1和P2。使P1和P2成為特性方程Y＝AX+B的解，從而可得到特性方程Y＝AX+B。或者，采用兩個或更多低于實際刻錄所用線速度倍增因子可變范圍(VI-VE)的線速度倍增因子和一個在所述可變范圍之內的線速度倍增因子進行OPC試驗刻錄，然后通過最小平方法得出特性方程Y＝AX+B?；蛘?，將這三個或多個適當刻錄功率值用直線或曲線連接起來，通過采用直線近似或曲線近似的方法得到特性方程。
在此應當注意，在上述實施例中采用β值作為衡量復制信號質量水準的預定參數，但也可只采用C1誤差或凹斑分散度或其他參數作為衡量復制信號質量水準的參數。
權利要求
1.一種用于在光盤上刻錄數據的光盤刻錄方法，所述方法可控制刻錄光束的輻照時間(N+K)T以形成與數據相應的凹斑長度，式中T相應于單位凹斑長度的時間；N相對于單位凹斑長度的凹斑長度倍數(整數)；K校正量。所述光盤刻錄方法包括以下步驟在變化光盤線速度倍增因子的同時進行數據刻錄；隨著線速度倍增因子的增加而提高刻錄光束的功率；當線速度倍增因子小于預定的線速度倍增因子臨界值時，根據線速度倍增因子而改變校正量K；以及當線速度倍增因子不小于預定的臨界值時，使校正量保持不變。
2.如權利要求1所述光盤刻錄方法，其中所述線速度倍增因子的臨界值被預定為光盤標稱標準線速度的8倍。
3.如權利要求1所述光盤刻錄方法，其中所述刻錄方法在可變范圍內根據刻錄光束在光盤上的徑向位置改變線速度倍增因子，與此同時進行數據刻錄，臨界線速度倍增因子預定于所述線速度倍增因子可變范圍的中間。
4.如權利要求3所述光盤刻錄方法，其中所述光盤以恒定角速度旋轉以刻錄數據，線速度倍增因子根據刻錄光束在光盤上的徑向位置受控變化。
5.如權利要求4所述光盤刻錄方法，進一步包括下述步驟在由光盤旋轉角速度和由光盤相應結構讀取的時間信息所決定的線速度倍增因子達到某一預定值后，可變線速度倍增因子的值變成固定不變，從而以固定線速度倍增因子進行刻錄。
6.一種采用與輻照光束在光盤上徑向位置相應的可變線速度倍增因子進行數據刻錄的光盤刻錄方法，所述刻錄方法包括以下步驟在開始實際刻錄前，采用多個小于實際刻錄所用線速度倍增因子可能變化范圍的試驗線速度倍增因子進行OPC刻錄試驗，以得出每個試驗線速度倍增因子下的適當的輻照光束刻錄功率；根據所獲得的每個試驗線速度倍增因子的適當刻錄功率，為實際刻錄采用的線速度倍增因子確定作為輻照光束徑向位置函數的適當功率的特性曲線；以及根據所確定的同輻照光束徑向位置相應的實際線速度倍增因子下的適當功率特性曲線計算應采用的輻照光束的適當功率，然后進行實際刻錄。
7.如權利要求6所述光盤刻錄方法，其中所述確定特性曲線步驟包括確定線性方程、二次方程或高次方程等形式。
8.如權利要求6所述光盤刻錄方法，其中所述光盤以恒定角速度旋轉以刻錄數據，線速度倍增因子根據刻錄光束在光盤上的徑向位置受控變化。
9.如權利要求8所述光盤刻錄方法，進一步包括下述步驟在由光盤旋轉角速度和由光盤相應結構讀取的時間信息所決定的線速度倍增因子達到某一預定值后，可變線速度倍增因子的值變成固定不變，從而以固定線速度倍增因子進行刻錄。
10.一種采用與輻照光束在光盤上徑向位置相應的可變線速度倍增因子進行數據刻錄的光盤刻錄方法，所述刻錄方法包括以下步驟在開始實際刻錄前，采用一個在實際刻錄所用線速度倍增因子可變范圍內的第一線速度倍增因子和一個低于實際刻錄所用線速度倍增因子可能變化范圍的第二試驗線速度倍增因子進行OPC刻錄試驗，以得出第一和第二試驗線速度倍增因子的適當的輻照光束刻錄功率；根據所獲得的第一和第二試驗線速度倍增因子的適當刻錄功率，為實際刻錄采用的線速度倍增因子確定作為輻照光束徑向位置函數的適當功率特性曲線；以及根據所確定的同輻照光束徑向位置相應的實際線速度倍增因子下的適當功率特性曲線計算應采用的輻照光束的適當功率，然后進行實際刻錄。
11.如權利要求10所述光盤刻錄方法，其中所述確定特性曲線步驟包括確定線性方程、二次方程或高次方程等形式。
12.如權利要求10所述光盤刻錄方法，其中所述光盤以恒定角速度旋轉以刻錄數據，線速度倍增因子根據刻錄光束在光盤上的徑向位置受控變化。
13.如權利要求12所述光盤刻錄方法，進一步包括下述步驟在由光盤旋轉角速度和由光盤相應結構讀取的時間信息所決定的線速度倍增因子達到某一預定值后，可變線速度倍增因子的值變成固定不變，從而以固定線速度倍增因子進行刻錄。
14.一種采用與光束在光盤上徑向位置相應的可變線速度倍增因子而實現數據記錄的光盤刻錄方法，所述方法包括以下步驟采用與線速度倍增因子X相應的可變輻照光束刻錄功率Y＝AX+B進行實際刻錄，其中常數A根據光盤類型置定為一個固定值；在開始實際刻錄前，采用試驗線速度倍增因子進行OPC刻錄試驗，以得出輻照光束的適當刻錄功率；利用試驗刻錄結果解方程Y＝AX+B，確定方程中常數B，在上述方程式中Y為適當刻錄功率，X為試驗線速度倍增因子；然后根據所確定的常數A、B和由方程Y＝AX+B計算出適當功率Y并按其進行實際刻錄。
15.如權利要求14所述光盤刻錄方法，其中所述光盤以恒定角速度旋轉以刻錄數據，線速度倍增因子根據刻錄光束在光盤上的徑向位置受控變化。
16.如權利要求15所述光盤刻錄方法，進一步包括下述步驟在由光盤旋轉角速度和由光盤相應結構讀取的時間信息所決定的線速度倍增因子達到某一預定值后，可變線速度倍增因子的值變成固定不變，從而以固定線速度倍增因子進行刻錄。
17.一種采用與光束在光盤上徑向位置相應的可變線速度倍增因子而實現數據記錄的光盤刻錄方法，所述方法包括以下步驟采用與線速度倍增因子X相應的可變輻照光束刻錄功率Y＝AX+B進行實際刻錄，其中常數A根據光盤類型置定為一個固定值；在開始實際刻錄前，采用多個試驗線速度倍增因子進行OPC刻錄試驗，以得出各試驗線速度倍增因子下輻照光束的適當刻錄功率；利用試驗刻錄結果解方程Y＝AX+B以確定方程中常數B，使所得到的適當刻錄功率的誤差平方和為最小。按方程Y＝AX+B和確定的A、B值計算適當刻錄功率Y并按其進行實際刻錄。
18.如權利要求17所述光盤刻錄方法，其中所述光盤以恒定角速度旋轉以刻錄數據，線速度倍增因子根據刻錄光束在光盤上的徑向位置受控變化。
19.如權利要求18所述光盤刻錄方法，進一步包括下述步驟在由光盤旋轉角速度和由光盤相應結構讀取的時間信息所決定的線速度倍增因子達到某一預定值后，可變線速度倍增因子的值變成固定不變，從而以固定線速度倍增因子進行刻錄。
20.一種采用與光束在光盤上徑向位置相應的可變線速度倍增因子而實現數據記錄的光盤刻錄方法，所述方法包括以下步驟采用與線速度倍增因子X相應的可變輻照光束刻錄功率Y＝AX2+BX+C進行實際刻錄，其中常數A和B根據光盤類型置定為一個固定值；在開始實際刻錄前，采用一個試驗線速度倍增因子進行OPC試驗刻錄，以得出該試驗線速度倍增因子下輻照光束的適當刻錄功率；利用試驗刻錄結果解方程Y＝AX2+BX+C以確定方程中常數C，式中Y獲得的適當刻錄功率，X實驗線速度倍增因子；按方程Y＝AX2+BX+C和確定的A、B、C值計算適當刻錄功率Y并按其進行實際刻錄。
21.如權利要求20所述光盤刻錄方法，其中所述光盤以恒定角速度旋轉以刻錄數據，線速度倍增因子根據刻錄光束在光盤上的徑向位置受控變化。
22.如權利要求21所述光盤刻錄方法，進一步包括下述步驟在由光盤旋轉角速度和由光盤相應結構讀取的時間信息所決定的線速度倍增因子達到某一預定值后，可變線速度倍增因子的值變成固定不變，從而以固定線速度倍增因子進行刻錄。
23.一種采用與光束在光盤上徑向位置相應的可變線速度倍增因子而實現數據記錄的光盤刻錄方法，所述方法包括以下步驟采用與線速度倍增因子X相應的可變輻照光束刻錄功率Y＝AX2+BX+C進行實際刻錄，其中常數A和B根據光盤類型置定為一個固定值；在開始實際刻錄前，采用多個試驗線速度倍增因子進行OPC刻錄試驗，以得出各試驗線速度倍增因子下輻照光束的適當刻錄功率；利用試驗刻錄結果解方程Y＝AX2+BX+C以確定方程中常數C，使所得到的適當刻錄功率的誤差平方和為最小。按方程Y＝AX2+BX+C和確定的A、B、C值計算適當刻錄功率Y并按其進行實際刻錄。
24.如權利要求23所述光盤刻錄方法，其中所述光盤以恒定角速度旋轉以刻錄數據，線速度倍增因子根據刻錄光束在光盤上的徑向位置受控變化。
25.如權利要求24所述光盤刻錄方法，進一步包括下述步驟在由光盤旋轉角速度和由光盤相應結構讀取的時間信息所決定的線速度倍增因子達到某一預定值后，可變線速度倍增因子的值變成固定不變，從而以固定線速度倍增因子進行刻錄。
26.一種光盤刻錄裝置，包括一個用于驅動光盤旋轉的伺服單元；一個可使光束輻照光盤、用于刻錄和復制數據的光發(fā)射器；一個用于控制光發(fā)射器發(fā)射光束功率的光束功率控制單元；一個用于控制刻錄光束輻照時間的刻錄策略單元，它可將輻照時間控制到與所形成的凹斑長度相應的(N+K)T，式中T為與單位凹斑長度相應的輻照時間，N為要形成的凹斑長度相對于單位凹斑長度的倍數(整數)，K為校正量；一個用于存儲第一特性曲線和第二特性曲線的存儲單元，所述第一特性曲線為光束刻錄功率隨光盤線速度倍增因子增加而提高的函數曲線，所述第二特性曲線為校正量K隨線速度倍增因子變化的函數關系—當線速度倍增因子小于預定的臨界線速度倍增因子時，校正量K隨線速度倍增因子的變化而變化，當線速度倍增因子不小于預定的臨界線速度倍增因子時，校正量K固定不變；以及一個系統(tǒng)控制單元，用于根據存儲在存儲單元中的光束刻錄功率隨光盤刻錄數據時線速度倍增因子變化的第一特性曲線將適當的光束刻錄功率作為指令發(fā)送給光束功率控制單元，同時用于根據存儲在存儲單元中校正量K的第二特性曲線將校正量K發(fā)送到刻錄策略單元。
27.如權利要求26所述光盤刻錄裝置，其中所述存儲單元存儲著與光盤類型有關的校正量K作為線速度倍增因子函數的一些第二特性曲線；所述系統(tǒng)控制單元可識別光盤類型，由存儲在所述存儲單元中的所述校正量K的第二特性曲線中選取與所識別的光盤類型相應的特性曲線并據此向所述刻錄策略單元發(fā)出校正量K指令。
28.如權利要求26所述光盤刻錄裝置，當光束徑向位置處于光盤內緣側置定范圍內時，所述系統(tǒng)控制單元可向光盤伺服單元發(fā)出以恒定角速度控制驅動光盤的指令；當光束徑向位置處于所述置定位置范圍之外時，所述系統(tǒng)控制單元可發(fā)出采用所述恒定角速度終了線速度倍增因子以恒定線速度控制驅動光盤外緣側的指令。
29.如權利要求28所述光盤刻錄裝置，進一步包括一個用于由光盤相應結構中讀取時間信息的時間信息讀取單元，所述系統(tǒng)控制單元根據光盤在恒定角速度控制下的轉速和由光盤相應結構讀出的時間信息計算光盤的線速度，并在計算出的線速度達到預定值后對外緣側實施恒定線速度控制以刻錄數據。
30.一種光盤存儲裝置，包括一個用于驅動光盤旋轉的伺服單元；一個使光束輻照光盤并以復制信號形式復制數據和刻錄數據的光發(fā)射器；一個用于控制光發(fā)射器發(fā)射光束功率的光束功率控制單元；一個用于根據光發(fā)射器產生的復制信號計算有關信號質量水平的預定參數的信號質量檢測單元；以及一個系統(tǒng)控制單元，用于在實際刻錄前、在預定的光盤試驗區(qū)、和采用多個小于實際刻錄所用線速度倍增因子可變范圍的試驗線速度倍增因子進行OPC試驗刻錄，然后根據試驗刻錄中有關復制信號水準的預定參數值得出每個試驗線速度倍增因子的適當刻錄光功率，根據所得到的每個線速度倍增因子的適當刻錄功率確定適當刻錄功率對于線速度倍增因子的特性曲線，再根據包含取決于刻錄光束徑向位置的線速度倍增因子的特性曲線計算出適當的刻錄功率，并將計算出的適當光束刻錄功率發(fā)送給實際刻錄中的光束功率控制單元。
31.如權利要求30所述光盤刻錄裝置，當光束徑向位置處于光盤內緣側置定范圍內時，所述系統(tǒng)控制單元可向光盤伺服裝置發(fā)出以恒定角速度控制驅動光盤的指令；當光束徑向位置處于所述置定位置范圍之外時，所述系統(tǒng)控制單元可發(fā)出采用所述恒定角速度終了線速度倍增因子以恒定線速度控制驅動光盤外緣側的指令。
32.如權利要求28所述光盤刻錄裝置，進一步包括一個用于由光盤相應結構中讀取時間信息的時間信息讀取單元，所述系統(tǒng)控制單元根據光盤在恒定角速度控制下的轉速和由光盤相應結構讀出的時間信息計算光盤的線速度，并在計算出的線速度達到預定值后對外緣側實施恒定線速度控制以刻錄數據。
33.一種光盤存儲裝置，包括一個用于驅動光盤旋轉的伺服單元；一個使光束輻照光盤并以復制信號形式復制數據和刻錄數據的光發(fā)射器；一個用于控制光發(fā)射器發(fā)射光束功率的光束功率控制單元；一個用于根據光發(fā)射器產生的復制信號計算有關信號質量水平的預定參數的信號質量檢測單元；以及一個系統(tǒng)控制單元，用于在實際刻錄前、在預定的光盤試驗區(qū)、和采用一個在實際刻錄所用線速度倍增因子可變范圍之內的第一光盤試驗線速度倍增因子和一個小于實際刻錄所用線速度倍增因子可變范圍的第二試驗線速度倍增因子進行OPC試驗刻錄，然后根據試驗刻錄中涉及復制信號質量水準的預定參數得出第一和第二試驗線速度倍增因子的適當光束刻錄功率，根據所得到的每個線速度倍增因子的適當刻錄功率確定適當刻錄功率對于線速度倍增因子的特性曲線，再根據包含取決于刻錄光束徑向位置的線速度倍增因子的特性曲線計算出適當的刻錄功率，并將計算出的適當光束刻錄功率發(fā)送給實際刻錄中的光束功率控制單元。
34.如權利要求33所述光盤刻錄裝置，當光束徑向位置處于光盤內緣側置定范圍內時，所述系統(tǒng)控制單元可向光盤伺服裝置發(fā)出以恒定角速度控制驅動光盤的指令；當光束徑向位置處于所述置定位置范圍之外時，所述系統(tǒng)控制單元可發(fā)出采用所述恒定角速度終了線速度倍增因子以恒定線速度控制驅動光盤外緣側的指令。
35.如權利要求28所述光盤刻錄裝置，進一步包括一個用于由光盤相應結構中讀取時間信息的時間信息讀取單元，所述系統(tǒng)控制單元根據光盤在恒定角速度控制下的轉速和由光盤相應結構讀出的時間信息計算光盤的線速度，并在計算出的線速度達到預定值后對外緣側實施恒定線速度控制以刻錄數據。
36.一種以與光盤徑向位置相應的可變線速度倍增因子實施數據刻錄的光盤刻錄裝置，包括一個用于驅動光盤旋轉的伺服單元；一個使光束輻照光盤、以復制信號的形式復制數據和刻錄數據的光發(fā)射器；一個用于控制光發(fā)射器發(fā)射光束功率的光束功率控制單元；一個用于根據光發(fā)射器產生的復制信號計算有關信號質量水平的預定參數的信號質量檢測單元；一個用于存儲作為線速度倍增因子X函數的光束刻錄功率Y＝AX+B特性曲線的存儲單元，式中系數A為取決于光盤類型的常數；以及一個系統(tǒng)控制單元，用于在實際刻錄前、在預定的光盤試驗區(qū)、和采用一個試驗線速度倍增因子在光盤上進行數據的OPC試驗刻錄，然后根據試驗刻錄中涉及復制信號質量水準的預定參數得出試驗線速度倍增因子的適當光束刻錄功率，利用試驗刻錄結果解方程Y＝AX+B以計算系數B，并將所計算的適當刻錄功率作為指令發(fā)送給實際刻錄中的光束功率控制單元。
37.如權利要求36所述光盤刻錄裝置，其中所述存儲單元存儲著與光盤類型有關的光束刻錄功率Y作為線速度倍增因子X函數的一些特性曲線；所述系統(tǒng)控制單元可識別光盤類型，由存儲在所述存儲單元中的各種光盤特性曲線中選取與所識別的光盤類型相應的特性曲線并據此發(fā)出有關光束刻錄功率Y的指令。
38.如權利要求36所述光盤刻錄裝置，當光束徑向位置處于光盤內緣側置定范圍內時，所述系統(tǒng)控制單元可向光盤伺服裝置發(fā)出以恒定角速度控制驅動光盤的指令；當光束徑向位置處于所述置定位置范圍之外時，所述系統(tǒng)控制單元可發(fā)出采用所述恒定角速度終了線速度倍增因子以恒定線速度控制驅動光盤外緣側的指令。
39.如權利要求38所述光盤刻錄裝置，進一步包括一個用于由光盤相應結構中讀取時間信息的時間信息讀取單元，所述系統(tǒng)控制單元根據光盤在恒定角速度控制下的轉速和由光盤相應結構讀出的時間信息計算光盤的線速度，并在計算出的線速度達到預定值后對外緣側實施恒定線速度控制以刻錄數據。
40.一種以與光盤徑向位置相應的可變線速度倍增因子實施數據刻錄的光盤刻錄裝置，包括一個用于驅動光盤旋轉的伺服單元；一個使光束輻照光盤并以復制信號的形式復制數據和刻錄數據的光發(fā)射器；一個用于控制光發(fā)射器發(fā)射光束功率的光束功率控制單元；一個用于根據光發(fā)射器產生的復制信號計算有關信號質量水平的預定參數的信號質量檢測單元；一個用于存儲作為線速度倍增因子X函數的光束刻錄功率Y＝AX+B特性曲線的存儲單元，式中系數A為取決于光盤類型的常數；以及一個系統(tǒng)控制單元，用于在實際刻錄前、在預定的光盤試驗區(qū)、和采用多個試驗線速度倍增因子在光盤上進行數據的OPC試驗刻錄，然后根據試驗刻錄中檢測出的涉及復制信號質量水準的預定參數得出每個試驗線速度倍增因子的適當光束刻錄功率，利用試驗刻錄結果解方程Y＝AX+B計算系數B使得到的刻錄功率的誤差平方和為最小，根據取決于光束徑向位置的線速度倍增因子和方程Y＝AX+B計算適當刻錄功率，并將所計算的適當刻錄功率作為指令發(fā)送給實際刻錄中的光束功率控制單元。
41.如權利要求40所述光盤刻錄裝置，其中所述存儲單元存儲著與光盤類型有關的光束刻錄功率Y作為線速度倍增因子X函數的一些特性曲線；所述系統(tǒng)控制單元可識別光盤類型，由存儲在所述存儲單元中的各種光盤特性曲線中選取與所識別的光盤類型相應的特性曲線并據此發(fā)出有關光束刻錄功率Y的指令。
42.如權利要求41所述光盤刻錄裝置，當光束徑向位置處于光盤內緣側置定范圍內時，所述系統(tǒng)控制單元可向光盤伺服裝置發(fā)出以恒定角速度控制驅動光盤的指令；當光束徑向位置處于所述置定位置范圍之外時，所述系統(tǒng)控制單元可發(fā)出采用所述恒定角速度終了線速度倍增因子以恒定線速度控制驅動光盤外緣側的指令。
43.如權利要求42所述光盤刻錄裝置，進一步包括一個用于由光盤相應結構中讀取時間信息的時間信息讀取單元，所述系統(tǒng)控制單元根據光盤在恒定角速度控制下的轉速和由光盤相應結構讀出的時間信息計算光盤的線速度，并在計算出的線速度達到預定值后對外緣側實施恒定線速度控制以刻錄數據。
44.一種以與光盤徑向位置相應的可變線速度倍增因子實施數據刻錄的光盤刻錄裝置，包括一個用于驅動光盤旋轉的伺服單元；一個使光束輻照光盤和以復制信號的形式復制數據和刻錄數據的光發(fā)射器；一個用于控制光發(fā)射器發(fā)射光束功率的光束功率控制單元；一個用于根據光發(fā)射器產生的復制信號計算有關信號質量水平的預定參數的信號質量檢測單元；一個用于存儲作為線速度倍增因子X函數的光束刻錄功率Y＝AX2+BX+C特性曲線的存儲單元，式中系數A和B為取決于光盤類型的常數；以及一個系統(tǒng)控制單元，用于在實際刻錄前、在預定的光盤試驗區(qū)、和采用一個試驗線速度倍增因子在光盤上進行數據的OPC試驗刻錄，然后根據試驗刻錄中檢測出的涉及復制信號質量水準的預定參數得出該試驗線速度倍增因子的適當光束刻錄功率，利用試驗刻錄結果解方程Y＝AX2+X+C以計算系數C，根據取決于光束徑向位置的線速度倍增因子和方程Y＝AX2+BX+C計算適當刻錄功率，并將所計算的適當刻錄功率作為指令發(fā)送給實際刻錄中的光束功率控制單元。
45.如權利要求44所述光盤刻錄裝置，其中所述存儲單元存儲著與光盤類型有關的光束刻錄功率Y作為線速度倍增因子X函數的一些特性曲線；所述系統(tǒng)控制單元可識別光盤類型，由存儲在所述存儲單元中的各種光盤特性曲線中選取與所識別的光盤類型相應的特性曲線并據此發(fā)出有關光束刻錄功率Y的指令。
46.如權利要求44所述光盤刻錄裝置，當光束徑向位置處于光盤內緣側置定范圍內時，所述系統(tǒng)控制單元可向光盤伺服裝置發(fā)出以恒定角速度控制驅動光盤的指令；當光束徑向位置處于所述置定位置范圍之外時，所述系統(tǒng)控制單元可發(fā)出采用所述恒定角速度終了線速度倍增因子以恒定線速度控制驅動光盤外緣側的指令。
47.如權利要求46所述光盤刻錄裝置，進一步包括一個用于由光盤相應結構中讀取時間信息的時間信息讀取單元，所述系統(tǒng)控制單元根據光盤在恒定角速度控制下的轉速和由光盤相應結構讀出的時間信息計算光盤的線速度，并在計算出的線速度達到預定值后對外緣側實施恒定線速度控制以刻錄數據。
48.一種以與光盤徑向位置相應的可變線速度倍增因子實施數據刻錄的光盤刻錄裝置，包括一個用于驅動光盤旋轉的伺服單元；一個使光束輻照光盤和以復制信號的形式復制數據和刻錄數據的光發(fā)射器；一個用于控制光發(fā)射器發(fā)射光束功率的光束功率控制單元；一個用于根據光發(fā)射器產生的復制信號計算有關信號質量水平的預定參數的信號質量檢測單元；一個用于存儲作為線速度倍增因子X函數的光束刻錄功率Y＝AX2+BX+C特性曲線的存儲單元，式中系數A和B為取決于光盤類型的常數；以及一個系統(tǒng)控制單元，用于在實際刻錄前、在預定的光盤試驗區(qū)、和采用多個試驗線速度倍增因子在光盤上進行數據的OPC試驗刻錄，然后根據試驗刻錄中檢測出的涉及復制信號質量水準的預定參數得出每個試驗線速度倍增因子的適當光束刻錄功率，利用試驗刻錄結果解方程Y＝AX2+X+C計算系數C并使得到的刻錄功率誤差的平方和為最小，根據取決于光束徑向位置的線速度倍增因子和方程Y＝AX2+BX+C計算適當刻錄功率，并將所計算的適當刻錄功率作為指令發(fā)送給實際刻錄中的光束功率控制單元。
49.如權利要求48所述光盤刻錄裝置，其中所述存儲單元存儲著與光盤類型有關的光束刻錄功率Y作為線速度倍增因子X函數的一些特性曲線；所述系統(tǒng)控制單元可識別光盤類型，由存儲在所述存儲單元中的各種光盤特性曲線中選取與所識別的光盤類型相應的特性曲線并據此發(fā)出有關光束刻錄功率Y的指令。
50.如權利要求48所述光盤刻錄裝置，當光束徑向位置處于光盤內緣側置定范圍內時，所述系統(tǒng)控制單元可向光盤伺服裝置發(fā)出以恒定角速度控制驅動光盤的指令；當光束徑向位置處于所述置定位置范圍之外時，所述系統(tǒng)控制單元可發(fā)出采用所述恒定角速度終了線速度倍增因子以恒定線速度控制驅動光盤外緣側的指令。
51.如權利要求50所述光盤刻錄裝置，進一步包括一個用于由光盤相應結構中讀取時間信息的時間信息讀取單元，所述系統(tǒng)控制單元根據光盤在恒定角速度控制下的轉速和由光盤相應結構讀出的時間信息計算光盤的線速度，并在計算出的線速度達到預定值后對外緣側實施恒定線速度控制以刻錄數據。
52.一種用于具有微處理器的光盤刻錄裝置中的機器可讀媒體制品，所述媒體制品包括可被所述微處理器執(zhí)行的和使所述光盤刻錄裝置實施某種刻錄方法的程序指令，所述刻錄方法可控制刻錄光束的輻照時間(N+K)T以形成一個與刻錄數據相應的凹斑長度，從而實現數據的刻錄，上式中T與單位凹斑長度相應的時間；N要形成的凹斑長度相對于單位凹斑長度的倍數(整數)；K校正量。所述刻錄方法包括以下步驟在改變光盤線速度倍增因子的同時進行數據刻錄；隨著線速度倍增因子的增加提高光束的刻錄功率；當線速度倍增因子小于預定的線速度倍增因子臨界值時，隨著線速度倍增因子的變化改變校正量K；在線速度倍增因子不小于預定的線速度倍增因子臨界值時，使校正量K固定不變。
53.一種用于具有微處理器的光盤刻錄裝置中的機器可讀媒體制品，所述媒體制品包括可被所述微處理器執(zhí)行的和使所述光盤刻錄裝置實施某種刻錄方法的程序指令，所述刻錄方法以與輻照光束在光盤上徑向位置相應的可變線速度倍增因子在光盤上進行數據刻錄，所述方法包括以下步驟在開始實際刻錄前，采用多個小于實際刻錄所用線速度倍增因子可能變化范圍的試驗線速度倍增因子進行OPC刻錄試驗，以得出每個試驗線速度倍增因子下的適當的輻照光束刻錄功率；根據所獲得的每個試驗線速度倍增因子的適當刻錄功率，為實際刻錄采用的線速度倍增因子確定作為輻照光束徑向位置函數的適當功率的特性曲線；以及根據所確定的同輻照光束徑向位置相應的實際線速度倍增因子下的適當功率特性曲線計算應采用的輻照光束的適當功率，然后進行實際刻錄。
54.一種用于具有微處理器的光盤刻錄裝置中的機器可讀媒體制品，所述媒體制品包括可被所述微處理器執(zhí)行以使所述光盤刻錄裝置實施某種刻錄方法的程序指令，所述刻錄方法以與輻照光束在光盤上徑向位置相應的可變線速度倍增因子在光盤上進行數據刻錄，所述方法包括以下步驟在開始實際刻錄前，采用一個在實際刻錄所用線速度倍增因子可變范圍之內的第一試驗線速度倍增因子和一個小于實際刻錄所用線速度倍增因子可能變化范圍的第二試驗線速度倍增因子進行OPC刻錄試驗，以得出第一和第二試驗線速度倍增因子下的適當的輻照光束刻錄功率；根據所獲得的第一和第二試驗線速度倍增因子的適當刻錄功率，為實際刻錄采用的線速度倍增因子確定作為輻照光束徑向位置函數的適當功率的特性曲線；以及根據所確定的同輻照光束徑向位置相應的實際線速度倍增因子下的適當功率特性曲線計算應采用的輻照光束的適當功率，然后進行實際刻錄。
55.一種用于具有微處理器的光盤刻錄裝置中的機器可讀媒體制品，所述媒體制品包括可被所述微處理器執(zhí)行的和使所述光盤刻錄裝置實施某種刻錄方法的程序指令，所述刻錄方法以與輻照光束在光盤上徑向位置相應的可變線速度倍增因子在光盤上進行數據刻錄，所述方法包括以下步驟以與線速度倍增因子X相應的輻照光束的可變刻錄功率Y＝AX+B進行實際刻錄，上式中系數A為一取決于光盤類型的常數；在開始實際刻錄前，采用一個試驗線速度倍增因子進行OPC刻錄試驗，以得出該試驗線速度倍增因子下的適當的輻照光束刻錄功率；利用試驗刻錄結果解方程Y＝AX+B以確定系數B的值，式中Y為適當刻錄功率，X為試驗線速度倍增因子，根據方程Y＝AX+B和所確定的系數A和B的值計算適當刻錄功率并據此進行實際刻錄。
56.一種用于具有微處理器的光盤刻錄裝置中的機器可讀媒體制品，所述媒體制品包括可被所述微處理器執(zhí)行的和使所述光盤刻錄裝置實施某種刻錄方法的程序指令，所述刻錄方法以與輻照光束在光盤上徑向位置相應的可變線速度倍增因子在光盤上進行數據刻錄，所述方法包括以下步驟以與線速度倍增因子X相應的輻照光束的可變刻錄功率Y＝AX+B進行實際刻錄，上式中系數A為一取決于光盤類型的常數；在開始實際刻錄前，采用多個試驗線速度倍增因子進行刻錄試驗，以得出每個試驗線速度倍增因子下的適當的輻照光束刻錄功率；利用試驗刻錄結果解方程Y＝AX+B并使得到的適當刻錄功率的誤差平方和為最小以確定系數B的值，根據方程Y＝AX+B和所確定的系數A和B的值計算適當刻錄功率并據此進行實際刻錄。
57.一種用于具有微處理器的光盤刻錄裝置中的機器可讀媒體制品，所述媒體制品包括可被所述微處理器執(zhí)行的和使所述光盤刻錄裝置實施某種刻錄方法的程序指令，所述刻錄方法以與輻照光束在光盤上徑向位置相應的可變線速度倍增因子在光盤上進行數據刻錄，所述方法包括以下步驟以與線速度倍增因子X相應的輻照光束的可變刻錄功率Y＝AX2+BX+C進行實際刻錄，上式中系數A和B為取決于光盤類型的常數；在開始實際刻錄前，采用一個試驗線速度倍增因子進行OPC刻錄試驗，以得出該試驗線速度倍增因子下的適當的輻照光束刻錄功率；利用試驗刻錄結果解方程Y＝AX2+BX+C以確定系數C的值，式中Y為得出的適當刻錄功率，X為試驗線速度倍增因子，根據方程Y＝AX2+BX+C和所確定的系數A、B和C的值計算適當刻錄功率并據此進行實際刻錄。
58.一種用于具有微處理器的光盤刻錄裝置中的機器可讀媒體制品，所述媒體制品包括可被所述微處理器執(zhí)行的和使所述光盤刻錄裝置實施某種刻錄方法的程序指令，所述刻錄方法以與輻照光束在光盤上徑向位置相應的可變線速度倍增因子在光盤上進行數據刻錄，所述方法包括以下步驟以與線速度倍增因子X相應的輻照光束的可變刻錄功率Y＝AX2+BX+C進行實際刻錄，上式中系數A和B為取決于光盤類型的常數；在開始實際刻錄前，采用多個試驗線速度倍增因子進行OPC刻錄試驗，以得出每個試驗線速度倍增因子下的適當的輻照光束刻錄功率；利用試驗刻錄結果解方程Y＝AX2+BX+C并使得出的刻錄功率誤差平方和為最小以確定系數C的值，式中Y為得出的適當刻錄功率，X為試驗線速度倍增因子，根據方程Y＝AX2+BX+C和所確定的系數A、B和C的值計算適當刻錄功率并據此進行實際刻錄。
全文摘要
一種光盤刻錄方法,所述方法按以下步驟實施:以與線速度倍增因子X相應的輻照光束的可變刻錄功率Y=AX+B進行實際刻錄,上式中系數A為一取決于光盤類型的常數;在開始實際刻錄前,采用試驗線速度倍增因子進行OPC刻錄試驗,以得出試驗線速度倍增因子下的適當的輻照光束刻錄功率;利用試驗刻錄結果解方程Y=AX+B以確定系數B的值,根據方程Y=AX+B和所確定的系數A和B的值計算適當刻錄功率并據此進行實際刻錄。
文檔編號G11B7/0045GK1335593SQ0111593
公開日2002年2月13日 申請日期2001年5月31日 優(yōu)先權日2000年5月31日
發(fā)明者中城幸久 申請人:雅馬哈株式會社