專利名稱：用于磁盤驅(qū)動(dòng)器的寫入控制的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁盤驅(qū)動(dòng)器(disk drive)，尤其涉及抑制頭的PTP現(xiàn)象的寫入控制。
背景技術(shù)：
通常，在以硬盤驅(qū)動(dòng)器為代表的盤驅(qū)動(dòng)器中，已經(jīng)使用具有用于在磁盤介質(zhì)(以下簡(jiǎn)稱之為磁盤)上記錄數(shù)據(jù)的寫入頭和用于從磁盤再現(xiàn)數(shù)據(jù)的讀取頭的磁頭(以下簡(jiǎn)稱之為頭)。
頭的具體結(jié)構(gòu)為，在稱之為滑塊的頭主體上安裝寫入頭元件和讀取頭元件。
在寫入頭中，根據(jù)通過(guò)線圈流動(dòng)的寫入電流(記錄電流)向磁盤施加記錄磁場(chǎng)，以進(jìn)行數(shù)據(jù)的磁性記錄。
在磁盤驅(qū)動(dòng)器中，由致動(dòng)器(actuator)按照使頭在磁盤上懸浮(fly)的方式來(lái)保持頭(滑塊)。將懸浮的頭和磁盤之間的間距保持在稱之為懸浮高度的微小間隙上。
另一方面，懸浮高度正在變得越來(lái)越小，從而在提高記錄密度的同時(shí)極大地提高數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn)能力。但是另一方面，懸浮高度的降低提高了頭與盤面接觸的可能性，因此是一個(gè)降低記錄/復(fù)制操作的可靠性的因素。
另外，已經(jīng)證實(shí)了一種現(xiàn)象，也就是通過(guò)寫入頭的線圈流過(guò)的電流所產(chǎn)生的熱量會(huì)使頭材料(滑塊)會(huì)發(fā)生熱膨脹。這種現(xiàn)象被稱之為極尖突起(PTP)。
當(dāng)尤其是位于寫入頭的磁性記錄極附近的頭材料因?yàn)樵揚(yáng)TP現(xiàn)象而極大地?zé)崤蛎洉r(shí)，頭(滑塊)的膨脹部分接近盤面，結(jié)果減少了懸浮高度。因此，當(dāng)特別是因?yàn)樵趯懭氩僮鲿r(shí)間時(shí)的PTP現(xiàn)象而降低頭的懸浮高度的時(shí)候，增加了頭與盤面相接觸的可能性。
不用說(shuō)，當(dāng)設(shè)計(jì)磁盤驅(qū)動(dòng)器的時(shí)候，在因?yàn)镻TP現(xiàn)象導(dǎo)致的懸浮高度的降低中需要考慮大的懸浮高度裕度，并避免因?yàn)轭^與盤面的接觸帶來(lái)的損毀。但是，當(dāng)增加懸浮高度裕度時(shí)，導(dǎo)致記錄/再現(xiàn)能力的降低，因此優(yōu)選抑制PTP現(xiàn)象。
由于PTP現(xiàn)象是頭材料或者結(jié)構(gòu)上的問(wèn)題，因此可以改變材料或者結(jié)構(gòu)來(lái)抑制這種現(xiàn)象。具體的說(shuō)，現(xiàn)有技術(shù)中已經(jīng)提出，設(shè)計(jì)頭加工或者頭材料來(lái)減少PTP現(xiàn)象(例如參見JP專利申請(qǐng)公開2003-141704)。
但是實(shí)際上，僅通過(guò)改進(jìn)頭的材料或者結(jié)構(gòu)難以減少會(huì)影響例如指示10nm微小間隙的懸浮高度的PTP現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種能夠通過(guò)寫入控制在寫入操作的時(shí)候有效地抑制PTP現(xiàn)象的磁盤驅(qū)動(dòng)器。
磁盤驅(qū)動(dòng)器包括頭，根據(jù)提供給線圈的寫入電流在磁盤介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)；致動(dòng)器，其上安裝頭，并且它將頭定位在磁盤介質(zhì)的目標(biāo)位置上；寫入控制器，它在通過(guò)頭在磁盤介質(zhì)上的目標(biāo)位置中記錄數(shù)據(jù)的寫入操作的時(shí)候產(chǎn)生寫誤差的情況下改變寫入條件以執(zhí)行寫入操作。


作為說(shuō)明書一部分引入的附圖顯示了本發(fā)明的實(shí)施方案，連同上面的概述和下面的實(shí)施方案的詳細(xì)描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1為顯示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的磁盤驅(qū)動(dòng)器的主要部分的方框圖。
圖2為該實(shí)施方案的頭結(jié)構(gòu)和PTP現(xiàn)象的解釋圖。
圖3為在該實(shí)施方案中的WF次數(shù)以及因?yàn)镻TP導(dǎo)致的寫入電流之間的關(guān)系的視圖。
圖4為該實(shí)施方案的寫入電流的解釋圖。
圖5為該實(shí)施方案的WF次數(shù)和連續(xù)數(shù)據(jù)扇區(qū)的數(shù)量之間的關(guān)系的視圖。
圖6為該實(shí)施方案中的WF次數(shù)和磁盤中的溫度之間的關(guān)系的視圖。
圖7為該實(shí)施方案的區(qū)別信息的一個(gè)實(shí)例的視圖。
圖8為該實(shí)施方案的第一寫入控制方法的程序的流程圖。
圖9為該實(shí)施方案的第二寫入控制方法的程序的流程圖。
圖10為該實(shí)施方案的第三寫入控制方法的程序的流程圖。
具體實(shí)施例方式
以下參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施方案。
(驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu))圖1是該實(shí)施方案的磁盤驅(qū)動(dòng)器的主要部分的方框圖。
磁盤驅(qū)動(dòng)器固定在主軸馬達(dá)(SPM)3上，并具有高速旋轉(zhuǎn)的磁盤1，以及用于相對(duì)于磁盤1記錄或者再現(xiàn)數(shù)據(jù)的頭2。
在磁盤1上構(gòu)成用于記錄數(shù)據(jù)的大量的磁道100。每個(gè)磁道100包括其中記錄了伺服數(shù)據(jù)的伺服區(qū)域以及其中記錄用戶數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)扇區(qū)(data sector)。伺服數(shù)據(jù)用于將頭2定位在磁盤1上的目標(biāo)位置中的定位控制。
頭2安裝在由音圈電機(jī)(VCM)5所驅(qū)動(dòng)的致動(dòng)器4上。電機(jī)(motor)驅(qū)動(dòng)器IC6中包括的VCM驅(qū)動(dòng)器60向VCM5提供驅(qū)動(dòng)電流。電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC6包括SPM驅(qū)動(dòng)器61以及VCM驅(qū)動(dòng)器60，并由CPU10所控制。
頭2的結(jié)構(gòu)包括作為頭主體的滑塊，該滑塊上安裝用于執(zhí)行讀取操作的讀取頭以及用于執(zhí)行寫入操作的寫入頭。致動(dòng)器4由CPU10驅(qū)動(dòng)/控制，頭2定位在磁盤1上的目標(biāo)位置中。
除了頭盤組件之外，磁盤驅(qū)動(dòng)器包括電路系統(tǒng)，該電路系統(tǒng)包括頭放大器電路7、讀取/寫入(R/W)通道8、磁盤控制器(HDC)9、微處理器(CPU)10以及存儲(chǔ)器11。
頭放大器電路(前置放大電路)7具有對(duì)從讀取頭輸出的讀取信號(hào)進(jìn)行放大的讀取放大器，以及寫入放大器。寫入放大器將從R/W通道8輸出的寫入數(shù)據(jù)信號(hào)轉(zhuǎn)換為寫入電流信號(hào)，并將該信號(hào)送至寫入頭。
頭放大器電路7包括寄存器70，用于在寫入操作的時(shí)候調(diào)整在寫入條件中包括的寫入電流值(記錄電流值)。寄存器70由CPU訪問(wèn)，以設(shè)定指定的寫入電流值。頭放大器電路7的寫入放大器根據(jù)在寄存器70中設(shè)定的寫入電流值而向?qū)懭腩^的線圈提供寫入電流。
R/W通道8是信號(hào)處理IC，它處理讀/寫數(shù)據(jù)信號(hào)(包括伺服數(shù)據(jù)信號(hào))。HDC9的功能是在驅(qū)動(dòng)器和主機(jī)系統(tǒng)20(例如個(gè)人計(jì)算機(jī)或者數(shù)字設(shè)備)之間的接口。
CPU10是驅(qū)動(dòng)器的主要控制裝置，執(zhí)行頭2的定位控制操作、讀/寫操作控制、以及與PTP現(xiàn)象有關(guān)的寫入控制。存儲(chǔ)器11包括作為非易失性存儲(chǔ)器的閃存、RAM、ROM等，存儲(chǔ)用于CPU10的控制所必須的各種類型的數(shù)據(jù)和程序。
另外，該驅(qū)動(dòng)器包括溫度傳感器12，用于檢測(cè)尤其是驅(qū)動(dòng)器中的頭2的環(huán)境溫度。溫度傳感器12以一定的抽樣間隔檢測(cè)溫度，并將檢測(cè)的溫度值輸出至CPU10。CPU10根據(jù)從溫度傳感器12檢測(cè)的溫度監(jiān)測(cè)溫度波動(dòng)。
(頭的結(jié)構(gòu)和PTP現(xiàn)象)圖2是該實(shí)施方案的頭2的結(jié)構(gòu)和PTP現(xiàn)象的解釋圖。
頭2具有包括磁性記錄極(主磁極)20、返回磁軛或者線圈(未顯示)等的寫入頭，以及具有通過(guò)屏蔽部件21設(shè)置在寫入頭附近的讀取頭元件(例如大磁阻(GMR)元件)22的讀取頭。
頭2包括作為主體的滑塊，該滑塊上安裝有讀取頭和寫入頭，頭2安裝在致動(dòng)器4上?；瑝K例如由例如氧化鋁(alumina)的材料形成，在面對(duì)磁盤1的表面的一側(cè)上形成凹槽23，如圖2所示。應(yīng)當(dāng)指出，圖2所示的箭頭表示頭2相對(duì)于磁盤1的運(yùn)行方向。
寫入電流在寫入操作的時(shí)候通過(guò)寫入頭的線圈，以從主磁極20產(chǎn)生記錄磁場(chǎng)，并在磁盤1上進(jìn)行磁性記錄。此處，為了提高磁性記錄能力，增大寫入頭的記錄磁場(chǎng)。提高寫入電流的方法通常用于增大記錄磁場(chǎng)。寫入電流值可以被設(shè)定為例如大約最大是60mA。
如圖2所示，頭(滑塊)2按照微小距離的懸浮高度在磁盤表面上懸浮。近年來(lái)，懸浮高度已經(jīng)減小到例如大致10nm，以提高記錄/再現(xiàn)能力。
在這種減小懸浮高度并且提高記錄電流的傾向中，如上所述，已經(jīng)要求抑制或者減少PTP現(xiàn)象。在PTP現(xiàn)象中，每次在寫入操作時(shí)當(dāng)寫入電流流經(jīng)寫入頭的線圈的時(shí)候，線圈產(chǎn)生熱量而提高了環(huán)境溫度，這已經(jīng)被假定為是一個(gè)因素。也就是當(dāng)溫度升高時(shí)，如圖2所示，基于頭2的材料(例如氧化鋁)的熱膨脹系數(shù)而在線圈附近形成導(dǎo)致大的熱膨脹的部分200。
因?yàn)樵揚(yáng)TP現(xiàn)象，頭2和磁盤1之間的間隔因?yàn)榕蛎洸糠?00而減少，結(jié)果，降低了懸浮高度(懸浮高度FH)。因此，頭2的懸浮姿態(tài)是不穩(wěn)定的，增加了頭2與磁盤1接觸或者碰撞的可能性。
尤其是，在發(fā)生PTP現(xiàn)象時(shí)，當(dāng)頭2位于磁盤1上的目標(biāo)位置時(shí)，因?yàn)榕c磁盤1的表面的接觸而產(chǎn)生定位誤差(位置精度的破壞)，結(jié)果，在寫入操作的時(shí)候產(chǎn)生寫入錯(cuò)誤。
(第一寫入控制方法)圖8是顯示該實(shí)施方案的第一寫入控制方法的程序的流程圖。
PTP現(xiàn)象是因?yàn)榱鹘?jīng)寫入頭的線圈的寫入電流所產(chǎn)生的熱量而導(dǎo)致的。因此，在第一寫入控制方法中，在發(fā)生PTP現(xiàn)象的時(shí)候減少寫入電流值。
如圖8所示，當(dāng)在寫入操作時(shí)產(chǎn)生寫入錯(cuò)誤(寫入故障，以下在某些情況中稱之為WF)時(shí)，CPU10判斷已經(jīng)發(fā)生PTP現(xiàn)象，進(jìn)行至降低包括在寫入條件中的寫入電流的過(guò)程(步驟S1和S2中的“是”)。
此處當(dāng)頭2的懸浮高度因?yàn)镻TP現(xiàn)象而減少、并且在頭2的定位操作時(shí)因?yàn)榕c磁盤1接觸而破壞定位時(shí)，CPU10判斷已經(jīng)產(chǎn)生寫入錯(cuò)誤。
具體的說(shuō)，CPU10將設(shè)定至頭放大器電路7的寄存器70的額定寫入電流值變?yōu)闇p小的寫入電流值。另外，CPU10在經(jīng)過(guò)一段時(shí)間之后按照改變的寫入電流值來(lái)執(zhí)行寫入操作(步驟S3和S4中的“是”)。通過(guò)經(jīng)過(guò)一定的時(shí)間，減少了頭2所產(chǎn)生的熱量。
當(dāng)即使在以改變的寫入電流來(lái)進(jìn)行寫入操作的時(shí)候也產(chǎn)生寫入錯(cuò)誤的時(shí)候，CPU10進(jìn)一步減小寄存器70的寫入電流值(步驟S5和S6中的“是”)。也就是，CPU10按照分步的方式來(lái)減小寫入電流值，直到不再產(chǎn)生寫入錯(cuò)誤，并執(zhí)行寫入操作(步驟S7，S3-S5的“否”)。
為了以分步的方式將該值從額定電流值減少，在該值落入到用于寫入操作所必須的可允許值的范圍(例如大約25mA)之后，并且當(dāng)仍然產(chǎn)生寫入錯(cuò)誤的時(shí)候，CPU10停止寫入操作，并進(jìn)行至預(yù)定的誤差程序(步驟S7的“是”)。在這種情況下，假設(shè)寫入錯(cuò)誤的產(chǎn)生是PTP現(xiàn)象之外的因素。
需要指出，當(dāng)結(jié)束寫入操作的時(shí)候，CPU10將減小的寫入電流值返回至額定的電流值。或者，保持減小的寫入電流值，直到磁盤驅(qū)動(dòng)器的電源供應(yīng)關(guān)閉，然后在打開該電源供應(yīng)的時(shí)候設(shè)定額定電流值。
如上所述，當(dāng)在產(chǎn)生寫入錯(cuò)誤的時(shí)候減小寫入電流時(shí)，寫入頭的線圈的熱量產(chǎn)生溫度降低，并且可以抑制或者減少PTP現(xiàn)象。因此改善了因?yàn)镻TP現(xiàn)象造成的頭的定位破壞，結(jié)果可以消除寫入錯(cuò)誤。
圖3是顯示通過(guò)利用寫入電流(IW)和寫入電流的超過(guò)程度(overshoot)作為參數(shù)測(cè)量的因?yàn)镻TP現(xiàn)象產(chǎn)生的寫入錯(cuò)誤(WF)的次數(shù)的測(cè)量結(jié)果。也就是，圖3顯示了在WF次數(shù)是90-100的情況下從測(cè)量結(jié)果301至WF次數(shù)是0-10的情況下的測(cè)量結(jié)果310的每十個(gè)階段的WF次數(shù)范圍的測(cè)量結(jié)果301-310。
該實(shí)施方案的WF是這樣一種情況，其中當(dāng)進(jìn)行寫入操作的時(shí)候，因?yàn)轭^2因PTP現(xiàn)象與磁盤1的接觸而破壞了頭的定位精度，因此不能進(jìn)行寫入操作。
以下根據(jù)垂直磁性記錄系統(tǒng)的磁盤驅(qū)動(dòng)器中的波形來(lái)描述寫入電流。
如圖4所示，寫入電流的超過(guò)程度(Iovs)是在寫入電流Iw的極性顛倒時(shí)的在上升時(shí)間流動(dòng)的電流Ip的比例。如圖3所示，可以證實(shí)，當(dāng)寫入電流Iw或者超過(guò)程度(Ivos)升高時(shí)，WF的次數(shù)提高。在這種情況下，當(dāng)Iw或者Ivos提高時(shí)，寫入頭的線圈所產(chǎn)生的熱量也提高。因此提高了PTP的程度。在縱向磁性記錄系統(tǒng)中可以類似地看出該傾向。在第一寫入控制方法中，減小寫入電流Iw，由此抑制PTP的程度。
(第二寫入控制方法)圖9是顯示本發(fā)明第二寫入控制方法的程序的流程圖。
假設(shè)PTP現(xiàn)象不依賴于寫入頭線圈的瞬時(shí)熱量，而是受前面的連續(xù)寫入操作的熱量的綜合影響。因此該第二寫入控制方法是限制連續(xù)寫入操作時(shí)間的影響，換句話說(shuō)，是限制作為寫入操作目標(biāo)的連續(xù)數(shù)據(jù)扇區(qū)的數(shù)量。
如圖9所示，當(dāng)在寫入操作時(shí)產(chǎn)生寫入錯(cuò)誤(WF)的時(shí)候，CPU10判斷已經(jīng)發(fā)生PTP現(xiàn)象，并中斷寫入操作(步驟S11和S12中的“是”)。也就是，當(dāng)因?yàn)檫B續(xù)寫入操作的熱量的綜合導(dǎo)致發(fā)生PTP現(xiàn)象的時(shí)候，并且在頭2的定位操作時(shí)因?yàn)榕c磁盤1的接觸而破壞定位時(shí)，CPU10判斷已經(jīng)發(fā)生寫入錯(cuò)誤。
在主機(jī)系統(tǒng)20所請(qǐng)求的數(shù)據(jù)扇區(qū)的寫入操作中，CPU10對(duì)指定數(shù)量的數(shù)據(jù)扇區(qū)進(jìn)行寫入操作，并中斷寫入操作(步驟13)。也就是，CPU10對(duì)指定數(shù)量的數(shù)據(jù)扇區(qū)間歇地執(zhí)行包括中斷寫入操作在內(nèi)的寫入操作，直到要進(jìn)行寫入操作的這些數(shù)據(jù)扇區(qū)的寫入操作結(jié)束(步驟14)。
需要指出，在沒(méi)有產(chǎn)生寫入錯(cuò)誤的時(shí)候，CPU10對(duì)主機(jī)系統(tǒng)20所請(qǐng)求的數(shù)據(jù)扇區(qū)連續(xù)執(zhí)行寫入操作(步驟S11、S15和S16中的“否”)。
如上所述，限制寫入操作的時(shí)間，也就是限制要連續(xù)進(jìn)行寫入操作的數(shù)據(jù)扇區(qū)的數(shù)量，暫時(shí)性地進(jìn)行中斷操作，例如等待磁盤1的一個(gè)旋轉(zhuǎn)，由此減少寫入頭的線圈的熱量。因此，可以抑制或者減少PTP現(xiàn)象的發(fā)生。因此，改善了因?yàn)镻TP現(xiàn)象導(dǎo)致的頭的定位破壞，結(jié)果，可以消除寫入錯(cuò)誤。
圖5顯示了以在頭2圍繞磁盤1上的一個(gè)磁道的一次旋轉(zhuǎn)的時(shí)候?qū)懭氲臄?shù)據(jù)扇區(qū)的數(shù)量為參數(shù)時(shí)因?yàn)镻TP所產(chǎn)生的WF數(shù)量的測(cè)量結(jié)果。此處，顯示了關(guān)于作為連續(xù)數(shù)據(jù)扇區(qū)的936個(gè)區(qū)執(zhí)行寫入操作的情況。
從圖5中可以證實(shí)，當(dāng)減少寫入操作的數(shù)據(jù)扇區(qū)的數(shù)量的時(shí)候，WF的次數(shù)相應(yīng)地減少。也就是，可以看出，PTP不依賴于線圈的瞬時(shí)熱量，而是受到前面幾百個(gè)區(qū)的熱量的綜合影響。因此在第二寫入控制方法中，減少每次執(zhí)行寫入操作的連續(xù)數(shù)據(jù)扇區(qū)的數(shù)量，因此抑制了PTP的程度。
(第三寫入控制方法)圖10是顯示該實(shí)施方案的第三寫入控制方法的程序的流程圖。
假設(shè)PTP現(xiàn)象不僅受到寫入頭的線圈所產(chǎn)生的熱量的影響，而且受到驅(qū)動(dòng)器中環(huán)境溫度的熱量的影響。也就是在第三寫入控制方法中，監(jiān)測(cè)驅(qū)動(dòng)器中的環(huán)境溫度(尤其是頭2的環(huán)境溫度)，在發(fā)生PTP的可能性高的情況下改變寫入條件。
CPU10在寫入操作的執(zhí)行過(guò)程中或者開始之前根據(jù)由溫度傳感器12所檢測(cè)的溫度值來(lái)證實(shí)驅(qū)動(dòng)器中的環(huán)境溫度(步驟21)。然后，CPU10參考例如在存儲(chǔ)器11的閃存中所存儲(chǔ)的判斷信息，來(lái)判斷發(fā)生PTP現(xiàn)象的可能性(步驟S22)。
如圖7所示，判斷信息是矩陣構(gòu)成的表信息。判斷信息顯示提前采用驅(qū)動(dòng)器中的環(huán)境溫度T和寫入電流Iw對(duì)PTP現(xiàn)象發(fā)生的可能性作出的試驗(yàn)性判斷的條件。
CPU10參考該判斷信息，例如在檢測(cè)溫度T是40度并且寫入電流Iw是50mA或更小的情況下，可以相應(yīng)地證實(shí)沒(méi)有因?yàn)镻TP因素產(chǎn)生WF(步驟S23中的“否”)。
另一方面，CPU10參考判斷信息，例如在檢測(cè)溫度T超過(guò)50度并且寫入電流Iw是40mA的情況下，可以相應(yīng)地判斷因?yàn)镻TP導(dǎo)致產(chǎn)生WF的可能性高(步驟S23中的“是”)。在這種情況下，CPU10改變寫入條件，執(zhí)行寫入操作以提前防止PTP發(fā)生(步驟S24，S25)。
具體的說(shuō)，CPU10以如第一寫入控制方法中所述的相同方式將寫入電流Iw減少至例如40mA或以下。因此，可以在寫入操作的時(shí)候提前防止因?yàn)榘l(fā)生PTP現(xiàn)象導(dǎo)致WF。
需要指出，CPU10改變寫入條件的方法不限于減少寫入電流Iw，可以采用限制連續(xù)寫入操作的數(shù)據(jù)扇區(qū)數(shù)量的方法，以如第二寫入控制方法中的相同方式來(lái)進(jìn)行寫入操作。在這種情況下，將表示在連續(xù)數(shù)據(jù)扇區(qū)數(shù)量和環(huán)境溫度之間的關(guān)系的信息作為判斷信息，并相應(yīng)地限制和高精度地設(shè)置數(shù)據(jù)扇區(qū)數(shù)量。
如上所述，在寫入操作的執(zhí)行過(guò)程中或者開始之前根據(jù)表示驅(qū)動(dòng)器中環(huán)境溫度T和寫入電流Iw之間的關(guān)系的判斷信息判斷PTP現(xiàn)象發(fā)生的可能性。因此，在PTP現(xiàn)象發(fā)生的可能性高的情況下，改變包括減少寫入操作中的寫入電流的寫入條件，因此可以提前防止因?yàn)镻TP的發(fā)生導(dǎo)致產(chǎn)生WF。寫入條件包括限制寫入操作的時(shí)間，也就是要進(jìn)行連續(xù)寫入操作的數(shù)據(jù)扇區(qū)的數(shù)量，還包括中斷操作，例如暫時(shí)性地等待磁盤1的一次旋轉(zhuǎn)等等。
在該方法中，根據(jù)溫度檢測(cè)結(jié)果，在寫入電流Iw例如是50mA或者以下的時(shí)候可以假設(shè)因?yàn)镻TP導(dǎo)致產(chǎn)生WF的可能性低。因此，可以減少降低寫入電流值Iw的次數(shù)或者減少改變包括限制連續(xù)數(shù)據(jù)扇區(qū)數(shù)量在內(nèi)的寫入條件的次數(shù)。這樣具有可以抑制磁盤驅(qū)動(dòng)器性能損壞的效果。
需要指出，由于判斷信息與頭2的特征等相關(guān)，因此可以通過(guò)頭組(head lot)等的單元來(lái)準(zhǔn)備該信息。此處，為了檢查每個(gè)頭單元的PTP，例如采用發(fā)貨測(cè)試。在改變例如Iw、Ivos和連續(xù)數(shù)據(jù)扇區(qū)的數(shù)量等的寫入條件的同時(shí)在各種環(huán)境中測(cè)量WF，可以在存儲(chǔ)器11中存儲(chǔ)顯示出WF為0的最佳條件的判斷信息。該判斷信息優(yōu)選包括作為WF的產(chǎn)生可能性的產(chǎn)生強(qiáng)度，以及WF的產(chǎn)生為0的條件。
圖6是顯示利用驅(qū)動(dòng)器中的環(huán)境溫度作為參數(shù)測(cè)量的因?yàn)镻TP所產(chǎn)生的WF次數(shù)的測(cè)量結(jié)果。從圖6中可以證實(shí)，當(dāng)驅(qū)動(dòng)器中的環(huán)境溫度升高的時(shí)候，WF次數(shù)的比例升高。
需要指出當(dāng)根據(jù)寫入條件的變化而改變寫入電流Iw的時(shí)候，CPU10維持在寄存器70中的電流值Iw，并使用該值直到環(huán)境溫度改變或者驅(qū)動(dòng)器的電源關(guān)閉。
另外，因?yàn)閷懭霔l件的參數(shù)變化，因此將強(qiáng)烈地依賴于WF的產(chǎn)生的Ivos有效地作為參數(shù)與寫入電流值Iw一起使用。具體的說(shuō)，如圖3所示，例如當(dāng)Iw是48mA并且Ivos是110％時(shí)，在WF次數(shù)為50或更多的寫入頭中的寫入條件變?yōu)镮w為43mA，Ivos變?yōu)?0％。然后WF為10或者更小。
另外，當(dāng)Iw變?yōu)?8mA時(shí)，并且Ivos變?yōu)?0％時(shí)，WF的次數(shù)可以設(shè)定為0。CPU10在存儲(chǔ)器11中存儲(chǔ)該寫入條件。相應(yīng)的，當(dāng)產(chǎn)生WF的時(shí)候，設(shè)定寫入條件，并且可以有效地抑制因?yàn)镻TP所產(chǎn)生的寫入錯(cuò)誤。
需要指出，當(dāng)寫入電流值Iw降低時(shí)，無(wú)需說(shuō)明，驅(qū)動(dòng)器的記錄能力降低。因此優(yōu)選提前設(shè)定寫入電流值Iw的下降的下限值以及下降的最大范圍。在這種情況下，例如，當(dāng)即使將寫入電流值Iw從額定值降低為10mA時(shí)WF也不顯示為0的情況下，CPU10可以中斷寫入電流值Iw的降低，并轉(zhuǎn)至第二寫入控制方法。
如上所述，簡(jiǎn)而言之，根據(jù)該實(shí)施方案，減少寫入電流值，減少寫入操作的連續(xù)時(shí)間(減少連續(xù)數(shù)據(jù)扇區(qū)的數(shù)量)，通過(guò)監(jiān)測(cè)驅(qū)動(dòng)器中的環(huán)境溫度判斷發(fā)生PTP的可能性，并通過(guò)暫時(shí)中斷寫入操作來(lái)抑制線圈熱量。因此可以抑制因?yàn)镻TP現(xiàn)象產(chǎn)生的WF。然后，結(jié)果可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的寫入操作。
如上所述，簡(jiǎn)而言之，根據(jù)該實(shí)施方案，不是通過(guò)改變頭的材料和結(jié)構(gòu)，而是通過(guò)與寫入頭所產(chǎn)生的熱量相關(guān)聯(lián)地進(jìn)行寫入控制來(lái)改變?cè)趯懭氩僮鲿r(shí)的寫入條件，從而可以實(shí)現(xiàn)PTP現(xiàn)象的減少。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以容易實(shí)現(xiàn)其它優(yōu)點(diǎn)和改進(jìn)。因此本發(fā)明在其廣義的方面不限于此處顯示和描述的具體細(xì)節(jié)和代表性實(shí)施方案。因此，可以進(jìn)行各種改進(jìn)而不會(huì)脫離如所附權(quán)利要求以及其等同物所限定的總體發(fā)明理念的精神或者范圍。
權(quán)利要求
1.一種磁盤驅(qū)動(dòng)器，包括頭(2)，它根據(jù)提供給線圈的寫入電流在磁盤介質(zhì)(1)上記錄數(shù)據(jù)；以及致動(dòng)器(4)，頭(2)安裝在其上，它將頭(2)定位在磁盤介質(zhì)(1)上的目標(biāo)位置中，其特征在于包括寫入控制器(7，10，70)，當(dāng)頭(2)在磁盤介質(zhì)(1)上的目標(biāo)位置處記錄數(shù)據(jù)的寫入操作時(shí)產(chǎn)生寫入錯(cuò)誤的情況下，該控制器改變寫入條件以進(jìn)行寫入操作。
2.如權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于寫入控制器在檢測(cè)到產(chǎn)生寫入錯(cuò)誤時(shí)，將寫入電流從額定值減小到一個(gè)可以允許的范圍內(nèi)作為寫入條件，并根據(jù)減小的寫入電流執(zhí)行寫入操作。
3.如權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于寫入控制器在檢測(cè)到產(chǎn)生寫入錯(cuò)誤時(shí)，將寫入電流從額定值分階段地減小到一個(gè)可以允許的范圍內(nèi)作為寫入條件，并根據(jù)每個(gè)階段的寫入電流執(zhí)行寫入操作。
4.如權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于寫入控制器在檢測(cè)到產(chǎn)生寫入錯(cuò)誤時(shí)，將寫入電流從額定值減小到一個(gè)可以允許的范圍內(nèi)作為寫入條件，并在經(jīng)過(guò)一定的時(shí)間之后根據(jù)減小的寫入電流繼續(xù)執(zhí)行寫入操作。
5.如權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于寫入控制器在檢測(cè)到產(chǎn)生寫入錯(cuò)誤時(shí)，中斷寫入操作一定時(shí)間，并在經(jīng)過(guò)該一定時(shí)間之后繼續(xù)進(jìn)行寫入操作。
6.如權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于寫入控制器包括當(dāng)在連續(xù)記錄用于多個(gè)數(shù)據(jù)扇區(qū)的數(shù)據(jù)的寫入操作時(shí)產(chǎn)生寫入錯(cuò)誤的情況下，中斷寫入操作一定時(shí)間作為寫入條件，并對(duì)指定數(shù)量的數(shù)據(jù)扇區(qū)間歇地執(zhí)行寫入操作。
7.如權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于還包括溫度傳感器，檢測(cè)頭的環(huán)境溫度；以及單元，它根據(jù)溫度傳感器所檢測(cè)的環(huán)境溫度以及提供給頭的寫入電流值來(lái)判斷極尖突起(PTP)產(chǎn)生的可能性；以及其特征在于，寫入控制器在判斷單元的判斷結(jié)果顯示在寫入操作時(shí)產(chǎn)生PTP的可能性高的情況下，減小寫入電流值作為寫入條件來(lái)執(zhí)行寫入操作。
8.如權(quán)利要求7所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于還包括存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)判斷信息，所述判斷信息利用寫入電流值和頭的環(huán)境溫度作為參數(shù)來(lái)判斷產(chǎn)生極尖突起(PTP)的可能性，其中判斷單元利用溫度檢測(cè)器所檢測(cè)的環(huán)境溫度、要提供給頭的寫入電流值、以及判斷信息來(lái)判斷產(chǎn)生PTP的可能性。
9.如權(quán)利要求7所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于寫入控制器在產(chǎn)生PTP的可能性高的情況下，限制連續(xù)數(shù)據(jù)扇區(qū)的數(shù)量作為寫入條件以執(zhí)行寫入操作。
10.一種用于磁盤驅(qū)動(dòng)器的寫入控制的方法，該磁盤驅(qū)動(dòng)器包括用于根據(jù)寫入電流在磁盤介質(zhì)上寫入數(shù)據(jù)的頭，該方法的特征在于包括當(dāng)頭在磁盤介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的寫入操作時(shí)，檢測(cè)寫入錯(cuò)誤的產(chǎn)生(S1)；執(zhí)行寫入電流的降低(S2)；以及根據(jù)降低的寫入電流執(zhí)行寫入操作(S4)。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于執(zhí)行寫入操作的步驟包括在寫入電流降低后經(jīng)過(guò)一定時(shí)間以后，根據(jù)減小的寫入電流執(zhí)行寫入操作。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于還包括在執(zhí)行寫入操作的步驟之后，檢測(cè)寫入錯(cuò)誤的產(chǎn)生；以及將寫入電流分階段減小到一個(gè)可以允許的范圍。
13.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，在用于多個(gè)數(shù)據(jù)扇區(qū)的數(shù)據(jù)被連續(xù)記錄作為寫入操作的情況下，在檢測(cè)到寫入錯(cuò)誤產(chǎn)生以后，寫入操作的執(zhí)行步驟包括中斷寫入操作一定時(shí)間；對(duì)指定數(shù)量的數(shù)據(jù)扇區(qū)間歇地執(zhí)行寫入操作。
14.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于還包括檢測(cè)在寫入操作時(shí)的頭的環(huán)境溫度；根據(jù)環(huán)境溫度和要提供給頭的寫入電流值判斷發(fā)生極尖突起(PTP)的可能性；以及在發(fā)生PTP的可能性高的情況下改變寫入條件。
全文摘要
一種磁盤驅(qū)動(dòng)器，它能在寫入操作的時(shí)候有效抑制PTP現(xiàn)象。寫入控制器是一個(gè)CPU(10)，它改變寫入條件以避免在寫入操作時(shí)因?yàn)镻TP現(xiàn)象而產(chǎn)生寫入錯(cuò)誤。CPU(10)將設(shè)定在頭放大器電路(7)中的寄存器(70)的寫入電流值改變成一個(gè)低的電流值，并執(zhí)行寫入操作。CPU(10)分階段改變寫入電流值，直到抑制寫入錯(cuò)誤。
文檔編號(hào)G11B5/09GK1614687SQ200410090168
公開日2005年5月11日 申請(qǐng)日期2004年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月31日
發(fā)明者矢野耕司, 高橋干 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝