專利名稱：磁復制用母載體的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種為把信息復制到磁記錄介質上的具備圖形狀凹凸的磁復制用母載體。
用于磁道定位的伺服信號或該磁道的地址信號，再生時鐘信號等的伺服信息在磁記錄介質的制造時作為預格式化事先記錄在磁記錄介質上是必要的，現(xiàn)在使用專用的伺服記錄裝置(伺服磁道讀取器)進行預格式化。因為目前的伺服記錄裝置所完成的預格式化必須每次一塊磁記錄介質，由磁頭記錄，所以問題是需要相當長的時間來生產(chǎn)，其效率較低。
另一方面，作為正確且有效地進行預格式化的方法，利用磁復制把形成在母載體上的承載伺服信息的圖形復制到磁記錄介質上的方法已被專利文獻1-3披露。
磁復制是在把承載應該復制的信息的母載體與磁盤介質等的磁記錄介質(從屬介質)密切接觸的狀態(tài)下，施加復制用磁場，把母載體所具有的與信息圖形對應的磁圖形磁性地復制到從屬介質上的方法。能夠不改變母載體和從屬介質的相對位置地靜靜地實施記錄，可進行正確的預格式化，而且，記錄所需的時間極短。
特別地，專利文獻2及3等揭示的磁復制中使用的母載體具備基板和該基板的至少凸部表面上的磁性層，該基板具有與應該復制到從屬介質上的信息對應的凹凸圖形。
作為形成這種圖形化基板的方法，公知的是使用半導體領域中常用的光刻技術在非磁性體構成平板狀基板表面上形成凹凸圖形。然而，已經(jīng)非常清楚的是使用具備由非磁性體構成的基板的母載體進行磁復制而記錄到從屬介質上的信號因為發(fā)生非對稱性，所以信號質量大幅度降低。
專利文獻1特開照63-183623號公報專利文獻2特開平10-40544號公報專利文獻3特開2001-14667號公報本申請的發(fā)明人對于現(xiàn)有母載體，發(fā)現(xiàn)因為是非磁性層的基板，只有形成在該基板上的磁性層起到復制磁場的收縮作用，因為磁通的收縮集中于磁性層上，對從屬介質側(從屬介質復制區(qū)域)產(chǎn)生的磁場產(chǎn)生干擾，導致對稱性變差(不對稱性增加)?；迳闲纬傻拇判詫拥暮穸缺〉綌?shù)十nm到數(shù)百nm，此外，圖形端(凸部上表面端部)呈急劇起伏形狀。為了利用該磁性層的厚度及形狀在圖形端上，復制磁場的能量實現(xiàn)穩(wěn)定，在該圖形端上產(chǎn)生磁通集中，而該磁通集中就是導致復制區(qū)內的磁場均勻性降低的原因。
為了改善從屬介質復制區(qū)域內的磁場干擾，采取了對基板自身使用磁性體，但必須對通過從屬介質的復制磁場進行整流。
然而，經(jīng)本發(fā)明人的研究，業(yè)已發(fā)現(xiàn)只用磁性體構成基板，未必可以對從屬介質復制區(qū)內的復制磁場進行整流。
本發(fā)明的磁復制用母載體具備由磁性材料構成的基板和在該基板上沿上述凹凸形成的磁性層，上述基板的表面具有與應該復制到平面內磁記錄介質的信息對應的圖形狀凹凸，其特征在于
上述基板的飽和磁化Ms和上述磁性層的飽和磁化Mm的關系如下1.0＜Mm/Ms≤100上述Ms和上述Mm最好是2.0≤Mm/Ms＜3.9。
這里，所謂[由磁性材料構成的基板]中的磁性材料是指在施加磁場后，具有使磁力線穿透基板內的性質的材料，也可以是單獨的元素構成，也可以是由多種元素構成，而且如果從整體上看是強磁性材料，則含有其它的磁性/非磁性元素的材料也可以。
上述磁性層的結晶結構希望是體心立方結構(bcc)，面心立方結構(fcc)，或者非晶形結構中的任何一種。
上述磁性層也可形成在上述基板的凹部上，上述基板的凸部的高度h1和上述凸部上的磁性層的表面的/距上述凹部上磁性層的表面的高度h2希望具有0.2≤h2/h1≤0.8的關系，更好的是0.3≤h2/h1≤0.6。這里，凸部的高度h1是從凹部表面起測定的高度。
上述Ms希望是5.65T(4500Gauss)以上。
上述基板的凸部的高度希望是40nm以上。
作為應該復制的信息，舉例來說如伺服信號。
本發(fā)明人認為如上所述那樣使用磁性體，需要對通過從屬介質的復制磁場進行整流。作為由磁性材料構成的基板，把基板的飽和磁化(Ms)和磁性層的飽和磁化(Mm)作為參數(shù)進行了實驗。實驗結果，在100≤Mm/Ms時，使用磁性材料的效果變小，不能充分防止磁通向磁性層圖形端的集中，Mm/Ms≤1，進入母載體內的磁通從母載體凸部放出不足，另一方面，設定1＜Mm/Ms＜100，能夠防止復制磁場向磁性層圖形端的集中，而且，能夠從母載體的凸部放出磁通，防止了復制磁場的不均勻性，發(fā)現(xiàn)能夠對從屬介質內的復制磁場進行整流。
根據(jù)本發(fā)明的磁復制用母載體，因為使用了由磁性材料構成的基板的飽和磁化Ms和該基板上形成的磁性層的飽和磁化Mm的比為1.0＜Mm/Ms≤100的關系的材料來形成，所以能夠整流從屬介質內的復制磁場，能夠在從屬介質上形成良好的磁化圖形。采用形成了良好磁化圖形的從屬介質，能夠得到高品質的再生信號。
本發(fā)明人把Mm/Ms的范圍設定在2.0≤Mm/Ms＜3.9，此外，發(fā)現(xiàn)能夠整流復制磁場，提高信號品質。
另外，作為由磁性體構成的基板，使得基板的飽和磁化和配置其上的磁性層的飽和磁化為上述關系所帶來的效果在具有最小圖形間距離(凸部間距離)低于300nm的凹凸圖形的母載體上特別顯著。
若對基板上形成的磁性層的結晶結構采用體心立方結構/面心立方結構或者非晶結構的任何一種，很顯然能提高復制信號的品質。在專利文獻2中，磁性層使用Co。該Co是通常在C軸方向具有磁化容易軸的六面最密實充填結構的材料。磁復制時，在從屬介質為面內磁記錄介質的情況下，必須沿圓周方向施加磁場，在從屬介質為垂直磁記錄介質的情況下，必須沿垂直方向施加磁場。在具有容易軸的磁性材料構成母載體的磁性層的情況下，若容易軸不能受控成為所希望的方向(施加磁場的方向)，則磁復制時的復制信號強度變弱，信號輸出降低，或者信號邊緣變鈍。這是因為復制磁場和容易軸不一致之故，導致磁化未能朝向復制磁場的方向的狀態(tài)。另一方面，因為具有bcc，fcc或者非晶結構的材料沒有磁化容易軸，所以與是hcp結構的材料，控制其容易軸沒有形成的情況相比，全部的磁化容易朝向復制時施加的磁場方向，所以能夠確保有效的復制磁場。因為容易軸的控制困難，所以使用無容易軸的材料能夠使制造過程簡化，并可提高生產(chǎn)效率。
也可以在基板的凹部上形成磁性層，基板的凸部的高度h1，凸部上的磁性層的表面的距凹部磁性層的表面的高度h2的比若為0.2≤h2/h1V0.8，則能夠進一步提高復制磁場的整流效果，這是本發(fā)明經(jīng)過研究后發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)象。即，若h2/h1不到0.2時，因從圖形端(凸部端部)放出的磁通所發(fā)生的復制磁場朝向膜面垂直方向的距離變短，所以復制時的母載體。從屬介質間距離增大時，磁通不能足夠地進入從屬介質內部，信號的復制品質將會下降。另外，h2/h1大于0.8時，因為復制磁場向母載體的凹部磁性層中泄漏，難以確保足夠的復制磁場強度。
對本發(fā)明的第1實施形式的磁復制用母載體進行說明。


圖1示出本實施形式的磁復制用母載體的表面的局部立體圖。
圖2是示出母載體的凸部的局部截面圖。
圖3是示出從屬介質2和母載體3、4的立體圖。
圖4是說明向磁記錄介質上進行磁復制的基本步驟的圖。
圖2示出圖1所示的包含母載體3的凸部31的A-A｀截面圖。即，是基板3a的凸部31的/沿垂直于基板3a平行于磁道方向X的平面的截面圖。
本實施形式的母載體3，選擇基板3a和磁性層3b的材料來構成的，使之所選的材料應滿足由磁性材料構成的基板3a的飽和磁化Ms和磁性層3b的飽和磁化Mm為1.0＜Mm/Ms≤100，更好是2.0≤Mm/Ms＜3.9的關系。另外，基板3a的飽和磁化Ms使用5.65T(4500高斯)以上的材料，具體地，基板3a可由Ni，Ni合金等材料構成，磁性層3b可由至少包含F(xiàn)e、Co、Ni、Gd、Dy、Sm、Nd中的至少一種元素，且具有面心立方結構的FeCo、FeCoNi、FeNi等的合金材料構成。從整體來看，只要是強磁性的，含有其它的磁性或非磁性元素的材料也可以。作為磁性層3b，雖然軟磁性，半硬磁性，硬質磁性的任何一個均可以，但使用軟磁性或半硬質磁性等的保磁力小的磁性層，能得到更好的復制效果。形成在基板上的磁性層3b希望具有體心立方結構(bcc)，面心立方結構(fcc)或者非晶形的結構。具有其中的bcc或fcc結構時，磁性層具有多個微粒無序地配置著的微粒結構，從每個微粒的膜面觀測到的尺寸是在100nm以下。
另外，形成在基板3a表面上的凹凸圖形的凸部高度h1達到40nm以上。此外，基板3a的距凹部表面的凸部高度h1和凸部上的磁性層的表面的/距凹部上的磁性層的表面的高度h2的比按照0.2≤h2/h1≤0.8關系形成。更好的是0.3≤h2/h1≤0.6。
母載體3具有基板3a和磁性層3b，基板3a由具有凹凸圖形且由磁性材料構成，磁性層3b配置在該基板3a上，基板3a和磁性層3b使用具有上述關系的材料構成，就可以向從屬介質2復制再生信號高質量的磁圖形。把基板3a的凸部高度h1定為40nm以上，并使該高度h1和凸部上的磁性層的表面/距凹部上的磁性層的表面的高度h2的關系為0.2≤h2/h1≤0.8的關系，則能夠提高凸部圖形端上的磁通吸收/放出效果，實現(xiàn)更高信號品質。若未滿40nm，則不能從凸部向空間(從屬介質側)放出足夠的磁通，就會擔心不能確保復制磁場強度。
母載體3的具有圖形狀凸部(凹凸圖形)的基板3a的形成，可以使用噴鍍法，光刻法等進行。
首先，在表面平滑的玻璃板(或石英板)上以旋涂(sipncoat)等形成光敏電阻，邊使該玻璃板旋轉邊照射對應于伺服信號調制的激光(或電子束)，使光敏電阻整個表面上規(guī)定的圖形，例如相當于在各磁道上從轉動中心向半徑方向線狀延伸的伺服信號的圖形暴光成圓周上對應各支架的部分，之后，顯像處理光敏電阻，除去暴光部分，得到由光敏電阻形成的凹凸形狀的原盤。接著，以原盤的表面凹凸圖形為基礎，對該表面施以電鍍處理，制作成具有陽性(負)凹凸圖形的Ni基板，再從原盤上剝離下來。這樣得到的該基板可以不經(jīng)任何處理就可作為母載體或者按需要覆蓋磁性層/保護膜后再作為母載體。
對上述原盤施以電鍍后制作第2原盤，使用該第2原盤再進行電鍍，也可制作出具有陰性凹凸圖形的基板。此外，對第2原盤進行電鍍或擠壓涂抹樹脂液并固化后制作得到第3原盤，對第3原盤實施電鍍，還可制作出具有陽性凹凸圖形的基板。
另一方面，在上述玻璃板上由光刻膠形成圖形后，進行腐蝕，在玻璃板上形成凹槽，除去光刻膠后得到原盤，以后與上述一樣形成基板。
作為形成基板的金屬材料，如前所述，可以使用Ni或Ni合金等，作為制作上述該基板的上述電鍍，可以適用的是無電解電鍍，電鍍，噴鍍，離子鍍等各種金屬成膜法。基板凸部高度(凹凸圖形的深度)是40nm以上，特別是，優(yōu)選50-800nm，更好的范圍是80-600nm。在該凹凸圖形是伺服信號的情況下，形成一個半徑方向比圓周方向要長的矩形凸部。具體地，半徑方向的長為0.05-20μm，圓周方向的長為0.05-5μm為好，在該范圍內，選擇半徑方向為長一些的形狀的值作為承載伺報信號的圖形更好。
在基板的凹凸圖形上形成磁性層3b的方法是使用真空蒸鍍法，噴鍍法，離子鍍法等真空成膜手段，電鍍法等形成磁性材料層。磁性層的厚度較好范圍是50-500nm，更好是80-300nm。如前所述，基板的凸部高度h1和凸部上磁性層的表面的距凹部上的磁性層的表面的高度h2的比h2/h1為，按照0.2≤h2/h1≤0.8的關系形成。
最好在該凸部表面的磁性層上設置5-30nm的似金剛石的碳(DLC)等的保護膜，而且，還可設潤滑劑。在磁性層和保護膜之間還可設計Si等的緊密強化層。通過設計潤滑劑，能夠提高在補正從屬介質的接觸過程中造成的誤差時的因磨擦造成的損傷發(fā)生等的耐久性。
接著，說明使用本發(fā)明的磁復制用母載體，在從屬介質上復制信息的磁復制方法的實施例。
圖3是示出從屬介質2和母載體3、4的立體圖。從屬介質是如在雙面或單面上形成了磁記錄層的硬盤，軟盤等的圓盤狀磁記錄介質。另外，在本實施形式中，示出了在圓盤狀基板2A的雙面上分別形成了面內磁記錄層2b/2c。
母載體3是上述實施形式所示的部件，形成了從屬介質2下側記錄層2用的凹凸圖形。母載體4是與母載體3同樣的層結構，形成了從屬介質2的上側記錄層2C用的凹凸圖形。
圖3中，雖然示出磁記錄介質2和母載體3、4彼此分離的狀態(tài)，但實際的磁復制是使磁記錄介質2的記錄再生面和母載體3、4的磁性層3b、4b緊密接觸，或者相互呈面對面靠近的狀態(tài)。
圖4是說明向磁記錄介質上進行磁復制的基本步驟的圖。圖4(a)沿磁道單一方向施加磁場后對從屬介質進行初始直流磁化的步驟，4(b)是使母載體和從屬介質緊密接觸，施加與初始直流磁場大體相反方向的磁場的步驟，4(c)是磁復制后的從屬介質的記錄再生面的狀態(tài)。在圖4中，只示出從屬介質2下面記錄層2b側。
如圖4(a)所示，預先對從屬介質2施加磁道方向的單一方向的初始直流磁場Hin，對磁記錄層2b進行初始直流磁化。之后，如圖4(b)所示，使該從屬介質2的記錄層2b側的表面和母載體3的凸部表面的磁性層3b側的表面緊密接觸，朝著從屬介質2的磁道方向施加與上述初始直流磁場Hin反方向的復制用磁場Hdu，進行磁復制。結果如圖4(c)所示，母載體3上的對應于凹凸圖形的信息(例如伺服信號)磁復制到從屬介質2的磁記錄層2b上。這里，雖然只說明了下側母載體3對從屬介質2的下側記錄層2b上進行的磁復制，但對于磁記錄介質2的上側記錄再生面2e，可以與上側母載體4緊密接觸同樣也可以進行磁復制。當然，可以在磁記錄介質2的上下記錄再生面2d/2c上同時進行磁復制，或者一面面依次進行也可以。
另外，即使母載體3的凹凸圖形是與圖4的陽性圖形相反的凹凸形狀的陰性圖形的情況，通過使初始磁場Hin的方向及復制用磁場Hdu的方向與上述方向相反，就可以把同樣的信息磁復制到記錄層上。初始直流磁場及復制用磁場，測定從屬介質的保磁力，母載體及從屬介質的比透磁率等后采用預定的值是必要的。
作為從屬介質2，可以使用硬盤，高密度軟盤等的圓盤狀磁記錄介質，作為該磁記錄層，可使用形成了涂抹型磁記錄層或金屬薄膜型磁記錄層的磁記錄層。
對于具備金屬薄膜型磁記錄層的磁記錄介質的情況，作為磁性材料，可使用Co，Co合金，(CoPtCr、CoCr、CoPtCrTa、CoPtCrNbTa、CoCrB、CoNi、Co/Pd等)，F(xiàn)e，F(xiàn)e合金(FeCo、FePt、FeCoNi)。作為磁性層，為了進行清晰的復制，最好磁通密度大，而且如果平面內記錄，只面內方向有磁性異方性，如果垂直記錄，則垂直方向有磁性異方性。較好的磁性層厚在10nm以上，500nm以下，更好的是20nm以上，200nm以下在磁性層下(基板側)最好為了使該磁性層持有必要的磁性異方性而設計非磁性的下層。作為下層，可使用Cr、CrTi、CoCr、CrTa、CrMo、NiAl、Ru、Pd等，結晶結構及晶格常數(shù)必須選擇與設置在其上的磁性層的結晶結構及晶格常數(shù)一致的。較好的非磁性層的厚度是10nm以上，150nm以下，更好的是20nm以上，80nm以下。
另外，在上述實施形式中，雖然說明了把平面內記錄介質作為從屬介質時的磁復制，但本發(fā)明的母載體不限于平面內記錄介質用的，對于把垂直磁記錄介質作為從屬介質時也具有同樣的效果。
實施例下面，使用本發(fā)明的磁復制用母載體的實施例和比較例進行磁復制，對復制信號的質量作出評價，并說明結果。評價方法如下信號品質評價方法使用電磁變換特性測定裝置(協(xié)同電子制SS-60)，對從屬介質的復制信號進行評價。對于磁頭，使用再生磁頭間隙0.12μm，再生磁道寬度0.4μm，記錄磁頭間隙0.2μm，記錄磁道寬度0.67μm的GMR磁頭。
第1，用光譜分析儀把讀取的信號按頻率分解，測定1次信號的峰值強度和外插的介質噪音(N)的差(C/N)。利用目前進行的方法中相同的磁頭進行信號記錄，再生該信號得到的C/N值為0dB，相對于該值，求出從通過磁復制記錄下的信號再生的信號的相對值(ΔC/N)，若ΔC/N比-1.5dB大則為良好(○)，若在-3.0∽-1.5dB為合格(△)，未滿-3.0時，為不合格(×)。
第2，根據(jù)正極性信號部輸出(TAA+)，負極性信號部輸出(TAA-)，以下式ASY＝{((TAA+)-(TAA-))/((TAA+)+(TAA-))}*100％算出不對稱值ASY，若ASY大于0％，不足5％，則為良好(○)，若高于5％，但不足10％，則合格(△)，若高于10％則評價為不合格(×)。
下面，對作為實施例及比較例使用的母載體說明。
作為實施例1的母載體的基板，使用由噴鍍制作法制作的基板。具體地，使用基板材料用Ni制作的，在圓盤中心到半徑方向20-40mm的范圍內，磁道寬度1.0μm，磁道節(jié)距1.1μm，在最內周的半徑方向20mm位置上，比特長為0.2μm的凹凸圖形信號由凸部高度(深度)0.2μm形成的基板。
在該Ni基板上于25℃下形成bcc結構的FeCo30at％的磁性層。噴鍍形成磁性層時的Ar噴鍍壓為1.44×10-1Pa(1.08m乇)，投入電力2.80W/cm2。
這樣，得到Mm/Ms＝3.8，h2/h1＝0.7的實施例1的母載體。
實施例2-8及比較例1-3，哪一個都是以與實施例一同樣的方法制作而成的，但用與實施例1不同的磁性材料來分別構成凸部上面形成的磁性層或基板，按照磁性層的結晶結構，基板的飽和磁化Ms和磁性層的飽和磁化Mm的比Mm/Ms不同，和/或通過改變磁性層的厚度使基板的凸部的高度h1和凸部上的磁性層的表面的距凹部上的磁性層的表面的高度h2的比h2/h1不同地制作。
實施例2的母載體是用Co形成有hcp結構的磁性層的母載體，Mm/Ms＝2.8，除此以外與實施例1相同。
實施例3的母載體是用CoNi50形成有fcc結構的磁性層的母載體，Mm/Ms＝2.0，除此以外與實施例1相同。
實施例4的母載體是用FeMn50形成有bcc結構的磁性層的母載體，Mm/Ms＝2.5，除此以外與實施例1相同。
實施例5的母載體是除了h2/h1＝0.1以外與實施例1相同。
實施例6的母載體是除了h2/h1＝0.9以外與實施例1相同。
實施例7的母載體是由(FeCo)2P合金構成基板的母載體，除了Mm/Ms＝92以外與實施例1相同。
實施例8的母載體是由FeB非晶形合金構成磁性層的母載體，除了Mm/Ms＝2.0以外與實施例1相同。
比較例1的母載體是用Ni形成有fcc結構的磁性層的母載體，Mm/Ms＝1.0除此以外與實施例1相同。
比較例2的母載體是用CoNi80形成有fcc結構的磁性層的母載體，Mm/Ms＝0.8，除此以外與實施例1相同。
比較例3的母載體是用NiP合金形成有fcc結構的基板的母載體，Mm/Ms＝113，除此以外與實施例1相同。
作為實施例1-8及比較例1-3的磁復制用母載體的從屬介質，使用飽和磁化Ms5.65T(4500Gauss)，保磁力Hc199kA/m(25000e)的3.5英寸型圓盤狀面內磁記錄介質。該面內磁記錄介質在真空成膜裝置(芝浦メカトロニクスS50S噴鍍裝置)中，于室溫下減壓到1.33×10-5Pa(1×10-4m乇)后，導入氬氣，在0.4Pa(3.0m乇)的條件下把玻璃板加熱到200℃，依次把30nm的CrTi，和30nm的CoCrPt重疊而制作成。
使用實施例及比較例的母載體，對上述從屬介質進行面內磁記錄介質用的磁復制，進行已描述的信號品質評價。結果示于表1中。

如表1所示，如實施例1-8所示，滿足1.0≤Mm/Ms≤100的無論是信號品質和不對稱都可得到合格以上的評價，另一方面，未滿足上述范圍的比較例1-2信號品質及不對稱評價都不合格。
實施例6及7只是不滿足0.2≤h2/h1≤0.8這一點不同于實施例1，實施例1中，都良好的信號品質及不對稱的任何一個成為可以的評價，滿足0.2≤h2/h1≤0.8的表示出可形成良好磁圖形的傾向。
另外，即使?jié)M足1.0≤Mm/Ms≤100和0.2≤h2/h1≤0.8，如實施例2所示，結晶結構是hcp的對于信號品質及不對稱都未得到良好的評價而僅得可以的評價，作為磁性層的結晶結構，bcc，fcc，或者非晶形都比hcp要好。
權利要求
1.一種磁復制用母載體，該載體具備由磁性材料構成的基板和在該基板上至少沿上述凸部形成的磁性層，上述基板的表面具有與應該復制到平面內磁記錄介質的信息對應的圖形狀凹凸，其特征在于上述基板的飽和磁化Ms和上述磁性層的飽和磁化Mm的關系為1.0＜Mm/Ms≤100。
2.根據(jù)權利要求1所述的磁復制用母載體，其特征在于上述Ms和上述Mm滿足2.0≤Mm/Ms＜3.9的關系。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的磁復制用母載體，其特征在于上述磁性層的結晶結構是體心立方結構(bcc)，面心立方結構(fcc)，或者非晶形結構中的任何一種。
4.根據(jù)權利要求1至3中任何一項所述的磁復制用母載體，其特征在于上述磁性層也可形成在上述基板的凹部上，上述基板的凸部的高度h1和上述凸部上的磁性層的表面的、距上述凹部上磁性層的表面的高度h2希望具有0.2≤h2/h1≤0.8的關系。
5.根據(jù)權利要求4所述的磁復制用母載體，其特征在于上述h1和h2是0.3≤h2/h1≤0.6在關系。
6.根據(jù)權利要求1至5中任何一項所述的磁復制用母載體，其特征在于上述Ms希望是5.65T(4500Gauss)以上。
7.根據(jù)權利要求1至6中任何一項所述的磁復制用母載體，其特征在于上述基板的凸部的高度是40nm以上。
8.根據(jù)權利要求1至5中任何一項所述的磁復制用母載體，其特征在于作為應該復制的信息是伺服信號。
全文摘要
本發(fā)明致力于對磁復制用母載體進行改進，力圖借助從母載體上經(jīng)磁復制而形成了磁圖形的磁記錄介質再生時得到良好的再生信號。本發(fā)明的磁復制用母載體3具備由磁性材料構成的基板3a和在該基板上至少沿上述凸部形成的磁性層3b，上述基板3a的表面具有與應該復制到平面內磁記錄介質2的信息對應的圖形狀凹凸，上述基板3a的飽和磁化Ms和上述磁性層的飽和磁化Mm的關系為1.0＜Mm/Ms≤100。
文檔編號G11B5/82GK1441406SQ0216110
公開日2003年9月10日 申請日期2002年12月16日 優(yōu)先權日2001年12月14日
發(fā)明者西川正一, 新妻一弘, 安永正, 宇佐利裕, 小松和則 申請人:富士膠片株式會社