專利名稱：硬磁盤驅(qū)動(dòng)器磁頭浮動(dòng)高度測(cè)試儀的校準(zhǔn)系統(tǒng)和方法
背景信息本發(fā)明涉及光學(xué)間隙測(cè)量工具的?；?。更具體地說，本發(fā)明涉及用光學(xué)干涉技術(shù)校準(zhǔn)硬磁盤驅(qū)動(dòng)器磁頭浮動(dòng)高度測(cè)試儀的系統(tǒng)。


圖1示出典型的硬磁盤驅(qū)動(dòng)器。在硬磁盤驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域，讀/寫磁頭常常集成在浮動(dòng)塊102中，浮動(dòng)塊102設(shè)計(jì)成對(duì)隨浮動(dòng)塊102在其上移動(dòng)的旋轉(zhuǎn)磁盤一起運(yùn)動(dòng)的氣流作出響應(yīng)。磁頭/浮動(dòng)塊102靠近磁盤104的表面”飛行”。在制造這種磁頭/浮動(dòng)塊102時(shí)常需要測(cè)試磁頭102的流體動(dòng)力學(xué)特性以改變其性能。重要的是磁頭102的移動(dòng)不能太遠(yuǎn)離或太靠近磁盤104表面。而且，重要的是要防止磁頭102以相對(duì)于磁盤表面104的不適當(dāng)?shù)慕嵌蕊w行。磁頭102在磁盤表面104上過高處飛行，會(huì)導(dǎo)致低于所需的面密度。磁頭102飛行過低會(huì)引起磁頭102和磁盤104之間的界面損壞。
為了測(cè)試磁頭的浮動(dòng)高度，通常使用浮動(dòng)高度測(cè)試儀。采用光學(xué)干涉技術(shù)來確定磁頭和磁盤之間的距離。將單色光源對(duì)準(zhǔn)以類似于磁盤的速度旋轉(zhuǎn)的透明的代用盤，例如玻璃盤，將被測(cè)試的磁頭組件以其相對(duì)于磁盤的正常飛行取向固定在支座內(nèi)。將單色光以相對(duì)于磁盤表面的預(yù)定角度射向磁盤。光線從最靠近磁頭的磁盤表面以及從飛行的磁頭本身的表面反射，落到光敏傳感器上。
由來自磁盤和浮動(dòng)塊表面的組合反射所形成的干涉效應(yīng)提供了浮動(dòng)高度信息。計(jì)算機(jī)從浮動(dòng)高度測(cè)試儀接收數(shù)據(jù)并計(jì)算可感磁頭浮動(dòng)高度和角度。隨著硬磁盤驅(qū)動(dòng)器日益變小和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量的增加，所需的磁頭浮動(dòng)高度持續(xù)下降。所以，浮動(dòng)高度測(cè)試儀的精度，以及其校準(zhǔn)，就受到嚴(yán)密的關(guān)注。
在本領(lǐng)域，浮動(dòng)高度測(cè)試儀的校準(zhǔn)一直是通過使用已知其特性的標(biāo)準(zhǔn)磁頭來完成的。但是，在反復(fù)使用后，磁頭的反射表面和浮動(dòng)特性會(huì)因灰塵、油污或其它外來物質(zhì)而發(fā)生改變。這些污染物會(huì)改變用于校準(zhǔn)目的的標(biāo)準(zhǔn)件。也可以通過標(biāo)準(zhǔn)件來進(jìn)行浮動(dòng)高度測(cè)試儀的校準(zhǔn)，所述標(biāo)準(zhǔn)件包括襯底，襯底具有淀積在其上的代表磁頭的反射層和淀積在反射層上的具有預(yù)定厚度的透明層。將標(biāo)準(zhǔn)件放入浮動(dòng)高度測(cè)試儀中，同時(shí)，透明層距磁盤有間距并且將單色光射向標(biāo)準(zhǔn)件。這種標(biāo)準(zhǔn)件的缺點(diǎn)是它在磁盤和反射層之間使用透明材料而不是空氣。此外，這種標(biāo)準(zhǔn)件不提供沿標(biāo)準(zhǔn)件長度的精確定位。
圖2示出本領(lǐng)域已知的另一浮動(dòng)高度測(cè)試儀(光學(xué)間隙測(cè)量工具)的校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件，在授予Li等人的美國專利No.5,453,831中有所說明。使楔形浮動(dòng)塊34保持與透明盤32的接觸。將楔形浮動(dòng)塊的一端42升高，在楔形浮動(dòng)塊34和磁盤32之間形成光楔。楔形浮動(dòng)塊34具有第一導(dǎo)軌52和第二導(dǎo)軌54，每個(gè)都沿楔形浮動(dòng)塊34的長度方向延伸，并具有面對(duì)磁盤32的表面55。第一導(dǎo)軌52具有多個(gè)以規(guī)則間隔設(shè)置的圓柱形部分56。每個(gè)圓柱部分56的直徑等于浮動(dòng)高度測(cè)試儀的光源72的光束斑直徑，因此，可以在任何給定圓柱部分56的位置將光束斑匹配。第二導(dǎo)軌54的寬度大于光束斑的直徑，從而為沿其長度進(jìn)行連續(xù)的光楔測(cè)量作好準(zhǔn)備。第二導(dǎo)軌54在一側(cè)還可以具有多個(gè)標(biāo)記，可以用于確定沿楔形浮動(dòng)塊的長度方向上的進(jìn)行測(cè)量的位置。
為了校準(zhǔn)浮動(dòng)高度測(cè)試儀，要在沿其長度方向的多個(gè)位置上測(cè)量楔形浮動(dòng)塊34和磁盤32之間的距離，并與已知的，或預(yù)期的這些位置的浮動(dòng)高度值進(jìn)行比較。在多個(gè)位置上利用光學(xué)干涉技術(shù)測(cè)量浮動(dòng)高度。利用楔形浮動(dòng)塊的已知尺寸計(jì)算沿楔形浮動(dòng)塊長度方向上各個(gè)位置的浮動(dòng)高度預(yù)期值。還需針對(duì)在第一和第二導(dǎo)軌的表面映象時(shí)所發(fā)現(xiàn)的任何表面不規(guī)則性，對(duì)計(jì)算結(jié)果進(jìn)行校正。
這種浮動(dòng)高度測(cè)試儀校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)的一個(gè)缺點(diǎn)是設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。制造這樣小標(biāo)度的裝置非常困難和昂貴。而且，由于設(shè)計(jì)復(fù)雜，其形式和材料的不規(guī)則性的可能性增加了。還有，確定準(zhǔn)確的橫向測(cè)量位置是個(gè)問題，在圖2所述的設(shè)計(jì)中加入圓柱形部分56只能部分地解決這個(gè)問題(而且增加了設(shè)計(jì)復(fù)雜性)。
這種設(shè)計(jì)的另一缺點(diǎn)是反射時(shí)的相位變化效應(yīng)。這種困難在以下文章中有所說明文章題目為”Interferometric Measurement ofDisk/Slider SpacingThe Effect of Phase Shift on Reflection”，作者是C.Lacey，T.Shelor，A.J.Cormier和R.E..Talke。此文提出浮動(dòng)塊材料的光學(xué)特性會(huì)在浮動(dòng)高度傳感器中引入大到20毫微米(nm)的誤差。這些同樣的問題在校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件中也存在。為補(bǔ)償這些潛在的誤差，必需用橢圓對(duì)稱技術(shù)對(duì)反射時(shí)的相位變化認(rèn)真建立自己的校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)。例如，美國專利No.5,454,831建議用和楔形浮動(dòng)塊校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件相同的材料制造單獨(dú)的塊。假定這塊材料具有和楔形浮動(dòng)塊相同的光學(xué)特性，并可用橢圓計(jì)或類似的光學(xué)儀器來測(cè)定其反射相位變化。這一單獨(dú)的步驟使目前的工藝過程更為復(fù)雜，而且又將一些不確定性引入到了校準(zhǔn)中。
圖3示出本領(lǐng)域已知的另一校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件，并在授予Groot等人的美國專利No.5,724,134中有所說明。如圖3所示，所述裝置主要包括兩個(gè)元件10、20。元件之一或二者均用基本上是透明的材料制成，例如玻璃等，從而允許利用所述間隙進(jìn)行光學(xué)檢測(cè)。第一元件的一個(gè)表面15基本上是平面，而第二元件的一個(gè)表面25是非平面或曲面。曲面25最好是凸球面形。本發(fā)明裝置的這兩個(gè)主要元件以這樣的方式合并在一起，即，第二元件的曲面基本上與第一元件的平面相接觸。由于曲面和平面不能在兩個(gè)表面中任一表面的整個(gè)區(qū)域完全接觸，所以，接觸區(qū)域80的面積通常顯著地小于兩個(gè)表面中的任一表面。在接觸區(qū)域80之外，表面之間的間隙根據(jù)第二元件上所述表面的已知幾何曲率而變化。
這種設(shè)計(jì)的一個(gè)問題涉及到接觸區(qū)域(調(diào)零區(qū)域)中的測(cè)量不確定性。在第一元件和第二元件之間有至少3毫米(mm)的接觸區(qū)域80。這是由于向曲面中心的物理變形的緣故(因第一元件10壓向第二元件20而引起)。所述寬的接觸區(qū)域使相對(duì)于校準(zhǔn)的測(cè)量位置分辨精確的高度信息十分困難。物理變形的大小影響著所得到的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。
圖4示出在校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件(如’134專利所述)中發(fā)生的表面變形的負(fù)面影響的一個(gè)實(shí)例。如圖4a所示，用極小的壓力和輕微的變形，在曲面表面中心402處校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件就會(huì)提供零讀數(shù)(在x＝6mm時(shí)z＝0nm)。通過比較，若中心表面有更大的變形，就更難分辨接觸位置。此曲線實(shí)際上在4.5和7.5之間顯示了負(fù)高度值(見參考編號(hào)404)。一旦第一元件10固定到第二元件20上(通常通過粘接劑)，變形也就固定。在這種變形的情況下，測(cè)量這種小間隙時(shí)，要測(cè)定接觸點(diǎn)在什么地方就非常困難。
所以需要有一種能避免上述問題并具有附加好處的用于校準(zhǔn)浮動(dòng)高度測(cè)試儀的系統(tǒng)。
附圖的簡(jiǎn)要說明圖1示出典型的硬磁盤驅(qū)動(dòng)器。
圖2示出本領(lǐng)域已知的另一浮動(dòng)高度測(cè)試儀(光學(xué)間隙測(cè)量工具)校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件。
圖3示出本領(lǐng)域已知的另一校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件。
圖4示出在校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件中發(fā)生的表面變形的負(fù)面影響實(shí)例。
圖5示出按照本發(fā)明實(shí)施例的浮動(dòng)高度測(cè)試儀的校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件。
圖6示出利用按照本發(fā)明實(shí)施例的校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件對(duì)浮動(dòng)高度測(cè)試儀進(jìn)行校準(zhǔn)。
詳細(xì)說明圖5示出按照本發(fā)明實(shí)施例的浮動(dòng)高度測(cè)試儀的校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件。如圖5d所示，在本實(shí)施例中，由傾斜的模擬浮動(dòng)塊50形成楔形空氣間隙55，模擬浮動(dòng)塊50具有三個(gè)凸塊(支撐梁)52、53、54，每一個(gè)都用諸如模型金剛石碳(Pattern Diamond-Like Carbon(PDLC))等材料制成。支撐梁52、53、54與基本上光滑的透明模擬磁盤10相接觸。在一個(gè)實(shí)施例中，模擬磁盤10實(shí)際上是盤形的。模擬磁盤10可以是例如玻璃等透明材料的。在一個(gè)實(shí)施例中，用懸臂40來確保梁52、53、54與模擬磁盤10的接觸。
如圖5b所示，在一個(gè)實(shí)施例中，模擬浮動(dòng)塊50是矩形的。如圖5a所示，在另一個(gè)實(shí)施例中，模擬浮動(dòng)塊50是三角形的。模擬浮動(dòng)塊50可以是磁頭襯底。在一個(gè)實(shí)施例中，可以通過薄膜化學(xué)淀積把模擬記錄磁頭(未示出)涂敷在模擬浮動(dòng)塊50上。
如圖5c所示，在一個(gè)實(shí)施例中，三個(gè)梁52、53、54的高度(實(shí)際高度)是不同的。在一個(gè)實(shí)施例中，三個(gè)梁中有兩個(gè)(52、53)具有基本上相同的高度?？梢酝ㄟ^例如原子力顯微鏡(AFM)等工具來測(cè)量它們的長度。知道了三個(gè)梁52、53、54中每個(gè)梁的實(shí)際長度，就有可能求出在任一點(diǎn)上模擬浮動(dòng)塊50和模擬磁盤10之間的距離(實(shí)際高度)(以下說明)。模擬浮動(dòng)塊50經(jīng)由梁52、53、54與磁盤10相接觸就防止了上述調(diào)零問題(變形)。
在一個(gè)實(shí)施例中，通過首先將標(biāo)準(zhǔn)件100插入到測(cè)試儀中來校準(zhǔn)浮動(dòng)高度測(cè)試儀(未示出)。在沿模擬浮動(dòng)塊50的長度方向的多個(gè)位置處測(cè)量模擬浮動(dòng)塊50和模擬磁盤10之間的距離(測(cè)量距離)，并與這些位置的已知或預(yù)期的浮動(dòng)高度值(實(shí)際距離)進(jìn)行比較。測(cè)量高度(測(cè)量距離)可以用已知的光學(xué)干涉技術(shù)進(jìn)行測(cè)量。如下所述，可以利用梁52、53、54的實(shí)際長度來計(jì)算沿模擬浮動(dòng)塊50的長度方向的每個(gè)位置的實(shí)際距離。在一個(gè)實(shí)施例中，然后可以利用例如輪廓測(cè)定器(profilometer)等工具來對(duì)所述計(jì)算結(jié)果進(jìn)行關(guān)于在條(bar)/浮動(dòng)塊的表面映象時(shí)所發(fā)現(xiàn)的任何表面不規(guī)則性的校正。所獲得的表面不規(guī)則性信息可以由計(jì)算機(jī)利用來提供校正函數(shù)或一系列校正系數(shù)。
如圖5d所示，在一個(gè)實(shí)施例中，校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件100的內(nèi)部由外殼70保護(hù)，免受污染。在一個(gè)實(shí)施例中，外殼70通過連接裝置例如螺釘91、92固定到夾具81、82上。在此實(shí)施例中，夾具81、82通過例如粘接劑等材料固定到模擬磁盤上。在一個(gè)實(shí)施例中，模擬浮動(dòng)塊50通過梁52、53、54與模擬磁盤10相接觸。通過懸臂40的彈簧力(預(yù)加載的彎曲)(維持接觸所需的力的大小)使模擬浮動(dòng)塊50與模擬磁盤保持接觸。
如圖5d所示，在一個(gè)實(shí)施例中，高度基本相同的三個(gè)支撐凸塊42、43、44位于懸臂40上。在此實(shí)施例中，每個(gè)支撐凸塊42、43、44都位于模擬浮動(dòng)塊50上相應(yīng)的支撐梁52、53、54的正下方。在一個(gè)實(shí)施例中，懸臂40具有兩個(gè)定位銷45、46，用于維持模擬浮動(dòng)塊50在懸臂40上的位置。在一個(gè)實(shí)施例中，定位銷45、46比支撐凸塊42、43、44上方的模擬浮動(dòng)塊50的表面要短一些(到達(dá)較低的點(diǎn))。
圖6示出利用按照本發(fā)明實(shí)施例的校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件對(duì)浮動(dòng)高度測(cè)試儀進(jìn)行校準(zhǔn)。梁52、53、54的高度差形成模擬浮動(dòng)塊表面51和模擬磁盤表面12之間的角度‘a(chǎn)’。沿模擬浮動(dòng)塊50長度方向的水平位置用變量‘y’表示，從y＝0到y(tǒng)＝L(在圖6c中示出的x，y，z軸)。模擬磁盤表面12和模擬浮動(dòng)塊50之間的垂直距離(或浮動(dòng)高度)用變量‘h’表示。浮動(dòng)高度h隨y變化，從y＝0的‘h1’到y(tǒng)＝L的‘h2’。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖6a所示，為校準(zhǔn)浮動(dòng)高度測(cè)試儀，將校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件100放入浮動(dòng)高度測(cè)試儀中代替測(cè)試儀的處在測(cè)試儀的光源60下面的玻璃盤(未示出)。校準(zhǔn)浮動(dòng)高度測(cè)試儀時(shí)，由測(cè)試儀在沿模擬浮動(dòng)塊長度(y軸)方向的多個(gè)點(diǎn)處進(jìn)行高度測(cè)量。將所測(cè)量的距離與這些點(diǎn)的已知(或預(yù)期)數(shù)值(實(shí)際距離)進(jìn)行比較。在一個(gè)實(shí)施例中，利用線性轉(zhuǎn)換器和計(jì)算機(jī)來確定標(biāo)準(zhǔn)件100的位置。
在此實(shí)施例中，在每一個(gè)測(cè)量點(diǎn)，由光源60將單色光射向(透明)模擬磁盤10，如圖6a所示。光線68a打到磁盤10上，以角度2入射到第一模擬磁盤表面11，并且繼續(xù)穿過(玻璃)磁盤10沿通路68b到達(dá)第二模擬磁盤表面12，在此光線分裂并且部分地被反射。反射部分沿通路68c穿過磁盤10到達(dá)第一表面11，并沿通路68d到達(dá)浮動(dòng)高度測(cè)試儀的傳感器(未示出)。其余光線沿通路68e到模擬浮動(dòng)塊表面51，在此通過通路68f反射到模擬磁盤10。光線打到模擬磁盤10的第二表面12，沿通路68g穿過磁盤10，并沿通路68h到達(dá)測(cè)試儀傳感器(未示出)。在空氣/磁盤界面處通路之間的輕微角度偏差是由于Snell效應(yīng)造成的。為圖示清晰起見，圖6a中的高度h1、h2以及入射角2都被夸大了。在典型的浮動(dòng)高度測(cè)試儀的情況下，通路68a實(shí)際上基本上垂直于模擬磁盤表面11。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，高度Hd＝h2-h1在12和13微英寸之間，而長度L在0.045和0.1英寸之間。
在一個(gè)實(shí)施例中，利用以下立體幾何方程Ha-Hb2WX+2Hc-Ha-Hb2LY+Z-Hc=0,]]>并設(shè)Ha＝Hb＝H，得到Z=H-HcLY+Hc.]]>而且，在此實(shí)施例中，角度a可以從cosα=1(Hc-HL)2+1]]>中求出。在實(shí)施例中，角度a小于0.01098°。
在此實(shí)施例中，梁52、53、54是圓柱形，每個(gè)梁的直徑為394微英寸(10微米)，具有半球形尖端以便將表面接觸面積減至最小。如上所述，在一個(gè)實(shí)施例中，這些梁是用模型金剛石碳(PatternDiamond-Like Carbon(PDLC))等材料，通過淀積或離子鍍等方法形成的，其高度由淀積/離子鍍的時(shí)間控制。
為了克服設(shè)計(jì)/制造復(fù)雜性等先有技術(shù)的問題，本發(fā)明的實(shí)施例僅需要模擬浮動(dòng)塊50的基本上平整的平面(可與‘831專利提供的復(fù)雜設(shè)計(jì)相比較)。為了克服先有技術(shù)的調(diào)零問題，本發(fā)明的實(shí)施例避免在模擬浮動(dòng)塊50和模擬磁盤10之間有接觸(通過使用支撐梁52、53、54)。為了克服先有技術(shù)中測(cè)量位置識(shí)別的困難，在一個(gè)實(shí)施例中，在模擬浮動(dòng)塊604的面對(duì)模擬磁盤(未示出)的表面上設(shè)置測(cè)量刻度標(biāo)記602，如圖6d和6e所示。
雖然本文已具體地圖示和說明了若干個(gè)實(shí)施例，但應(yīng)理解對(duì)本發(fā)明的各項(xiàng)修改和變化包括在上述內(nèi)容和所附權(quán)利要求書的范圍之內(nèi)，不背離本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于校準(zhǔn)間隙測(cè)量工具的方法，所述方法包括提供校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件，它包括模擬磁盤和具有多個(gè)支撐梁的模擬浮動(dòng)塊，每個(gè)所述梁具有各自的已知的長度，且所述多個(gè)梁在所述浮動(dòng)塊和所述磁盤之間分隔開并維持一定的間隔；根據(jù)所述梁的所述各自的已知的長度，確定多個(gè)位置上所述浮動(dòng)塊和所述磁盤之間的實(shí)際距離；在一個(gè)或多個(gè)所述位置確定所述浮動(dòng)塊和所述磁盤之間的觀測(cè)距離；以及比較在每個(gè)所述位置上的所述觀測(cè)距離和所述實(shí)際距離。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述浮動(dòng)塊和所述磁盤之間的所述間隙是楔形間隙。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述間隙測(cè)量工具是硬磁盤驅(qū)動(dòng)器磁盤浮動(dòng)高度測(cè)試儀。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中還包括根據(jù)對(duì)所述觀測(cè)距離和所述實(shí)際距離的所述比較，調(diào)節(jié)所述間隙測(cè)量工具。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中還包括確定所述觀測(cè)距離和所述實(shí)際距離之間的差別；以及根據(jù)所述差別調(diào)節(jié)所述間隙測(cè)量工具。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中還包括設(shè)置用于將所述浮動(dòng)塊固定到所述磁盤上的懸臂，以便維持所述浮動(dòng)塊相對(duì)于所述磁盤的位置。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述懸臂包括多個(gè)定位銷，所述多個(gè)定位銷能夠接納所述浮動(dòng)塊并且將所述浮動(dòng)塊維持在相對(duì)于所述磁盤的適當(dāng)?shù)娜∠蛏希龃疟P由所述懸臂壓向所述磁盤上。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述浮動(dòng)塊和所述懸臂一般封裝在所述校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件中。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述支撐梁是模型金剛石碳(Pattern Diamond-Like Carbon(PDLC))。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述模擬浮動(dòng)塊是磁頭/浮動(dòng)塊襯底。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述浮動(dòng)塊包括保護(hù)涂層薄膜。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述模擬磁盤是光學(xué)透明盤。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述盤是玻璃盤。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中采用光學(xué)干涉技術(shù)來進(jìn)行所述浮動(dòng)塊和所述磁盤之間的所述觀測(cè)距離的所述測(cè)定。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中還包括在所述浮動(dòng)塊的面對(duì)所述磁盤的表面上設(shè)置一個(gè)或多個(gè)測(cè)量刻度標(biāo)記，每個(gè)所述標(biāo)記與距所述磁盤的相應(yīng)的實(shí)際距離相關(guān)聯(lián)。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述觀測(cè)距離與所述實(shí)際距離的所述比較包括將與刻度標(biāo)記關(guān)聯(lián)的所述實(shí)際距離與在所述位置的觀測(cè)距離進(jìn)行比較。
17.一種用于校準(zhǔn)間隙測(cè)量工具的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件，它包括模擬磁盤和模擬浮動(dòng)塊，所述模擬浮動(dòng)塊包括多個(gè)支撐梁，其中每個(gè)所述支撐梁具有各自的已知長度，所述各自的一致長度用于確定多個(gè)位置上所述浮動(dòng)塊和所述磁盤之間的實(shí)際距離；所述多個(gè)梁在所述浮動(dòng)塊和所述磁盤之間分隔開并且維持所述浮動(dòng)塊和所述磁盤之間的間隙；以及所述校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件用于確定一個(gè)或多個(gè)所述位置上所述浮動(dòng)塊和所述磁盤之間的觀測(cè)距離，以便在每個(gè)所述位置上的所述觀測(cè)距離和所述實(shí)際距離之間進(jìn)行比較。
18.如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中在所述浮動(dòng)塊和所述磁盤之間的所述間隙是楔形間隙。
19.如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述間隙測(cè)量工具是硬磁盤驅(qū)動(dòng)器磁盤浮動(dòng)高度測(cè)試儀。
20.如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中根據(jù)在所述觀測(cè)距離和所述實(shí)際距離之間進(jìn)行的比較對(duì)所述間隙測(cè)量工具進(jìn)行調(diào)節(jié)。
21.如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述觀測(cè)距離和所述實(shí)際距離之間的差別用來調(diào)節(jié)所述間隙測(cè)量工具。
22.如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中懸臂用于將所述浮動(dòng)塊固定到所述磁盤上并用以維持所述浮動(dòng)塊相對(duì)于所述磁盤的位置。
23.如權(quán)利要求22所述的系統(tǒng)，其中所述懸臂包括多個(gè)定位銷，所述多個(gè)定位銷能夠接納所述浮動(dòng)塊并維持所述浮動(dòng)塊相對(duì)于所述磁盤的適當(dāng)取向，所述磁盤由所述懸臂壓向所述磁盤。
24.如權(quán)利要求22所述的系統(tǒng)，其中所述浮動(dòng)塊和所述懸臂一般都封裝在所述校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件中。
25.如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述支撐梁是模型金剛石碳(Pattern Diamond-Like Carbon(PDLC))。
26.如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述浮動(dòng)塊是楔形浮動(dòng)塊。
27.如權(quán)利要求26所述的系統(tǒng)，其中所述浮動(dòng)塊包括保護(hù)涂層薄膜。
28.如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述模擬磁盤是光學(xué)透明盤。
29.如權(quán)利要求28所述的系統(tǒng)，其中所述盤是玻璃盤。
30.如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中通過光學(xué)干涉技術(shù)來測(cè)定所述浮動(dòng)塊和所述磁盤之間的所述觀測(cè)距離。
31.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)。其中所述浮動(dòng)塊在面對(duì)所述磁盤的浮動(dòng)塊表面上具有一個(gè)或多個(gè)測(cè)量刻度標(biāo)記，每個(gè)所述標(biāo)記與距所述磁盤的相應(yīng)的實(shí)際距離相關(guān)聯(lián)。
32.如權(quán)利要求31所述的系統(tǒng)，其中在所述觀測(cè)距離和所述實(shí)際距離之間的所述比較包括把與刻度標(biāo)記關(guān)聯(lián)的所述實(shí)際距離與在所述位置的觀測(cè)距離相比較。
全文摘要
公開了一種用于通過光學(xué)干涉技術(shù)、采用包括模擬浮動(dòng)塊和模擬磁盤的校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件來校準(zhǔn)硬磁盤驅(qū)動(dòng)器磁頭浮動(dòng)高度測(cè)試儀的系統(tǒng)和方法。
文檔編號(hào)H04Q7/38GK1695181SQ02829857
公開日2005年11月9日 申請(qǐng)日期2002年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月4日
發(fā)明者李宇, 胡遠(yuǎn)展 申請(qǐng)人:新科實(shí)業(yè)有限公司