專利名稱：半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，特別涉及到一種產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法，該初始化信號(hào)能夠在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置加電時(shí)防止內(nèi)部電路的不穩(wěn)定運(yùn)行。
背景技術(shù)：
加電是將外部電源施加到半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，用于運(yùn)行該裝置。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括初始化電路，以防止在加電期間內(nèi)部電路的不穩(wěn)定運(yùn)行。在此，內(nèi)部電路裝置的不穩(wěn)定運(yùn)行指的是，由于外部電源不完全穩(wěn)定，所以在加電運(yùn)行階段中難以確定電路中的數(shù)據(jù)是邏輯“高”還是邏輯“低”。通過利用初始化信號(hào)來鎖定內(nèi)部電路可以防止內(nèi)部電路的不穩(wěn)定運(yùn)行，該初始化信號(hào)暫時(shí)是邏輯“高”，但在加電期間下降到邏輯“低”。
圖1是初始化電路100的示意圖，它能在加電時(shí)防止半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置內(nèi)部電路的不穩(wěn)定運(yùn)行。參考圖1，初始化電路100包括P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體三極管MP1、電容CAP、電阻R1和反相器I11至I13。在初始化電路100的運(yùn)行過程中，當(dāng)來自外部電源的外部電源EVC被施加到電路100并且外部電源EVC的電平升高時(shí)，由于電平的增加，從初始化電路100輸出的初始化信號(hào)VCCHB就變大。如果外部電源EVC的電平超過預(yù)定電平，就調(diào)整初始化電路100的電壓，這樣，第一節(jié)點(diǎn)N11變成邏輯“高”電平。只要第一節(jié)點(diǎn)N11被識(shí)別為邏輯“高”，就通過反相器I11至I13產(chǎn)生邏輯“低”的初始化信號(hào)VCCHB。在此，初始化脈沖信號(hào)VCCHB在加電運(yùn)行期間被用來防止半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置內(nèi)部電路的不穩(wěn)定運(yùn)行。
圖2顯示了一個(gè)利用初始化信號(hào)來初始化半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置內(nèi)部電路的方法的例子。在圖2所示的電路運(yùn)行中，輸入信號(hào)IN在加電期間是無效的，因此，第一節(jié)點(diǎn)N21處于不穩(wěn)定狀態(tài)。此時(shí)，當(dāng)輸入邏輯“高”的初始化信號(hào)VCCHB時(shí)，就通過反相器I21將PMOS晶體三極管MP2打開，并且第一節(jié)點(diǎn)N21被鎖定到邏輯“高”電平且使其穩(wěn)定。因此，可以防止輸出信號(hào)OUT中的變化。當(dāng)初始化信號(hào)VCCHB被轉(zhuǎn)變?yōu)檫壿嫛暗汀彪娖綍r(shí)，PMOS晶體三極管MP2被斷開，并且第一節(jié)點(diǎn)N21保持鎖定到邏輯“高”電平。如上所述，初始化信號(hào)VCCHB在加電期間設(shè)置半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置內(nèi)部電路的每個(gè)節(jié)點(diǎn)達(dá)到預(yù)定的邏輯電平。
然而，初始化電路100具有這樣的問題，即它具有大的布置面積和在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置運(yùn)行時(shí)的能量消耗，即使在產(chǎn)生初始化信號(hào)VCCHB之后。而且，當(dāng)前趨勢(shì)是減小外部電源EVC的電壓(以節(jié)省電源并提高速度)，這樣，減小了初始化信號(hào)VCCHB的電平。這使得初始化信號(hào)VCCHB不能完成防止內(nèi)部電路的不穩(wěn)定運(yùn)行的功能。
與此相反，根據(jù)本發(fā)明的產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法可以減小初始化電路的布置面積和在加電期間的能量消耗。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法，該方法能夠減少初始化電路的布置面積和在加電期間的能量消耗。
所以，為了實(shí)現(xiàn)上述目的的一個(gè)方面，提供了一種產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法，該方法包括步驟(a)接收用于對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充電指令；(b)根據(jù)所接收的預(yù)充電指令激活初始化信號(hào)達(dá)到第一電平；(c)在收到預(yù)充電指令后，接收用于刷新半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的刷新指令；(d)在收到刷新指令后，接收用于設(shè)置半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的運(yùn)行模式的模式設(shè)置指令；以及(e)根據(jù)所接收的模式設(shè)置指令去激活初始化信號(hào)達(dá)到第二電平。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的另一個(gè)方面，提供了一種產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法，該方法包括步驟(a)接收用于對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充電指令；以及(b)根據(jù)所接收的預(yù)充電指令，產(chǎn)生自動(dòng)脈沖作為初始化信號(hào)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的另一方面，提供了一種產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法，該方法包括步驟(a)接收用于設(shè)置半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的運(yùn)行模式的模式設(shè)置指令；以及(b)根據(jù)所接收的模式設(shè)置指令，產(chǎn)生自動(dòng)脈沖作為初始化信號(hào)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的再另一方面，提供了一種產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法，該方法能夠防止安裝在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的內(nèi)部電路的初始不穩(wěn)定運(yùn)行，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括用于防止由于外部電源的施加而引起的內(nèi)部電路的初始不穩(wěn)定運(yùn)行的初始化電路。該方法包括步驟(a)初始化電路根據(jù)外部電源產(chǎn)生預(yù)初始化信號(hào)；(b)接收用于設(shè)置半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的運(yùn)行模式的模式設(shè)置指令；以及(c)根據(jù)預(yù)初始化信號(hào)和所接收的模式設(shè)置指令產(chǎn)生自動(dòng)脈沖。該方法還可以包括根據(jù)所產(chǎn)生的初始化信號(hào)關(guān)閉初始化電路的步驟(d)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的的再另一方面，根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例，提供了一種關(guān)閉用于產(chǎn)生初始化信號(hào)的初始化電路的方法，該方法能夠防止由于外部電源的施加而引起的安裝在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的內(nèi)部電路的初始不穩(wěn)定運(yùn)行。該方法包括步驟(a)初始化電路根據(jù)外部電源產(chǎn)生初始化信號(hào)；(b)接收用于對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充電指令；以及(c)根據(jù)預(yù)充電指令關(guān)閉初始化電路。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的的再另一方面，提供一種關(guān)閉用戶產(chǎn)生初始化信號(hào)的初始化電路的方法，該方法能夠防止由于外部電源的施加而引起的安裝在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的內(nèi)部電路的初始不穩(wěn)定運(yùn)行。該方法包括步驟(a)初始化電路根據(jù)外部電源產(chǎn)生初始化信號(hào)；(b)接收用于設(shè)置半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的運(yùn)行模式的模式設(shè)置指令；以及(c)根據(jù)模式設(shè)置指令關(guān)閉初始化電路。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的再另一方面，提供了一種產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法，該方法用于初始化半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的內(nèi)部電路，該方法包括步驟(a)接收用于初始化內(nèi)部電路的模式設(shè)置指令；以及(b)根據(jù)所接收的模式設(shè)置指令產(chǎn)生控制信號(hào)，并將其作為初始化信號(hào)使用。
模式設(shè)置指令是一種通過外部引腳施加到半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的信號(hào)。模式設(shè)置指令也是一種同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)中的模式寄存器設(shè)置(MRS)指令，并且是異步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)中的行地址選通(RAS)前之寫列地址選通(CAS)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的再另一方面，提供了一種產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法，該方法用于初始化半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的內(nèi)部電路，該方法包括步驟(a)接收用于對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充電指令；(b)在收到預(yù)充電指令之后，接收用于初始化內(nèi)部電路的模式設(shè)置指令；以及(c)根據(jù)所接收的模式設(shè)置指令產(chǎn)生控制信號(hào)，并將控制信號(hào)作為初始化信號(hào)使用。模式設(shè)置指令是一種通過外部引腳施加到半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的信號(hào)。模式設(shè)置指令也是一種同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)中的模式寄存器設(shè)置(MRS)指令，并且是異步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)中的行地址選通(RAS)前之寫列地址選通(CAS)。


參考附圖，通過對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述目的和優(yōu)點(diǎn)會(huì)變得更加明顯，其中圖1是初始化電路的電路圖，該電路在加電期間能夠防止半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的內(nèi)部電路的不穩(wěn)定運(yùn)行；圖2是使用初始化信號(hào)的初始化電路的電路圖；圖3是說明根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法的流程圖；圖4是說明根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法的流程圖；圖5是說明根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法的流程圖；圖6是說明根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法的流程圖；圖7是說明根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例關(guān)閉初始化電路的方法的流程圖；圖8是說明根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例關(guān)閉初始化電路的方法的流程圖；圖9是說明根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法的流程圖；圖10是說明根據(jù)本發(fā)明的第八實(shí)施例產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法的流程圖；圖11是解釋圖9中說明的方法的方框圖；以及圖12是圖11所示的初始化信號(hào)和控制信號(hào)的波形圖。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)附圖，通過對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述目的和優(yōu)點(diǎn)會(huì)變得更加明顯。附圖中相似的標(biāo)號(hào)表示相似的方法步驟。
當(dāng)施加外部電源EVC時(shí)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置順序接收用于對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充電指令、刷新指令和模式設(shè)置指令。當(dāng)外部電源EVC施加到半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置時(shí)就提供這些指令。當(dāng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置已經(jīng)接收到這些指令時(shí)，它就依據(jù)與運(yùn)行相關(guān)的指令來運(yùn)行。本發(fā)明的第一實(shí)施例涉及，通過這些初始化命令，初始化電路產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法，這些命令是在外部電源EVC施加到半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置時(shí)提供的。
參考圖3，在根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法300中，在外部電源施加到半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置(步驟310)之后，用于對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充電指令被發(fā)送到半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。只要確認(rèn)了預(yù)充電指令，就產(chǎn)生用于預(yù)充電的信號(hào)以完成預(yù)充電運(yùn)行。除預(yù)充電運(yùn)行之外，根據(jù)預(yù)充電指令，初始化信號(hào)也被激活達(dá)到第一電平(步驟320)。如果給半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置配置一個(gè)能產(chǎn)生一個(gè)標(biāo)志、即脈沖型信號(hào)的電路，就會(huì)激活初始化信號(hào)。在此，“第一電平”可以是邏輯“高”電平或邏輯“低”電平。
在接收到預(yù)充電指令之后，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置接收用于自我刷新的刷新指令(步驟330)。然后，根據(jù)刷新指令，刷新半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。接著，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置接收用于設(shè)置半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的運(yùn)行模式的模式設(shè)置指令(步驟340)。模式設(shè)置指令是一種同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)中的模式寄存器設(shè)置(MRS)指令，和在異步DRAM中的RAS前之寫CAS(WCBR)。接著，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可以接收其他的指令，并且，根據(jù)指令完成操作。
接下來，根據(jù)所接收的模式設(shè)置指令，去激活初始化信號(hào)到第二電平(步驟350)。在這里，如果第一電平是邏輯“高”，那么第二電平就是邏輯“低”，反之亦然，通過這種方式，初始化信號(hào)具有脈沖信號(hào)的特性。由脈沖信號(hào)充當(dāng)初始化信號(hào)。因此，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，無需利用初始化電路就可以防止內(nèi)部電路的不穩(wěn)定運(yùn)行，這樣，減小了初始化電路的布置面積和能量消耗。此外，通過根據(jù)上述指令產(chǎn)生的初始化信號(hào)，還可以使加電期間內(nèi)部電路的不穩(wěn)定運(yùn)行變得穩(wěn)定。
參考圖4，將描述根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法400。根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的方法不同于根據(jù)第一實(shí)施例的方法，在第二實(shí)施例中，根據(jù)預(yù)充電指令產(chǎn)生單脈沖信號(hào)。也就是說，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置接收預(yù)充電指令，以便利用外部電源對(duì)一個(gè)或多個(gè)區(qū)塊進(jìn)行預(yù)充電(步驟410)。接著，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置順序接收刷新指令和模式設(shè)置指令。然而，除這些指令之外，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置響應(yīng)所接收的預(yù)充電指令，并且，產(chǎn)生自動(dòng)脈沖以作為初始化信號(hào)(步驟420)。通過在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中安裝自動(dòng)脈沖發(fā)生器，可以產(chǎn)生自動(dòng)脈沖，自動(dòng)脈沖發(fā)生器根據(jù)預(yù)充電指令產(chǎn)生脈沖信號(hào)。通過自動(dòng)脈沖發(fā)生器產(chǎn)生的脈沖信號(hào)充當(dāng)由初始化電路產(chǎn)生的初始化信號(hào)。因此，根據(jù)第二實(shí)施例產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法帶來了同第一實(shí)施例一樣的效果。
參考圖5，說明了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法500。在根據(jù)模式設(shè)置指令產(chǎn)生脈沖這點(diǎn)上，本發(fā)明的第三實(shí)施例不同于第一和第二實(shí)施例。也就是說，在施加外部電源之后，由半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置接收用于設(shè)置半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置運(yùn)行模式的模式設(shè)置指令(步驟510)。然后，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置響應(yīng)所接收的模式設(shè)置指令，并且，產(chǎn)生自動(dòng)脈沖充當(dāng)初始化信號(hào)(步驟520)，如果在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置內(nèi)包含根據(jù)模式設(shè)置指令產(chǎn)生脈沖信號(hào)的自動(dòng)脈沖發(fā)生器的話，就可以實(shí)現(xiàn)步驟520。在此，象第一實(shí)施例那樣，模式設(shè)置指令是一種同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)中的模式寄存器設(shè)置(MRS)指令，也是在異步DRAM中的RAS前之寫CAS(WCBR)。通過自動(dòng)脈沖發(fā)生器產(chǎn)生的脈沖信號(hào)充當(dāng)由初始化電路產(chǎn)生的初始化信號(hào)。因此，第三實(shí)施例的效果與第一和第二實(shí)施例的效果相同。
在步驟510之前，根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的用于產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法500還可以包括接收用于對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充電指令的步驟，以及接收用于刷新半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的刷新指令的步驟。
參考圖6，說明了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法600。第四實(shí)施例不同于第一至第三實(shí)施例的方面在于，第四實(shí)施例還包括一個(gè)初始化電路，該電路用于防止安裝在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的內(nèi)部電路的初始不穩(wěn)定運(yùn)行。
按照方法600，初始化電路根據(jù)外部電源產(chǎn)生預(yù)初始化信號(hào)(步驟610)。預(yù)初始化信號(hào)和圖1所示的從初始化電路100輸出的信號(hào)VCCHB相同，它可以穩(wěn)定內(nèi)部電路。
接著，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置接收模式設(shè)置指令(步驟620)，并根據(jù)預(yù)初始化信號(hào)和接收到的模式設(shè)置指令產(chǎn)生自動(dòng)脈沖作為初始化信號(hào)(步驟630)。通過將自動(dòng)脈沖發(fā)生器包含在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中可以實(shí)現(xiàn)上述步驟，該自動(dòng)脈沖發(fā)生器根據(jù)預(yù)初始化信號(hào)和模式設(shè)置指令產(chǎn)生脈沖信號(hào)。隨著外部電源EVC的電平的降低，預(yù)初始化信號(hào)的電平也降低。因此，當(dāng)施加外部電源時(shí)，通過把根據(jù)預(yù)初始化信號(hào)和模式設(shè)置指令產(chǎn)生的脈沖信號(hào)作為初始化信號(hào)，而不是僅僅響應(yīng)預(yù)初始化信號(hào)，可以更可靠地初始化內(nèi)部電路。在此，象第一實(shí)施例那樣，模式設(shè)置指令是一種同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)中的模式寄存器設(shè)置(MRS)指令，也是異步DRAM中的RAS前之寫CAS(WCBR)。依照本發(fā)明第四實(shí)施例的方法還包括根據(jù)所產(chǎn)生的初始化信號(hào)來關(guān)閉初始化電路的步驟。因此，可以在加電之后減少由于恒定直流電流流過初始化電路引起的能量消耗。
在步驟610和620之間，依照本發(fā)明第四實(shí)施例的方法600還可以包括接收對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充電指令的步驟，以及在接收到預(yù)充電指令之后，接收用于刷新半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的刷新指令的步驟。
圖7是說明根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的用于關(guān)閉初始化電路的方法700的流程圖。在方法700中，初始化電路根據(jù)施加到半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的外部電源產(chǎn)生初始化信號(hào)(步驟710)。初始化信號(hào)等同于從圖1所示的初始化電路100輸出的信號(hào)VCCHB，并且初始化安裝在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的內(nèi)部電路。然后，由半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置接收用于對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充電指令(步驟720)。接著，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置順序接收刷新指令和模式設(shè)置指令。此時(shí)，除這些指令之外，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置還響應(yīng)所接收的預(yù)充電指令并關(guān)閉初始化電路(步驟730)。通過安裝一種能夠根據(jù)預(yù)充電指令來關(guān)閉初始化電路的電路就可以實(shí)現(xiàn)步驟730。因此，在加電之后，可以減少由于恒定直流電流入初始化電路引起的能量消耗。
參考圖8，在依照本發(fā)明第六實(shí)施例來關(guān)閉初始化電路的方法中，初始化電路響應(yīng)外部電源的施加而產(chǎn)生初始化信號(hào)(步驟810)。初始化信號(hào)(等同于從圖1所示的初始化電路100輸出的信號(hào)VCCHB)初始化安裝在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的內(nèi)部電路。接下來，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置接收模式設(shè)置指令(步驟820)，并且根據(jù)所接收的模式設(shè)置指令關(guān)閉初始化電路(步驟830)。通過安裝能夠根據(jù)模式設(shè)置指令關(guān)閉初始化電路的電路，就可以實(shí)現(xiàn)初始化電路的關(guān)閉。從而，在加電之后，就可以減少由于恒定直流電流流入初始化電路引起的能量消耗。在此，象第一實(shí)施例那樣，模式設(shè)置指令是一種同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)中的模式寄存器設(shè)置(MRS)指令，也是在異步DRAM中的RAS前之寫CAS(WCBR)。
在步驟810和820之間，依照本發(fā)明第六實(shí)施例關(guān)閉初始化電路的方法還可以包括接收對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充電指令的步驟，以及在接收到預(yù)充電指令之后，接收用于刷新半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的刷新指令的步驟。
圖9是說明根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法900流程圖。在方法900中，接收用于初始化半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的內(nèi)部電路的模式設(shè)置指令(步驟910)。接著，根據(jù)所接收的模式設(shè)置指令產(chǎn)生控制信號(hào)，并將其用作初始化信號(hào)(步驟920)。
在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的加電期間，依照第一至第六實(shí)施例的方法可以初始化內(nèi)部電路的不穩(wěn)定運(yùn)行。也就是說，常規(guī)初始化電路可以在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的加電期間初始化內(nèi)部電路，但是無法在已加電的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的運(yùn)行期間初始化內(nèi)部電路。另一方面，在依照第七實(shí)施例的方法900中，可以在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的運(yùn)行期間初始化內(nèi)部電路。
在方法900中，接收用于初始化半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的內(nèi)部電路的模式設(shè)置指令(步驟910)。模式設(shè)置指令是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)中的模式寄存器設(shè)置(MRS)指令，也是異步DRAM中的行地址選通(RAS)前之寫列地址選通(CAS)(WCBR)。
如果在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置運(yùn)行期間需要對(duì)其進(jìn)行初始化，就重新設(shè)置用于產(chǎn)生初始化信號(hào)的MRS指令。也就是說，重新設(shè)置現(xiàn)有MRS指令以產(chǎn)生初始化信號(hào)。
在步驟910之后，根據(jù)所接收的模式設(shè)置指令產(chǎn)生控制信號(hào)并且將其用作初始化信號(hào)(步驟920)。也就是說，重新設(shè)置的MRS指令產(chǎn)生控制信號(hào)。在此，控制信號(hào)是具有脈沖波形的信號(hào)。通常，通過初始化電路產(chǎn)生的初始化信號(hào)具有脈沖波形，從而，脈沖波形的控制信號(hào)也可以用作初始化信號(hào)。
此外，模式設(shè)置指令可以是一種通過外部引腳施加到半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的信號(hào)。也就是說，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片上另外附加引腳，該引腳可以在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置運(yùn)行期間施加對(duì)其進(jìn)行初始化的信號(hào)。為初始化半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，通過引腳將作為模式設(shè)置指令的信號(hào)施加到半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。在這種情況下，模式設(shè)置指令是脈沖波形的信號(hào)而不是MRS指令。
圖11是解釋圖9所示的方法900的方框圖，而圖12是圖11所示的初始化信號(hào)和控制信號(hào)的波形圖。參考圖11，初始化電路100具有同圖1所示的用于產(chǎn)生初始化信號(hào)VCCHB的現(xiàn)有初始化電路相同的結(jié)構(gòu)。當(dāng)初始化信號(hào)VCCHB處于高電平或低電平時(shí)，就可以設(shè)置內(nèi)部電路1020，以進(jìn)行初始化，其電平取決于初始化電路100的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。在此，為方便起見，根據(jù)高電平初始化信號(hào)VCCHB，來初始化所述的內(nèi)部電路1020的。
在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的加電期間，隨著外部電源的電平的提高，VCCHB的電平會(huì)隨著外部電源的電平而提高，而當(dāng)外部電源達(dá)到預(yù)定電平時(shí)，VCCHB的電平又降低到低電平[參見圖12(a)]，其中，初始化信號(hào)VCCHB是從初始化電路100輸出的信號(hào)。
在加電運(yùn)行期間，控制信號(hào)CTRLS處于低電平而初始化信號(hào)VCCHB處于高電平。因此，通過或(0R)裝置1010產(chǎn)生高電平初始化控制信號(hào)VCCHB_A，并且根據(jù)初始化控制信號(hào)VCCHB_A來初始化內(nèi)部電路1020。
初始化信號(hào)VCCHB的電平被轉(zhuǎn)換為低電平，初始化控制信號(hào)VCCH_A也處于低電平。如果初始化控制信號(hào)VCCHB_A處于低電平，就不會(huì)初始化內(nèi)部電路1020。
如果在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的運(yùn)行期間需要對(duì)其進(jìn)行初始化，就產(chǎn)生模式設(shè)置指令。如前面提到的那樣，模式設(shè)置指令可以是MRS指令或WCBR。根據(jù)模式設(shè)置指令，產(chǎn)生具有脈沖波形的控制信號(hào)CTRLS。
在控制信號(hào)CTRLS的上升沿，通過OR裝置1010將初始化控制信號(hào)VCCHB_A的電平轉(zhuǎn)換為高電平，并且初始化內(nèi)部電路1020，反之，在控制信號(hào)CTRLS的下降沿，將初始化控制信號(hào)VCCHB_A的電平轉(zhuǎn)換為低電平。
圖12(a)和(b)示出了控制信號(hào)CTRLS和初始化控制信號(hào)VCCHB_A的波形。
在圖11中，可以設(shè)置內(nèi)部電路1020的結(jié)構(gòu)，使得通過直接把控制信號(hào)CTRLS施加到內(nèi)部電路1020而對(duì)其進(jìn)行初始化，無需初始化電路100。在這種情況下，內(nèi)部電路1020還可以根據(jù)如上所述的模式設(shè)置指令或控制信號(hào)CTRLS來運(yùn)行，從而在此省略其詳細(xì)說明。
圖10是說明根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法950流程圖。在方法950中，接收用于對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充電指令(步驟960)。在步驟960之后，接收用于初始化半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的內(nèi)部電路的模式設(shè)置指令(步驟970)。接著，根據(jù)模式設(shè)置指令，產(chǎn)生控制信號(hào)，并將其作為初始化信號(hào)(步驟980)。
在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的運(yùn)行及其加電期間可以產(chǎn)生預(yù)充電指令。除了在給半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置加電期間之外，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置執(zhí)行寫入或讀出運(yùn)行時(shí)，就產(chǎn)生了預(yù)充電指令。
因此，依照第八實(shí)施例的方法950與依照第七實(shí)施例的方法900一樣，依據(jù)在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的運(yùn)行期間收到的預(yù)充電指令來產(chǎn)生初始化信號(hào)。除了利用預(yù)充電信號(hào)的產(chǎn)生來確定半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的狀態(tài)之外，方法950與方法900相同。因此，在此省略了對(duì)方法950的詳細(xì)說明。
如上所述，依照本發(fā)明產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法的優(yōu)點(diǎn)在于，減小了初始化電路的能量消耗和布置面積，以及初始化電路自身提供了更穩(wěn)定和可靠的初始化運(yùn)行。
雖然已參考優(yōu)選實(shí)施例詳細(xì)示出并描述了本發(fā)明，但本發(fā)明不局限于上述實(shí)施例。此外，應(yīng)該理解，在不脫離所附權(quán)利要求定義的本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍的情況下，本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員可以進(jìn)行形式上和細(xì)節(jié)上的變化。
權(quán)利要求
1.用于產(chǎn)生初始化信號(hào)以初始化半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的內(nèi)部電路的方法，該方法包括步驟(a)接收用于對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充電指令；(b)根據(jù)所接收的預(yù)充電指令激活初始化信號(hào)達(dá)到第一電平；(c)在收到預(yù)充電指令后接收用于刷新半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的刷新指令；(d)在收到刷新指令后接收用于設(shè)置半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的運(yùn)行模式的模式設(shè)置指令；以及(e)根據(jù)所接收的模式設(shè)置指令去激活初始化信號(hào)達(dá)到第二電平。
2.如權(quán)利要求1的方法，其中，模式設(shè)置指令是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)中的模式寄存器設(shè)置(MRS)指令。
3.如權(quán)利要求1的方法，其中，模式設(shè)置指令是異步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)中的行地址選通(RAS)前之寫列地址選通(MRS)指令(WCBR)。
4.用于產(chǎn)生初始化信號(hào)以初始化安裝在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的內(nèi)部電路的方法，該方法包括步驟(a)接收用于對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充電指令；以及(b)根據(jù)所接收的預(yù)充電指令產(chǎn)生自動(dòng)脈沖作為初始化信號(hào)。
5.用于產(chǎn)生初始化信號(hào)以初始化半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置內(nèi)部電路的方法，該方法包括步驟(a)接收用于設(shè)置半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的運(yùn)行模式的模式設(shè)置指令；以及(b)根據(jù)所接收的模式設(shè)置指令產(chǎn)生自動(dòng)脈沖作為初始化信號(hào)。
6.如權(quán)利要求5的方法，其中，模式設(shè)置指令是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)中的模式寄存器設(shè)置(MRS)指令。
7.如權(quán)利要求5的方法，其中，模式設(shè)置指令是異步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)中的行地址選通(RAS)前之寫列地址選通(MRS)指令(WCBR)。
8.如權(quán)利要求5的方法，其中，在步驟(a)之前，用于產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法還包括接收用于對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充電指令；以及在接收預(yù)充電指令后接收用于刷新半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的刷新指令；
9.用于產(chǎn)生初始化信號(hào)以初始化半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的內(nèi)部電路的方法，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括初始化電路，該方法包括步驟(a)產(chǎn)生預(yù)初始化信號(hào)的初始化電路；(b)接收用于設(shè)置半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的運(yùn)行模式的模式設(shè)置指令；以及(c)根據(jù)預(yù)初始化信號(hào)和模式設(shè)置指令產(chǎn)生自動(dòng)脈沖。
10.如權(quán)利要求9的方法，其中，模式設(shè)置指令是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)中的模式寄存器設(shè)置(MRS)指令。
11.如權(quán)利要求9的方法，其中，模式設(shè)置指令是異步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)中的行地址選通(RAS)前之寫列地址選通(MRS)指令(WCBR)。
12.如權(quán)利要求9的方法，還包括根據(jù)在步驟(c)之后所產(chǎn)生的初始化信號(hào)關(guān)閉初始化電路的步驟(d)。
13.如權(quán)利要求9的方法，在步驟(a)和步驟(b)之間還包括步驟接收用于對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充電指令；以及在接收預(yù)充電指令之后接收用于刷新半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的刷新指令；
14.如權(quán)利要求13的方法，還包括根據(jù)在步驟(c)之后所產(chǎn)生的初始化信號(hào)關(guān)閉初始化電路的步驟(d)。
15.關(guān)閉用于產(chǎn)生初始化信號(hào)以初始化半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的內(nèi)部電路的初始化電路的方法，該方法包括步驟(a)產(chǎn)生初始化信號(hào)的初始化電路；(b)接收用于對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充電指令；以及(c)根據(jù)預(yù)充電指令關(guān)閉初始化電路。
16.關(guān)閉用于產(chǎn)生初始化信號(hào)以初始化半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的內(nèi)部電路的初始化電路的方法，該方法包括步驟(a)產(chǎn)生初始化信號(hào)的初始化電路；(b)接收用于設(shè)置半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的運(yùn)行模式的模式設(shè)置指令；以及(c)根據(jù)模式設(shè)置指令關(guān)閉初始化電路。
17.如權(quán)利要求16的方法，其中，模式設(shè)置指令是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)中的模式寄存器設(shè)置(MRS)指令。
18.如權(quán)利要求16的方法，其中，模式設(shè)置指令是異步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)中的行地址選通(RAS)前之寫列地址選通(MRS)指令(WCBR)。
19.如權(quán)利要求16的方法，在步驟(a)和步驟(b)之間還包括步驟接收用于對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充電指令；以及在接收預(yù)充電指令后接收用于刷新半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的刷新指令；
20.產(chǎn)生用于初始化半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的內(nèi)部電路的初始化信號(hào)的方法，該方法包括步驟(a)接收用于初始化內(nèi)部電路的模式設(shè)置指令；以及(b)根據(jù)所接收的模式設(shè)置指令產(chǎn)生控制信號(hào)，并且，將其作為初始化信號(hào)。
21.如權(quán)利要求20的方法，其中，模式設(shè)置指令是通過外部引腳施加到半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的信號(hào)。
22.如權(quán)利要求20的方法，其中，模式設(shè)置指令是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)中的模式寄存器設(shè)置(MRS)指令。
23.如權(quán)利要求20的方法，其中，模式設(shè)置指令是異步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)中的行地址選通(RAS)前之寫列地址選通(MRS)指令(WCBR)。
24.產(chǎn)生用于初始化半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的內(nèi)部電路的初始化信號(hào)的方法，該方法包括步驟(a)接收用于對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充電指令；(b)在接收預(yù)充電指令之后，接收用于初始化內(nèi)部電路的模式設(shè)置指令；以及(c)根據(jù)所接收的模式設(shè)置指令產(chǎn)生控制信號(hào)，并將其作為初始化信號(hào)。
25.如權(quán)利要求24的方法，其中，模式設(shè)置指令是通過外部引腳施加到半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的信號(hào)。
26.如權(quán)利要求24的方法，其中，模式設(shè)置指令是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)中的模式寄存器設(shè)置(MRS)指令。
27.如權(quán)利要求24的方法，其中，模式設(shè)置指令是異步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)中的行地址選通(RAS)前之寫列地址選通(MRS)指令(WCBR)。
全文摘要
一種用于產(chǎn)生初始化信號(hào)的方法，該初始化信號(hào)能夠防止由于施加外部電源引起的安裝在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的內(nèi)部電路的初始不穩(wěn)定運(yùn)行。該方法包括步驟(a)接收用于對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充電指令；(b)根據(jù)所接收的預(yù)充電指令激活初始化信號(hào)達(dá)到第一電平；(c)在收到預(yù)充電指令后接收用于刷新半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的刷新指令；(d)在收到刷新指令后接收用于設(shè)置半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的運(yùn)行模式的模式設(shè)置指令；以及(e)根據(jù)所接收的模式設(shè)置指令去激活初始化信號(hào)達(dá)到第二電平。
文檔編號(hào)G11C11/407GK1400654SQ0213152
公開日2003年3月5日 申請(qǐng)日期2002年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月18日
發(fā)明者裵壹萬, 金載勛, 李在鎣 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社