專利名稱：圓盤設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于讀取磁盤或者光盤的圓盤設(shè)備(a diskapparatus)，并且涉及一種用于該圓盤設(shè)備中的防凝結(jié)元件。
例如，一個(gè)磁盤設(shè)備包括有諸如一張磁盤、一個(gè)磁盤驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、一個(gè)讀寫磁頭以及一個(gè)托架裝置這樣的構(gòu)成部件，它們?cè)谝粋€(gè)基體內(nèi)緊湊排布，和一個(gè)包覆在基體外側(cè)的蓋體。在具有這種特定構(gòu)造的磁盤設(shè)備中，磁頭能夠浮置在高速旋轉(zhuǎn)的磁盤上方，以便對(duì)信息進(jìn)行讀取和錄制。如果基體和蓋體均被氣密性地封閉起來(lái)，從而將前述構(gòu)成部件完全與外界大氣隔離，那么在高速旋轉(zhuǎn)的磁盤周圍會(huì)產(chǎn)生不希望發(fā)生的氣壓變化，導(dǎo)致磁頭無(wú)法順暢地浮置起來(lái)。因而，最好在基體上成形一些空氣通道，以便將足夠的外界空氣導(dǎo)入到基體內(nèi)，以使得磁頭浮置起來(lái)，其中，所述空氣通道被設(shè)計(jì)和構(gòu)造成比如不允許灰塵進(jìn)入到基體內(nèi)。但是，由于外界空氣被導(dǎo)入到基體內(nèi)，磁盤設(shè)備很可能會(huì)受到周圍環(huán)境的影響，從而導(dǎo)致磁盤設(shè)備內(nèi)部的濕度發(fā)生變化。如果磁盤設(shè)備內(nèi)的濕度升高，那么磁頭將趨于吸附到磁盤表面上，可能會(huì)導(dǎo)致磁頭難以穩(wěn)定地浮置在磁盤上。另一方面，如果磁盤設(shè)備內(nèi)的濕度降低，在磁盤設(shè)備內(nèi)會(huì)趨于產(chǎn)生靜電現(xiàn)象。需要指出的是，如果過(guò)量的靜電流過(guò)通常用于磁盤中的MR或GMR元件，那么會(huì)趨于發(fā)生靜電擊穿現(xiàn)象(an electrostatic rupture)。在前述各種情況下，會(huì)產(chǎn)生的一個(gè)問(wèn)題是，難以實(shí)現(xiàn)精確的磁學(xué)讀-寫操作。
在這種情況下，比如為了對(duì)基體內(nèi)部的濕度進(jìn)行控制以便防止發(fā)生凝結(jié)和靜電擊穿現(xiàn)象，磁盤設(shè)備通常被構(gòu)造成，在基體內(nèi)放置一個(gè)過(guò)濾器或者一個(gè)容納有吸濕介質(zhì)的附屬物(a patch)。
比如，在日本發(fā)明專利公告No.7-14378中提供了一種磁盤設(shè)備，該磁盤設(shè)備帶有一種所謂的“高吸濕性樹(shù)脂”，即一種隨著濕度增大吸濕特性增強(qiáng)的吸濕介質(zhì)，和一種所謂的“A型硅膠”，即一種隨著濕度增大吸濕特性減弱的吸濕介質(zhì)。在這種現(xiàn)有技術(shù)中，前述兩種吸濕介質(zhì)均被使用，以便由高吸濕性樹(shù)脂在較高濕度時(shí)發(fā)揮作用，來(lái)防止?jié)穸冗^(guò)高，而A型硅膠在較低濕度時(shí)釋放出水分，來(lái)防止?jié)穸冗^(guò)低。以這種方式，所述設(shè)備內(nèi)部的濕度變化在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)得到抑制。
但是，在前述現(xiàn)有技術(shù)中，所使用的吸濕介質(zhì)的吸濕特性非常高。在引入一種溫度-濕度循環(huán)測(cè)試的情況下，由吸濕介質(zhì)吸收的水分無(wú)法充分地得以釋放，導(dǎo)致吸濕介質(zhì)的吸濕能力隨著時(shí)間流逝逐步減弱。換句話說(shuō)，前述現(xiàn)有技術(shù)所產(chǎn)生的問(wèn)題在于，即使放置有吸濕介質(zhì)，但是如果溫度-濕度循環(huán)不斷反復(fù)，磁盤設(shè)備內(nèi)部的濕度也會(huì)升高。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，在這里提供了一種圓盤設(shè)備，包括一個(gè)基體；一個(gè)圓盤式媒介，一個(gè)用于支撐和旋轉(zhuǎn)圓盤式媒介的驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，一個(gè)磁頭(a head)，該磁頭帶有一個(gè)用于讀取錄制在圓盤式媒介上的信息的元件，一個(gè)以這樣一種方式承載所述磁頭的托架裝置，即能夠相對(duì)于圓盤式媒介進(jìn)行移動(dòng)，和一個(gè)防凝結(jié)元件，該防凝結(jié)元件被置于基體上；以及一個(gè)包覆在基體外側(cè)的蓋體；
其中，防凝結(jié)元件中包含有一種吸濕介質(zhì)，該吸濕介質(zhì)能夠根據(jù)濕度顯現(xiàn)出不同的水分吸收量，以吸濕介質(zhì)干燥時(shí)的重量為基礎(chǔ)，在其吸濕等溫線上，當(dāng)相對(duì)濕度為80％時(shí)的吸濕介質(zhì)與當(dāng)相對(duì)濕度為95％時(shí)的吸濕介質(zhì)之間的水分吸收量差值，在水分吸收階段不小于30％，而在水分釋放階段不小于20％。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，在這里提供了一種圓盤設(shè)備，包括一個(gè)基體；一個(gè)圓盤式媒介，一個(gè)用于支撐和旋轉(zhuǎn)圓盤式媒介的驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，一個(gè)磁頭，該磁頭帶有一個(gè)用于讀取錄制在圓盤式媒介上的信息的元件，一個(gè)以這樣一種方式承載所述磁頭的托架裝置，即能夠相對(duì)于圓盤式媒介進(jìn)行移動(dòng)，和一個(gè)防凝結(jié)元件，該防凝結(jié)元件被置于基體上；以及一個(gè)包覆在基體外側(cè)的蓋體；其中，防凝結(jié)元件中包含有一種吸濕介質(zhì)，該吸濕介質(zhì)至少包括有第一組分和第二組分，它們均能夠根據(jù)濕度顯現(xiàn)出不同的水分吸收量；以吸濕介質(zhì)中第一組分干燥時(shí)的重量為基礎(chǔ)，在其吸濕等溫線上，當(dāng)相對(duì)濕度為80％時(shí)吸濕介質(zhì)中的第一組分與當(dāng)相對(duì)濕度為95％時(shí)吸濕介質(zhì)中的第一組分之間的水分吸收量差值，在水分吸收階段不小于30％，而在水分釋放階段不小于20％；并且以吸濕介質(zhì)中第二組分干燥時(shí)的重量為基礎(chǔ)，在其吸濕等溫線上，當(dāng)相對(duì)濕度為40％時(shí)吸濕介質(zhì)中的第二組分與當(dāng)相對(duì)濕度為65％時(shí)吸濕介質(zhì)中的第二組分之間的水分吸收量差值，在水分吸收階段不小于20％，而當(dāng)相對(duì)濕度為20％時(shí)吸濕介質(zhì)中的第二組分與當(dāng)相對(duì)濕度為50％時(shí)吸濕介質(zhì)中的第二組分之間的水分吸收量差值，在水分釋放階段不小于20％。
本發(fā)明的其它實(shí)施例和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中予以陳述，并且將可以從這些描述中得以部分明白，或者可以在本發(fā)明的實(shí)踐過(guò)程中得到啟發(fā)。借助于下文中特別指出的手段和組合方式，可以實(shí)現(xiàn)并獲得本發(fā)明的所述實(shí)施例和優(yōu)點(diǎn)。
附

圖1是一個(gè)示意性斜視圖，示出了本發(fā)明一實(shí)施例中圓盤設(shè)備的一種構(gòu)造示例；附圖2是一個(gè)橫剖視圖，示出了一個(gè)用于所述實(shí)施例中的防凝結(jié)元件的構(gòu)造；附圖3是一個(gè)橫剖視圖，示出了一個(gè)用于所述實(shí)施例中的防凝結(jié)元件的另外一種構(gòu)造示例；附圖4是用于附圖3所示實(shí)施例中圓盤設(shè)備內(nèi)的防凝結(jié)元件的底部視圖；附圖5是沿著附圖4中所示線X-X’的橫剖視圖；附圖6是用于所述實(shí)施例中的防凝結(jié)元件的另外一種構(gòu)造示例；附圖7是一個(gè)圖表，示出了吸濕介質(zhì)A、B和C的吸濕等溫線；附圖8是一個(gè)圖表，示出了吸濕介質(zhì)D、E和F的吸濕等溫線；附圖9是一個(gè)圖表，示出了在第一種溫度與濕度循環(huán)測(cè)試中用于一個(gè)循環(huán)的溫度與濕度狀況；附圖10是一個(gè)圖表，示出了在第一種溫度與濕度循環(huán)測(cè)試中設(shè)備內(nèi)部的濕度；附圖11是一個(gè)圖表，其中繪制出了在示例1中進(jìn)行溫度與濕度循環(huán)測(cè)試過(guò)程中磁盤設(shè)備內(nèi)部的濕度最大值；附圖12是一個(gè)圖表，其中繪制出了在對(duì)比示例1中進(jìn)行溫度與濕度循環(huán)測(cè)試過(guò)程中磁盤設(shè)備內(nèi)部的濕度最大值；附圖13是一個(gè)圖表，其中繪制出了在示例3中進(jìn)行第一種溫度與濕度循環(huán)測(cè)試過(guò)程中磁盤設(shè)備內(nèi)部的濕度最大值；附圖14是一個(gè)圖表，示出了在示例3中進(jìn)行第二種溫度與濕度循環(huán)測(cè)試過(guò)程中的濕度與溫度狀況；附圖15是一個(gè)圖表，其中繪制出了在示例3和4中進(jìn)行溫度與濕度循環(huán)測(cè)試過(guò)程中磁盤設(shè)備內(nèi)部的相對(duì)濕度最小值。
此外，在本發(fā)明的圓盤設(shè)備中，至少在基體和蓋體中之一上成形有空氣通道，這些空氣通道被設(shè)計(jì)和構(gòu)造成比如不允許灰塵進(jìn)入到基體內(nèi)。
還有，所述磁頭最好是一個(gè)浮置式磁頭。
在根據(jù)本發(fā)明第一方面的圓盤設(shè)備中，包含在防凝結(jié)元件中的吸濕介質(zhì)根據(jù)放置有該吸濕介質(zhì)的環(huán)境濕度顯現(xiàn)出不同的水分吸收量，從而使得以吸濕介質(zhì)干燥時(shí)的重量為基礎(chǔ)，在其吸濕等溫線上，當(dāng)相對(duì)濕度為80％時(shí)的吸濕介質(zhì)與當(dāng)相對(duì)濕度為95％時(shí)的吸濕介質(zhì)之間的水分吸收量，在水分吸收階段至少為30％，而在水分釋放階段至少為20％。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，使用的是這樣一種吸濕介質(zhì)，以這種吸濕介質(zhì)干燥時(shí)的重量為基礎(chǔ)，在其吸溫等溫線上，當(dāng)相對(duì)濕度為80％時(shí)的吸濕介質(zhì)與當(dāng)相對(duì)濕度為95％時(shí)的吸濕介質(zhì)之間的水分吸收量差值，在水分吸收階段至少為30％，而在水分釋放階段至少為20％。通過(guò)使用這種特殊的吸濕介質(zhì)，能夠在相對(duì)濕度至少為80％的環(huán)境中充分地吸收水分，并且在濕度低于80％的環(huán)境中充分地釋放出水分。即使溫度-濕度循環(huán)不斷反復(fù)，吸濕介質(zhì)的吸濕能力也不會(huì)減弱，從而能夠利用少量吸濕介質(zhì)來(lái)防止設(shè)備內(nèi)部的濕度長(zhǎng)時(shí)間過(guò)高。進(jìn)而，能夠防止由于濕度變化造成的不便之處，比如在較高濕度下發(fā)生凝結(jié)現(xiàn)象，和在較低濕度下產(chǎn)生靜電現(xiàn)象。最終，能夠避免磁頭被靜電擊穿，并且保持磁頭的浮置狀態(tài)具有高的穩(wěn)定性，從而能夠獲得一種無(wú)故障、可靠性高并且壽命長(zhǎng)的圓盤設(shè)備。
如果以吸濕介質(zhì)干燥時(shí)的重量為基礎(chǔ)，當(dāng)相對(duì)濕度為80％時(shí)的吸濕介質(zhì)與當(dāng)相對(duì)濕度為95％時(shí)的吸濕介質(zhì)之間的水分吸收量差值，在水分吸收階段小于30％，那么當(dāng)環(huán)境濕度從較低濕度變化至不低于90％的較高濕度時(shí)，由吸濕介質(zhì)所吸收水分的量會(huì)趨于減少，從而產(chǎn)生凝結(jié)現(xiàn)象。另一方面，如果前述水分吸收量的差值在水分釋放階段小于20％，那么當(dāng)環(huán)境溫度降低時(shí)從吸濕介質(zhì)中釋放出來(lái)的水分的量會(huì)趨于減少，導(dǎo)致吸濕介質(zhì)的吸濕能力趨于無(wú)法恢復(fù)。
更為希望的是，當(dāng)相對(duì)濕度為80％時(shí)的吸濕介質(zhì)與當(dāng)相對(duì)濕度為95％時(shí)的吸濕介質(zhì)之間的水分吸收量差值，在水分吸收階段至少為50％，而在水分釋放階段至少為30％。在這種情況下，可以通過(guò)使用少量的吸濕介質(zhì)來(lái)獲得較高的吸濕效果，從而有效地防止由于濕度變化造成的不便之處。進(jìn)而，能夠獲得一種可靠性高并且壽命長(zhǎng)的圓盤設(shè)備。
順便說(shuō)說(shuō)，吸濕等溫線是用于指代吸濕介質(zhì)特性的一種指標(biāo)，吸濕等溫線代表了一種用于指代相對(duì)濕度與預(yù)定溫度下水分吸收量之間關(guān)系的圖表。
根據(jù)本發(fā)明第二方面的圓盤設(shè)備包括有與前述根據(jù)本發(fā)明第一方面的圓盤設(shè)備相同的基本構(gòu)造。此外，用于根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的圓盤設(shè)備中的吸濕介質(zhì)，包括有第一組分和第二組分，它們均能夠根據(jù)濕度顯現(xiàn)出不同的水分吸收量。
以吸濕介質(zhì)中第一組分干燥時(shí)的重量為基礎(chǔ)，在其吸濕等溫線上，當(dāng)相對(duì)濕度為80％時(shí)吸濕介質(zhì)中的第一組分與當(dāng)相對(duì)濕度為95％時(shí)吸濕介質(zhì)中的第一組分之間的水分吸收量差值，在水分吸收階段不小于30％，而在水分釋放階段不小于20％。
另一方面，以吸濕介質(zhì)中第二組分干燥時(shí)的重量為基礎(chǔ)，在其吸濕等溫線上，當(dāng)相對(duì)濕度為40％時(shí)吸濕介質(zhì)中的第二組分與當(dāng)相對(duì)濕度為65％時(shí)吸濕介質(zhì)中的第二組分之間的水分吸收量差值，在水分吸收階段不小于20％，而當(dāng)相對(duì)濕度為20％時(shí)吸濕介質(zhì)中的第二組分與當(dāng)相對(duì)濕度為50％時(shí)吸濕介質(zhì)中的第二組分之間的水分吸收量差值，在水分釋放階段不小于20％。
在根據(jù)本發(fā)明第二方面的技術(shù)方案中，吸濕介質(zhì)中的第一組分和第二組分一同使用，以便使得能夠在相對(duì)濕度為80％或更高的較高濕度環(huán)境中充分地吸收水分，并且在相對(duì)濕度不超過(guò)65％的較低濕度環(huán)境中充分地釋放出水分。從而，不僅能夠有效地防止設(shè)備內(nèi)部的濕度升高，而且能夠有效地防止?jié)穸冉档?。進(jìn)而，能夠防止在較高濕度環(huán)境下發(fā)生凝結(jié)，和在較低濕度環(huán)境中產(chǎn)生靜電，以便能夠獲得一種無(wú)故障、可靠性高的圓盤設(shè)備，同時(shí)能夠避免磁頭被靜電擊穿和保持磁頭具有穩(wěn)定的浮置狀態(tài)。
如果當(dāng)相對(duì)濕度為80％時(shí)吸濕介質(zhì)中的第一組分與當(dāng)相對(duì)濕度為95％時(shí)吸濕介質(zhì)中的第一組分之間的水分吸收量差值在水分吸收階段小于30％，那么當(dāng)環(huán)境濕度從較低濕度狀態(tài)變化至相對(duì)濕度為90％或更高的較高濕度狀態(tài)時(shí)，由吸濕介質(zhì)所吸收水分的量會(huì)很少，從而會(huì)趨于發(fā)生凝結(jié)現(xiàn)象。如果前述差值在水分釋放階段小于20％，那么當(dāng)環(huán)境溫度降低時(shí)從吸濕介質(zhì)中釋放出來(lái)的水分的量會(huì)減少，導(dǎo)致吸濕介質(zhì)的吸濕能力趨于無(wú)法恢復(fù)。
如果相對(duì)于吸濕介質(zhì)干燥時(shí)的重量來(lái)說(shuō)，當(dāng)相對(duì)濕度為40％時(shí)吸濕介質(zhì)中的第二組分與當(dāng)相對(duì)濕度為65％時(shí)吸濕介質(zhì)中的第二組分之間的水分吸收量差值在水分吸收階段小于20％，那么當(dāng)濕度下降時(shí)難以充分地保持水分從吸濕介質(zhì)中釋放出來(lái)。另一方面，如果相對(duì)于吸濕介質(zhì)干燥時(shí)的重量來(lái)說(shuō)，當(dāng)相對(duì)濕度為20％時(shí)吸濕介質(zhì)中的第二組分與當(dāng)相對(duì)濕度為50％時(shí)吸濕介質(zhì)中的第二組分之間的水分吸收量差值在水分釋放階段小于20％，那么吸濕介質(zhì)趨于難以充分地釋放出水分。
所希望的是，吸濕介質(zhì)中第一組分與第二組分之間的重量比落入3∶1至1∶3的范圍之內(nèi)。如果重量比無(wú)法落入前述范圍內(nèi)，那么吸濕介質(zhì)中以不足的量混合起來(lái)的組分將趨于難以充分發(fā)揮作用。
下面將參照附圖更為詳細(xì)地對(duì)本發(fā)明進(jìn)行描述。
附圖1是一個(gè)示意性斜視圖，示出了本發(fā)明中圓盤設(shè)備的一種構(gòu)造示例。在附圖中示出的磁盤讀-寫設(shè)備中，各種構(gòu)成部件被容納在一個(gè)基體129中。
具體來(lái)說(shuō)，一個(gè)具有剛性構(gòu)造用于記錄信息的磁盤121被安置在一根心軸122上，并且由一個(gè)心軸馬達(dá)(未示出)以預(yù)定轉(zhuǎn)速進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。一個(gè)滑動(dòng)觸頭123被安置在一個(gè)懸架124的尖端上，其中，滑動(dòng)觸頭123能夠?qū)Υ疟P121進(jìn)行訪問(wèn)來(lái)讀寫信息，懸架124由一個(gè)薄板狀片簧制成。懸架124被連接在一根支臂125的一個(gè)端部上，所述支臂125比如具有一個(gè)繞線管部分，用于固定一個(gè)驅(qū)動(dòng)線圈(未示出)。
一個(gè)音圈馬達(dá)被安置在支臂125的另一端部上，所述音圈馬達(dá)是一種直線型馬達(dá)。音圈馬達(dá)包括有一個(gè)驅(qū)動(dòng)線圈(未示出)，該驅(qū)動(dòng)線圈纏繞在支臂125上的繞線圈部分周圍，和一個(gè)磁路，該磁路由一個(gè)永久磁體和一個(gè)對(duì)抗軛狀物(a counter yoke)，該對(duì)抗軛狀物被設(shè)置成具有位于其間的驅(qū)動(dòng)線圈。
支臂125由球軸承(未示出)固定起來(lái)，這些球軸承被設(shè)置在一個(gè)固定軸127的上部和下部?jī)?nèi)，并且纏繞有音圈馬達(dá)126。換句話說(shuō)，滑動(dòng)觸頭123在磁盤121上的位置由音圈馬達(dá)126進(jìn)行控制。
一個(gè)防凝結(jié)元件130被設(shè)置在基體129內(nèi)壁的一部分中，以便使得該防凝結(jié)元件130被定位成遠(yuǎn)離磁盤121，其中，防凝結(jié)元件130中包括有一種吸濕介質(zhì)和一個(gè)容納有該吸濕介質(zhì)的元件。
對(duì)于防凝結(jié)元件130來(lái)說(shuō)，可以被設(shè)置在由蓋體128和基體129分隔出來(lái)的空間內(nèi)的任何區(qū)域。比如，可以將防凝結(jié)元件130設(shè)置在蓋體128的后表面上，或者設(shè)置在基體129的內(nèi)壁中。最好，防凝結(jié)元件130的位置以這樣一種方式選定，即能夠避免干擾磁學(xué)讀-寫操作。
附圖2是一個(gè)橫剖視圖，示出了防凝結(jié)元件130的構(gòu)造。正如在附圖中示出的那樣，防凝結(jié)元件130包括有一種吸濕介質(zhì)11、一個(gè)可透氣薄膜12和一個(gè)底層薄膜13，它們共同將吸濕介質(zhì)密封起來(lái)，從而吸濕介質(zhì)11不會(huì)散落到磁學(xué)讀-寫設(shè)備中，從而不會(huì)在磁學(xué)讀-寫設(shè)備內(nèi)部產(chǎn)生灰塵。
附圖3是一個(gè)橫剖視圖，示出了防凝結(jié)元件的另外一種構(gòu)造示例。在這種情況下，防凝結(jié)元件20包括有一種容納于一塑料容器23內(nèi)的吸濕介質(zhì)21，和一個(gè)可透氣薄膜22，用于將塑料容器23的敞口端部封閉起來(lái)。
比如可以使用Gore-Tex來(lái)制取氣密性薄膜，所述Gore-Tex允許水蒸氣容易地滲透穿過(guò)其中。
附圖4示出了防凝結(jié)元件的另外一種示例，該視圖為底部視圖，而附圖5是一個(gè)沿著附圖4中所示線X-X’的橫剖視圖。
正如在附圖4和5中示出的那樣，用于本發(fā)明中所述圓盤設(shè)備內(nèi)的防凝結(jié)元件40，包括一個(gè)空氣連通孔131，該空氣連通孔131的直徑大約為1毫米，并且成形在防凝結(jié)元件40底部的外表面135中部；一個(gè)空氣通道134，該空氣通道134與空氣連通孔131相連通，并且成形在防凝結(jié)元件40底部的兩個(gè)部分上；以及兩個(gè)空氣連通孔132和133，其中，空氣通道134的兩個(gè)端部敞口于防凝結(jié)元件40底部的內(nèi)表面136。用于本發(fā)明中的防凝結(jié)元件40被構(gòu)造成，能夠使得成形于防凝結(jié)元件40底部外表面135上的細(xì)微空氣連通孔131與成形于所述底部的內(nèi)表面136上的細(xì)微空氣連通孔132之間具有足夠大的距離，并且在這兩個(gè)細(xì)微空氣連通孔131與132之間成形有空氣通道134，從而比如防止灰塵進(jìn)入到圓盤設(shè)備的內(nèi)部?？梢允褂弥T如防塵過(guò)濾器這樣的另一任選元件與前述構(gòu)造相結(jié)合。也可以在所述圓盤設(shè)備內(nèi)部設(shè)置多個(gè)吸濕元件。例如，可以將附圖2中示出的吸濕元件10固連到蓋體128的后表面上，并且將附圖3中示出的吸濕元件20或附圖4和5中示出的吸濕元件40固連到基體129的內(nèi)壁上。
附圖6示出了附圖4和5中所示防凝結(jié)元件30的另外一種構(gòu)造示例，該視圖是底部視圖。正如在附圖中示出的那樣，防凝結(jié)元件30包括一個(gè)空氣連通孔31，該空氣連通孔31成形在防凝結(jié)元件30底部的外表面上；一個(gè)空氣通道32，該空氣通道32與空氣連通孔31相連通；以及另外一個(gè)空氣連通孔33，該空氣連通孔33敞口于防凝結(jié)元件30底部的內(nèi)表面。
前述圓盤設(shè)備只是一個(gè)示例。當(dāng)然，本發(fā)明并不局限于前述的圓盤設(shè)備。示例下面將參照本發(fā)明的某些示例更為詳細(xì)地對(duì)本發(fā)明進(jìn)行描述。
首先，準(zhǔn)備吸濕介質(zhì)A、B、C、D、E和F。
附圖7是一個(gè)圖表，示出了用于各種吸濕介質(zhì)A、B和C在25℃處的吸濕等溫線。在該圖表中示出的曲線101、102和103分別與吸濕介質(zhì)A、B和C相關(guān)。
另一方面，附圖8是一個(gè)圖表，示出了用于各種吸收介質(zhì)D、E和F的吸濕等溫線。該圖表中的曲線104、105和106分別與吸濕介質(zhì)D、E和F相關(guān)。
表1示出了在吸濕等溫線上當(dāng)相對(duì)濕度為80％時(shí)的吸溫介質(zhì)與當(dāng)相對(duì)濕度為95％時(shí)的吸濕介質(zhì)之間在各個(gè)水分吸收階段和水分釋放階段的水分吸收量差值、在水分吸收階段水分吸收量達(dá)到30％重量比所需的時(shí)間、在水分釋放階段水分釋放量達(dá)到20％重量比所需的時(shí)間、在吸濕等溫線上當(dāng)相對(duì)濕度為40％時(shí)的吸濕介質(zhì)與當(dāng)相對(duì)濕度為65％時(shí)的吸濕介質(zhì)之間在水分吸收階段的水分吸收量差值、以及在吸濕等溫線上當(dāng)相對(duì)濕度為50％時(shí)的吸濕介質(zhì)與當(dāng)相對(duì)濕度為20％時(shí)的吸濕介質(zhì)之間在水分釋放階段的水分吸收量差值。
表1

在各個(gè)示例中均使用了一個(gè)2.5英寸的磁盤設(shè)備。另外，各種吸濕介質(zhì)A、B、C、D、E和F均被容納在一個(gè)呼吸式過(guò)濾器中，該呼吸式過(guò)濾器被固連在一蓋體的后表面上。任何硅土以及硅土與活性炭的混合物均可以被用作吸濕介質(zhì)中的材料。示例1通過(guò)將各種吸濕介質(zhì)A、B、C盛裝在一個(gè)可透氣過(guò)濾器中，來(lái)制備一個(gè)防凝結(jié)元件，其中，所述可透氣過(guò)濾器由諸如Gore-Tex這樣的材料制成。由此制備的防凝結(jié)元件被固連到一個(gè)蓋體的后表面上，并且該蓋體又被設(shè)置成包覆在一個(gè)基體的外側(cè)，所述基體中容納有圓盤設(shè)備的構(gòu)成部件，比如一個(gè)2.5英寸的磁盤。一個(gè)溫度傳感器和一個(gè)濕度傳感器被插入到蓋體與基體之間的間隙內(nèi)，以便引入一種溫度-濕度循環(huán)測(cè)試，其中，一個(gè)循環(huán)包括持續(xù)3小時(shí)對(duì)前述間隙內(nèi)的空氣進(jìn)行加熱和加濕，從溫度為25℃且相對(duì)濕度為50％達(dá)到溫度為70℃且相對(duì)濕度為90％，隨后持續(xù)3小時(shí)對(duì)所述空氣進(jìn)行冷卻和除濕，達(dá)到溫度為25℃且相對(duì)濕度為50％，接著持續(xù)6小時(shí)保持這種經(jīng)過(guò)冷卻和除濕操作后的狀態(tài)。
附圖9是一個(gè)圖表，示出了在溫度-濕度循環(huán)測(cè)試中所采用的濕度和溫度狀況。在附圖9中示出的線107指示溫度，而線108指示濕度。
還有，附圖10也是一個(gè)圖表，示出了在所述設(shè)備內(nèi)部的濕度在一個(gè)循環(huán)中的變化狀況，覆蓋了將溫度-濕度循環(huán)測(cè)試應(yīng)用于帶有吸濕介質(zhì)的磁盤設(shè)備上的情況。在附圖10中的線124指示溫度，線123指示濕度，而線125指示內(nèi)部濕度。
正如在附圖10中所示出的那樣，在一個(gè)循環(huán)中，內(nèi)部濕度(相對(duì)濕度)在初始的3小時(shí)內(nèi)不會(huì)明顯升高，并且在某些情況下還會(huì)降低，因?yàn)殡S著溫度的升高飽和蒸汽壓力會(huì)增大。在一個(gè)循環(huán)啟動(dòng)之后的3小時(shí)至9小時(shí)內(nèi)，因?yàn)榄h(huán)境濕度較高所以內(nèi)部濕度也會(huì)升高。接著，在一個(gè)循環(huán)啟動(dòng)之后的9小時(shí)至12小時(shí)內(nèi)，由于溫度下降所以飽和蒸汽壓力降低并且相對(duì)濕度增大。再往后，在一個(gè)循環(huán)啟動(dòng)之后的12小時(shí)至18小時(shí)內(nèi)，由于環(huán)境濕度降低所以磁盤設(shè)備內(nèi)部的濕度下降。
順便說(shuō)說(shuō)，已經(jīng)確認(rèn)，由于在蓋體與基體之間設(shè)置有一個(gè)橡膠墊圈，所以與通過(guò)空氣流通孔流動(dòng)的空氣相比，蓋體與基體之間的空氣滲漏現(xiàn)象微乎其微。
前述溫度-濕度循環(huán)測(cè)試在各種情況下均進(jìn)行20次。
所述磁盤設(shè)備內(nèi)部的空氣量大約為15毫升。附圖11是一個(gè)圖表，示出了所述磁盤設(shè)備內(nèi)部用于每次溫度-濕度循環(huán)的濕度最大值。在附圖11中示出的曲線109、110和111分別與吸濕介質(zhì)A、B和C相關(guān)。
正如從附圖11中看出的那樣，對(duì)于各種吸濕介質(zhì)A、B和C來(lái)說(shuō)，相對(duì)濕度被抑制在不超過(guò)85％。對(duì)比示例1通過(guò)利用吸濕介質(zhì)D、E和F，引入一個(gè)與示例1類似的溫度-濕度循環(huán)測(cè)試。
附圖12是一個(gè)圖表，示出了在所述磁盤設(shè)備內(nèi)部用于每次溫度-濕度循環(huán)的濕度最大值。在附圖12中的曲線112、113和114分別與吸濕介質(zhì)D、E和F相關(guān)。
正如從附圖12中看出的那樣，如果溫度-濕度循環(huán)的次數(shù)增加，那么對(duì)于各種吸濕介質(zhì)D、E和F來(lái)說(shuō)濕度增大至超過(guò)95％。示例2和對(duì)比示例2除了包含在防凝結(jié)元件內(nèi)的各種吸濕介質(zhì)A、B、C、D、E和F的量在30毫克與90毫克范圍內(nèi)變化之外，通過(guò)利用一種與示例1中所使用磁盤設(shè)備相同的磁盤設(shè)備，如同示例1中那樣引入一種溫度-濕度循環(huán)測(cè)試。在每次溫度-濕度循環(huán)測(cè)試中，對(duì)磁盤設(shè)備內(nèi)部的相對(duì)濕度最大值進(jìn)行測(cè)定。表2示出了測(cè)試結(jié)果。
表2

正如在圖表2中示出的那樣，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)通過(guò)利用吸濕介質(zhì)A和B各60毫克、吸濕介質(zhì)C70毫克，能夠?qū)⒆罡邼穸纫种圃?0％或者更低，其中，所述吸濕介質(zhì)A和B均能夠在水分吸收階段顯現(xiàn)出至少50％重量比的水分吸收量差值，并且在水分釋放階段能夠顯現(xiàn)出至少30％重量比的水分吸收量差值，而所述吸濕介質(zhì)C在水分吸收階段能夠顯現(xiàn)出至少30％重量比的水分吸收量差值，并且在水分釋放階段能夠顯現(xiàn)出至少20％重量比的水分吸收量差值。
另一方面，可以通過(guò)利用大量的任意吸濕介質(zhì)D、E和F，即90毫克，無(wú)法將最高濕度抑制在一個(gè)低于85％的水平上，其中，所述吸濕介質(zhì)D、E和F均能夠在水分吸收階段顯現(xiàn)出低于30％重量比的水分吸收量差值，并且在水分釋放階段能夠顯現(xiàn)出低于20％重量比的水分吸收量差值。示例3和4在示例3中，制備一個(gè)利用了一防凝結(jié)元件的磁盤設(shè)備，其中，40毫克的吸濕介質(zhì)A和20毫克的吸濕介質(zhì)E分別被盛裝在一個(gè)可透氣的過(guò)濾器中。通過(guò)利用由此制備的磁盤設(shè)備，將一種與示例1相同的溫度-濕度循環(huán)測(cè)試引入20次。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在吸濕等溫線上，當(dāng)相對(duì)濕度為40％時(shí)的吸濕介質(zhì)E與當(dāng)相對(duì)濕度為65％時(shí)的吸濕介質(zhì)E之間的水分吸收量差值，在水分吸收階段相當(dāng)于該吸濕介質(zhì)干燥時(shí)重量的34％，而當(dāng)相對(duì)濕度為20％時(shí)的吸濕介質(zhì)E與當(dāng)相對(duì)濕度為50％時(shí)的吸濕介質(zhì)E之間的水分吸收量差值，在水分釋放階段相當(dāng)于該吸濕介質(zhì)干燥時(shí)重量的35％。
在前述溫度-濕度循環(huán)測(cè)試中，對(duì)磁盤設(shè)備內(nèi)部的相對(duì)濕度最大值進(jìn)行測(cè)定。附圖13是一個(gè)示出了測(cè)定結(jié)果的圖表。
正如從附圖13中看出的那樣，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)最高濕度不會(huì)超過(guò)80％。
還有，通過(guò)利用一個(gè)使用了一類似防凝結(jié)元件的磁盤設(shè)備將第二種溫度-濕度循環(huán)測(cè)試引入20次。在這種情況下，循環(huán)測(cè)試中的一個(gè)循環(huán)包括持續(xù)3小時(shí)對(duì)空氣進(jìn)行加熱和加濕，使得空氣從溫度為25℃且相對(duì)濕度為50％達(dá)到溫度為60℃且相對(duì)濕度為65％，持續(xù)6小時(shí)保持這種經(jīng)過(guò)加熱和加濕后的空氣，持續(xù)3小時(shí)對(duì)經(jīng)過(guò)加熱和加濕后的空氣進(jìn)行除濕，獲得一種溫度為60℃且相對(duì)濕度為10％的干燥空氣，持續(xù)6小時(shí)保持這種經(jīng)過(guò)除水后的空氣，以及持續(xù)3小時(shí)對(duì)經(jīng)過(guò)除水后的空氣進(jìn)行加濕，獲得一種溫度為60℃且相對(duì)濕度為65％的空氣。
附圖14是一個(gè)圖表，示出了這種溫度-濕度循環(huán)測(cè)試中的濕度和溫度狀況。在附圖14中示出的曲線115指示溫度，曲線116指示濕度。
在示例4中，制備一個(gè)帶有一防凝結(jié)元件的磁盤設(shè)備，所述防凝結(jié)元件中盛裝有與示例1等量的吸濕介質(zhì)A，并且如同示例3中那樣引入第二種溫度-濕度循環(huán)測(cè)試。
在溫度-濕度循環(huán)測(cè)試中，對(duì)磁盤設(shè)備內(nèi)部的相對(duì)濕度最低值進(jìn)行測(cè)定。附圖15是一個(gè)示出了測(cè)試結(jié)果的圖表。在附圖15中示出的曲線117和118分別指代示例3和4。
正如在附圖15中示出的那樣，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在示例3中測(cè)定出的最低濕度保持在一個(gè)不低于35％的水平上。還發(fā)現(xiàn)，在示例4中最低濕度低于25％。
再次重申，相對(duì)于吸濕介質(zhì)A干燥時(shí)的重量來(lái)說(shuō)，當(dāng)相對(duì)濕度為80％時(shí)的吸濕介質(zhì)A與當(dāng)相對(duì)濕度為95％時(shí)的吸濕介質(zhì)A之間的水分吸收量差值，在水分吸收階段不小于30％，而在水分釋放階段不小于20％。另一方面，相對(duì)于吸濕介質(zhì)E干燥時(shí)的重量來(lái)說(shuō)，當(dāng)相對(duì)濕度為40％時(shí)的吸濕介質(zhì)E與當(dāng)相對(duì)濕度為65％時(shí)的吸濕介質(zhì)E之間的水分吸收量差值，在水分吸收階段不低于20％，而當(dāng)相對(duì)濕度為20％時(shí)的吸濕介質(zhì)E與當(dāng)相對(duì)濕度為50％時(shí)的吸濕介質(zhì)E之間的水分吸收量差值，在水分釋放階段不小于20％。正如通過(guò)對(duì)比示例3和示例4所看出的那樣，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)為了控制最高濕度和最低濕度，組合使用前述吸濕介質(zhì)A與吸濕介質(zhì)E比單獨(dú)使用吸濕介質(zhì)A更為有效。
正如從前述示例1至4中看出的那樣，本發(fā)明提供了這樣一種圓盤設(shè)備，該圓盤設(shè)備能夠防止由于凝結(jié)現(xiàn)象造成故障，并且通過(guò)使用一種吸濕介質(zhì)而具有高的可靠性，所述吸濕介質(zhì)具有長(zhǎng)的使用壽命并且能夠有效地抑制圓盤設(shè)備內(nèi)部的濕度變化。
對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域中的那些熟練技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，其他優(yōu)點(diǎn)和改進(jìn)是顯而易見(jiàn)的。所以，本發(fā)明的廣泛方面并不局限于在這里所示出和描述的具體細(xì)節(jié)和代表性實(shí)施例。因此，在不脫離本發(fā)明總的技術(shù)構(gòu)思或保護(hù)范圍的條件下，可以進(jìn)行多種改進(jìn)，本發(fā)明總的技術(shù)構(gòu)思或保護(hù)范圍由所附權(quán)利要求及其等效物加以限定。
權(quán)利要求
1.一種圓盤設(shè)備，其特征在于包括一個(gè)基體(129)；一個(gè)圓盤式媒介(121)，一個(gè)用于支撐和旋轉(zhuǎn)圓盤式媒介(121)的驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，一個(gè)磁頭，該磁頭帶有一個(gè)用于讀取錄制在圓盤式媒介上的信息的元件，一個(gè)以這樣一種方式承載所述磁頭的托架裝置，即能夠相對(duì)于圓盤式媒介(121)進(jìn)行移動(dòng)，和一個(gè)防凝結(jié)元件(130)，該防凝結(jié)元件(130)被置于基體(129)上；以及一個(gè)包覆在基體(129)外側(cè)的蓋體(128)；其中，所述防凝結(jié)元件(130)中包含有一種吸濕介質(zhì)，該吸濕介質(zhì)能夠根據(jù)濕度顯現(xiàn)出不同的水分吸收量，以吸濕介質(zhì)干燥時(shí)的重量為基礎(chǔ)，在其吸濕等溫線上，當(dāng)相對(duì)濕度為80％時(shí)的吸濕介質(zhì)與當(dāng)相對(duì)濕度為95％時(shí)的吸濕介質(zhì)之間的水分吸收量差值，在水分吸收階段不小于30％，而在水分釋放階段不小于20％。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的圓盤設(shè)備，其特征在于所述吸濕介質(zhì)至少包括有第一組分和第二組分，它們均能夠根據(jù)濕度顯現(xiàn)出不同的水分吸收量，以吸濕介質(zhì)中第一組分干燥時(shí)的重量為基礎(chǔ)，在其吸濕等溫線上，當(dāng)相對(duì)濕度為80％時(shí)吸濕介質(zhì)中的第一組分與當(dāng)相對(duì)濕度為95％時(shí)吸濕介質(zhì)中的第一組分之間的水分吸收量差值，在水分吸收階段不小于30％，而在水分釋放階段不小于20％，并且以吸濕介質(zhì)中第二組分干燥時(shí)的重量為基礎(chǔ)，在其吸濕等溫線上，當(dāng)相對(duì)濕度為40％時(shí)吸濕介質(zhì)中的第二組分與當(dāng)相對(duì)濕度為60％時(shí)吸濕介質(zhì)中的第二組分之間的水分吸收量差值，在水分吸收階段不小于20％，而當(dāng)相對(duì)濕度為20％時(shí)吸濕介質(zhì)中的第二組分與當(dāng)相對(duì)濕度為50％時(shí)吸濕介質(zhì)中的第二組分之間的水分吸收量差值，在水分釋放階段不小于20％。
3.根據(jù)權(quán)利要求2中所述的圓盤設(shè)備，其特征在于所述第一吸濕介質(zhì)與第二吸濕介質(zhì)的重量比落入3∶1至1∶3的范圍之內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的圓盤設(shè)備，其特征在于當(dāng)相對(duì)濕度為80％時(shí)的吸濕介質(zhì)與當(dāng)相對(duì)濕度為95％時(shí)的吸濕介質(zhì)之間的水分吸收量，在水分吸收階段不小于50％，而在水分釋放階段不小于30％。
5.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的圓盤設(shè)備，其特征在于所述磁頭是一種浮置式磁頭。
6.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的圓盤設(shè)備，其特征在于所述吸濕介質(zhì)是硅土或者硅土與活性炭的混合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的圓盤設(shè)備，其特征在于所述防凝結(jié)元件(130)至少被安置在基體內(nèi)側(cè)與蓋體后表面中之一上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的圓盤設(shè)備，其特征在于防凝結(jié)元件(130)包括有至少一種吸濕介質(zhì)和一個(gè)用于容納這種吸濕介質(zhì)的可透氣薄膜。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于圓盤設(shè)備中的吸濕介質(zhì)。相對(duì)于吸濕介質(zhì)干燥時(shí)的重量來(lái)說(shuō)，在吸濕等溫線上，當(dāng)相對(duì)濕度為80％時(shí)的吸濕介質(zhì)與當(dāng)相對(duì)濕度為95％時(shí)的吸濕介質(zhì)之間的水分吸收量差值，在水分吸收階段不小于30％，而在水分釋放階段不小于20％。
文檔編號(hào)G11B33/14GK1444204SQ0310230
公開(kāi)日2003年9月24日 申請(qǐng)日期2003年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月8日
發(fā)明者高見(jiàn)博道 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝