專利名稱：柔性混合存儲元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及隨機存取存儲器(RAM)。更具體而言，本發(fā)明涉及包含柔性無機二極管和柔性有機開關(guān)的柔性混合存儲元件。
背景技術(shù)：
RAM器件通常包含存儲單元陣列。典型情況下，存儲單元都按行和列進行布置。每行一般包含相應(yīng)的字線，而每列一般則包含相應(yīng)的位線。圖1示出由存儲單元110、120、130、140組成的RAM陣列以及相應(yīng)的字線(WL)和位線(BL)。RAM存儲單元110、120、130、140位于字線和位線的交叉點上。每個RAM存儲單元110、120、130、140一般是貯存一個信息位。
RAM存儲單元110、120、130、140包含將RAM存儲單元110、120、130、140設(shè)置到至少兩個邏輯狀態(tài)之一的功能。每個邏輯狀態(tài)代表一個位信息。此外，RAM存儲單元110、120、130、140還包含檢測RAM存儲單元110、120、130、140中每一個的邏輯狀態(tài)的功能。
圖2較為詳細地示出RAM存儲單元205。RAM存儲單元205一般包含開關(guān)元件210和二極管元件230。開關(guān)元件的狀態(tài)可以由字線(WL)和位線(BL)設(shè)置。開關(guān)元件210包含兩個狀態(tài)，每個狀態(tài)對應(yīng)于一個邏輯設(shè)置。第一個狀態(tài)(開關(guān)元件210閉合)對應(yīng)于低阻狀態(tài)；第二個狀態(tài)(開關(guān)元件210打開)對應(yīng)于高阻狀態(tài)。開關(guān)的狀態(tài)、因而對應(yīng)的邏輯設(shè)置可以由向字線(WL)和位線(BL)施加電壓或電流并檢測所形成的電阻來確定。
開關(guān)元件210通常包含初始電阻很小的材料，當(dāng)通過足夠大的電流時，材料便變成高阻(稱為熔絲)?；蛘?，開關(guān)元件210通常包含初始電阻很大的材料，當(dāng)通過足夠大的電流時，材料便變成低阻(稱為反熔絲)。因此，開關(guān)元件210的電阻、因而其邏輯狀態(tài)可以讓足夠大的電流通過開關(guān)元件210進行設(shè)置。
二極管元件230與開關(guān)元件210呈串聯(lián)，確保只有所選定的RAM單元的電阻被檢測。調(diào)節(jié)位線(BL)與字線(WL)之間的電壓，使只有被選定RAM單元的二極管元件230可能加正偏壓。二極管元件230應(yīng)保證在RAM存儲單元陣列內(nèi)被選定的RAM單元不會包含潛通路。當(dāng)除選定的RAM單元之外，由其它RAM單元傳導(dǎo)的電流也引起經(jīng)位線(BL)和字線(WL)檢測的電流時，便形成潛通路。亦即，選定RAM單元的邏輯狀態(tài)由向選定RAM單元施加的電壓和檢測到的流過選定RAM單元的總電流決定，因而由檢測到的選定RAM單元的電阻狀態(tài)所決定。沒有與開關(guān)元件相串聯(lián)的二極管元件時，其它存儲元件可能貢獻電流(潛通路)給被檢測的電流。為了選擇特定的RAM單元，二極管元件需要適當(dāng)加有偏壓的字線(WL)和位線(BL)。
現(xiàn)有技術(shù)的RAM存儲單元配置包含由氧化物或非晶硅制作的開關(guān)元件和由結(jié)晶硅制作的二極管元件。硅十分昂貴，因而這類結(jié)構(gòu)的制作也十分昂貴。
另一些現(xiàn)有技術(shù)RAM存儲單元配置包含都由非晶硅形成的開關(guān)元件和二極管元件。然而，這種配置可能導(dǎo)致在開關(guān)元件設(shè)置到低阻狀態(tài)時二極管元件出現(xiàn)短路。二極管元件一旦短路，便不再有任何益處。
人們希望擁有能提供便宜的存儲單元陣列的裝置和方法，制作這些存儲單元陣列的花費也不多。存儲單元應(yīng)結(jié)實耐用。設(shè)置開關(guān)狀態(tài)不應(yīng)引起串聯(lián)二極管短路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明包括以成本效率制造RAM存儲單元的裝置和方法。此外，RAM存儲單元也結(jié)實耐用。
本發(fā)明的第一個實施方案包括一種存儲裝置。該存儲裝置包括柔性混合存儲元件。柔性混合存儲元件包括靠近柔性襯底形成的柔性第一導(dǎo)電層。柔性二極管結(jié)構(gòu)則靠近柔性第一導(dǎo)體形成。柔性開關(guān)靠近柔性二極管結(jié)構(gòu)形成。柔性第二導(dǎo)電層靠近柔性開關(guān)形成。柔性開關(guān)通常由有機材料形成。柔性二極管結(jié)構(gòu)通常由無序的無機材料形成。
可以形成當(dāng)閾值電流通過柔性開關(guān)時建立高阻通路的柔性開關(guān)；或者，可以形成當(dāng)閾值電流通過柔性開關(guān)時建立低阻通路的柔性開關(guān)。
第二個實施方案與第一個實施方案相似。第二個實施方案還包括在柔性開關(guān)與柔形二極管之間形成的緩沖層。該緩沖層通常會耗散柔性開關(guān)產(chǎn)生的能量，因而對柔性二極管起保護作用。
第三個實施方案與第一個實施方案相似。第三個實施方案包括多個存儲元件，其中，存儲元件相互物理上隔離，從而在存儲元件之間形成電隔離。另一個實施方案包括各向異性的有機開關(guān)，因而在存儲元件之間形成電隔離。
第四個實施方案與第一個實施方案相似。第四個實施方案包括圖形化形成交叉點陣列的柔性第一導(dǎo)電層和柔性第二導(dǎo)電層。柔性第一導(dǎo)電層和柔性第二導(dǎo)電層的圖案可以與柔性二極管結(jié)構(gòu)和柔性開關(guān)中形成的圖案對準。
第五個實施方案包括形成多個柔性混合存儲元件的方法。該方法包括在柔性襯底上淀積柔性第一導(dǎo)電層。在形成多個柔性二極管結(jié)構(gòu)的柔性第一導(dǎo)體上淀積柔性無序無機材料。在柔性無序無機材料上淀積柔性有機材料，形成與該多個柔性二極管結(jié)構(gòu)靠近的多個柔性開關(guān)。在柔性有機材料上淀積柔性第二導(dǎo)體。
由下面結(jié)合附圖的詳細敘述以及通過實例說明發(fā)明的原理，本發(fā)明的另一些特征和優(yōu)越性將十分明顯。


圖1示出現(xiàn)有技術(shù)的RAM存儲單元陣列的一部分。
圖2較詳細地示出現(xiàn)有技術(shù)的RAM存儲單元。
圖3示出本發(fā)明的實施方案。
圖4示出根據(jù)本發(fā)明制作的存儲元件的寫負載線和讀負載線。
圖5示出本發(fā)明的另一個實施方案。
圖6示出根據(jù)本發(fā)明在制作存儲元件期間可用于自對準存儲元件的導(dǎo)電層。
圖7示出根據(jù)本發(fā)明用于生產(chǎn)制造存儲元件陣列實施方案的輸送帶基本工藝過程。
具體實施例方式
如用于說明的附圖所示，本發(fā)明體現(xiàn)在提供能以成本效率制造RAM結(jié)構(gòu)的裝置和方法上。
圖3示出本發(fā)明的一個實施方案。這個實施方案包含襯底310、第一導(dǎo)電層320、二極管層330、開關(guān)層350和第二導(dǎo)電層360。還可能包含緩沖層340。襯底層310和層330、320、330、350形成存儲元件陣列。
用于形成圖3中所列元件的材料通常適于采用輸送帶的加工處理(web based processing)。采用輸送帶的加工處理是一種制作電子電路的工藝過程，它一般比以往的處理方法花費更少。電子元件通常是以可與在新聞紙上印刷相比擬的方式在柔性襯底上形成或淀積。也就是說，柔性襯底一般從源滾筒處展開。當(dāng)柔性襯底通過加工處理點時，便在各個不同處理點處于襯底上形成電子元件，并纏繞在上拉滾筒(uptake roll)上。這一工藝過程與在新聞紙上涂覆油墨相似。通過簡單的投影掩蔽、隨后再采用標準刻蝕方法、壓紋、接觸掩蔽和自對準工藝，即可形成電子元件圖案。電子元件形成之后，可以將襯底分割成獨立的集成電路。通常，輸送帶處理要求用于形成電子元件的材料和襯底呈柔性。
襯底310、第一導(dǎo)電層320、二極管層330、開關(guān)層350和第二導(dǎo)電層360全都應(yīng)呈柔性，以便于使各層能經(jīng)輸送帶處理形成。各層應(yīng)能承受特定的彎曲半徑。通常，各層應(yīng)能承受1～2英寸的彎曲半徑。這包括多次彎曲拐折，使各層能用輸送帶的加工處理方法制造。
襯底310一般由柔性材料構(gòu)成，該材料應(yīng)能承受在襯底310上形成電子元件的各個形成和處理工序。襯底310必須呈柔性，以便能采用輸送帶處理方式制造存儲陣列。襯底310還要經(jīng)受隨后形成的電子元件(存儲元件、位線和字線)的處理溫度。因此，襯底必須能承受住形成電子元件所要求的處理溫度。典型的處理溫度為100～300℃。
襯底310可能采用的材料包括聚酰亞胺。襯底310必須能承受以下幾方面的作用處理溫度、處理用化學(xué)物質(zhì)、制造電子設(shè)備采用的工藝過程、以及在輸送帶加工處理期間為了在輸送帶(襯底)從源滾筒移動到上拉滾筒時使輸送帶(襯底)保持繃緊所需的機械拉力。
第一導(dǎo)電層320提供與存儲陣列的存儲元件的電連接之一。通常，第一導(dǎo)電層320是作為許多大體上平行的導(dǎo)線而形成，這些導(dǎo)線提供前述寫線或位線的功能。第一導(dǎo)電層320可能采用的材料包括不銹鋼、鉻、鈦、鉬、銅或金。對第一導(dǎo)電層的主要要求是能在與襯底310相適應(yīng)的溫度下淀積；能附著到襯底上；以及具有足夠的柔性以承受在輸送帶處理期間所需的彎曲。第一導(dǎo)電層320可以采用類似于傳統(tǒng)光刻法的光刻膠涂敷、曝光和刻蝕過程來形成圖案。另一些制作方法包括對液態(tài)材料壓紋，隨后進行刻蝕、模切或抗蝕劑和/或刻蝕劑的凹版印刷涂敷。
二極管層330通常淀積在第一導(dǎo)電層320的上方。二極管330一般為非晶材料，如非晶硅、非晶碳、非晶硅碳、非晶鍺、非晶硅鍺或微晶硅。當(dāng)然，這個材料清單并非詳盡無遺。
二極管層330可能包括p-i-n二極管或肖特基二極管。若二極管層330形成p-i-n二極管，則二極管層330包括p型層、本征層和n型層。
通常，非晶硅的n型層淀積在導(dǎo)電層320的上方。典型情況下，可以采用等離子體增強化學(xué)汽相淀積工藝(PECVD)來淀積n層。
i層一般由氫化非晶硅形成。i層可以采用PECVD或反應(yīng)濺射工藝淀積。PECVD工藝必須包括含硅氣體。淀積應(yīng)處在足夠低的溫度下，使氫與薄膜一道保留下來。
P型層一般由非晶硅形成。典型情況下，p層用硼摻雜。P層可以采用PECVD淀積。PECVD用含硼氣體進行。在形成非晶硅p層時，便包含了含硅氣體。
如前所述，n層，i層和p層一般均由非晶硅形成。然而，n層，i層和p層也能由非晶碳、非晶碳化硅、非晶鍺或非晶硅鍺形成。當(dāng)然，這個材料清單并非詳盡無遺。
另一個實施方案包括肖特基二極管。肖特基二極管可能包括幾種不同的配置。第一種肖特基二極管配置包括用導(dǎo)電金屬代替上述p-i-n二極管的n層。這種配置還包括i層和p層。第二種肖特基二極管配置包括用導(dǎo)電層代替n層和用導(dǎo)電層代替p層。能用于肖特基二極管配置的導(dǎo)電金屬包括鉻、鉑、鋁和鈦。肖特基二極管配置中的導(dǎo)電層必須形成圖案，以避免在鄰近存儲單元之間出現(xiàn)泄漏。
開關(guān)層350在二極管層330的上方形成。開關(guān)層350基本上構(gòu)成與二極管層330的各二極管相串聯(lián)的開關(guān)。開關(guān)層350處在第一種狀態(tài)時，基本上是提供高阻通路。如果處在第二種狀態(tài)，則提供較小電阻的通路。開關(guān)層350一般包含初始電阻小的有機材料或初始電阻大的有機材料，前者在通過足夠大的電流時將變成大電阻(稱為熔絲)，而后者在通過足夠大的電流時將變成小電阻(稱為反熔絲)。
最靠近第二導(dǎo)電層360的那部分開關(guān)層350可以經(jīng)處理來提升載流子注入特性。這部分應(yīng)包括低接觸電阻。構(gòu)建包括低接觸電阻的有機層在材料科學(xué)領(lǐng)域已為大家所熟知。
第二導(dǎo)電層360在開關(guān)層350上方形成。第二導(dǎo)電層360像第一導(dǎo)電層一樣提供與存儲陣列存儲元件相對一側(cè)的電連接。通常，第二導(dǎo)電層360是由許多基本上平行的導(dǎo)線形成，提供前述寫線或位線的功能。第二導(dǎo)電層360可能采用的材料包括鈣、鉑、鈦和另一些能與有機材料進行良好注入接觸的電極材料。對第二導(dǎo)電層360所用材料的主要要求是能提供與有機材料的良好電接觸。在與開關(guān)層350相適應(yīng)的溫度下淀積第二導(dǎo)電層也很重要。第二導(dǎo)電層360應(yīng)附著到開關(guān)層350上并有足夠大的柔性，以承受在輸送帶處理期間所需的彎曲。第二導(dǎo)電層360可以采用類似于傳統(tǒng)光刻法的光刻膠涂敷、曝光和刻蝕過程來形成圖案。另一些制作方法包括對液態(tài)材料壓紋、隨后進行刻蝕、模切或涂敷抗蝕劑和/或刻蝕劑等。
接觸導(dǎo)體可能包含在第一導(dǎo)電層320與襯底之間以及第二導(dǎo)電層360與開關(guān)層350之間。接觸導(dǎo)體在材料科學(xué)領(lǐng)域已為大家所熟知。
開關(guān)層350的電阻狀態(tài)(高阻或低阻)決定了存儲元件陣列內(nèi)部相應(yīng)存儲元件的邏輯狀態(tài)。每個存儲元件包括由第一導(dǎo)電層320形成的第一電極以及由第二導(dǎo)電層360形成的第二電極、開關(guān)層350和二極管層330。每個存儲元件的邏輯狀態(tài)由下列方式確定將電壓或電流加到第一電極上并測量通過的總電流或測量在與存儲元件相關(guān)的第二電極上建立的總電壓，以確定存儲元件的電阻狀態(tài)。所加電流或電壓應(yīng)大到足以提供足夠的信噪比來測量電阻狀態(tài)，但亦應(yīng)小到足以避免轉(zhuǎn)換存儲元件的邏輯狀態(tài)。存儲元件的電阻狀態(tài)由開關(guān)層350內(nèi)對應(yīng)的有機開關(guān)元件設(shè)定。二極管層330內(nèi)的對應(yīng)二極管元件保持其整流特性，而不隨有機開關(guān)元件的狀態(tài)變化。二極管元件可確保僅檢測被選定的存儲元件的電阻，因而消除了潛通路，且降低了存儲陣列的總功耗。
當(dāng)足夠大的電壓或電流加到第一電極和第二電極時，有機開關(guān)層350將改變其電特性，亦即整個有機開關(guān)層350的電阻發(fā)生根本變化，因而對相應(yīng)有機開關(guān)元件的邏輯狀態(tài)進行設(shè)定。二極管層330的二極管元件保持其整流特性，而不隨有機開關(guān)元件的狀態(tài)變化。在理想情況下，改變有機開關(guān)層350的電阻狀態(tài)所需的電壓為0.5～3V，因而與常用的電源電壓一致。改變二極管層330的狀態(tài)所需的電流應(yīng)為10-5A或更小。過渡到高阻抗狀態(tài)之后，有機開關(guān)層350的阻抗(電阻)應(yīng)為兆歐級。
圖4示出根據(jù)本發(fā)明給出的存儲元件的寫負載線450和讀負載線460。圖4是說明存儲元件的電流與電壓關(guān)系的曲線圖。對于某種實施方案，存儲元件表現(xiàn)出高阻抗特性。箭頭410表明這一特性。隨著存儲元件兩端的電壓提高到電壓閾值(VTH)，有機開關(guān)層的電特性將發(fā)生急劇變化。這種變化由箭頭420表明，并與寫負載線450一致。電特性變化之后的存儲元件處于低阻抗狀態(tài)。箭頭430表示當(dāng)存儲元件處于低阻抗狀態(tài)時，存儲元件兩端的電壓和總電流的增加；而箭頭440則表示當(dāng)存儲元件處于低阻抗狀態(tài)時，存儲元件兩端的電壓和總電流的減小。存儲元件的阻抗因而存儲元件的邏輯狀態(tài)可以像讀負載線460那樣進行檢測。圖4所示例子屬于本發(fā)明的反熔絲結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，熔絲結(jié)構(gòu)也具有類似特點，只是曲線的I-V關(guān)系互換。
如前所述，開關(guān)層350的開關(guān)元件在通過足夠大的電流時將提供高阻電特性(熔絲)，或有機材料在通過足夠大的電流時將形成低阻(反熔絲)。反熔絲一般需要較少能量來轉(zhuǎn)換狀態(tài)，這是因為只需小的導(dǎo)電通道用于降低電阻。為增加電阻，必須改變開關(guān)材料的整個面積或體積，以便減小總電流。熔絲通常最好由系統(tǒng)級采用，因為隨著更多熔絲的燒斷，傳導(dǎo)的功率較少。如果在制造期間沒有短路，則熔絲型開關(guān)將減小所傳導(dǎo)的電流量，因而即使特定存儲元件失效也會減小電流量。
圖3所示實施方案可能因鄰近存儲元件之間的泄漏而有所缺陷。存儲元件共用公共二極管層330和開關(guān)層350。因此，在鄰近開關(guān)元件之間可能發(fā)生泄漏。大的泄漏電流會顯著增加存儲元件所需的功率。
如下所述，通過使二極管層330和開關(guān)層350形成圖案，可以將存儲元件之間的泄漏電流減至最小。然而，形成圖案需要附加的制作處理工序，因而會增加成本?；蛘撸_關(guān)層350可以用各向異性材料制作。亦即開關(guān)層可以制成為使開關(guān)元件之間的電阻遠大于每個開關(guān)元件兩端之間的電阻。這是很有利的，因為避免了與開關(guān)層形成圖案相關(guān)的處理工序。
可用來形成開關(guān)層350的材料包括聚對苯二甲撐(parylene)、聚縮醛烯(polyacetalene)、聚對苯撐(polyparaphenylene)、聚吡咯、聚苯胺(polyyaniline)和氨基吡啶(andaminopyridine)等。
提供這些材料是作為例子，而不是作為詳盡無遺的清單。通過采用包括電引發(fā)聚合反應(yīng)和朗繆爾-布洛吉特(Langmuir-Blodgett)淀積在內(nèi)的適當(dāng)?shù)矸e方法，可能將這些聚合物的分子與表面垂直對準。導(dǎo)電率可能成為各向異性，因為沿材料分子方向的導(dǎo)電率可能比橫過材料分子方向的導(dǎo)電率高。
本發(fā)明的一個實施方案包括在無機二極管層330上方形成的有機開關(guān)層350。通常，有機材料并不在無機材料附近形成，因為一般都希望相鄰材料有共同特性，亦即在相鄰位置上形成相似材料一般較容易，且花費較少。希望有機材料和無機材料都是良導(dǎo)體也屬典型情況。然而，本發(fā)明的一個實施方案(反熔絲)包含有實為不良導(dǎo)體的有機材料。
本發(fā)明還可能包括緩沖層340?？扇芜x包括緩沖層340可以，用以耗散開關(guān)層350的高阻開關(guān)元件產(chǎn)生的能量，對二極管層330的二極管元件進行保護。緩沖層可以由金屬、薄半導(dǎo)體或和絕緣體形成。緩沖層340必須對流過每個存儲元件的電流呈低電阻。緩沖層340有助于防止破壞二極管層330。通常，通過存儲元件之間緩沖層340的導(dǎo)電率應(yīng)很低。為了將存儲元件之間的導(dǎo)電率減至最小，緩沖層340可被形成圖案。
圖5示出本發(fā)明的另一種實施方案。這個實施方案與圖3的實施方案相似。然而，為了在存儲元件之間提供隔離，n個層被形成圖案。在襯底310上形成第一導(dǎo)電層320。在襯底310和第一導(dǎo)電層320上方形成分段的二極管層530、分段的開關(guān)層540和第二導(dǎo)體層550。
圖5的實施方案可能提供比圖3的實施方案更好的性能。亦即存儲元件之間更好的隔離大大降低了存儲器件開關(guān)元件之間的泄漏電流。然而，這個實施方案一般花費更大且難以制作。
圖6示出根據(jù)本發(fā)明在制作存儲元件期間可用于自對準存儲元件的導(dǎo)電層。上方導(dǎo)電層(等效于第二導(dǎo)電層)包括上方導(dǎo)線610、620、630。下方的導(dǎo)電層(等效于第一導(dǎo)電層)包括下方導(dǎo)線640、650、660。例如，一旦形成下方導(dǎo)線640、650、660，下方導(dǎo)線640、650、660便能直接用于形成存儲陣列的二極管元件和開關(guān)元件。例如，襯底可以是透明的。在透明襯底上形成的下方導(dǎo)線640、650、660可以與光致抗蝕劑一起使用，以便有選擇地對以后在襯底的下方導(dǎo)線640、650、660之上淀積的存儲元件層進行刻蝕。
圖7示出可用來實現(xiàn)本發(fā)明的輸送帶處理機(web processor)。源滾筒700是柔性襯底710的來源。柔性襯底710從源滾筒展開，供淀積和處理，以形成RAM元件。
層淀積組件720對必要的層材料進行淀積。為了提供對層材料形成圖案，可以將抗蝕劑加到層材料上。使柔性襯底710通過抗蝕劑施加滾筒740，便可加上抗蝕劑?？刮g劑施加滾筒640由抗蝕劑槽730施加抗蝕劑。刮片650確保均勻施加抗蝕劑。圖案印壓或壓紋滾筒760將圖案印壓到抗蝕劑上。刻蝕劑槽770按照抗蝕劑的圖案除去層材料。最后，使柔性襯底通過抗蝕劑去除槽780，將抗蝕劑去除。成品器件最后到達上拉滾筒790。顯然，這個工藝過程要求能圍繞著滾筒曲線彎曲的材料。此外，材料還必須能承受這個工藝過程所要求的張力作用。
盡管以上描述了本發(fā)明的幾種特定實施方案，但本發(fā)明并不局限于所描述元件的特定形式或布置。本發(fā)明只受所附權(quán)利要求書的限制。
權(quán)利要求
1.一種存儲裝置，該存儲裝置包含柔性混合存儲元件，其中包括靠近柔性襯底(310)形成的柔性第一導(dǎo)電層(320)；靠近柔性第一導(dǎo)體(320)形成的柔性二極管結(jié)構(gòu)(330)；靠近柔性二極管結(jié)構(gòu)(330)形成的柔性開關(guān)層(350)；以及靠近柔性開關(guān)層(350)形成的柔性第二導(dǎo)電層(360)。
2.權(quán)利要求1的柔性混合存儲元件，其中，柔性開關(guān)層(350)包含有機材料。
3.權(quán)利要求1的柔性混合存儲元件，其中，柔性二極管結(jié)構(gòu)(330)包含無序無機材料。
4.權(quán)利要求1的柔性混合存儲元件，其中，柔性二極管結(jié)構(gòu)(330)包含非有機非晶材料。
5.權(quán)利要求2的柔性混合存儲元件，其中，當(dāng)閾值電流通過柔性有機開關(guān)層(350)時，柔性有機開關(guān)層(350)形成高阻通路。
6.權(quán)利要求2的柔性混合存儲元件，其中，當(dāng)閾值電流通過有機開關(guān)層(350)時，柔性有機開關(guān)層(350)形成低阻通路。
7.權(quán)利要求2的柔性混合存儲元件，其中，形成柔性有機開關(guān)層(350)所需的開關(guān)處理溫度低于形成柔性二極管結(jié)構(gòu)(330)所需的二極管處理溫度。
8.權(quán)利要求2的柔性混合存儲元件，還包含在柔性有機開關(guān)層(350)與柔性二極管結(jié)構(gòu)(330)之間形成的緩沖層(340)。
9.權(quán)利要求8的柔性混合存儲元件，其中，緩沖層(340)耗散柔性有機開關(guān)層(350)產(chǎn)生的能量，因而對柔性二極管結(jié)構(gòu)(330)進行保護。
10.權(quán)利要求1的存儲裝置，還包含多個混合存儲元件，其中，混合存儲元件物理上相互隔離，從而提供各混合存儲元件之間的電隔離，柔性第一導(dǎo)電層(320)和柔性第二導(dǎo)電層(360)圖案化形成交叉點陣列，其中，柔性第一導(dǎo)電層(320)和柔性第二導(dǎo)電層(360)的圖案與在柔性二極管結(jié)構(gòu)(330)和柔性有機開關(guān)層(350)中形成的圖案對準。
全文摘要
本發(fā)明包括存儲單元裝置和形成存儲單元的方法。存儲單元裝置包括柔性混合存儲元件。柔性混合存儲元件包括靠近柔性襯底形成的柔性第一導(dǎo)電層。柔性二極管結(jié)構(gòu)靠近柔性第一導(dǎo)體形成。柔性開關(guān)靠近柔性二極管結(jié)構(gòu)形成。柔性第二導(dǎo)電層靠近柔性開關(guān)形成。柔性開關(guān)由有機材料形成。柔性二極管結(jié)構(gòu)由無序無機材料形成。當(dāng)閾值電流通過柔性開關(guān)時，柔性開關(guān)可形成建立高阻通路，或者，可形成建立低阻通路。該方法包含在柔性襯底上淀積柔性第一導(dǎo)電層。柔性無序無機材料淀積在柔性第一導(dǎo)體上形成多個柔性二極管結(jié)構(gòu)。柔性有機材料淀積在柔性無序無機材料上形成與多個柔性二極管結(jié)構(gòu)靠近的多個柔性開關(guān)。柔性第二導(dǎo)體淀積在柔性有機材料上。
文檔編號G11C17/16GK1442906SQ0310674
公開日2003年9月17日 申請日期2003年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月1日
發(fā)明者W·B·杰克森, C·P·陶西格, C·佩爾洛夫 申請人:惠普公司