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      在信息層中包含酞菁染料作為吸光化合物的光數(shù)據(jù)載體的制作方法

      文檔序號(hào):6768034閱讀:325來源:國(guó)知局
      專利名稱:在信息層中包含酞菁染料作為吸光化合物的光數(shù)據(jù)載體的制作方法
      背景技術(shù)
      本發(fā)明涉及一次性可記錄光數(shù)據(jù)載體,該載體在信息層中包括至少一種酞菁染料作為吸收光的化合物。
      一次性可記錄光數(shù)據(jù)載體在使用特定的光吸收物質(zhì)或其混合物下特別適合于在高密度可記錄光數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中使用,該存儲(chǔ)器通過藍(lán)激光二極管,特別是GaN或SHG激光二極管(360至460納米)工作,和/或適合于在DVD-R和CD-R盤中使用,該盤通過紅(635納米至660納米)和紅外線(780至830納米)激光二極管工作,以及上述染料通過旋涂、蒸鍍或?yàn)R射涂覆在聚合物基底上,特別是聚碳酸酯上。
      近來,該一次性可記錄壓縮光盤(CD-R,780納米)的數(shù)量急劇增長(zhǎng),并且其是技術(shù)上成形的體系。
      不久前,在市場(chǎng)上出現(xiàn)了最新一代的光數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器-DVD。通過使用短波激光照射(635至660納米)和較高數(shù)值孔徑NA可以提高該存儲(chǔ)器的密度。在這種情況下,該一次性可記錄格式是DVD-R。
      現(xiàn)在,已經(jīng)開發(fā)出利用具有高激光功率的藍(lán)激光二極管(基礎(chǔ)GaN,JP-A-08 191 171或者Second HarmonicGeneration SHG JP-A-09050 629)(360至460納米)的光數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器格式。因此,在這一代中同樣也可以使用可記錄光數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器??色@得的存儲(chǔ)器密度取決于在信息平面中激光點(diǎn)的聚焦。這里,該點(diǎn)的大小通過激光波長(zhǎng)λ/NA來衡量。NA是所使用物鏡透鏡的數(shù)值孔徑。為了獲得盡可能高的存儲(chǔ)器密度,力求使用盡可能小的波長(zhǎng)λ?,F(xiàn)在,在半導(dǎo)體激光二極管的基礎(chǔ)上,390納米是可能的。
      在專利文獻(xiàn)中描述了基于染料的同樣適合于CD-R和DVD-R體系的可記錄光數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(JP-A11 043 481和JP-A10 181 206)。這里,對(duì)于高的反射性和高的讀取信號(hào)的調(diào)制高度以及在記錄事件時(shí)足夠的敏感性使用位于染料的吸收峰值的長(zhǎng)波緣的下部的CD-R的IR波長(zhǎng)780納米,位于染料的吸收峰值的短波緣的下部的DVD-R的紅色波長(zhǎng)635納米或650納米(參見EP-A519 395和WO-A00/09522)。在JP-A02 557 335、JP-A10 058 828、JP-A06 336 086、JP-A02865 955、WO-A09 917 284和US-A5 266 699中這種概念被延伸至在吸收峰值的短波緣上450納米的工作波長(zhǎng)和長(zhǎng)波緣上紅色和IR的范圍。
      除上述光性能外,由吸收光的有機(jī)基底形成的可記錄信息層具有盡可能無定形的形態(tài),以便在記錄或讀取時(shí)保持盡可能小的噪聲信號(hào)。對(duì)此特別優(yōu)選地是,在真空中,在隨后用金屬或介電層覆蓋時(shí),在通過旋涂涂覆由溶液形成的物質(zhì)、通過濺射或通過蒸鍍和/或升華涂覆物質(zhì)時(shí)防止吸收光物質(zhì)的結(jié)晶。
      由吸收光的物質(zhì)形成的無定形層優(yōu)選應(yīng)該具有高的熱穩(wěn)定性,因?yàn)榉駝t由有機(jī)或無機(jī)材料形成的其它層(通過濺射或蒸鍍涂覆在該吸收光的信息層上)通過擴(kuò)散形成模糊的界面,并因此對(duì)反射性產(chǎn)生不利的影響。此外,界面上的具有太低熱穩(wěn)定性的吸收光的物質(zhì)擴(kuò)散到其中的聚合物載體中并再次對(duì)反射性產(chǎn)生不利影響。
      在上述濺射或蒸鍍時(shí),在高真空中,具有過高蒸汽壓的吸收光的物質(zhì)可以升華成另外的層,并因此降低所需的涂層厚度。這再次導(dǎo)致對(duì)反射性的不利影響。
      因此本發(fā)明的任務(wù)是提供適合的化合物,其滿足在360至460納米的激光波長(zhǎng)范圍中,在特別是用于高密度可記錄光數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器格式的一次性可記錄光數(shù)據(jù)載體中的信息層中使用時(shí)的高要求(如光穩(wěn)定性、有利的信噪比、在基底材料上無害的涂層等)。
      令人驚奇地發(fā)現(xiàn),選自酞菁類的吸收光的化合物可以特別好地滿足上述各種要求。酞菁在對(duì)激光來說重要的波長(zhǎng)范圍360至460納米中(所謂的B-或Soret-波段)具有強(qiáng)的吸收性。
      因此,本發(fā)明涉及光數(shù)據(jù)載體,其包括優(yōu)選透明的、如果需要已經(jīng)被一層或多層反射層涂覆的基底,在其表面上涂有用光可記錄的信息層,如果需要一層或多層反射層和如果需要保護(hù)層或者另外的基底或者覆蓋層,其可以用藍(lán)光,優(yōu)選激光,特別優(yōu)選360至460納米的光,更優(yōu)選380至420納米的光,最優(yōu)選390至410納米的光記錄和讀取,其中所述的信息層包括吸收光的化合物和如果需要粘結(jié)劑,其特征在于,使用至少一種酞菁作為吸收光的化合物。
      在優(yōu)選的實(shí)施方案中,使用式(I)化合物作為酞菁MPc[R3]w[R4]x[R5]y[R6]z(I)
      其中Pc 表示酞菁,其中M 表示二個(gè)獨(dú)立的H-原子、代表二價(jià)金屬原子或代表式(Ia)的三價(jià)的單一(einfach)軸向取代的金屬原子 或者表示式(Ib)的四價(jià)的二次軸向取代的金屬原子 或者表示式(Ic)的三價(jià)單一軸向取代的和單一軸向配位的金屬原子 其中在帶電荷的配位體X2或X1的情況下,通過平衡離子例如陰離子An或陽(yáng)離子Kat補(bǔ)償電荷,基團(tuán)R3至R6相應(yīng)于酞菁環(huán)的取代基,其中X1和X2相互獨(dú)立地表示鹵素,如F、Cl、Br、I;羥基;氧;氰基;氰硫基;氰氧基;鏈烯基;炔基;芳基硫基;二烷基氨基;烷基;烷氧基;酰氧基;烷基硫基;芳基;芳氧基;-O-SO2R8;-O-PR10R11;-O-P(O)R12R13;-O-SiR14R15R16;NH2;烷基氨基和雜環(huán)胺的基團(tuán),R3、R4、R5和R6相互獨(dú)立地表示鹵素,如F、Cl、Br、I;氰基;硝基;烷基;芳基;烷基氨基;二烷基氨基;烷氧基;烷基硫基;芳基氧基;芳基硫基;SO3H、SO2NR1R2;CO2R9;CONR1R2;NH-COR7或式-(B)m-D的基團(tuán),其中
      B 表示選自直接鍵、CH2、CO、CH(烷基)、C(烷基)2、NH、S、O或-CH=CH-的橋單元(Brückenglied),其中(B)m表示橋單元B的化學(xué)上有意義的序列,m=1至10,優(yōu)選m=1、2、3或4,D 表示下式的還原氧化體系的單價(jià)基團(tuán), (還原)或 (氧化)或者表示金屬茂基團(tuán)或者金屬茂羰基,其中金屬中心是鈦、錳、鐵、釕或者鋨,Z1和Z2相互獨(dú)立地表示NR′R″、OR″或SR″,Y1表示NR′、O或S,Y2表示NR′,n 表示1至10,和R′和R″相互獨(dú)立地表示氫、烷基、環(huán)烷基、芳基或雜芳基,或者形成連接在 或 鏈的碳原子之一上的直接鍵或者橋,w、x、y和z 相互獨(dú)立地表示0至4,并且w+x+y+z≤16R1和R2相互獨(dú)立地表示氫、烷基、羥基烷基、芳基或R1和R2與它們連接的氮原子一起形成雜環(huán)的5-、6-或7-元環(huán),如果需要在其它雜原子的參與下,特別是選自O(shè)、N和S的雜原子,其中NR1R2特別地表示吡咯烷基、哌啶子基或嗎啉代,R7至R16相互獨(dú)立地表示烷基、芳基、雜芳基或氫,特別地表示烷基、芳基或雜芳基,An-表示陰離子,特別地表示鹵陰離子、C1-至C20-烷基COO-、甲酸根、草酸根、乳酸根、甘醇酸根、檸檬酸根、CH3OSO3-、NH2SO3-、CH3SO3-、1/2SO42-或1/3PO43-。
      在M表示式(Ic)基團(tuán),特別是具有Co(III)作為金屬原子的情況下,作為在X1和X2的意義中的雜環(huán)胺配位體或取代基優(yōu)選嗎啉、哌啶、哌嗪、吡啶、2,2-聯(lián)吡啶、4,4-聯(lián)吡啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪、咪唑、苯并咪唑、異噁唑、苯并異噁唑、噁唑、苯并噁唑、噻唑、苯并噻唑、喹啉、吡咯、吲哚、3,3-二甲基吲哚,它們?cè)诿糠N情況下在氮原子上被金屬原子配位或取代。
      烷基-、烷氧基-、芳基-和雜環(huán)基團(tuán)如果需要可以攜帶其它的基團(tuán),例如烷基、鹵素、羥基、羥基烷基、氨基、烷基氨基、二烷基氨基、硝基、氰基、CO-NH2、烷氧基、烷氧基羰基、嗎啉代、哌啶子基、吡咯烷基、吡咯烷酮基、三烷基甲硅烷基、三烷基甲硅烷氧基或苯基。烷基和烷氧基基團(tuán)可以是飽和的、不飽和的、直鏈或支鏈的,烷基可以部分或全鹵化,烷基和烷氧基基團(tuán)可以被乙氧基化或丙氧基化或甲硅烷基化。在芳基或雜環(huán)基上相鄰的烷基和/或烷氧基基團(tuán)可以一起構(gòu)成三元或四元橋。
      優(yōu)選(I)化合物,其中對(duì)于基團(tuán)R1至R16、R′、R″和對(duì)于配位體或取代基X1和X2下列內(nèi)容是合適的名稱為“烷基”的取代基優(yōu)選表示C1-C16-烷基,特別是C1-C6-烷基,其如果需要被鹵素,如氯、溴、氟,羥基,氰基和/或C1-C6-烷氧基取代。
      名稱為“烷氧基”的取代基優(yōu)選表示C1-C16-烷氧基,特別是C1-C6-烷氧基,其如果需要被鹵素,如氯、溴、氟,羥基,氰基和/或C1-C6-烷基取代。
      名稱為“環(huán)烷基”的取代基優(yōu)選表示C4-C8-環(huán)烷基,特別是C5-C6-環(huán)烷基,其如果需要被鹵素,如氯、溴或氟,羥基,氰基和/或C1-C6-烷基取代。
      名稱為“鏈烯基”的取代基優(yōu)選表示C6-C8-鏈烯基,其如果需要被鹵素,如氯、溴或氟,羥基,氰基和/或C1-C6-烷基取代,特別地鏈烯基表示烯丙基。
      含義為“雜芳基”的取代基優(yōu)選表示具有5-至7-元環(huán)的雜環(huán)基,其優(yōu)選包括選自氮、硫和/或氧的雜原子,并且如果需要與芳族環(huán)稠合或者如果需要攜帶其它的取代基,例如鹵素、羥基、氰基和/或烷基,其中特別優(yōu)選的是吡啶基、呋喃基、噻吩基、噁唑基、噻唑基、咪唑基、喹啉基、苯并噁唑基、苯并噻唑基和苯并咪唑基,名稱為“芳基”的取代基優(yōu)選表示C6-C10-芳基,特別是苯基和萘基,其如果需要被鹵素,如F、Cl,羥基,C1-C6-烷基,C1-C6-烷氧基,NO2和/或CN取代。
      R3、R4、R5和R6相互獨(dú)立地優(yōu)選表示氯、氟、溴、碘、氰基、甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、叔戊基、羥基乙基、3-二甲基氨基丙基、3-二乙基氨基丙基、苯基、對(duì)-叔丁基苯基、對(duì)-甲氧基苯基、異丙基苯基、三氟甲基苯基、萘基、甲基氨基、乙基氨基、丙基氨基、異丙基氨基、丁基氨基、異丁基氨基、叔丁基氨基、戊基氨基、叔戊基氨基、芐基氨基、甲基苯基己基氨基、羥基乙基氨基、氨基丙基氨基、氨基乙基氨基、3-二甲基氨基丙基氨基、3-二乙基氨基丙基氨基、二乙基氨基乙基氨基、二丁基氨基丙基氨基、嗎啉基丙基氨基、哌啶基(piperidino)丙基氨基、吡咯烷基丙基氨基、吡咯烷基丙基氨基、3-(甲基-羥基乙基氨基)丙基氨基、甲氧基乙基氨基、乙氧基乙基氨基、甲氧基丙基氨基、乙氧基丙基氨基、甲氧基乙氧基丙基氨基、3-(2-乙基己基氧基)丙基氨基、異丙基氧基丙基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二乙醇氨基、二丙基氨基、二異丙基氨基、二丁基氨基、二異丁基氨基、二-叔丁基氨基、二戊基氨基、二-叔戊基氨基、雙(2-乙基己基)氨基、雙(氨基丙基)氨基、雙(氨基乙基)氨基、雙(3-二甲基氨基丙基)氨基、雙(3-二乙基氨基丙基)氨基、雙(二乙基氨基乙基)氨基、雙(二丁基氨基丙基)氨基、二(嗎啉基丙基)氨基、二(哌啶基丙基)氨基、二(吡咯烷基丙基)氨基、二(吡咯烷酮基丙基)氨基、雙(3-(甲基-羥基乙基氨基)丙基)氨基、二甲氧基乙基氨基、二乙氧基乙基氨基、二甲氧基丙基氨基、二乙氧基丙基氨基、二(甲氧基乙氧基乙基)氨基、二(甲氧基乙氧基丙基)氨基、雙(3-(2-乙基己基氧基)丙基)氨基、二(異丙基氧基異丙基)氨基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、叔戊氧基、甲氧基乙氧基、乙氧基乙氧基、甲氧基丙基氧基、乙氧基丙基氧基、甲氧基乙氧基丙基氧基、3-(2-乙基-己基氧基)丙基氧基、甲基硫基、乙基硫基、丙基硫基、異丙基硫基、丁基硫基、異丁基硫基、叔丁基硫基、戊基硫基、叔戊基硫基、苯基、甲氧基苯基、三氟甲基苯基、萘基、CO2R7、CONR1R2、NHCOR7、SO3H、SO2NR1R2或者代表下式的基團(tuán) 或 其中(B)m表示或 這里星號(hào)(*)表示與5-環(huán)的鏈接。
      M1表示Mn或Fe陽(yáng)離子,w、x、y和z相互獨(dú)立地表示0至4和W+x+y+z≤12,NR1R2表示氨基、甲基氨基、乙基氨基、丙基氨基、異丙基氨基、丁基氨基、異丁基氨基、叔丁基氨基、戊基氨基、叔戊基氨基、芐基氨基、甲基苯基己基氨基、2-乙基-1-己基氨基、羥基乙基氨基、氨基丙基氨基、氨基乙基氨基、3-二甲基氨基丙基氨基、3-二乙基氨基丙基氨基、嗎啉基丙基氨基、哌啶基(Piperidino)丙基氨基、吡咯烷基丙基氨基、吡咯烷酮丙基氨基、3-(甲基羥基乙基氨基)丙基氨基、甲氧基乙基氨基、乙氧基乙基氨基、甲氧基丙基氨基、乙氧基丙基氨基、甲氧基乙氧基丙基氨基、3-(2-乙基己基氧基)丙基氨基、異丙基氧基異丙基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二異丙基氨基、二丁基氨基、二異丁基氨基、二-叔丁基氨基、二戊基氨基、二-叔戊基氨基、雙(2-乙基己基)氨基、二羥基乙基氨基、雙(氨基丙基)氨基、雙(氨基乙基)氨基、雙(3-二甲基氨基丙基)氨基、雙(3-二乙基氨基丙基)氨基、二(嗎啉基丙基)氨基、二(哌啶基(Piperidino)丙基)氨基、二(吡咯烷基丙基)氨基、二(吡咯烷酮基丙基)氨基、雙(3-(甲基-羥基乙基氨基)丙基)氨基、二甲氧基乙基氨基、二乙氧基乙基氨基、二甲氧基丙基氨基、二乙氧基丙基氨基、二(甲氧基乙氧基丙基)氨基、雙(3-(2-乙基己基氧基)丙基)氨基、二(異丙基氧基異丙基)氨基、苯胺基、對(duì)-甲苯氨基、對(duì)-叔丁基苯胺基、對(duì)-茴香氨基、異丙基苯胺基或萘基氨基,或者NR1R2表示吡咯烷基、哌啶基(Piperidino)、哌嗪基或嗎啉代,R7和R16相互獨(dú)立地表示氫、甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、叔戊基、苯基、對(duì)-叔丁基苯基、對(duì)-甲氧基苯基、異丙基苯基、對(duì)-三氟甲基苯基、氰基苯基、萘基、4-吡啶基、2-吡啶基、2-喹啉基、2-吡咯基或2-吲哚基,其中烷基、烷氧基、芳基和雜環(huán)基如果需要可以攜帶其它基團(tuán),例如烷基、鹵素、羥基、羥基烷基、氨基、烷基氨基、二烷基氨基、硝基、氰基、CO-NH2、烷氧基、烷氧基羰基、嗎啉代、哌啶基(Piperidino)、吡咯烷基、吡咯烷酮基、三烷基甲硅烷基、三烷基硅氧烷基或苯基,烷基和/或烷氧基可以是飽和的、不飽和的、直鏈或支鏈的,烷基可以是部分或全鹵化的,烷基和/或烷氧基可以被乙氧基化或丙氧基化或甲硅烷化,在芳基或雜環(huán)基上相鄰的烷基和/或烷氧基一起構(gòu)成三或四元橋。
      在本申請(qǐng)的范圍中,還原氧化聚合系特別地被理解為在Angew.Chem.1978,第927頁(yè)和在Topics of Current Chemistry,92卷,第1頁(yè)(1980)中描述的還原氧化聚合系。
      優(yōu)選是對(duì)-亞苯基二胺、吩噻嗪、二氫吩嗪、聯(lián)吡啶鎓鹽(Viologene)、喹啉并二甲烷(Chinodimethane)。
      在優(yōu)選的實(shí)施方案中,使用式(I)的酞菁,其中M 表示二個(gè)獨(dú)立的H原子或表示選自Cu、Ni、Zn、Pd、Pt、Fe、Mn、Mg、Co、Ru、Ti、Be、Ca、Ba、Cd、Hg、Pb或Sn的二價(jià)金屬原子Me,或者M(jìn) 表示式(Ia)的三價(jià)的單一(einfach)軸向取代的金屬原子,其中金屬M(fèi)e選自Al、Ga、Ti、In、Fe和Mn,或者M(jìn) 表示式(Ib)的四價(jià)的二次軸向取代的金屬原子,其中金屬M(fèi)e選自Si、Ge、Sn、Zr、Cr、Ti、Co和V。
      特別優(yōu)選地,X1和X2是鹵素,特別是氯;芳基氧基,特別是苯氧基;或者烷氧基,特別是甲氧基。
      R3至R6特別地表示鹵素、C1-C6-烷基或C1-C8-烷氧基。
      最優(yōu)選式I的酞菁,其中M表示式(Ia)和式(Ib)的基團(tuán),和w、x、y和z在每種情況下表示0,和X1和/或X2在每種情況下表示鹵素。
      本發(fā)明使用的酞菁可以按照已知的方法制備,例如-在相應(yīng)金屬、金屬鹵化物或金屬氧化物存在下,通過由相應(yīng)取代的鄰苯二甲腈(Phthalodinitrilen)的核合成(Kernsynthese),-通過酞菁的化學(xué)變化,例如通過酞菁的氯磺化或氯化和其它的反應(yīng),例如由此形成的產(chǎn)物的縮合或取代。
      -軸向取代基X1和X2通常由相應(yīng)鹵化物通過交換來制備。
      該吸收光的化合物優(yōu)選應(yīng)該是可熱變化的。熱變化優(yōu)選在<600℃下進(jìn)行。這種變化例如可以是吸收光的化合物的發(fā)色中心的分解或化學(xué)變化。
      該可記錄吸光物質(zhì)保證該光數(shù)據(jù)載體在未寫狀態(tài)下的足夠高的反射性以及足夠高的用于在采用聚焦的蘭光,特別是激光(優(yōu)選具有360至460納米的波長(zhǎng))逐點(diǎn)照射時(shí)信息層熱降解的吸收。在數(shù)據(jù)載體上寫和未寫位置之間的對(duì)比是通過在熱降解之后改變的信息層的光學(xué)性能導(dǎo)致的射入光的振幅和相的反射性的變化來實(shí)現(xiàn)的。
      也就是說,優(yōu)選該光數(shù)據(jù)載體可以通過波長(zhǎng)為360至460納米的激光來記錄和讀取。
      涂覆酞菁優(yōu)選通過旋涂、濺射或真空蒸鍍(Vakuumbedampfung)進(jìn)行。特別地在有機(jī)介質(zhì)或含水介質(zhì)中不溶解的酞菁,優(yōu)選其中w、x、y和z在每種情況下表示0和M表示 或 這里X1和X2具有上述含義的式(I)的酞菁可以通過真空蒸鍍或?yàn)R射。
      對(duì)于通過旋涂涂覆,特別地考慮在有機(jī)介質(zhì)或含水介質(zhì)中溶解的酞菁。該酞菁可以相互混合或者與另外的具有類似光譜性能的染料混合。該信息層除酞菁外還可以包括添加劑,例如粘結(jié)劑、潤(rùn)濕劑、穩(wěn)定劑、稀釋劑和敏化劑以及其它組分。
      該光數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器除信息層外還帶有其它層,例如金屬層、介電層以及保護(hù)層。金屬和介電層特別可用于調(diào)節(jié)反射性和熱平衡。金屬根據(jù)激光波長(zhǎng)可以是金、銀、鋁、合金等。介電層例如是二氧化硅和氮化硅。保護(hù)層例如是可光硬化的漆、粘結(jié)層和保護(hù)箔。
      另外,該光數(shù)據(jù)載體的結(jié)構(gòu)可以·包括優(yōu)選透明的基底,在其表面上涂覆至少一層用光可記錄的信息層、如果需要反射層和如果需要粘結(jié)層和另一優(yōu)選透明的基底。
      ·包括優(yōu)選透明的基底,在其表面上如果需要涂覆反射層、至少用光可記錄的信息層、如果需要粘結(jié)層和透明的覆蓋層。
      此外,本發(fā)明涉及用藍(lán)光,特別是激光,特別優(yōu)選是波長(zhǎng)為360至460納米的激光可記錄的本發(fā)明的光數(shù)據(jù)載體。
      下面的實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明的內(nèi)容。
      實(shí)施例實(shí)施例1 在高真空(壓力p≈2.10-5毫巴)下,將染料一氯-鋁-酞菁(AlClPc)從電阻加熱(resistiv geheizten)的鉬舟上以約5/s的速度蒸鍍?cè)陬A(yù)制有凹槽的聚碳酸酯基底上。該涂層的厚度是約70納米。該預(yù)制的有凹槽的聚碳酸酯基底是借助于注塑作為盤生產(chǎn)的。該盤的直徑是120毫米和其厚度是0.6毫米。在注塑工藝中壓制的凹槽結(jié)構(gòu)的道間距(Spurabstand)是約1微米,這里凹槽深度和凹槽半寬度是約150納米和約260納米。將100納米的Ag蒸汽沉積在以染料層作為信息載體的盤上。隨后,通過旋涂涂覆UV-固化丙烯酸漆(Acryllack),并借助于UV-燈固化。借助于在光層(由GaN-二極管激光(λ=405納米)組成)上形成的動(dòng)力記錄測(cè)試結(jié)構(gòu)以產(chǎn)生線性偏振化的激光,對(duì)偏振化敏感的束分離器(Strahlteiler)、λ/4-薄片(Plttchen)和可移動(dòng)的懸掛上的具有數(shù)值孔徑NA=0.65的聚光透鏡(Aktuatorlinse)。將從該盤反射的光借助于上述對(duì)偏振化敏感的束分離器從光徑輸出耦合,并且通過象散性的透鏡聚焦在四象限探測(cè)器上。在線性速度V=5.24m/s和記錄功率Pw=13mW時(shí),測(cè)量的信噪比C/N=25dB。這里記錄功率作為脈沖序列施加,其中該盤交替采用上述記錄功率Pw照射1μs長(zhǎng)和采用讀取功率Pr=0.44mW4μs長(zhǎng)。該盤一直采用這種脈沖序列照射直至其已經(jīng)圍繞自身旋轉(zhuǎn)一次。之后采用讀取功率Pr=0.44mW讀取出如此產(chǎn)生的標(biāo)記并測(cè)量上述信噪比C/N。
      實(shí)施例2 類似于實(shí)施例1,在具有相同厚度和凹槽結(jié)構(gòu)的盤上蒸鍍45納米厚的二氯-硅-酞菁染料層。采用相同的光結(jié)構(gòu)和相同的記錄策略(記錄功率Pw=13mW,讀取功率Pr=0.44mW)在V=4.19m/s的線性速度下測(cè)量信噪比C/N=46dB。
      類似于實(shí)施例1和2的做法,下面實(shí)施例同樣使用酞菁并顯示可比的性能。
      實(shí)施例3 類似于實(shí)施例1,在具有相同厚度和凹槽結(jié)構(gòu)的盤上各自蒸鍍70納米厚的苯氧基-鋁-酞菁染料層。如實(shí)施例1,采用相同的光結(jié)構(gòu)和相同的記錄策略(記錄功率Pw=13mW,讀取功率Pr=0.44mW)在V=5.24m/s的線性速度下測(cè)量信噪比C/N=22dB。
      實(shí)施例4 類似于實(shí)施例1,在具有相同厚度和凹槽結(jié)構(gòu)的盤上各自蒸鍍70納米厚的雙苯氧基-硅-酞菁染料層。如實(shí)施例1,采用相同的光結(jié)構(gòu)和相同的記錄策略(記錄功率Pw=13mW,讀取功率Pr=0.44mW)在V=5.24m/s的線性速度下測(cè)量信噪比C/N=23dB。
      實(shí)施例5
      權(quán)利要求
      1.一種光數(shù)據(jù)載體,其包括優(yōu)選透明的、如果需要已經(jīng)被一層或多層反射層涂覆的基底,在其表面上涂有用光可記錄的信息層,如果需要一層或多層反射層和如果需要保護(hù)層或者另外的基底或者覆蓋層,其可以用藍(lán)光,優(yōu)選激光記錄和讀取,其中所述的信息層包括吸收光的化合物和如果需要粘結(jié)劑,其特征在于,使用至少一種酞菁染料作為吸收光的化合物。
      2.權(quán)利要求1的光數(shù)據(jù)載體,其特征在于,所述酞菁染料相應(yīng)于式(I)MPc[R3]w[R4]x[R5]y[R6]z(I)其中Pc表示酞菁,M 表示二個(gè)獨(dú)立的H-原子、表示二價(jià)金屬原子或表示式(Ia)的三價(jià)的單一軸向取代的金屬原子 或者表示式(Ib)的四價(jià)的二次軸向取代的金屬原子 或者表示式(Ic)的三價(jià)的單一軸向取代的和單一軸向配位的金屬原子 其中在帶電荷的配位體或取代基X1或X2的情況下,通過平衡離子補(bǔ)償電荷,基團(tuán)R3至R6相應(yīng)于酞菁的取代基,X1和X2相互獨(dú)立地表示鹵素;羥基;氧;氰基;氰硫基;氰氧基;鏈烯基;炔基;芳基硫基;二烷基氨基;烷基;烷氧基;酰氧基;烷基硫基;芳基;芳氧基;-O-SO2R8;-O-PR10R11;-O-P(O)R12R13;-O-SiR14R15R16;NH2;烷基氨基和雜環(huán)胺的基團(tuán),R3、R4、R5和R6相互獨(dú)立地表示鹵素;氰基;硝基;烷基;芳基;烷基氨基;二烷基氨基;烷氧基;烷基硫基;芳基氧基;芳基硫基;SO3H、SO2NR1R2;CO2R9;CONR1R2;NH-COR7或式-(B)m-D的基團(tuán),其中B表示選自直接鍵、CH2、CO、CH(烷基)、C(烷基)2、NH、S、O或-CH=CH-的橋單元,其中(B)m表示橋單元B的化學(xué)上有意義的序列,m=1至10,優(yōu)選m=1、2、3或4,D表示下式的還原氧化體系的單價(jià)基團(tuán), (還原)或 (氧化)或者表示金屬茂基團(tuán)或者金屬茂羰基,其中金屬中心是鈦、錳、鐵、釕或鋨,Z1和Z2相互獨(dú)立地表示NR′R″、OR″或SR″,Y1表示NR′、O或S,Y2表示NR′,n表示1至10,和R′和R″ 相互獨(dú)立地表示氫、烷基、環(huán)烷基、芳基或雜芳基,或者形成連接在 或 鏈的碳原子之一上的直接鍵或者橋,w、x、y和z 相互獨(dú)立地表示0至4,并且w+x+y+z≤16R1和R2相互獨(dú)立地表示烷基、羥基烷基、芳基或R1和R2與它們連接的氮原子一起形成雜環(huán)的5-、6-或7-元環(huán),如果需要在其它雜原子的參與下,特別是選自O(shè)、N和S的雜原子,其中NR1R2特別地表示吡咯烷基、哌啶子基或嗎啉代,R7至R16相互獨(dú)立地表示烷基、芳基、雜芳基或氫。
      3.權(quán)利要求2的光數(shù)據(jù)載體,其特征在于,M表示二個(gè)獨(dú)立的H原子或表示選自Cu、Ni、Zn、Pd、Pt、Fe、Mn、Mg、Co、Ru、Ti、Be、Ca、Ba、Cd、Hg、Pb和Sn的二價(jià)金屬原子,或者表示式(Ia)的三價(jià)單一軸向取代的金屬原子,其中Me表示Al、Ga、Ti、In、Fe或Mn,或者表示式(Ib)的四價(jià)金屬原子,其中Me表示Si、Ge、Sn、Zn、Cr、Ti、Co或V。
      4.權(quán)利要求2的光數(shù)據(jù)載體,其特征在于,M表示式(Ia)或式(Ib)的基團(tuán),其中Me表示Al或Si,X1和X2表示鹵素,特別是氯;芳基氧基,特別是苯氧基或者烷氧基,特別是甲氧基,和w、x、y和z在每種情況下表示0。
      5.制備權(quán)利要求1的光數(shù)據(jù)載體的方法,其特征在于,使用酞菁顏料,如果需要與適合的粘結(jié)劑和添加劑和如果需要適合的溶劑一起涂覆優(yōu)選透明的、如果需要用反射層已經(jīng)涂覆的基底,并且如果需要提供有反射層、另外的中間層和如果需要保護(hù)層或另外的基底或覆蓋層。
      6.權(quán)利要求5的光數(shù)據(jù)載體的制備方法,其特征在于,借助于旋涂、濺射或蒸鍍以酞菁染料涂覆。
      7.具有記錄的信息層的光數(shù)據(jù)載體,其是這樣獲得的,即用藍(lán)光,優(yōu)選激光,特別是波長(zhǎng)為360至460納米的激光記錄權(quán)利要求1的光數(shù)據(jù)載體。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及一種光數(shù)據(jù)載體,其包括優(yōu)選透明的、如果需要已經(jīng)被一層或多層反射層涂覆的基底。在所述基底的表面上涂有用光可記錄的信息層,和如果需要一層或多層反射層和如果需要保護(hù)層或者另一基底或者覆蓋層。所述光學(xué)數(shù)據(jù)載體可以用藍(lán)光,優(yōu)選激光記錄和讀取。所述的信息層包括吸收光的化合物和如果需要粘結(jié)劑。本發(fā)明的光學(xué)數(shù)據(jù)載體的特征在于使用至少一種酞菁染料作為吸收光的化合物。
      文檔編號(hào)G11B7/249GK1462435SQ01816131
      公開日2003年12月17日 申請(qǐng)日期2001年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2000年9月21日
      發(fā)明者H·貝爾內(nèi)斯, K·-F·布魯?shù)聽? W·黑澤, K·哈森呂克, S·科斯特羅米尼, P·蘭登伯格, T·索默曼, J·-W·施塔維茨, R·哈根, R·奧澤爾 申請(qǐng)人:拜爾公司
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