專利名稱：一次寫入光盤以及在/從光盤上記錄/再現(xiàn)管理信息的方法和裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一次寫入光盤以及用于在/從光盤上記錄/再現(xiàn)管理信息的裝置和方法。
背景技術：
作為光學記錄介質，正廣泛使用可記錄高容量數(shù)據(jù)的光盤。其中，近來已開發(fā)諸如藍光盤的新高密度光學記錄介質(HD-DVD)用于長期記錄和存儲高清晰度視頻數(shù)據(jù)和高質量音頻數(shù)據(jù)。
藍光盤涉及下一代HD-DVD技術并且是下一代光學記錄解決方案，其具有卓越的容量用于存儲比現(xiàn)有DVD更多的數(shù)據(jù)。近來，已建立了用于HD-DVD的國際標準技術規(guī)范。正在制定用于藍光盤的各種標準。特別是，正提出用于一次寫入藍光盤(BD-WO)的標準。
圖1示意性示出了根據(jù)相關技術的可重寫藍光盤(BD-RE)的記錄區(qū)結構。如圖1所示，盤從其內(nèi)徑開始被分成引入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和引出區(qū)。此外，數(shù)據(jù)區(qū)具備分別設置于內(nèi)徑和外徑處用于替換缺陷區(qū)的內(nèi)備用區(qū)(ISA)和外備用區(qū)(OSA)，以及備用區(qū)之間提供的用于記錄用戶數(shù)據(jù)的用戶數(shù)據(jù)區(qū)。如果在可重寫藍光盤(BD-RE)上記錄數(shù)據(jù)時在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中產(chǎn)生缺陷區(qū)，則數(shù)據(jù)從該缺陷區(qū)轉移到備用區(qū)用于將數(shù)據(jù)替換并記錄于該備用區(qū)中。這部分備用區(qū)被稱作用于替換缺陷區(qū)的替換區(qū)。此外，關于缺陷區(qū)的位置信息(即關于缺陷區(qū)和相應替換區(qū)的位置信息)被記錄于引入/引出區(qū)中提供的缺陷管理器(DMA1、DMA2、DMA3和DMA4)，以執(zhí)行缺陷管理。BD-RE具有作為最小記錄單元的簇。一個簇具有總共32個扇區(qū)，且一個扇區(qū)具有2048個字節(jié)。
由于可在BD-RE的任何區(qū)域中進行重寫，所以可以隨機使用盤的整個區(qū)域而不管特定的記錄方式。此外，由于可在缺陷管理區(qū)(DMA)中寫入、擦除和重寫缺陷管理信息，缺陷管理區(qū)的大小較小是無關緊要的。特別是，BD-RE分配和使用32個簇用于每個缺陷管理區(qū)(DMA)。
另一方面，在諸如BD-WO的一次寫入盤中，在盤的特定區(qū)域中只能進行一次寫入，因此更多地限制了記錄方式。這樣，在要將數(shù)據(jù)記錄于諸如BD-WO的高密度一次寫入盤上時，缺陷管理變成重要因素之一。因此，一次寫入盤要求在管理區(qū)中記錄關于缺陷管理和盤管理的信息。在這點上，由于其獨特的“一次寫入”特性，一次寫入光盤需要更大的管理區(qū)用于記錄缺陷管理和盤使用狀態(tài)的信息。
但是，對于諸如BD-WO的一次寫入盤，滿足以上要求的統(tǒng)一標準不可用。此外，關于當前公布的一次寫入光盤的任何標準都不能解決以上缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明針對一種一次寫入光盤，以及用于在/從光盤上記錄/回放管理信息的裝置和方法，其基本消除了由于相關技術的限制和缺點引起的一個或多個問題。
本發(fā)明的目的在于提供一種用于在一次寫入光盤上記錄盤管理信息的方法，盤初始化方法和盤初始再現(xiàn)方法。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種用于分開地記錄和管理管理信息的方法，從而增強一次寫入光盤上提供的多個臨時缺陷/盤管理區(qū)域(TDMA)的使用效率。
本發(fā)明的其它優(yōu)點、目的和特點將部分在以下描述中闡述，且部分將通過以下內(nèi)容的審查或者通過本發(fā)明的實施而為本領域普通技術人員顯而易見。本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點可以通過以下描述及權利要求書以及附圖中特別指出的結構實現(xiàn)和獲得。
為了實現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點且根據(jù)本發(fā)明的用途，如這里體現(xiàn)和廣泛描述的，提供了一種具有至少一個記錄層的記錄介質，該記錄介質包括數(shù)據(jù)區(qū)，用于記錄用戶數(shù)據(jù)；以及引入?yún)^(qū)和引出區(qū)；以及多個臨時缺陷管理區(qū)(TDMA)，其中至少一個TDMA包括標識所述TDMA的使用狀態(tài)的指示器。
在本發(fā)明的另一方面中，提供了一種一次寫入記錄介質，它包括至少一個記錄層；所述至少一個記錄層上的引入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和引出區(qū)；所述引入?yún)^(qū)中的分開的指示器區(qū)域；以及所述分開的指示器區(qū)域中存儲的并標識一次寫入記錄介質上臨時管理區(qū)中的哪一個具有使用中狀態(tài)的指示器。
在本發(fā)明的另一方面中，提供了一種在記錄介質上記錄管理信息的方法，所述記錄介質包括至少一個記錄層上的多個臨時缺陷管理區(qū)(TDMA)，所述方法包括在至少一個TDMA中記錄指示器，所述指示器指示哪個TDMA在使用中。
在本發(fā)明的另一方面中，提供了一種在一次寫入記錄介質上記錄管理信息的方法，所述一次寫入記錄介質包括至少一個記錄層上的引入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和引出區(qū)，所述方法包括在一次寫入記錄介質的引入?yún)^(qū)中分配分開的指示器區(qū)域；以及在所述分開的指示器區(qū)域中記錄指示器，所述指示器識別一次寫入記錄介質上的臨時管理區(qū)域中的哪一個具有使用中狀態(tài)。
在本發(fā)明的另一方面中，提供了一種用于在記錄介質上提供管理信息的裝置，所述記錄介質包括至少一個記錄層上的多個臨時缺陷管理區(qū)域(TDMA)，該裝置包括記錄/再現(xiàn)部分，用于在至少一個TDMA中記錄指示器，該指示器指示哪個TDMA是使用中的TDMA。
本發(fā)明的另一方面中，提供了一種用于在一次寫入記錄介質上提供管理信息的裝置，所述一次寫入記錄介質包括至少一個記錄層上的引入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和引出區(qū)，所述裝置包括記錄/再現(xiàn)部分，用于在一次寫入記錄介質的引入?yún)^(qū)中分配分開的指示器區(qū)域，并用于在分開的指示器區(qū)域中記錄指示器，所述指示器識別一次寫入記錄介質上的哪一個臨時管理區(qū)具有使用中的狀態(tài)。
應理解，本發(fā)明的以上一般描述和以下詳細描述是示例性和說明性的并旨在提供所聲明的本發(fā)明的進一步說明。


包含附圖以提供本發(fā)明的進一步理解，且附圖被結合并構成本申請的一部分，它們示出了本發(fā)明的實施例并與描述一起用于說明本發(fā)明的原理。附圖中圖1是示出根據(jù)相關技術的BD-RE結構的示意圖。
圖2A和2B是分別示出根據(jù)本發(fā)明實施例的單層一次寫入光盤的結構和雙層一次寫入光盤的結構的示圖。
圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的一次寫入光盤的臨時盤/缺陷管理區(qū)(TDMA)中記錄的信息示例的示圖。
圖4A是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的單層一次寫入光盤的TDMA位置指示器(TLI)示例的示圖。
圖4B-4E是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的雙層一次寫入光盤的TDMA位置指示器(TLI)示例的示圖。
圖5A是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的單層一次寫入光盤的TLI示例的示圖。
圖5B和5C是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的雙層一次寫入光盤的TLI示例的示圖。
圖6A是示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的單層一次寫入光盤的TLI示例的示圖。
圖6B和6C是示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的雙層一次寫入光盤的TLI示例的示圖。
圖7、8和9是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的單層一次寫入光盤上和雙層一次寫入光盤上的TLI的不同位置示例的示圖。
圖10A和10B是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的TLI中記錄的信息的示圖。
圖11A和11B是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的具有擴展備用區(qū)和TLI區(qū)的單層一次寫入光盤的結構的示圖。
圖12A、12B、13A和13B是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的具有擴展備用區(qū)和TLI區(qū)的雙層一次寫入光盤的結構的示圖。
圖14是示出根據(jù)本發(fā)明的備用區(qū)分配模式的初始化方法的示圖。
圖15是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的用于一次寫入光盤的再現(xiàn)/記錄裝置的示圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在詳細參考本發(fā)明的較佳實施例，其示例在附圖中示出。只要可能，相同的標號將貫穿附圖用于表示相同或相似的部分。
為描述方便，一次寫入光盤被例示為一次寫入藍光盤(BD-WO)。
圖2A到3是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的一次寫入光盤結構和用于在該盤上記錄管理信息的方法的示圖。
特別是，圖2A示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的具有一個記錄層的單層一次寫入光盤(例如，單層BD-WO)。如圖2A所示，單層光盤在從內(nèi)向外的半徑方向上包括引入?yún)^(qū)30、數(shù)據(jù)區(qū)40和引出區(qū)50。數(shù)據(jù)區(qū)40包括內(nèi)和外備用區(qū)(ISA0)和(OSA0)，以及用戶數(shù)據(jù)區(qū)42。引入?yún)^(qū)30和外備用區(qū)OSA0分別包括臨時盤/缺陷管理區(qū)(TDMA0)和(TDMA1)。
此外，多個盤/缺陷管理區(qū)(DMA1～DMA4)被設置于引入和引出區(qū)30和40中。在TDMA臨時存儲缺陷/盤管理信息時，DMA更永久地存儲缺陷/盤管理信息。例如，在結束盤時，TDMA中存儲的管理信息被轉移并存入每個DMA。
圖2B示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的具有兩個記錄層的雙層一次寫入光盤(例如，雙層BD-WO)。如圖2B所示，雙層光盤包括第一記錄層(層0)和第二記錄層(層1)。每個記錄層都包括盤的內(nèi)和外半徑區(qū)中的管理區(qū)(內(nèi)區(qū)域)和(外區(qū)域)。在每個記錄層中提供DMA1-4。
雙層盤還包括每個記錄層中的數(shù)據(jù)區(qū)45，每個數(shù)據(jù)區(qū)都具有用于存儲用戶數(shù)據(jù)的用戶數(shù)據(jù)區(qū)47。內(nèi)和外備用區(qū)ISA0和OSA0被設置于第一記錄層(層0)的數(shù)據(jù)區(qū)45中。內(nèi)和外備用區(qū)ISA1和OSA1被設置于第二記錄層(層1)的數(shù)據(jù)區(qū)45中。ISA0的大小是固定的，而OSA0、OSA1和ISA1中每一個的大小是可變的。例如，ISA1的大小可以是(L*256)個簇，而OSA0和OSA1的大小可以是(N*256)個簇，其中N和L是正整數(shù)。
如圖2B所示，雙層一次寫入盤上的TDMA包括各自在內(nèi)區(qū)域中具有固定大小(例如2048個簇)的TDMA0和TDMA1，以及分別在具有可變大小的備用區(qū)OSA0、OSA1和ISA1中提供的TDMA2、TDMA3和TDMA4?？勺僒DMA的大小根據(jù)相應備用區(qū)的大小而變化。
對于雙層盤，TDMA0和TDMA1應必要地設置于盤上，而TDMA2、TDMA3和TDMA4可選擇性地用它們不同的大小進行分配，例如相應備用區(qū)的1/4大小。這樣，TDMA2和TDMA3可具有P＝N*256/4個簇的合適大小，且TDMA4可具有Q＝L*256/4個簇的合適大小，其中N和L是正整數(shù)。對于單層盤，TDMA0應必要地設置于盤上，而TDMA1可選擇性地提供。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，單層一次寫入光盤(例如，單層BD-WO)可最多具有2個TDMA。雙層一次寫入光盤(例如，雙層BD-WO)最多可具有5個TDMA。
以下，討論圖2A和2B中示出的光盤的結構和特性。為描述方便，例示雙層一次寫入光盤。
首先，由于它的一次寫入性質，一次寫入光盤應包括多個區(qū)域用于在其中記錄各種盤管理信息。這樣，除了多個DMA之外，根據(jù)本發(fā)明的光盤還包括多個TDMA。根據(jù)本發(fā)明，以特定使用次序/順序使用這多個TDMA。例如，TDMA可以按雙層盤中TDMA0到TDMA4的次序或者按單層盤中TDMA0隨后TDMA1的次序使用。例如，在雙層盤的情況下，當在盤上進行用戶數(shù)據(jù)記錄時，合適的信息(例如，圖3中示出以后要討論的TDDS、TDFL等)首先被記錄于空TDMA0。當其中記錄有這種信息的TDMA0滿時(即完全用盡)時，則接著使用空的TDMA1在其中記錄與用戶數(shù)據(jù)記錄相關聯(lián)的合適信息。一旦TDMA1被完全用盡，則接著使用TDMA2依此類推。應注意，可按需要，可以根據(jù)任何指定次序使用TDMA。根據(jù)使用次序按連續(xù)次序將標識號(TDMA0到TDMA4)提供給TDMAs。
此外，根據(jù)本發(fā)明的一次寫入光盤包括其中記錄用于管理多個TDMA的管理信息的分開區(qū)域。這種管理信息這里被稱作TDMA位置指示器(TLI)。TLI也可稱作TAI(TDMA訪問指示器)。TLI指示將根據(jù)指定次序要使用的所有TDMA中的哪個TDMA是“使用中的TDMA”?！笆褂弥械腡DMA”是具有指定使用次序的所有TDMA中當前正被使用/訪問或者當前適宜于使用的TDMA。根據(jù)各種實施例，TLI的使用中TDMA指示可以用TDMA使用中指示器或TDMA滿指示器來實現(xiàn)，這將在以下更詳細地討論。
由于TLI標識使用中的TDMA從而可以從被標識的使用中TDMA快速獲得關于最后缺陷管理和盤使用狀態(tài)的信息，所以TLI允許大大減少初始盤訪問時間。在初始地載入盤時，這是特別有利的。在沒有TLI的情況下，必須掃描所有TDMA以確定哪個TDMA是使用中的TDMA以便從該使用中的TDMA獲得必要的管理信息。
根據(jù)本發(fā)明的TLI可提供于盤的各種區(qū)域中。特別是，可以在盤的管理區(qū)(引入?yún)^(qū)、引出區(qū)等)中的任何地方提供TLI，這些管理區(qū)可由光學記錄/再現(xiàn)裝置訪問以在實際再現(xiàn)之前獲得各種盤信息。例如，在圖2A的單層盤中，TLI可以在引入?yún)^(qū)30中提供。在圖2B的雙層盤中，TLI可在第一記錄層(層0)的引入?yún)^(qū)中提供。以下將討論可以分配TLI的位置的其它示例。
圖3示出了關于盤缺陷管理和盤使用狀態(tài)的各種信息，其中該信息記錄于TDMA中。只要在盤上進行記錄，通常通過一個以上的簇進行記錄，簇一般是最小的記錄單元。TDMA(例如，TDMA0、TDMA1、TDMA2、TDMA3或TDMA4)中記錄的各種盤管理信息這里共同地稱作TDMS(臨時盤管理結構)信息。TDMS信息可根據(jù)標準而被改變或添加。
如圖3所示，TDMS信息包括但不限于用于記錄盤缺陷管理信息的臨時缺陷列表(TDFL)、按順序記錄模式作為用于代表盤使用狀態(tài)的信息應用的順序記錄范圍信息(SRRI)、按隨機記錄模式應用的空間位圖(SBM)以及包括TDFL和SRRI(或SBM)的新近位置信息的臨時盤定義結構(TDDS)信息。不能同時使用SRRI和SBM，且根據(jù)記錄模式將SRRI或SBM記錄于盤上。
作為示例，圖2A和2B所示的盤結構環(huán)境中，TDMA0～TDMA4中的每一個都包括一個或多個TDFL/SBM/SRRI，每一個都在每個記錄/更新時間在一個簇中記錄了TDDS，如圖3所示。這樣，用TDDS的TDFL/SBM/SRRI的每次記錄都被分配一個簇。一般，每個這種簇的最后扇區(qū)被指定用于在其中存儲TDDS信息，如圖3所示。但是，每個這種簇的第一扇區(qū)也可以代替最后扇區(qū)用于存儲TDDS信息。
TDDS信息包括普通盤記錄/回放信息，且一般總在將盤載入記錄/回放裝置時進行檢查，因為如上所述它包括用于指示TDFL和SRRI(或SBM)的新近位置的指示器信息。根據(jù)盤使用狀態(tài)，TDDS信息被持續(xù)更新且更新的TDDS信息在每個更新/記錄時間被寫入TDMA。因此，應檢查所使用的最后TDMA中的最后TDDS(例如，圖3中的最后TDDS51)以訪問當前盤使用狀態(tài)上的各種管理信息。
如上所述，用于在其中記錄TDMS信息的TDMA按特定的使用次序使用。例如，如果根據(jù)需要在更新TDMS信息時TDMA0完全用盡，則隨后根據(jù)使用次序使用下一個TDMA(例如，TDMA1)在其中存儲更新的TDMS信息。本發(fā)明提供了TLI(TDMA管理信息)，它標識具有特定使用次序的所有TDMA中的哪個TDMA是使用中的TDMA，且現(xiàn)在參考圖4A-6C來描述根據(jù)各種實施例的該方法。圖4A-6C的TLI結構和使用可應用于TLI以及圖2A和2B及后續(xù)圖7-11A和12A所示的TLI和盤結構，或者可應用于需要TLI的任何其它盤結構。
圖4A到4E示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的TLI結構。本實施例提供了具有一個或多個TDMA使用中指示器的TLI。更具體地，圖4A示出了具有一個記錄層的單層一次寫入光盤中的TLI結構，且圖4B到4E示出了具有兩個記錄層的雙層一次寫入光盤中的TLI結構。
參考圖4A，假定單層一次寫入光盤具有兩個TDMA(TDMA0)和(TDMA1)，例如如圖2A所示，且該TDMA0和TDMA1按此次序使用。隨后，TLI52包括具有諸如單個簇52a的單個記錄單元大小的TDMA1使用中指示器53。TLI52管理具有一個簇52a的兩個TDMA。TDMA1使用中指示器53直接指示相應的TDMA1是否是使用中的TDMA。該指示是通過在TLI52的一個簇52a中提供某一記錄來實現(xiàn)的。如果TLI簇52a具有該某一記錄，則TLI簇52a被稱作處于“記錄狀態(tài)”。如果TLI簇52a沒有該某一記錄，則TLI簇52a不處于記錄狀態(tài)。如果TLI簇52a(TDMA1使用中指示器53)不處于記錄狀態(tài)，則它意味著首先使用的TDMA0是使用中的TDMA。如果TLI簇52a處于記錄狀態(tài)，則它意味著第二個使用的TDMA1是使用中的TDMA，這意味著首先使用的TDMA0是滿的，即完全用盡，因此TDMA0中沒有記錄空間。
換句話說，如果首先使用的TDMA0變滿，例如在盤的用戶數(shù)據(jù)記錄操作期間，則在用戶數(shù)據(jù)記錄操作繼續(xù)時根據(jù)指定使用次序的TDMA1將用于記錄數(shù)據(jù)。此時，將把指定的某一數(shù)據(jù)記錄于TLI簇52a以便將TLI簇52a置于記錄狀態(tài)。TLI簇52a的記錄狀態(tài)指示TDMA1而非TDMA0現(xiàn)在是使用中的TDMA，即在用戶數(shù)據(jù)記錄操作期間當前適宜于使用。因此，通過檢查TLI簇的記錄/未記錄狀態(tài)，記錄/再現(xiàn)裝置可快速識別在盤的數(shù)據(jù)記錄操作期間當前可以且應當使用哪個TDMA。這大大減少了盤訪問時間并提供了效率高的和有效的方法來實施盤的數(shù)據(jù)記錄操作。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，如果單層一次寫入盤具有兩個以上TDMA，則TLI中存在的TLI簇總數(shù)根據(jù)盤上存在的TDMA的總數(shù)而變化。例如，如果盤上有X數(shù)量的TDMA，則TLI中有(X-1)數(shù)量的TLI簇。每個TLI簇對應于TDMA之一，通常排除了TDMA使用次序的順序中的第一個TDMA。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，可以許多方式實現(xiàn)將指定的某一數(shù)據(jù)記錄于TLI簇以便將TLI簇置于記錄狀態(tài)。例如，可以將高頻信號記錄于TLI簇，這將使其更容易地檢查TLI簇是否處于記錄狀態(tài)。在其它示例中，可以將偽數(shù)據(jù)或某些實數(shù)據(jù)(非偽數(shù)據(jù))記錄于TLI簇。以下參考圖10A和10B描述在TLI簇中記錄實數(shù)據(jù)的示例。
根據(jù)本發(fā)明第一實施例的用于雙層一次寫入光盤的TLI的使用和結構如下。
參考圖4B，雙層一次寫入光盤具有多達5個TDMA(TDMA0到TDMA4)，因此四個簇55a-55d被分配作為TLI55，一個TLI簇對應于TDMA1-TDMA4之一。在該示例中，從TDMA0到TDMA4順序地使用這些TDMA。TLI的第一到第四TLI簇55a-55d分別對應于TDMA1-TDMA4，且分別表示TDMA1-TDMA4使用中指示器56-59。因此，這些簇55a-55d以增加的地址(例如PSN)方向順序記錄。這通過圖4B中的箭頭(記錄方向)來表示。這樣，如果特殊TLI簇處于記錄狀態(tài)，則這自動暗示任何其先前的TLI簇已處于記錄狀態(tài)。例如，如果第二TLI簇處于記錄狀態(tài)，則這意味著第一TLI簇已處于記錄狀態(tài)。
因此，如果TLI的所有四個簇55a-55d不處于記錄狀態(tài)，這意味著首先使用的TDMA0是使用中的TDMA。如果僅第一TLI簇55a(TDMA1使用中指示器56)處于記錄狀態(tài)，它意味著TDMA0滿且TDMA1是使用中的TDMA。如果第一和第二TLI簇55b(TDMA2使用中指示器57)處于記錄狀態(tài)，它意味著TDMA0和TDMA1滿且TDMA2是使用中的TDMA。如果第三TLI簇55c(TDMA3使用中指示器58)處于記錄狀態(tài)，它意味著TDMA0-TDMA2滿且TDMA3是使用中的TDMA。如果第四TLI簇55d(TDMA4使用中指示器59)處于記錄狀態(tài)，它意味著TDMA0-TDMA3滿且TDMA4是使用中的TDMA。
作為示例，如圖4C所示，如果第一和第二TLI簇55a和55b處于記錄狀態(tài)，它意味著TDMA0和TDMA1滿且使用中的TDMA是TDMA2。
因此，通過在載入盤后檢查TLI并確定TLI簇，記錄/再現(xiàn)裝置能識別當前使用中TDMA的位置(即，它可以確定哪個TDMA是使用中的TDMA)。因此，記錄/再現(xiàn)裝置能快速移動到使用中TDMA的起始位置，讀取最后記錄的TDMS信息，從而初始地獲得用于再現(xiàn)的各種初始化信息。如果如相關技術中那樣沒有TLI，則記錄/再現(xiàn)裝置必須從TDMA0開始掃描所有TDMA以確定哪個TDMA當前適宜于使用。且，這造成需要較長時間用于初始再現(xiàn)的缺點。
圖4D示出了雙層一次寫入盤的TLI結構，其中TLI簇的記錄方向相對于圖4B所示的TLI簇的記錄方向是相反的。參考圖4D，在該示例中，從具有高物理扇區(qū)號(PSN)的簇到低PSN(即從第四到第一TLI簇55d-55a)順序地進行TLI55的記錄。第一到第四TLI簇55a-55d現(xiàn)在分別對應于TDMA4到TDMA1，并分別用作TDMA4-TDMA1使用中指示器59-56。這里，從TDMA1到TDMA4順序地使用TDMA。
圖4D的TLI記錄方向的使用是消除了干擾的一個有效方法，在如圖7所示在TLI存在于TDMA0首部處的情況下具有鄰近于相應CDMA設置的最佳功率校準(OPC)區(qū)域(未示出)，這將在以下進行描述。
作為圖4D的TLI的使用示例，圖4E中，如果第四和第三TLI簇55d和55c處于記錄狀態(tài)，它意味著TDMA0和TDMA1滿且可使用的TDMA(使用中)是TDMA2。
圖5A到5C示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的TLI結構。在該實施例中，TLI通過指示哪個TDMA滿來指示哪個TDMA是使用中的TDMA。更具體地，圖5A示出了單層一次寫入光盤的TLI結構，且圖5B和5C示出了雙層一次寫入光盤的TLI結構。在這些示例中，如上所述，假定從TDMA0到TDMA1(單層盤)或者到TDMA4(雙層盤)順序地使用TDMA。
如圖5A所示，在單層盤的示例中，分配單個簇62a為TLI62。該簇62a用作TDMA0滿指示器63。換句話說，如果TDMA0滿，TLI簇62a(TDMA0滿指示器63)被指示正處于記錄狀態(tài)。這意味著TDMA1是使用中的TDMA并可被使用。如果TLI簇62a不處于記錄狀態(tài)，它意味著TDMA0仍未完全用盡并適宜于使用。這樣，TDMA0是使用中的TDMA并可被使用。
如圖5B所示，在該示例中，在雙層一次寫入盤中，分配第一到第四簇65a-65d為TLI65并按該順序順序地記錄。第一到第四簇65a-65d分別對應于TDMA0到TDMA3，并分別用作TDMA0-TDMA3滿指示器66-69。每個TLI簇指示相應的TDMA是否滿。
因此。例如，只要TDMA0到TDMA3滿，則TLI65的所有四個簇65a-65d處于記錄狀態(tài)，這意味著TDMA4是使用中的TDMA。如果無TLI簇處于記錄狀態(tài)，它意味著TDMA0是使用中的TDMA。如果僅第一TLI簇65a處于記錄狀態(tài)，它意味著TDMA0滿且使用中的TDMA是TDMA1。如果僅第一和第二TLI簇65a和65b處于記錄狀態(tài)，如圖5C所示，它意味著完全使用了TDMA0和TDMA1且TDMA2當前可使用。
圖6A到6C示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的TLI結構。在第三實施例中，TLI通過指示哪個(哪些)TDMA滿來指示哪個TDMA是使用中的TDMA。與第二實施例的不同之處在于TLI包括附加TLI簇。在圖6A-6C的示例中，如上所述，假定從TDMA0到TDMA1(單層盤)或到TDMA4(雙層盤)順序地使用TDMA。
如圖6A所示，在單層盤示例中，分配兩個簇72a和72b為TLI72。第一和第二TLI簇72a和72b分別用作TDMA0滿指示器73和TDMA1滿指示器74。因此，如果僅TDMA0滿，則指示只有第一TLI簇72a(TDMA0滿指示器73)正處于記錄狀態(tài)。這意味著TDMA1是使用中的TDMA并可被使用。如果第一TLI簇72a不處于記錄狀態(tài)，這意味著TDMA0仍未滿并可使用。這樣，TDMA0是使用中的TDMA并可使用。如果第一和第二TLI簇72a和72b兩者都處于記錄狀態(tài)，則TDMA0和TDMA1都滿，這意味著沒有TDMA可用于記錄管理信息。在這種情況下，應關閉/結束該盤。
如圖6B所示，在該示例中，在雙層一次寫入盤中，為TLI75分配第一到第五簇75a-75e并按此順序順序地記錄。第一到第五簇75a-75e分別對應于TDMA0到TDMA4，并分別用作TDMA0-TDMA4滿指示器76-80。每個TLI簇都指示相應的TDMA是否滿。
因此，例如，如果沒有TLI簇處于記錄狀態(tài)，則它意味著TDMA0是使用中的TDMA。如果僅第一TLI簇75a處于記錄狀態(tài)，它意味著TDMA0滿且使用中的TDMA是TDMA1。如果僅第一和第二TLI簇75a和75b處于記錄狀態(tài)，它意味著TDMA0和TDMA1被完全使用且TDMA2當前適宜于使用。如果所有五個TLI簇75a-75e都處于記錄狀態(tài)，如圖6C所示，則它意味著TDMA0到TDMA4都被完全用盡且沒有可使用的TDMA。在這種情況中，由于相應盤沒有用于記錄TDMS信息的區(qū)域，結束/關閉該盤。
圖5A到6C示出了按從具有較低PSN的TLI簇開始到具有較高PSN的TLI簇的順序使用的TLI。但是，可以改變圖5A-6C中TLI的記錄方向以使TLI簇按減小地址的順序順序地使用，如圖4D和4E所示。
如前所述，TLI(例如，如圖4A-6C所示)可被設置于單層或雙層盤的引入?yún)^(qū)中，如圖2A和2B所示?，F(xiàn)在圖7到9示出了不同位置，根據(jù)本發(fā)明實施例的可將管理信息(TLI)記錄于盤上的這些位置處。如圖2A、2B和7-9的示例所示，如果它位于記錄/再現(xiàn)裝置可初始識別為管理區(qū)的區(qū)域內(nèi)，盤上TLI的任何位置都是可接受的。在這方面，可以排除盤的數(shù)據(jù)區(qū)。
例如，如圖7所示，TLI設置于諸如單層(層0)或雙層BD-WO的單層一次寫入光盤或雙層(層0和1)一次寫入光盤上的TDMA0的首部處?；蛘?，如圖8所示，TLI可設置于單層/雙層一次寫入盤的TDMA0的端部。再或者，如圖9所示，TLI可設置于單層/雙層一次寫入盤的DMAs中的一個、一些或每一個內(nèi)。
圖10A和10B示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的TLI不同內(nèi)容的兩個示例。盡管圖10A和10B示出一個TLI簇，TLI的每個簇可以具有相同的內(nèi)容結構。特別是，圖10A和10B是將某一實數(shù)據(jù)記錄于TLI簇以選擇性地將TLI簇置入記錄狀態(tài)的示例。TLI中記錄的這些實數(shù)據(jù)中的一些或全部可直接用于指示TLI簇是否處于記錄狀態(tài)以識別使用中的TDMA，如上所述。這些實數(shù)據(jù)的使用的優(yōu)點在于除了當前使用中的TDMA的指示之外，通過TLI可以提供附加相關信息。但應注意，偽數(shù)據(jù)或任何其它指定信號可記錄于TLI簇以指示TLI簇的記錄/未記錄狀態(tài)。圖10A和10B的TLI內(nèi)容結構可應用于圖2A-9和11A-13B所示的TLI和盤結構。
根據(jù)圖10A所示的一個示例，除了指示相應TDMA是否是使用中的TDMA的信息之外，對應于上述特殊TDMA的TLI簇包括與對于該TLI簇的TDMA相關聯(lián)的最后TDDS信息。圖10A的特點在第二實施例(圖5A-5C)以及第三實施例(圖6A-6C)中特別有用。例如，在將最后TDDS記錄于每個TDMA的最后簇的情況下，包括最后TDDS的TDMA和使用中的TDMA可彼此不同，這接著會在訪問盤時引起錯誤。通過如圖10A所示地在TLI中提供附加信息，可以避免這種錯誤。
通過參考圖10A，這種情況的詳細描述如下。首先假定將TLI記錄于簇單元中，簇是最小記錄單元。在具有32個扇區(qū)的TLI簇的第一個扇區(qū)(扇區(qū)0)中，存在允許識別TLI信息的標識字段82(TLI標識符)、涉及當前盤版本的TLI格式信息字段83(TLI格式)以及用于只要更新TLI就將計數(shù)值增加1的TLI更新計數(shù)字段84(TLI更新計數(shù))。該更新計數(shù)字段84甚至可用作用于指示TLI內(nèi)可存在多少簇的信息。此外，存在TDDS位置字段85(最后TDDS位置)，用于提供關于其中設置最后TDDS信息的TDMA的信息。
通過使用預定值(例如將字段設定為“00h”)，TLI簇的第一扇區(qū)(扇區(qū)0)的其余區(qū)域86用于指示TLI簇的記錄或未記錄狀態(tài)。例如，如果TLI簇的扇區(qū)0的其余區(qū)域86具有某一指定記錄，則TLI簇可稱作處于記錄狀態(tài)以指示相應TDMA的使用狀態(tài)，如以上聯(lián)系圖4A-6C討論的。
TLI簇的第一扇區(qū)(扇區(qū)0)中的TDDS位置字段85標識其中記錄最后TDDS信息的TDMA，而不管該TDMA是否完全用盡。例如，可以定義該字段85的值，使得“0000 0000b”表示最后TDDS存在于TDMA0中，“0000 0001b”表示最后TDDS存在于TDMA2中，“0000 0011b”表示最后TDDS存在于TDMA3中，以及“0000 0100b”表示最后TDDS存在于TDMA4中。其它示例也是可能的。因此，作為一示例，如果只有TLI內(nèi)的第一簇處于記錄狀態(tài)(例如，圖5B中的第一TLI簇65a的區(qū)域86處于記錄狀態(tài))且TDDS位置字段84(即，圖5B中第一TLI簇65a的)具有值“0000 0000b”，它意味著可使用的TDMA是TDMA1，但最后更新的TDDS(最后TDDS信息)位于盤上的TDMA0內(nèi)。
此外，最后TDDS信息被記錄于第二扇區(qū)(TLI簇的扇區(qū)1)的TDDS信息字段87(最后TDDS)。結果，TLI甚至可用于直接恢復TDDS信息。這是有利的，由于即使作為TDMS信息的一部分的最后TDMA中記錄的最后TDDS信息被破壞，也不會丟失重要的TDDS信息，因為它可以從TDMA0中記錄的TLI中恢復。TLI簇的一些或全部剩余扇區(qū)(88)可具有TDDS信息字段87中存儲的最后TDDS信息的拷貝。每個TDDS信息都以一個扇區(qū)大小被記錄。因此，例如，如果TLI簇的三個扇區(qū)分別用相同的最后TDDS信息記錄，這意味著在TLI中存儲了三次最后TDDS信息。TLI簇的字段87中存儲的最后TDDS信息可以是最后TDDS信息或第一TDDS信息。例如，如果TLI簇使用TDMA使用中指示器代替TDMA滿指示器且與TLI簇相對應的TDMA變成使用中的TDMA，則進行字段86中的記錄以指示相應TDMA當前在使用中。此時，相應TDMA中記錄的第一TDDS信息被復制和記錄到TLI簇的TDDS信息字段87作為最后TDDS信息。第一TDDS信息被記錄于字段87，因為相應的TDMA仍在使用中且此時未滿。
另一方面，如果TLI簇使用TDMA滿指示器代替TDMA使用中指示器且對應于TLI簇的TDMA變成滿，則進行字段86中的記錄以指示相應的TDMA滿。此時，相應TDMA中記錄的最后TDDS信息(在最后扇區(qū)中)被復制和記錄于TLI簇的TDDS信息字段87中作為最后TDDS信息。相應TDMA的最后TDDS信息被記錄于字段87中，因為相應的TDMA滿且沒有附加TDDS信息不能被記錄于相應TDMA中。
因此，根據(jù)更新TLI時的時間點，TLI中記錄的TDDS信息可以是相應TDMA內(nèi)記錄的最后TDDS(例如，在相應TDMA滿時)，或者可以是使用中的TDMA內(nèi)記錄的第一TDDS(即，當相應TDMA當前適宜于使用時)。
作為另一示例，最后TDDS信息可被多達32次地復制入TLI簇。如果未被使用，TLI簇的任何其余扇區(qū)都可被設定為諸如00h的某一值。由于用一個扇區(qū)大小來分配每個TDDS信息記錄，這意味著可以用同一最近TDDS信息記錄整個TLI簇多達32次，如圖10B所示。再次，根據(jù)TLI簇中使用的指示器的類型(使用中或滿)，如上所述，最后的TDDS信息可以是相應TDMA中記錄的第一或最后的TDDS信息。在圖10B的示例中，直接使用最后TDDS信息的記錄作為TLI簇的TDMA使用中/滿指示器。這是在TLI簇中使用實數(shù)據(jù)(諸如TDDS信息)的記錄來選擇性地指示該TLI簇是否處于記錄狀態(tài)的一個示例。因此，TLI簇不僅指示哪個TDMA是使用中的TDMA還提供與相應TDMA相關聯(lián)的最后TDDS信息。
圖10B中示出的TLI內(nèi)容結構在第一實施例(圖4A到4E)中是很有用的。例如，如果使用中的TDMA是TDMA1，相應的TLI簇被置于記錄狀態(tài)。此時，相應TDMA1中記錄的第一TDDS信息被記錄于TLI簇中。
圖11A到13B示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的盤結構和TLI結構。在該實施例中，在按擴展SA模式分配備用區(qū)(SA)的情況下，不僅指示使用中的TDMA的位置，還指示擴展備用區(qū)內(nèi)存在的TDMA的區(qū)域/寬度(duratioin)之中的使用中的寬度/區(qū)域。特別是，圖11A和11B示出了單層一次寫入光盤中TLI的結構和使用，且圖12A-13B示出了雙層一次寫入光盤中TLI的結構和使用。在這些示例中，在TLI中采用使用中指示器代替滿指示器。
更具體地，圖11A示出了具有擴展備用區(qū)(SA)以及按此順序使用的TDMA0和TDMA1的單層一次寫入光盤的結構。擴展SA或備用區(qū)的擴展表示通過在初始化盤時考慮將來的使用而用最大盤記錄容量的50％以內(nèi)的大小分配存在于用戶數(shù)據(jù)區(qū)末端之后的備用區(qū)(例如，OSA0)。在擴展外備用區(qū)(OSA0)時，外備用區(qū)(OSA0)內(nèi)存在的TDMA1一起被擴展。
在以特定大小擴展TDMA1的情況下，可相應地擴展TDMA1的相應區(qū)域。擴展的TDMA1區(qū)域在圖11A和11B中分別被指示為“M1”、“M2”和“M3”。在這種情況中，TLI被分成用于指示哪個TDMA是使用中的TDMA的部分90(TLI1)以及用于指示擴展TDMA1內(nèi)的特定寬度的部分91(TLI2)。TLI1具有一個簇的大小，而TLI2具有兩個簇的大小。
如果TDMA1的大小大大地大于TDMA0，例如由于SA擴展，且如果只分配TLI90(沒有部分91)作為TLI，則在TDMA1變成使用中的TDMA時由于其較大的尺寸，需要從開始起對TDMA1進行掃描以便在TDMA1內(nèi)查找最后記錄位置。但是，這會造成需要較長訪問時間的缺點。因此，根據(jù)該實施例的本發(fā)明將擴展TDMA1劃分成多個寬度(或區(qū)域)，且在完全使用相應TDMA1寬度/區(qū)域的情況下，在TLI中通過部分91指示該狀態(tài)。這可以顯著減少盤訪問時間。
例如，在圖11A中，假定擴展TDMA1被分成三個大小相同的寬度/區(qū)域(M1、M2和M3)。隨后，作為示例，兩個簇91a和91b被分配用于TLI2(91)的記錄，如圖11B所示。TLI2(91)的兩個簇91a和91b分別對應于TDMA1的M3和M2并指示相應區(qū)域(M3或M2)是否是當前使用中的。將簇91a和91b用于指示不同TDMA區(qū)域/寬度的可用性的方式可與以上聯(lián)系圖4A-6C和10A-10B所討論的指示每個TDMA的使用狀態(tài)的不同方式相同。例如，如果TLI1(90)指示TDMA1是使用中的TDMA，則M2-TDMA1使用中指示器(91b)指示TDMA1的M2當前是否是使用中的TDMA區(qū)域；以及M3-TDMA1使用中指示器(91a)指示TDMA1的M3當前是否是在TDMA1之外的使用中的TDMA區(qū)域。作為一示例，如果TLI1(90)和TLI2(91)的簇(91a和91b)兩者被檢測為處于記錄狀態(tài)，則這意味著TDMA1的M3當前是TDMA1的使用中區(qū)域。
如果擴展TDMA1被分成“m”數(shù)量個相同大小的寬度/區(qū)域(M1、M2，...Mm)，則(m-1)數(shù)量個簇被分配用于TLI2(91)的記錄。盡管在圖11B中TLI2被用于指示TDMA1的區(qū)域的使用狀態(tài)，TLI2可用于指示根據(jù)相應SA的擴展而被擴展的任何TDMA的區(qū)域的使用狀態(tài)。
在圖11A和11B中，將TLI記錄于盤上的位置將在特定管理區(qū)內(nèi)，例如如圖7到9中的任一個所示。但是，例如為方便描述，TLI(＝TLII+TLI2)在圖11A中示為分配于TDMA0的端部。為方便描述，TLI結構在圖11B中示出如第一實施例(圖4A到4E)所示那樣指示使用中的TDMA的情況。
圖12A示出了具有擴展SA和TDMA0-TDMA4的雙層一次寫入光盤的結構。在雙層光盤中，用戶數(shù)據(jù)區(qū)的端部以后存在的備用區(qū)是第二記錄層(層1)處的內(nèi)備用區(qū)(ISA1)。因此，備用區(qū)(ISA1)可被擴展為具有最大盤記錄容量的50％以內(nèi)的大小。在擴展備用區(qū)(ISA1)時，備用區(qū)(ISA1)內(nèi)存在的TDMA4也一起擴展。還可能擴展盤上的任何其它可變備用區(qū)，其中的TDMA也被擴展。
如圖12A所示，在將TDMA4擴展為特定大小的情況下，TDMA4被分成為特定數(shù)量的相同大小的寬度/區(qū)域。這些寬度/區(qū)域分別被標識為N1、N2…N5。因此，TDMA0包括TLI，如圖12B所示。TLI包括用于利用四個簇93a-93d指示哪個TDMA是使用中的TDMA的TLI1(93)以及用于利用四個簇94a-94d指示擴展TDMA4的寬度/區(qū)域的特定使用狀態(tài)的TLI2(94)。如果擴展TDMA4被分成“n”數(shù)量個相同大小的寬度/區(qū)域(N1、N2…Nn)，如圖12A和12B所述，則將(n-1)數(shù)量個簇分配用于TLI2(94)的記錄。
TLI1(93)的第一到第四個簇93a-93d分別對應于TDMA4-TDMA1并分別用作TDMA4-TDMA1使用中指示器。TLI2(94)的第一到第四個簇94a-94d分別對應于TDMA1的N5-N2并指示相應區(qū)域(N5、N4、N3或N2)當前是否在使用中。將這些TLI簇93和94用于指示不同TDMA的可用性和TDMA區(qū)域/寬度的方式可與以上結合圖4A-6C和10A-10B討論的指示每個TDMA的使用狀態(tài)的不同方式相同。
在圖12A和12B中，將TLI記錄于盤上的位置將在特定管理區(qū)內(nèi)，例如如圖7到9中的任一個所示的。但是，例如為便于描述，TLI(＝TLI1+TLI2)在圖12A中示為位于TDMA0的端部。為便于描述，TLI結構在圖12B中示出如第一實施例(圖4A-4E)中所示地指示使用中的TDMA的情況。
盡管在圖12B的示例中TLI2(94)被用于指示TDMA4的區(qū)域的使用狀態(tài)，TLI2可用于指示根據(jù)相應SA的擴展而被擴展的任何TDMA的區(qū)域的使用狀態(tài)。
圖13A和13B示出了如何可以使用圖12A和12B中的TLI的示例。
如圖13A所示，假定盤的TDMA0、TDMA1、TDMA2和TDMA3當前被完全用盡且最后TDMA4的特定寬度/區(qū)域當前在使用中，例如N3寬度。
如圖13B所示，由于TDMA0、TDMA1、TDMA2和TDMA3是滿的且最后TDMA4當前在使用中(即，TDMA4是使用中的TDMA)，TLI1(93)的四個簇93a-93d被記錄為(例如，用實或偽數(shù)據(jù))處于記錄狀態(tài)。此外，由于TDMA4的N1和N2寬度/區(qū)域是滿的，則TLI2(94)的第三和第四簇94c和94d被置于記錄狀態(tài)以指示TDMA4的N3是當前使用中的。
圖14示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的盤初始化方法。該方法可在這里討論的任何盤結構和TLI結構中實現(xiàn)。
參考圖14，在初始化盤時(S119)，用戶或系統(tǒng)確定盤的備用區(qū)模式(S120)。這可以利用任何現(xiàn)有技術進行，例如基于用戶輸入或盤上記錄的模式信號/數(shù)據(jù)。如果備用區(qū)模式處于“正?！蹦Ｊ剑瑒t在盤上以比盤上分配的TDMA數(shù)量(x)小一(x-1)的大小分配TLI(圖4A-5C)，或者在盤上以與TDMA分配數(shù)量(x)相同的數(shù)量(x)分配TLI(圖6A-6C)(S121)。
如果步驟S120處備用區(qū)模式被確定為“擴展”模式，擴展備用區(qū)內(nèi)存在的TDMA的大小被擴展且擴展的備用區(qū)被分成特定數(shù)量(y)的相同大小的寬度/區(qū)域。TLI2在盤上以比劃分的特定數(shù)量(y)小一(y-1)的大小被分配(S122)。在這種情況下，類似地，TLI1在盤上以比盤上分配的TDMA總數(shù)(x)小一(x-1)的大小被分配(S122)。在這點上，可以根據(jù)聯(lián)系圖11A-13B討論的TLI結構來實現(xiàn)步驟S122和S123。
圖14的方法和根據(jù)本發(fā)明實施例在這里討論的任何其它方法都可以在這里討論的任何盤/TLI結構中實現(xiàn)。
圖15示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的記錄/再現(xiàn)裝置。本發(fā)明的方法可通過圖15的裝置或其它合適裝置/系統(tǒng)實現(xiàn)。記錄/再現(xiàn)裝置包括用于在光盤上進行再現(xiàn)和/或記錄的記錄/再現(xiàn)單元10以及用于控制該記錄/再現(xiàn)單元10的控制單元(或主機)20。控制單元20將用于盤上的特定區(qū)域的記錄命令或再現(xiàn)命令發(fā)送給再現(xiàn)單元10。記錄/再現(xiàn)單元10根據(jù)控制單元20的命令在特定區(qū)域中進行記錄/再現(xiàn)。記錄/再現(xiàn)單元10可采用光學驅動器。
記錄/再現(xiàn)單元10可包括用于與諸如控制單元20的外部裝置進行通信的接口單元12；用于在/從光盤上直接記錄/再現(xiàn)數(shù)據(jù)的拾取器單元11；用于從拾取器單元11接收再現(xiàn)信號以將接收信號轉換成合適信號值或者用于將要記錄信號調(diào)制為用于光盤的合適記錄信號的數(shù)據(jù)處理器13；用于控制拾取器單元1以精確地從光盤讀取信號或者精確地將信號記錄于光盤上的伺服器單元14；用于臨時存儲包括管理信息和數(shù)據(jù)的各種信息的存儲器15；以及用于控制單元10內(nèi)的操作和結構元件的微處理器16。
以下描述使用圖15裝置中的創(chuàng)新TLI的盤再現(xiàn)方法的描述的示例。
工業(yè)應用性如果載入盤，記錄/再現(xiàn)單元10從載入的盤中獲取各種記錄的盤信息。特別是，如果載入的盤是一次寫入光盤，例如這里討論的BD-WO，則微處理器16檢查管理區(qū)內(nèi)指定位置處(例如，從TDMA0的首部起)的TLI簇的記錄/未記錄狀態(tài)，以獲得使用中的TDMA內(nèi)的最后記錄的位置。
因此，在通過訪問TLI獲得使用中的TDMA的位置后，從開始處掃描使用中的TDMA以獲得最后記錄的TDMS信息，或者可以從TLI中獲得TDDS信息。所獲得的TDMS信息的一部分被發(fā)送給控制單元20，且控制單元20使用所發(fā)送的TDMS信息以再次發(fā)送再現(xiàn)命令給記錄/再現(xiàn)單元10，從而用記錄/再現(xiàn)單元10進行再現(xiàn)。
以下描述使用圖15的裝置記錄創(chuàng)新TLI的方法的示例。
處理器16將TDMS信息記錄于以特定使用次序確定和使用的多個TDMA中。例如，首先，開始使用TDMA0。如果TDMA0被完全用盡，則如上所述地將特定TLI簇記錄為處于記錄狀態(tài)，，從而TDMA1被指示為使用中的TDMA。
當在全部完成盤記錄后盤處于空閑狀態(tài)或者盤彈出狀態(tài)時，檢查使用中的TDMA的位置以使以上操作可將相應TLI內(nèi)的特定簇改變?yōu)樘幱诔膳涗洜顟B(tài)。
如上所述，本發(fā)明的優(yōu)點在于在一次寫入光盤中，顯著地減少了獲得使用中TDMA位置的訪問時間，從而大大提升了使用TDMA的一次寫入光盤的使用效率。此外，諸如最后TDDS信息的其它信息可記錄于TLI內(nèi)，可按需要訪問和使用這些信息，特別在TDMA中存儲的TDDS信息被破壞的情況下。
本領域的熟練技術人員顯見的是，可以在本發(fā)明中進行各種修改和變型。因此，本發(fā)明旨在覆蓋本發(fā)明的修改和變型，只要它們落在所附權利要求書及其等效物的范圍內(nèi)。
權利要求
1.一種具有至少一個記錄層的記錄介質，該記錄介質包括數(shù)據(jù)區(qū)，用于記錄用戶數(shù)據(jù)；以及引入?yún)^(qū)和引出區(qū)；以及多個臨時缺陷管理區(qū)(TDMA)，其中至少一個TDMA包括標識所述TDMA的使用狀態(tài)的指示器。
2.如權利要求1所述的記錄介質，其特征在于，TDMA的使用狀態(tài)包括使用中狀態(tài)或滿狀態(tài)。
3.如權利要求1所述的記錄介質，其特征在于，所述引入?yún)^(qū)至少包括第一TDMA。
4.如權利要求3所述的記錄介質，其特征在于，所述第一TDMA包括第一TDMA首部處的指示器。
5.如權利要求1所述的記錄介質，其特征在于，所述TDMA包括臨時盤定義結構(TDDS)信息，所述TDDS信息定義記錄介質的格式和狀態(tài)。
6.如權利要求5所述的記錄介質，其特征在于，所述指示器將使用中的TDMA的最后TDDS信息存儲至少一次。
7.如權利要求6所述的記錄介質，其特征在于，最后TDDS信息是開始使用所述使用中的TDMA的時刻該使用中的TDMA的第一TDDS信息。
8.如權利要求5所述的記錄介質，其特征在于，所述指示器包括TDDS位置信息，所述TDDS位置信息標識使用中的TDMA中存儲的最后TDDS信息的位置。
9.如權利要求1所述的記錄介質，其特征在于，所述指示器包括至少一個指示器單元，所述至少一個指示器單元中的每一個都對應于TDMA之一。
10.如權利要求9所述的記錄介質，其特征在于，所述至少一個指示器單元中的每一個都對應于除TDMA中首先被使用的TDMA之外的TDMA之一。
11.如權利要求9所述的記錄介質，其特征在于，每個指示器單元是一個簇。
12.如權利要求9所述的記錄介質，其特征在于，在減小地址的方向上順序地使用每個指示器單元。
13.如權利要求9所述的記錄介質，其特征在于，每個指示器單元直接指示相應的TDMA是否是使用中的TDMA。
14.如權利要求13所述的記錄介質，其特征在于，對于每個指示器單元，如果指示器單元指示相應的TDMA是使用中的TDMA，則把來自相應TDMA的第一臨時盤定義結構(TDDS)信息存入相應的指示器單元。
15.如權利要求14所述的記錄介質，其特征在于，所述第一TDDS信息在相應指示器單元中被存儲32次。
16.如權利要求9所述的記錄介質，其特征在于，每個指示器單元都指示相應的TDMA是否是滿的。
17.如權利要求16所述的記錄介質，其特征在于，對于每個指示器單元，如果指示器單元指示相應TDMA是滿的，則把來自相應TDMA的最后臨時盤定義結構(TDDS)信息存入相應的指示器單元。
18.如權利要求9所述的記錄介質，其特征在于，指示器中至少一個指示器單元的總數(shù)取決于至少一個記錄層上存在的TDMA的總數(shù)。
19.如權利要求1所述的記錄介質，其特征在于，所述記錄介質是單層一次寫入光盤或者雙層一次寫入光盤。
20.一種一次寫入記錄介質，包括至少一個記錄層；所述至少一個記錄層上的引入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和引出區(qū)；所述引入?yún)^(qū)中的分開的指示器區(qū)域；以及所述分開的指示器區(qū)域中存儲的并標識一次寫入記錄介質上臨時管理區(qū)中的哪一個具有使用中狀態(tài)的指示器。
21.如權利要求20所述的一次寫入記錄介質，其特征在于，還包括所述分開的指示器區(qū)域中的至少一個存儲的臨時盤定義結構信息。
22.如權利要求20所述的一次寫入記錄介質，其特征在于，在減小地址的方向上順序地使用所述分開的指示器區(qū)域。
23.一種在記錄介質上記錄管理信息的方法，所述記錄介質包括至少一個記錄層上的多個臨時缺陷管理區(qū)(TDMA)，所述方法包括在至少一個TDMA中記錄指示器，所述指示器指示哪個TDMA在使用中。
24.如權利要求23所述的方法，其特征在于，所述記錄步驟包括在所述TDMA中的第一TDMA中記錄所述指示器，所述第一TDMA在所述記錄介質的引入?yún)^(qū)中。
25.如權利要求24所述的方法，其特征在于，所述指示器位于所述第一TDMA的首部。
26.如權利要求24所述的方法，其特征在于，所述指示器位于所述第一TDMA的端部。
27.如權利要求23所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述指示器中將至少一個臨時盤定義結構(TDDS)信息記錄至少一次。
28.如權利要求27所述的方法，其特征在于，在所述指示器中記錄所述TDDS信息32次。
29.如權利要求23所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在指示器中記錄至少一個TDDS位置信息，所述TDDS位置信息標識TDMA中存儲的最后TDDS信息的位置。
30.如權利要求23所述的方法，其特征在于，在所述記錄步驟中，所述指示器包括多個指示器單元，所述指示器單元中的每一個都對應于TDMA之一。
31.如權利要求30所述的方法，其特征在于，在所述記錄步驟中，所述指示器單元的每一個都是一個簇。
32.如權利要求30所述的方法，其特征在于，在記錄步驟中，在減小地址的方向上順序地使用所述指示器的指示器單元。
33.如權利要求30所述的方法，其特征在于，在記錄步驟中，所述指示器單元的每一個直接指示相應的TDMA是否是使用中的TDMA。
34.如權利要求33所述的方法，其特征在于，所述方法還包括對于每個指示器單元，如果所述指示器單元指示相應的TDMA是使用中的TDMA，在所述指示器單元中記錄來自相應TDMA的第一臨時盤定義結構(TDDS)信息。
35.如權利要求30所述的方法，其特征在于，在記錄步驟中，每個指示器單元指示相應的TDMA是否是滿的。
36.如權利要求35所述的方法，其特征在于，該方法還包括對于每個指示器單元，如果所述指示器單元指示相應的TDMA是滿的，在指示器單元中記錄來自相應TDMA的最后臨時盤定義結構(TDDS)信息。
37.如權利要求30所述的方法，其特征在于，在記錄步驟中，所述指示器中指示器單元的總數(shù)取決于至少一個記錄層上存在的TDMA的總數(shù)。
38.如權利要求23所述的方法，其特征在于，在記錄步驟中，所述記錄介質是單層一次寫入光盤或雙層一次寫入光盤。
39.一種在一次寫入記錄介質上記錄管理信息的方法，所述一次寫入記錄介質包括至少一個記錄層上的引入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和引出區(qū)，所述方法包括在一次寫入記錄介質的引入?yún)^(qū)中分配分開的指示器區(qū)域；以及在所述分開的指示器區(qū)域中記錄指示器，所述指示器識別一次寫入記錄介質上的臨時管理區(qū)域中的哪一個具有使用中狀態(tài)。
40.如權利要求39所述的方法，其特征在于，該方法還包括所述分開的指示器區(qū)域中的至少一個記錄臨時盤定義結構信息。
41.如權利要求39所述的方法，其特征在于，在減小地址的方向上順序地使用所述分開的指示器區(qū)域。
42.一種用于在記錄介質上提供管理信息的裝置，所述記錄介質包括至少一個記錄層上的多個臨時缺陷管理區(qū)域(TDMA)，該裝置包括記錄/再現(xiàn)部分，用于在至少一個TDMA中記錄指示器，該指示器指示哪個TDMA是使用中的TDMA。
43.一種用于在一次寫入記錄介質上提供管理信息的裝置，所述一次寫入記錄介質包括至少一個記錄層上的引入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和引出區(qū)，所述裝置包括記錄/再現(xiàn)部分，用于在一次寫入記錄介質的引入?yún)^(qū)中分配分開的指示器區(qū)域，并用于在分開的指示器區(qū)域中記錄指示器，所述指示器識別一次寫入記錄介質上的哪一個臨時管理區(qū)具有使用中的狀態(tài)。
全文摘要
提供了用于在光盤上記錄管理信息的一次寫入光盤以及方法和裝置。光盤包括至少一個記錄層和該至少一個記錄層上的多個臨時缺陷管理區(qū)(TDMA)。至少一個TDMA包括指示器，它指示哪一個TDMA具有使用中的狀態(tài)。
文檔編號G11B20/10GK1849652SQ200480026217
公開日2006年10月18日 申請日期2004年8月4日 優(yōu)先權日2003年8月5日
發(fā)明者樸容徹 申請人:Lg電子株式會社