專利名稱：用于將標(biāo)記記錄在記錄載體的相變型信息層上的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種通過脈沖射束照射記錄載體的信息層從而將代表數(shù)據(jù)的標(biāo)記記錄在該信息層上的方法，所述標(biāo)記通過一個或多個寫脈沖的序列寫入，所述信息層的相可在晶相與非晶相之間進(jìn)行可逆變換。
本發(fā)明還涉及一種用于將代表數(shù)據(jù)的標(biāo)記記錄到記錄載體的信息層上的記錄裝置，所述記錄裝置能夠執(zhí)行上述方法。
背景技術(shù)：
具有可在晶相與非晶相之間進(jìn)行可逆變換的相的信息層通稱為相變層。通過聚焦激光束之類的射束將相變層局部加熱到高于熔化溫度的記錄溫度從而使相變層中的記錄材料局部從晶相變?yōu)榉蔷?，從而記錄?biāo)記。當(dāng)在此之后溫度下降得足夠快速的情況下，記錄材料將不會返回到晶相(所謂再結(jié)晶)，而是保持在非晶相，由此在相變層中留下可檢測的標(biāo)記。現(xiàn)在，執(zhí)行數(shù)據(jù)記錄操作，根據(jù)要記錄的數(shù)據(jù)改變射束的輻照條件，從而將代表數(shù)據(jù)的標(biāo)記圖案形成在相變層中。
可以通過借助于射束將相變層加熱到擦除溫度而后逐步降低溫度來擦除記錄標(biāo)記，所述擦除溫度通常低于記錄溫度。在所述擦除操作期間，具有非晶相的區(qū)域?qū)⒃俳Y(jié)晶為晶相，從而有效地消除標(biāo)記。
包括相變層的記錄載體允許通過調(diào)制射束的功率來記錄和擦除數(shù)據(jù)，如上所述。這種可重寫記錄載體可以用在例如CD-RW、DVD-RW、DVD+RW和最近引入的藍(lán)光盤系統(tǒng)。在這些系統(tǒng)中，借助于激光束照射旋轉(zhuǎn)記錄載體的記錄裝置將數(shù)據(jù)記錄在記錄載體上。在本說明書中，要記錄的數(shù)據(jù)包括數(shù)字視頻、數(shù)字音頻和軟件數(shù)據(jù)。
讀取裝置從記錄載體上讀回記錄數(shù)據(jù)，該讀取裝置借助于相對低功率的激光束掃描旋轉(zhuǎn)的記錄載體，從而檢測記錄在記錄載體上的標(biāo)記圖案。為此，檢測器將反射激光轉(zhuǎn)換為光電流。由于非晶相標(biāo)記相對于晶相環(huán)境存在反射差異，因此，根據(jù)正在讀回的記錄數(shù)據(jù)來調(diào)制光電流。
前文中所定義的記錄方法和裝置已經(jīng)公開于例如國際專利申請WO97/30440。標(biāo)記通過一個寫脈沖序列而被記錄下來，每個寫脈沖都具有一個寫功率電平。在單個序列的寫脈沖之間施加偏置功率電平。
此外，正在記錄的標(biāo)記之間的在先記錄標(biāo)記可以通過在寫脈沖序列之間施加擦除功率電平而擦除，所述擦除功率電平高于偏置功率電平而低于寫功率電平。其允許所述方法用在直接覆寫(DOW)模式下，在所述模式下，將要記錄的數(shù)據(jù)記錄在記錄載體的信息層上，同時擦除先前記錄在信息層上的數(shù)據(jù)。
通過引入第二信息層可容易的將記錄載體的存儲容量增加到兩倍。通過添加另外的信息層可以使存儲容量進(jìn)一步增加。然而，為了能夠使用與記錄載體一側(cè)相交的單一射束來訪問這種雙層記錄載體的兩個信息層，靠近發(fā)射射束的輻射源的信息層需要是完全或半透明的。
這種(半)透明信息層需要改變信息層疊層設(shè)計(jì)。相變型信息層的標(biāo)準(zhǔn)疊層例如所謂IPIM疊層包括金屬鏡層(M)、電介質(zhì)干涉層(I)和自身包括記錄材料的相變層(P)。然而，具有這種標(biāo)準(zhǔn)疊層的信息層由于金屬鏡層的存在而不是(半)透明的。因此，可以從疊層中去除所述金屬鏡層，從而形成例如所謂透明EPI疊層。或者，標(biāo)準(zhǔn)金屬鏡層可以被具有相對較高的光透射率的相對較薄的金屬層例如薄Ag層所替代，從而形成半透明信息層。包括這種半透明上信息層的雙層記錄載體公開于例如US6190750中。
然而，顯而易見，省去信息層疊層中的金屬鏡層或用相對較薄的金屬層替代標(biāo)準(zhǔn)金屬層，導(dǎo)致記錄標(biāo)記的質(zhì)量劣化。這些標(biāo)記具有例如縮短和不明顯的長度，這會導(dǎo)致讀取抖動的增加。
讀取抖動是從讀取記錄標(biāo)記的過程中獲得的數(shù)字化讀出信號的電平轉(zhuǎn)換與時鐘信號中的相應(yīng)轉(zhuǎn)換之間的時間差的標(biāo)準(zhǔn)偏差，所述時間差由所述時鐘信號的一個周期的持續(xù)時間標(biāo)準(zhǔn)化。此外，這些標(biāo)記相對較窄，這導(dǎo)致讀回過程中讀出信號的調(diào)制度降低，對具有已記錄標(biāo)記的區(qū)域進(jìn)行讀取而獲得的讀出信號的幅度的調(diào)制不同于對沒有記錄標(biāo)記的區(qū)域進(jìn)行讀取而獲得的讀出信號的幅度的調(diào)制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供首段所描述的那種用于記錄標(biāo)記的方法，其可以獲得質(zhì)量良好的記錄標(biāo)記(即所述記錄標(biāo)記可以在讀回過程中產(chǎn)生讀取抖動較低并且具有足以使記錄數(shù)據(jù)可靠重現(xiàn)的調(diào)制度的讀出信號)。
所述目的可以通過提供根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法而實(shí)現(xiàn)，其特征在于，當(dāng)以兩個或兩個以上寫脈沖的序列記錄標(biāo)記時，所述兩個或兩個以上寫脈沖的所述序列中的除所述序列中第一寫脈沖之外的至少一個寫脈沖包含n部分，n是大于1的整數(shù)，第i部分具有第i寫功率電平，i是1和n之間的整數(shù)，第i部分在第(i+1)部分之前，其中，第i寫功率電平低于第(i+1)寫功率電平。
本發(fā)明的所述目的還可以通過提供權(quán)利要求5所述的方法實(shí)現(xiàn)，其特征在于，所述一個或多個寫脈沖的序列中的至少一個寫脈沖包括具有作為時間的函數(shù)的寫功率電平的前端部分，其中，所述寫功率電平持續(xù)增加。
顯而易見，從信息層的疊層中去掉或減薄金屬鏡層不僅會影響信息層的光學(xué)性質(zhì)，而且會明顯影響其熱特性。金屬鏡層具有高于疊層中其他層的熱導(dǎo)率。金屬鏡層的所述熱導(dǎo)率看起來有利于非晶相標(biāo)記的真實(shí)記錄過程。在所述記錄過程中，相變材料被射束加熱到幾百攝氏度(典型的加熱到550度.....850度)。而后，應(yīng)足夠快速的冷卻相變材料，以避免熔融(即非晶相)材料的再結(jié)晶。為了成功的進(jìn)行所述過程，冷卻時間必須短于再結(jié)晶時間。金屬鏡層的高熱導(dǎo)率和熱容量有助于從熔融相變材料中快速去熱。然而，在沒有或具有減薄的這種金屬鏡層的(半)透明信息層中，冷卻時間似乎變長，導(dǎo)致熔融相變材料至少部分再結(jié)晶。要形成標(biāo)記的區(qū)域不僅由相關(guān)的寫脈沖加熱，而且被序列中的在先寫脈沖加熱，引起所謂預(yù)加熱效應(yīng)。此外，由于序列中相關(guān)寫脈沖之后的寫脈沖對要形成標(biāo)記的區(qū)域加熱，因此冷卻時間延長，導(dǎo)致所謂后加熱效應(yīng)。這種熱積聚以及記錄載體中相變層的冷卻能力的降低看起來導(dǎo)致了標(biāo)記質(zhì)量的下降。
根據(jù)本發(fā)明的方法通過降低寫脈沖的前部的寫功率、同時在寫脈沖的后部提供足以使局部峰值溫度高于相變層的熔化溫度的寫功率，從而降低了相變層中的熱積聚量。不僅降低了熱積聚量，而且縮短了高于記錄溫度的溫度在相變層所保持的時間。根據(jù)本發(fā)明的寫脈沖序列施加到相變層的能量總量通常相比于WO97/30440所公開的寫脈沖序列施加到相變層的能量總量有所降低。
應(yīng)當(dāng)注意，在采用高記錄速度的記錄系統(tǒng)中也會觀察到標(biāo)記質(zhì)量下降的問題。記錄速度是記錄載體的信息層與所述層上由射束形成的光點(diǎn)之間的速度的大小。這些低質(zhì)量的標(biāo)記似乎同樣是由于不充分的冷卻造成的。由于記錄速度較高，因此，寫脈沖序列之間與單個寫脈沖之間的時間相對較短。這導(dǎo)致相變層的冷卻時間不足，引起至少部分再結(jié)晶。
上述現(xiàn)象在由于記錄速度較高而采用快速相變材料例如Ge2SB2Te2或摻雜過的SbTe時更加明顯。在新非晶相標(biāo)記記錄期間中(直接覆寫(DOW)模式)，用于再結(jié)晶先前記錄的非晶相標(biāo)記的時間隨記錄速度的增加而減少。為了確保激光光點(diǎn)單次通過期間的再結(jié)晶，采用這些較快速的相變材料使得再結(jié)晶的速度增加?，F(xiàn)在，寫脈沖之間的時間的減少以及相變材料的晶化速度的增加都導(dǎo)致了新寫入標(biāo)記至少部分的再結(jié)晶。因此，目的在于降低相變層中的熱量的本發(fā)明的記錄方法在高速記錄系統(tǒng)中也具有優(yōu)越性。
在根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法中，所述寫脈沖序列中除序列中第一寫脈沖之外的至少一個寫脈沖被分為多個部分，從而，各部分的寫功率電平從第一部分向最后一部分增加。單個寫脈沖中寫功率的這種增加方式確保相變層中的瞬時溫度超過記錄溫度而不會引起過量積聚的熱量。
在根據(jù)權(quán)利要求2的方法的變形中，寫脈沖序列中的第一寫脈沖也被分為多個部分，從而，各部分的寫功率電平從第一部分向最后一部分遞增。應(yīng)當(dāng)注意，美國專利US5 732062公開了一種寫脈沖序列，其中，第一寫脈沖中加入前端部分，所述前端部分的功率電平低于第一寫脈沖的其余部分的功率電平。US5732062的圖38示出了單寫脈沖序列，所述序列的前端部分僅加入第一寫脈沖。然而，正如根據(jù)本發(fā)明的目的在于降低相變層中的熱的方法所提出的，所述前端部分用于在寫脈沖序列的開始部分對相變層加熱，這產(chǎn)生了預(yù)加熱效果。
當(dāng)各部分的寫功率電平基本均勻分布在(第一部分的)最低寫功率電平與(最后一部分的)最高寫功率電平之間時，可以利用現(xiàn)有的電子和光子狀態(tài)容易地實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的寫脈沖。這是由于這種寫脈沖中的各部分之間需要相對較低的功率電平過渡。然而，應(yīng)當(dāng)注意，各個部分的寫功率電平的分布并不局限于所述平均分布，而是可以任何方式分布，還應(yīng)當(dāng)注意，各部分的寫功率電平的相同分布可以用于序列中的所有寫脈沖，各個部分的寫功率電平的不同分布也可以用于序列中的各個寫脈沖。
當(dāng)在直接覆寫(DOW)模式下記錄標(biāo)記時(在直接覆寫模式下通過在寫脈沖序列之間施加擦除功率電平來擦除位于要記錄的標(biāo)記之間的在先記錄標(biāo)記)，寫脈沖的第一部分的第一寫功率電平可以等于或高于擦除功率電平。然而，根據(jù)本發(fā)明的方法的優(yōu)選變形，所述第一部分的第一寫功率電平低于擦除功率電平。隨后的部分(但不是所有部分)的寫功率電平也可以低于擦除功率電平。這樣，寫脈沖的開始位置處的冷卻間隙產(chǎn)生。
在根據(jù)權(quán)利要求5的方法中，通過至少具有前端部分的寫脈沖實(shí)現(xiàn)寫功率的增加，在所述前端部分，寫功率電平持續(xù)增加。隨后的部分例如也可以具有持續(xù)增加的寫功率電平，從而導(dǎo)致一個寫脈沖具有持續(xù)增加的寫功率電平。作為選擇，隨后的部分也可以具有離散的寫功率電平，從而，寫脈沖由具有持續(xù)增加的寫功率電平的前端部分與具有恒定的寫功率電平的隨后的一個或多個部分構(gòu)成。
前部的寫功率電平可以根據(jù)任意持續(xù)增加的時間函數(shù)而變化。然而，當(dāng)采用高階函數(shù)例如拋物線或冪函數(shù)時，其明顯具有優(yōu)越性。這種高階函數(shù)導(dǎo)致高于記錄溫度的溫度在相變層中保持的時間明顯縮短。作為選擇，當(dāng)采用線性遞增的函數(shù)時，由于該函數(shù)較為簡單，因此，可以采用現(xiàn)有的電子和光子狀態(tài)容易地實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的寫脈沖。
根據(jù)本發(fā)明的方法是基于傾斜前沿的寫脈沖，由此，相變層中的熱積聚量降低。所述傾斜前沿可以由階梯狀傾斜或連續(xù)增加的前沿實(shí)現(xiàn)。應(yīng)當(dāng)注意，寫脈沖的后沿最好沒有相似的階梯狀的或連續(xù)遞減的傾斜。寫脈沖最好不具有傾斜的后沿，因?yàn)檫@有利于獲得高淬火速率(快速冷卻)來防止再結(jié)晶。
應(yīng)當(dāng)注意，根據(jù)本發(fā)明的方法可以用在用于記錄標(biāo)記的任意公知寫策略中，在所述寫策略中，長度為xT的標(biāo)記(T是屬于數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)時鐘的一個周期的長度)由x-y個寫脈沖的序列記錄下來。這種寫策略的實(shí)施例是(x-2)策略和(x-1)策略，在(x-2)策略中，xT標(biāo)記由x-2個寫脈沖記錄下來(3T標(biāo)記由一個寫脈沖記錄，4T標(biāo)記由兩個寫脈沖記錄，等等)，在(x-1)策略中，xT標(biāo)記由x-1個寫脈沖記錄下來(3T標(biāo)記由兩個寫脈沖記錄，4T標(biāo)記由三個寫脈沖記錄，等等)。然而，根據(jù)本發(fā)明的方法還有利于用在對具有(半)透明信息層的記錄載體記錄標(biāo)記的其它寫策略中，其中，長度為xT的標(biāo)記由x/y個寫脈沖序列記錄下來。這種寫策略的一個實(shí)施例是(x/2)策略，其中，3T標(biāo)記由一個寫脈沖記錄下來，4T和5T由兩個寫脈沖記錄下來，6T和7T由3個寫脈沖記錄下來，等等。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種能夠執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的方法的記錄裝置。所述目的通過提供根據(jù)權(quán)利要求8所示的記錄裝置而實(shí)現(xiàn)。所述目的還可以通過根據(jù)權(quán)利要求10所述的記錄裝置而實(shí)現(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明的記錄裝置用于執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的方法。為此，其包括用于控制射束的功率和提供用于記錄標(biāo)記的寫脈沖序列的控制單元，以使除所述序列中的第一寫脈沖之外的所述兩個或兩個以上寫脈沖的所述序列中的至少一個寫脈沖包含n部分，n是大于1的整數(shù)，第i部分具有第i寫功率電平，i是1和n之間的整數(shù)，第i部分在第(i+1)部分之前，其中，第i寫功率電平低于第(i+1)寫功率電平?；蛘?，所述控制單元用于控制射束的功率，以使所述一個或多個寫脈沖的序列中的至少一個寫脈沖包括具有作為時間的函數(shù)的寫功率電平的前端部分，其中，所述寫功率電平持續(xù)增加。
所述控制單元可以使用傳統(tǒng)的模擬或數(shù)字電子器件實(shí)現(xiàn)，例如切換單元、圖形發(fā)生器等。或者，控制單元也可以由數(shù)字處理單元和控制所述處理單元的適當(dāng)?shù)能浖绦驅(qū)崿F(xiàn)。


本發(fā)明的這些和其它目的、特征以及優(yōu)點(diǎn)通過下文中對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
的更加詳細(xì)的描述將更加明顯，所述具體實(shí)施方式
如附圖所示，其中圖1示出了數(shù)據(jù)信號與用于控制射束的功率的控制信號的時間相關(guān)性的方框圖，圖2示出了其上記錄著標(biāo)記的雙層記錄載體的信息層的橫截面圖，圖3和圖4示出了根據(jù)另一個具體實(shí)施方式
的用于控制射束的功率的控制信號的時間相關(guān)性方框圖，圖5示出了其上記錄著標(biāo)記的高速記錄載體的信息層的橫截面圖，圖6示出了根據(jù)另一具體實(shí)施方式
的數(shù)據(jù)信號與用于控制射束的功率的控制信號的時間相關(guān)性的方框圖，和圖7示出了根據(jù)另一具體實(shí)施方式
采用直接覆寫(DOW)過程的數(shù)據(jù)信號與用于控制射束的功率的控制信號的時間相關(guān)性的方框圖。
具體實(shí)施例方式
圖1a示出了作為時間的函數(shù)的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)信號10，所述信號的數(shù)值代表要被記錄的數(shù)據(jù)。垂直虛線表示屬于數(shù)據(jù)信號10的數(shù)據(jù)時鐘的時鐘信號的過渡。也被稱為信道信號位周期的一個數(shù)據(jù)時鐘周期由T表示。當(dāng)將所述數(shù)據(jù)信號記錄在記錄載體的信息層上時，數(shù)據(jù)信號的“高”周期和“低”周期記錄為標(biāo)記(即非晶相區(qū)域)以及標(biāo)記間的間隔(即晶相區(qū)域)。通常，標(biāo)記的長度基本等于數(shù)據(jù)信號的信道位周期乘以寫入速度的數(shù)值。因此，標(biāo)記的長度經(jīng)常由相應(yīng)數(shù)據(jù)信號為“高”時的數(shù)據(jù)時鐘周期值表示(例如，I7對應(yīng)于相應(yīng)數(shù)據(jù)信號對于7數(shù)據(jù)時鐘周期T為“高”時的標(biāo)記，如圖1a所示)。
圖1b和1c示出了與數(shù)據(jù)信號10相關(guān)的控制信號200，20。假設(shè)射束的功率電平與控制信號的相應(yīng)電平成比例，這些控制信號用于調(diào)制射束的功率。圖1b示出了現(xiàn)有技術(shù)中已知的方法所使用的脈沖控制信號200。I7標(biāo)記通過一系列六個塊形寫脈沖101而被記錄下來(當(dāng)采用(x-1)寫策略時)。
圖1c示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的變型中所采用的控制信號20。再次，以一系列六個寫脈沖11記錄I7標(biāo)記。然而，現(xiàn)在序列中的每個寫脈沖11都具有階梯形狀。寫脈沖11由持續(xù)時間基本相同的四部分12構(gòu)成。但是，應(yīng)當(dāng)注意，也可以選擇性的采用其中寫脈沖的連續(xù)部分不具有相同持續(xù)時間的實(shí)施方式。階梯狀寫脈沖11的總持續(xù)時間通?；镜扔趬K形寫脈沖101的持續(xù)時間。
圖2a示出了對具有緩冷IPI型疊層的記錄載體采用現(xiàn)有技術(shù)中所公開的方法時所獲得的I7標(biāo)記，其與圖1b中所示的控制信號相應(yīng)，而圖2b示出了對相同的記錄載體采用根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
的方法獲得的I7標(biāo)記，其與圖1c中所示的控制信號相應(yīng)。實(shí)線25代表沿其對記錄載體進(jìn)行掃描的路徑的中心軸，例如形成在記錄載體上的圓形或螺旋形軌道的縱向中心軸。
圖2a示出了在以現(xiàn)有技術(shù)已知的方法寫入I7標(biāo)記的期間內(nèi)，晶態(tài)相變材料初始熔化到熔融邊緣21。然而，寫入期間的熱積聚引起了嚴(yán)重的再結(jié)晶，最終導(dǎo)致非晶相標(biāo)記22變窄。圖2b示出了根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，在寫入I7標(biāo)記的期間內(nèi)晶態(tài)相變材料初始熔化到熔融邊緣23，其與熔融邊緣21的形狀和尺寸正好基本相同。然而，再結(jié)晶現(xiàn)象已經(jīng)明顯減少。得到的非晶相標(biāo)記24相比于窄標(biāo)記22輪廓分明，特別是在垂直于中心軸25的方向(即圓形記錄載體的徑向)上更加明顯。此外，縱向上的縮短現(xiàn)象也明顯減輕，從而可以獲得抖動較小的標(biāo)記。
圖3a示出了圖1b中所示的塊狀寫脈沖101中的兩個脈沖的放大圖(不是按比例放大)。圖3b和3c示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的變形所采用的控制信號。圖3b示出了具有階梯狀寫脈沖33的控制信號31，階梯狀寫脈沖33由五個持續(xù)時間基本相同的部分35構(gòu)成。部分35的寫功率電平均勻分布在第一部分的最低寫功率電平與最后部分的最高寫功率電平之間，從而從一部分過渡到下一部分時功率梯級(即一部分寫功率電平與在先部分的寫功率電平之差)相同。圖3c示出了具有階梯狀寫脈沖34的控制信號32，階梯狀寫脈沖34由四部分構(gòu)成。現(xiàn)在，最后一部分36的持續(xù)時間為每個在先部分的持續(xù)時間的兩倍。此外，最后一部分與前一部分之間的功率梯級是其他部分之間的功率梯級的兩倍。
根據(jù)本發(fā)明的方法不僅適用于在多層記錄載體的(半)透明信息層上寫入標(biāo)記，而且適于在采用高記錄速度的記錄系統(tǒng)中的單層記錄載體的信息層上寫入標(biāo)記。這種系統(tǒng)是例如DVD(數(shù)字通用盤)記錄系統(tǒng)，所述系統(tǒng)以7m/s(即兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DVD速度)的記錄速度寫入數(shù)據(jù)。圖5a示出了對單層DVD記錄載體采用現(xiàn)有技術(shù)的方法所獲得的I11標(biāo)記，其相應(yīng)于圖3b中所示的寫脈沖101，而圖5b示出了對相同的DVD記錄載體采用根據(jù)本發(fā)明的方法的變形而獲得的I11標(biāo)記，其與圖3b所示的寫脈沖33相應(yīng)。實(shí)線25代表沿記錄載體被掃描的軌道的中心軸。
圖5a示出了通過現(xiàn)有技術(shù)所公開的方法使用塊狀寫脈沖101寫入I11的過程中晶態(tài)相變材料初始熔化到熔融邊緣51。然而，寫入過程中的熱積聚引起嚴(yán)重的再結(jié)晶，最終導(dǎo)致非晶相標(biāo)記52變窄。
圖5b示出了通過根據(jù)本發(fā)明的變形的方法，在使用階梯狀寫脈沖33寫入11標(biāo)記的過程中晶態(tài)相變材料初始熔化到熔融邊緣53，其形狀與大小正好基本與熔融邊緣51相同。然而，再結(jié)晶效果明顯降低。與窄標(biāo)記52相比，獲得的非晶相標(biāo)記54的大小輪廓分明，特別是在垂直于中心軸25的方向上更加明顯。顯而易見，使用階梯狀寫脈沖，熔化晶態(tài)相變材料所需的熱量小于使用塊狀寫脈沖時所需的熱量。結(jié)果，要寫入的標(biāo)記周圍的受熱減少，由此，相變材料中溫度降低。這又導(dǎo)致再結(jié)晶效果的降低。
階梯狀寫脈沖可以以各種記錄速度施加。然而，寫功率電平必須適應(yīng)這些記錄速度以獲得對再結(jié)晶現(xiàn)象的最大抑制。公知的最優(yōu)化過程，被認(rèn)為是最佳功率校準(zhǔn)(OPC)過程，可以用于所述目的。應(yīng)當(dāng)注意，由階梯狀第一部分與隨后的塊狀尾部構(gòu)成的寫脈沖，例如圖3c所示的寫脈沖34，非常適于標(biāo)準(zhǔn)DVD速度的記錄速度的1.5倍。
圖4a和4b示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的另一變形所適用的控制信號。圖4a示出了具有由一個寫功率電平持續(xù)增加的前端部分構(gòu)成的寫脈沖43的控制信號41。寫功率電平從其位于寫脈沖的開始處的最低電平線性增加到寫脈沖的結(jié)束位置處的最高電平?？梢允褂脪佄锞€或冪函數(shù)替代所述線性函數(shù)。圖4b示出了具有由一個寫功率電平持續(xù)增加的前端部分44和寫功率電平恒定的后一部分45構(gòu)成的寫脈沖的控制信號42。
圖6a也示出了代表記錄在數(shù)據(jù)載體上的I7標(biāo)記的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)信號10。圖6b示出了在采用根據(jù)本發(fā)明的方法的另一替代方式記錄I7標(biāo)記的過程中所使用的控制信號61。在所述變形中，用于寫入I7標(biāo)記的寫脈沖序列由階梯狀寫脈沖62與塊狀寫脈沖63的組合構(gòu)成。所述具體實(shí)施方式
在以相同數(shù)量寫脈沖的寫脈沖序列記錄具有不同長度的標(biāo)記時特別具有優(yōu)越性。要記錄的標(biāo)記的長度現(xiàn)在受到階梯狀寫脈沖的數(shù)量、寫脈沖序列的位置以及階梯狀寫脈沖中的寫功率電平數(shù)值的影響。例如，I7和I8標(biāo)記都可以由六個寫脈沖序列寫入，I7標(biāo)記可以由圖6b所示的控制信號61寫入，I8可以由僅包含六個階梯狀寫脈沖62的控制信號寫入。
根據(jù)本發(fā)明的方法適用在直接覆寫(DOW)模式下，在所述模式下，將數(shù)據(jù)記錄在記錄載體的信息層上，同時擦除先前記錄在信息層上的數(shù)據(jù)。當(dāng)在這種直接覆寫(DOW)模式下記錄標(biāo)記時，記錄標(biāo)記之間的在先記錄標(biāo)記通過在寫脈沖序列之間施加擦除功率電平e而被擦除。這在圖7中示出，其中，圖7a示出了代表要記錄在記錄載體上的兩個I3標(biāo)記的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)信號70，圖7b和7c示出了與所述數(shù)據(jù)信號70相關(guān)的控制信號71、72。
圖7b示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的變形中所采用的控制信號71。每個I3標(biāo)記都通過兩個階梯狀寫脈沖序列寫入，而在這些序列之間施加有用于擦除先前記錄的標(biāo)記的恒定擦除功率電平e。階梯狀寫脈沖中的每一個都由三個部分73構(gòu)成，其中，第一部分74具有高于擦除功率電平e的寫功率電平。圖7c示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的優(yōu)選變形中所采用的控制信號72。再次，每個I3標(biāo)記由兩個階梯狀寫脈沖序列寫入，其中，每個階梯狀寫脈沖由三個部分構(gòu)成。然而，現(xiàn)在，第一部分75具有低于擦除功率電平e的寫功率電平。這樣，寫脈沖開始處產(chǎn)生了冷卻間隙。
應(yīng)當(dāng)注意，上述變形并不對本發(fā)明作出限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不背離附加的權(quán)利要求的范圍內(nèi)設(shè)計(jì)出替代方案。應(yīng)當(dāng)特別注意，本發(fā)明并不局限于僅用于雙層記錄載體。其還可用于包括任意數(shù)量的信息層的記錄載體。此外，如上所述，本發(fā)明還在用于高速記錄系統(tǒng)時(記錄載體包括一個相變型信息層或多個相變型信息層)特別具有優(yōu)越性。
權(quán)利要求
1.一種通過脈沖射束照射記錄載體的信息層從而在該信息層上記錄代表數(shù)據(jù)的標(biāo)記的方法，所述標(biāo)記通過一個或多個寫脈沖的序列而寫入，所述信息層的相可在晶相與非晶相之間進(jìn)行可逆變換，其特征在于，當(dāng)以兩個或兩個以上寫脈沖的序列記錄標(biāo)記時，所述兩個或兩個以上寫脈沖的序列中的除所述序列中第一寫脈沖之外的至少一個寫脈沖包含n部分，n是大于1的整數(shù)，第i部分具有第i寫功率電平，i是1和n之間的整數(shù)，第i部分在第(i+1)部分之前，其中，第i寫功率電平低于第(i+1)寫功率電平。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，兩個或兩個以上寫脈沖的序列中的第一寫脈沖包含n部分，n是大于1的整數(shù)，第i部分具有第i寫功率電平，i是1和n之間的整數(shù)，第i部分在第(i+1)部分之前，其中，第i寫功率電平低于第(i+1)寫功率電平。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述兩個或兩個以上寫脈沖的序列中的至少一個寫脈沖包含持續(xù)時間基本相同的n個部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，在一個或多個寫脈沖的序列當(dāng)中通過具有擦除功率電平的射束照射信息層，所述擦除功率電平高于第一部分中的第一寫功率電平，低于最后部分中的第n寫功率電平。
5.一種通過脈沖射束照射記錄載體的信息層從而在該信息層上記錄代表數(shù)據(jù)的標(biāo)記的方法，所述標(biāo)記通過一個或多個寫脈沖的序列而寫入，所述信息層的相可在晶相與非晶相之間進(jìn)行可逆變換，其特征在于，所述一個或多個寫脈沖的序列中的至少一個寫脈沖包括具有作為時間的函數(shù)的寫功率電平的前端部分，其中所述寫功率電平持續(xù)增加。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述一個或多個寫脈沖的序列中的至少一個寫脈沖中的至少一個還包括具有恒定寫功率電平的后端部分，所述恒定寫功率電平高于或等于前端部分中的最高寫功率電平。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，在一個或多個寫脈沖的序列當(dāng)中通過具有擦除功率電平的射束照射信息層，所述擦除功率電平高于前端部分中的最低寫功率電平，且低于前端部分中的最高寫功率電平。
8.一種用于通過脈沖射束照射記錄載體的信息層從而在該信息層上記錄代表數(shù)據(jù)的標(biāo)記的記錄裝置，所述每個標(biāo)記通過一個或多個寫脈沖的序列而寫入，所述信息層的相可在晶相與非晶相之間進(jìn)行可逆變換，所述裝置包括用于提供射束的輻射源，還包括用于控制射束功率和提供用于記錄標(biāo)記的寫脈沖序列的控制單元，其特征在于，控制單元用于控制射束的功率，以使當(dāng)以兩個或兩個以上寫脈沖的序列記錄標(biāo)記時，所述兩個或兩個以上寫脈沖的所述序列中的除所述序列中第一寫脈沖之外的至少一個寫脈沖包含n部分，n是大于1的整數(shù)，第i部分具有第i寫功率電平，i是1和n之間的整數(shù)，第i部分在第(i+1)部分之前，其中，第i寫功率電平低于第(i+1)寫功率電平。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的記錄裝置，其中，控制單元用于控制射束的功率，以使兩個或兩個以上寫脈沖的序列中的第一寫脈沖包含n部分，n是大于1的整數(shù)，第i部分具有第i寫功率電平，i是1和n之間的整數(shù)，第i部分在第(i+1)部分之前，其中，第i寫功率電平低于第(i+1)寫功率電平。
10.一種用于通過脈沖射束照射記錄載體的信息層從而在該信息層上記錄代表數(shù)據(jù)的標(biāo)記的記錄裝置，所述每個標(biāo)記通過一個或多個寫脈沖的序列而寫入，所述信息層的相可在晶相與非晶相之間進(jìn)行可逆變換，所述裝置包括用于提供射束的輻射源，還包括用于控制射束功率和提供用于記錄標(biāo)記的寫脈沖序列的控制單元，其特征在于，所述控制單元用于控制射束的功率，以使所述一個或多個寫脈沖的序列中的至少一個寫脈沖包括具有作為時間的函數(shù)的寫功率電平的前端部分，其中所述寫功率電平持續(xù)增加。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種借助于脈沖射束照射信息層在記錄載體的信息層上記錄代表數(shù)據(jù)(1a)的標(biāo)記的方法，所述標(biāo)記通過一個或多個寫脈沖的序列(1c)而寫入，所述信息層具有可在晶相與非晶相之間進(jìn)行可逆變換的相。序列中的至少一個寫脈沖具有逐漸上升的前沿。其可以是階梯狀寫脈沖(11)或具有作為時間函數(shù)持續(xù)增加的寫功率電平的寫脈沖。這種方法所采用的寫策略有利于在多層記錄載體中記錄標(biāo)記和在記錄載體中以高記錄速度記錄標(biāo)記。本發(fā)明還涉及能夠執(zhí)行上述方法的記錄裝置。
文檔編號G11B7/125GK1675689SQ03819254
公開日2005年9月28日 申請日期2003年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月14日
發(fā)明者E·R·梅德斯, J·W·赫爾米格 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司