專利名稱：于讀取缺陷盤片信號時的伺服機保護裝置與方法
技術領域：
本發(fā)明系有關于光驅的保護裝置，特別是有關于一種于缺陷盤片上讀取信號時光驅中伺服機的保護裝置與方法。
背景技術：
現今，盤片型式的儲存媒介由于具備強大的儲存能力而被廣泛用來保存數據。這種盤片型式的儲存媒介，例如光盤片，亦即CD-R盤片、CD-RW盤片、DVD-R盤片、DVD-RW盤片、DVD+R盤片、DVD+RW盤片、或DVD-RAM盤片等，也對儲存于其中的數據提供較佳的保護以免于損傷。然而對于數據儲存而言，上面所描述的特色并不意味著光盤片為完美的儲存媒介，某些缺陷可能發(fā)生于它們裸露的表面上，例如深的刮痕(deepscratch)、淺的刮痕(shallow scratch)，甚至于指紋(fingerprint)等等，這些缺陷不只導致系統讀寫時發(fā)生錯誤，也會于讀寫數據時產生對系統之干擾。因此，檢測盤片上的缺陷以保護系統避免出現被干擾或不穩(wěn)定的情況是很重要的事。
以往現有技術是利用信號振幅(amplitude)的差異，例如射頻位準(RF level，RFLVL)或是次電波信號附加(sub-beam added，SBAD)信號，來檢測盤片上的缺陷。如圖1A所示，其系為通過現有射頻位準檢測方法來檢測深缺陷所得的信號示意圖。在圖1A中，射頻信號110于時段120有一個凹陷區(qū)域112。這表示凹陷區(qū)域112相對應的數據因缺陷而受損，以至于無法讀出時段120中的射頻信號110。更進一步而言，凹陷區(qū)域112的深度顯示缺陷的深度。由射頻信號110經過一低通濾波器所形成的射頻位準(RFLVL)信號114顯現出射頻信號110的封包(envelope)。檢測臨界值130為一固定的直流參考電位。當RFLVL信號114于時段120中低于檢測臨界值130時，缺陷旗標信號140從低準位(邏輯狀態(tài)0)提升至高準位(邏輯狀態(tài)1)，代表檢測到一缺陷。此外，FE/TE(focusing error/tracking error)信號150分別于時段120的起點和終點產生正凸波(surge)152及負凸波154來顯示聚焦(focusing)及循軌(tracking)的錯誤信號。然而，當缺陷旗標信號140由低準位提升至高準位時，伺服機系統，例如聚焦與循軌伺服機，及數據路徑控制系統，例如前級放大器、分片器(slicer)或鎖相回路，就能得知系統檢測到缺陷信號，因而可以利用一些適當的保護方法及裝置來降低潛在的干擾與不穩(wěn)定性。
參考圖1B，其系為通過現有射頻位準檢測方法來檢測淺缺陷所得的信號示意圖。在圖1B中，射頻信號110-1于時段120-1有一凹陷區(qū)域112-1。這也表示凹陷區(qū)域112-1相對應的數據因缺陷而受損，以至于時段120-1中的射頻信號110-1無法被完全讀出。但是凹陷區(qū)域112-1的深度可能只是受到一淺缺陷的影響，例如一個淺刮痕，不似圖1A所示之凹陷區(qū)域112那么深。RFLVL信號114-1顯現出射頻信號110-1的封包。檢測臨界值130-1如同圖1A所示之檢測臨界值130為一固定的直流參考電位。很明顯的，RFLVL信號114-1總是高于檢測臨界值130-1，因為淺缺陷并未造成足夠深的凹陷區(qū)域112-1。因此，不只缺陷旗標信號140-1對淺缺陷無反應，而且除了一些噪聲外，FE/TE信號150-1并沒有明顯的改變。更進一步而言，由于并未檢測到淺缺陷，一些保護的方法及裝置并未被觸發(fā)來保護系統免于潛在的干擾及不穩(wěn)定性。換句話說，伺服機系統及數據路徑控制系統很容易在此種缺陷情況下被影響。
類似的情況，參考圖1C，其系為通過現有射頻位準檢測方法來檢測指紋所得的信號示意圖。在圖1C中，射頻信號110-2于時段120-2有一凹陷區(qū)域112-2。這也表示凹陷區(qū)域112-2相對應的數據因缺陷而受到輕微的影響，以至于射頻信號110-2于時段120-2有較弱的振幅。同樣的，凹陷區(qū)域112-2可能只受到淺缺陷的影響，例如指紋，也不如圖1B所示之凹陷區(qū)域112-1那么深。RFLVL信號114-2顯現出射頻信號110-2的封包，且檢測臨界值130-2如同圖1A所示之檢測臨界值130為一固定的直流參考電位。RFLVL信號114-2總是高于檢測臨界值130-2，因為淺缺陷并未造成足夠深的凹陷區(qū)域112-2。因此，不只缺陷旗標信號140-2對淺缺陷無反應，而且除了一些噪聲外，FE/TE信號150-2并沒有明顯的改變。這情況類似于圖1B所描述的情況，伺服機系統及數據路徑控制系統不能被安全地保護。然而另一方面，圖1B與圖1C所示之缺陷根據他們受損的深度、寬度及方向，包含不同的狀態(tài)。有些缺陷可能還有原始的數據，但是其它的只有已損壞的數據。因此，很難只靠檢測臨界值的比較來決定缺陷旗標信號。

發(fā)明內容本發(fā)明提供一種伺服機保護裝置，用以保護伺服機于讀取缺陷盤片時不被干擾，該裝置包含一缺陷檢測裝置、一邏輯組合單元以及一伺服機控制裝置。該缺陷檢測裝置接收多個缺陷檢測信號以設置多個缺陷旗標信號，其中該多個缺陷檢測信號至少包含一射頻信號之一封包(envelope)信號以及8至14個位調變(eight to fourteenmodulation，EFM)信號。該邏輯組合單元對該多個缺陷旗標信號執(zhí)行一邏輯運算以檢測一特定缺陷。該伺服機控制裝置根據該多個缺陷旗標信號而產生對應的低通濾波輸出信號以控制多個機電裝置。其中該伺服機控制裝置更包含一聚焦控制器、一循軌控制器、一第一低通濾波器以及一第二低通濾波器。該聚焦控制器依據一聚焦誤差信號以產生一聚焦輸出信號，該循軌控制器依據一循軌誤差信號以產生一循軌輸出信號，該第一低通濾波器用以低通濾波該聚焦誤差信號以產生一低通濾波聚焦誤差信號至該聚焦控制器，以及該一第二低通濾波器用以低通濾波該循軌誤差信號以產生一低通濾波循軌誤差信號至該循軌控制器。
本發(fā)明進一步揭露一種伺服機保護方法，用以保護伺服機于讀取缺陷盤片時不被干擾，該方法首先接收多個缺陷檢測信號以設置多個缺陷旗標信號，其中該多個缺陷檢測信號至少包含一射頻信號之一封包(envelope)信號以及8至14個位調變(eightto fourteen modulation，EFM)信號。接著，對該多個缺陷旗標信號執(zhí)行一邏輯運算以檢測一特定缺陷。之后，根據該多個缺陷旗標信號而產生對應的低通濾波輸出信號以控制多個機電裝置。

圖1A系為通過現有射頻位準檢測方法來檢測深缺陷所得的信號示意圖；圖1B系為通過現有射頻位準檢測方法來檢測淺缺陷所得的信號示意圖；圖1C系為通過現有射頻位準檢測方法來檢測指紋所得的信號示意圖；圖2系為根據本發(fā)明所繪示之一應用缺陷檢測裝置之光驅方塊示意圖；圖3A至圖3F系為根據本發(fā)明所繪示之缺陷檢測方法流程圖；圖4系為根據本發(fā)明的缺陷檢測方法來檢測不同的缺陷所得的信號示意圖；以及圖5A與圖5B顯示本發(fā)明之伺服機控制裝置與其相關信號之較佳實施例。
具體實施方式本發(fā)明的一些實施例將會在此較詳細地介紹。不過，必須要了解本發(fā)明除了以下詳述的實施例之外，還可以以其它較大范圍的實施例來實施，且本發(fā)明所保護的范圍應在附錄的申請專利范圍之內。此外，為使例證簡潔以及使本發(fā)明易于了解，一些無關之細節(jié)并未描繪出來。
請參考圖2，其系為根據本發(fā)明所繪示之一應用缺陷檢測裝置之光驅方塊示意圖。在圖2中，伺服機控制裝置210通過功率驅動器212控制相關機電裝置，例如主軸馬達204的轉速、推動馬達206的移動，以及鏡片208些微的循軌與聚焦的移動。也就是說，伺服機控制裝置210可以使得鏡片208不只是對準盤片202的正確軌道，也可于數據讀取與轉移時有較佳的聚焦。通過讀取頭209于水平方向上粗略的移動及鏡片208于水平方向上些微的循軌移動，以及鏡片208于垂直方向上些微的聚焦移動，伺服機控制裝置210可以使得鏡片208于盤片202之正確軌道上有較好的聚焦。數據路徑控制單元280包含一前級放大器220、分片器(slicer)230、鎖相回路(phase lockloop，PLL)240及譯碼器250。前級放大器220由鏡片208接收數據信號并產生各種不同的信號，例如數據處理用的射頻信號、伺服機控制裝置210用的伺服機控制信號，即FE/TE信號以及檢測缺陷用的其它信號，即8到14個位調變(eight to fourteenmodulation，EFM)信號及射頻位準(RFLVL)信號。分片器230將由前級放大器220輸出來的射頻信號數字化。鎖相回路240使得數字化的射頻信號與系統定時器同步，且根據系統定時器計算數字化的射頻信號的長度。譯碼器250解譯數字化的射頻信號至一主機(未圖標)。
為了檢測各種不同的信號，缺陷檢測裝置260通過不同的缺陷檢測方法來設定相對應的缺陷旗標信號，從前級放大器220接收各種不同的信號，以及從分片器230及鎖相回路240接收EFM信號。其中，不同的缺陷檢測方法包含ADefect檢測方法、ADefect1檢測方法、EFMDefect檢測方法、RPDefect檢測方法、中斷檢測方法、及DSPDefect檢測方法，用以設置(set)ADefect旗標信號、ADefect1旗標信號、EFMDefect旗標信號、RPDefect旗標信號、中斷旗標信號及DSPDefect旗標信號。此缺陷檢測裝置260可為一微處理器，或為一數字信號處理器(Digital SignalProcessor，DSP)，其內部儲存上述該些檢測方法之韌體，用以執(zhí)行相對應之缺陷檢測。邏輯組合單元270對該些缺陷旗標信號執(zhí)行適當的邏輯運算，例如簡單的“或”運算或者“及”運算，來精確地檢測缺陷。當此運算結果顯示檢測到一缺陷時，邏輯組合單元270會觸發(fā)缺陷保護(defect protection)方法及裝置來保護相對應的單元，例如伺服機控制裝置210、前級放大器220、分片器230、鎖相回路240及譯碼器250。此邏輯組合單元270可為數字邏輯電路，由使用者設計所需的運算邏輯。
如圖3A到3F所示，其系為根據本發(fā)明所繪示之缺陷檢測方法流程圖。參閱圖3A，其系為ADefect缺陷檢測方法流程圖。首先，比較RFLVL信號與ADefect位準(步驟311)，其中，RFLVL信號為射頻信號的封包，且ADefect位準為固定的直流參考電位。當RFLVL信號低于ADefect位準時，ADefect旗標信號設成邏輯狀態(tài)1(步驟315)。當RFLVL信號高于ADefect位準時，則判斷是否在一缺陷延遲時間內(步驟312)。當在該缺陷延遲時間內，RFLVL信號高于ADefect位準，則ADefect旗標信號設成邏輯狀態(tài)1(步驟314)。然而，當未于該缺陷延遲時間內，RFLVL信號高于ADefect位準時，則ADefect旗標信號設成邏輯狀態(tài)0(步驟313)。ADefect檢測方法可用于檢測深缺陷，例如刮痕。ADefect旗標信號從低準位(邏輯狀態(tài)0)提升至高準位(邏輯狀態(tài)1)，代表檢測到一缺陷。
參閱圖3B，其系為ADefect1缺陷檢測方法流程圖。圖3B中的所有步驟與圖3A類似。首先，比較RFLVL信號與ADefect1位準(步驟321)，其中RFLVL信號為射頻信號的封包，且ADefect1位準為固定的直流參考電位，其中ADefect位準與ADefect1位準主要的差別在于ADefect1位準高于ADefect位準，使得ADefect1檢測對于淺缺陷及指紋較ADefect檢測敏感。當RFLVL信號低于ADefect1位準時，ADefect1旗標信號設成邏輯狀態(tài)1(步驟325)。當RFLVL信號高于ADefect1位準時，則判斷是否在一缺陷延遲時間內(步驟322)。當在該缺陷延遲時間內，RFLVL信號高于ADefect1位準，則ADefect1旗標信號設成邏輯狀態(tài)1(步驟324)。然而，當未于缺陷延遲時間內，RFLVL信號高于ADefect1位準時，則ADefect1旗標信號設成邏輯狀態(tài)0(步驟323)。ADefect1旗標信號從低準位(邏輯狀態(tài)0)提升至高準位(邏輯狀態(tài)1)，代表檢測到一缺陷。
參閱圖3C，其系為EFMDefect缺陷檢測方法流程圖。當一數據領域(sector)或數據框架(frame)有至少n1個射頻信號之樣式短于一第一預設數據長度，EFMDefect旗標信號設成邏輯狀態(tài)1(步驟331)。例如，對CD與DVD而言第一預設數據長度為3T。當此數據領域或數據框架有至少n2個射頻信號之樣式長于一第二預設數據長度時，EFMDefect旗標信號設成邏輯狀態(tài)1(步驟332)。例如，此第二預設數據長度對于CD及DVD而言，分別為11T與14T。當此數據領域或數據框架有至少n3個射頻信號之樣式長于一非常(serious)數據長度時，例如18T，EFMDefect旗標信號設成邏輯狀態(tài)1(步驟333)。另一方面，當此數據領域或數據框架有至少n4個射頻信號之樣式介于第一預設數據長度與第二預設數據長度之間，EFMDefect旗標信號設成邏輯狀態(tài)0。EFMDefect檢測方法可用于檢測異常的信號長度，且為實時缺陷檢測方法。其中，當變量n1、n2、n3及n4的數值較小時，EFMDefect檢測方法較為敏感。EFMDefect旗標信號從低準位(邏輯狀態(tài)0)提升至高準位(邏輯狀態(tài)1)，代表檢測到一缺陷。
參閱圖3D，其系為中斷缺陷檢測方法流程圖。圖3D中的所有步驟與圖3A類似。首先，比較RFLVL信號與中斷位準(步驟341)，其中RFLVL信號為射頻信號的封包，且中斷位準為固定的直流參考電位，其中中斷位準的設定高于RFLVL信號以檢測因全反射而產生的缺陷。當RFLVL信號高于中斷位準時，中斷旗標信號設成邏輯狀態(tài)1(步驟345)。當RFLVL信號低于中斷位準時，則判斷是否在一缺陷延遲時間內(步驟342)。當在該缺陷延遲時間內，RFLVL信號低于中斷位準，則中斷旗標信號設成邏輯狀態(tài)1(步驟344)。然而，當未于缺陷延遲時間內，RFLVL信號低于中斷位準時，則中斷旗標信號設成邏輯狀態(tài)0(步驟343)。中斷旗標信號從低準位(邏輯狀態(tài)0)提升至高準位(邏輯狀態(tài)1)，代表檢測到一缺陷。
參考圖3E，其系為RPDefect缺陷檢測方法流程圖。圖3E中的所有步驟與圖3A類似。首先，比較RFRP信號與RPDefect位準(步驟351)，其中RFRP信號可能為射頻信號的峰端封包或底端封包，也有可能為射頻信號的峰端到底端之值，且RPDefect位準為固定的直流參考電位。當RFRP信號低于RPDefect位準時，RPDefect旗標信號設成邏輯狀態(tài)1(步驟355)。當RFRP信號高于RPDefect位準時，則判斷是否在一缺陷延遲時間內(步驟352)。當在該缺陷延遲時間內，RFRP信號高于RPDefect位準，則RPDefect旗標信號設成邏輯狀態(tài)1(步驟354)。然而，當未于缺陷延遲時間內，RFRP信號高于RPDefect位準時，則RPDefect旗標信號設成邏輯狀態(tài)0(步驟353)。RPDefect旗標信號從低準位(邏輯狀態(tài)0)提升至高準位(邏輯狀態(tài)1)，代表檢測到一缺陷。RPDefect檢測方法通過進一步處理射頻信號來檢測缺陷，所以對于缺陷檢測較為敏感。由于對檢測缺陷的敏感度，使得RPDefect檢測適合用來檢測小刮痕以及中斷缺陷。
參考圖3F，其系為DSPDefect缺陷檢測方法流程圖。圖3F中的所有步驟與圖3A類似。首先，比較RFLVL信號與RFLVL_LPF信號之間差異的絕對值與一預設臨界值(步驟361)，其中RFLVL_LPF信號為RFLVL信號經過低通濾波器之后一個緩慢漸降的信號。當RFLVL信號與RFLVL_LPF信號之間差異的絕對值高于該預設臨界值，則DSPDefect旗標信號設成邏輯狀態(tài)1(步驟365)。當RFLVL信號與RFLVL_LPF信號之間差異的絕對值低于該預設臨界值時，則判斷是否在一缺陷延遲時間內(步驟362)。當在該缺陷延遲時間內，RFLVL信號與RFLVL_LPF信號之間差異的絕對值低于該預設臨界值，則DSPDefect旗標信號設成邏輯狀態(tài)1(步驟364)。而當未于缺陷延遲時間內，RFLVL信號與RFLVL_LPF信號之間差異的絕對值低于該預設臨界值時，則DSPDefect旗標信號設成邏輯狀態(tài)0(步驟363)。DSPDefect旗標信號從低準位(邏輯狀態(tài)0)提升至高準位(邏輯狀態(tài)1)，代表檢測到一缺陷。DSPDefect檢測方法通過一可變動之臨界值來檢測缺陷，因此不需要固定的直流參考電位。
以下將舉一最佳實施例來說明上述數種缺陷檢測方法之應用。請參考圖4，其系為根據本發(fā)明的缺陷檢測方法來檢測不同的缺陷所得的信號示意圖。在圖4中，射頻信號41有一深凹陷區(qū)域，因此它的封包信號411也有一深凹陷區(qū)域。根據之前提過的ADefect1及ADefect檢測方法，當封包信號411低于ADefect1位準402及ADefect位準401時，ADefect1旗標信號416及ADefect旗標信號415分別由邏輯狀態(tài)0設成邏輯狀態(tài)1。因為此凹陷區(qū)域足夠寬，且產生異常數據長度，所以EFMDefect旗標信號417一樣也由邏輯狀態(tài)0設成邏輯狀態(tài)1。中斷旗標信號419對此凹陷區(qū)域沒有任何反應，因為封包信號411總是低于中斷位準404。RFRP(峰端維持)信號412及RFRP(底端反向)信號413分別表示射頻信號41的峰端封包及反向底端封包。因此，RFRP(峰-底)信號414由RFRP(峰端維持)信號412減RFRP(底端反向)信號413所得到。當RFRP(峰-底)信號414低于RPDefect位準405時，RPDefect旗標信號418由邏輯狀態(tài)0設成邏輯狀態(tài)1。如此，由深缺陷所造成的深凹陷區(qū)域，例如刮痕，可以通過ADefect、ADefect1、EFMDefect及RPDefect檢測方法而檢測出來，因為它的深度及寬度對于缺陷檢測而言，夠深且夠寬。
射頻信號42有一淺及窄的凹陷區(qū)域，因此它的封包信號421也有相同的形式。根據ADefect1檢測方法，當此封包信號421低于ADefect1位準402時，ADefect1旗標信號426由邏輯狀態(tài)0設成邏輯狀態(tài)1。RFRP(峰端維持)信號422及RFRP(底端反向)信號423分別表示射頻信號42的峰端封包及反向底端封包。更進一步，RFRP(峰-底)信號424由RFRP(峰端維持)信號422減RFRP(底端反向)信號423所得到。當RFRP(峰-底)信號424低于RPDefect位準405時，RPDefect旗標信號428由邏輯狀態(tài)0設成邏輯狀態(tài)1。然而ADefect旗標信號425、EFMDefect旗標信號427、中斷旗標信號429對此淺且窄的凹陷區(qū)域沒有任何反應，因為封包信號421總是高于ADefect位準401，也并不滿足之前所提的EFMDefect檢測方法的條件，亦即并無檢測到異常的數據長度，而且總是低于中斷位準404。如此淺且窄的凹陷區(qū)域可能是由一淺刮痕所引起，只能由ADefect1及RPDefect檢測方法來檢測出來，因為它的深度及寬度不符合其它的缺陷檢測條件。
射頻信號43有一淺及寬的凹陷區(qū)域，因此它的封包信號431也有相同的形式。當此封包信號431低于ADefect1位準402時，ADefect1旗標信號436由邏輯狀態(tài)0設成邏輯狀態(tài)1。因為此凹陷區(qū)域足夠寬，也產生異常數據長度，EFMDefect旗標信號437一樣由邏輯狀態(tài)0設成邏輯狀態(tài)1。RFRP(峰端維持)信號432及RFRP(底端反向)信號433分別表示射頻信號43的峰端封包及反向底端封包。更進一步，RFRP(峰-底)信號434由RFRP(峰端維持)信號432減RFRP(底端反向)信號433所得到。當RFRP(峰-底)信號434低于RPDefect位準405時，RPDefect旗標信號438由邏輯狀態(tài)0設成邏輯狀態(tài)1。然而ADefect旗標信號435及中斷旗標信號439對此淺且寬的凹陷區(qū)域沒有任何反應，因為封包信號431總是高于ADefect位準401且低于中斷位準404。如此淺且寬的凹陷可能是由一淺缺陷所引起，且因為它的深度及寬度不符合其它的缺陷檢測條件，所以只能由ADefect1、EFMDefect及RPDefect檢測來檢測出來。
射頻信號44有一淺及寬的凹陷區(qū)域，因此它的封包信號441也有相同的形式。當此封包信號441低于ADefect1位準402時，ADefect1旗標信號446由邏輯狀態(tài)0設成邏輯狀態(tài)1。RFRP(峰端維持)信號442及RFRP(底端反向)信號443分別表示射頻信號44的峰端封包及反向底端封包。更進一步，RFRP(峰-底)信號444由RFRP(峰端維持)信號442減RFRP(底端反向)信號443所得到。因為RFRP(峰-底)信號444總是高于RPDefect位準405，所以RPDefect旗標信號448對此淺且寬的凹陷區(qū)域沒有反應。此外，ADefect旗標信號445、EFMDefect旗標信號447以及中斷旗標信號449都對此淺且寬的凹陷區(qū)域沒有任何反應，因為此封包信號441總是高于ADefect位準401，也并無檢測到異常的數據長度，且總是低于中斷位準404。如此淺且寬的凹陷區(qū)域可能是由指紋所造成，在此情況下，因為它的深度及寬度不符合其它的缺陷檢測條件，只能由ADefect1檢測來檢測出來。
至于射頻信號45及射頻信號46，兩者皆由很強信號之強度所造成，例如強光反射。射頻信號45于其峰端及底端封包具有強振幅之區(qū)域，此區(qū)域也稱為中斷缺陷區(qū)域。因此它的封包信號451有此相對應的形式。由于此中斷缺陷區(qū)域足夠寬，且產生異常數據長度，EFMDefect旗標信號457由邏輯狀態(tài)0設成邏輯狀態(tài)1。當封包信號451高于中斷位準404，中斷旗標信號459也由邏輯狀態(tài)0設成邏輯狀態(tài)1。至于其它的旗標信號，因為封包信號451總是高于ADefect1位準402及ADefect位準401，ADefect1旗標信號456及ADefect旗標信號455對此封包信號451沒有任何反應。RFRP(峰端維持)信號452及RFRP(底端反向)信號453分別表示射頻信號45的峰端封包及反向底端封包。更進一步，RFRP(峰-底)信號454由RFRP(峰端維持)信號452減RFRP(底端反向)信號453所得到。因為RFRP(峰-底)信號454總是高于RPDefect位準405，所以RPDefect旗標信號458對這種中斷缺陷區(qū)域沒有任何反應。這種中斷缺陷區(qū)域只能通過之前提過的EFMDefect檢測及中斷檢測方法來檢測出來。
射頻信號46由其底端封包形成反向凹陷區(qū)域，因此它的峰端封包信號461有相對應的形式。EFMDefect旗標信號467由邏輯狀態(tài)0設成邏輯狀態(tài)1，因為此中斷缺陷區(qū)域足夠寬，且產生異常數據長度。RFRP(峰端維持)信號462及RFRP(底端反向)信號463分別表示射頻信號46的峰端封包及反向底端封包。更進一步，RFRP(峰-底)信號464有一由RFRP(峰端維持)信號462減RFRP(底端反向)信號463所形成的深凹陷區(qū)域。當RFRP(峰-底)信號464低于RPDefect位準405時，RPDefect旗標信號468由邏輯狀態(tài)0設成邏輯狀態(tài)1。當封包信號461高于中斷位準404時，中斷旗標信號469由邏輯狀態(tài)0設成邏輯狀態(tài)1。然而因為封包信號461高于ADefect1位準402及ADefect位準401，所以ADefect1旗標信號466及ADefect旗標信號465對此封包信號461沒有任何反應。這種中斷缺陷區(qū)域只能由之前提過的EFMDefect、RPDefect及中斷檢測方法來檢測出來。
一般而言，比起ADefect檢測，ADefect1檢測方法較適合檢測小且淺的缺陷區(qū)域。RPDefect檢測方法對于檢測小刮痕較敏感。因此，應該了解到本發(fā)明所提及的缺陷檢測方法，對于特定的缺陷檢測可以各種方式結合而成。例如對于小刮痕檢測，可以通過“或”邏輯來結合ADefect1與EFMDefect檢測方法，或者小刮痕檢測之外，不要檢測指紋，則可通過“及”邏輯來結合ADefect1與EFMDefect檢測方法等等。
本發(fā)明揭露一伺服機保護方法與裝置，通過應用上述缺陷檢測方法及其適當組合，可避免前述之伺服機控制裝置210出現被干擾及產生不穩(wěn)定的情況，其中又以ADefect與DSPDefect檢測方法的組合較佳。必須了解的是，本發(fā)明可由單一或數種不同前述缺陷檢測方法的組合觸發(fā)伺服機的保護方法或裝置，并非僅限于以下之較佳圖5A與圖5B分別為伺服機控制裝置210之一較佳的實施例與其相關信號的示意圖。在圖5A中，伺服機控制裝置210包含一聚焦控制器510與一循軌控制器520，其中聚焦控制器510與循軌控制器520分別接收由前級放大器220輸出的一聚焦誤差信號502與一循軌誤差信號506，用以產生一聚焦輸出信號504與一循軌輸出信號507至功率驅動器212。伺服機控制裝置210更包含一低通濾波器512與一低通濾波器522，其中低通濾波器512與低通濾波器522分別接收聚焦誤差信號502與循軌誤差信號506以低通濾波出一FE_LPF信號與一TE_LPF信號，這兩信號分別輸入至聚焦控制器510與循軌控制器520。伺服機控制裝置210檢測一缺陷旗標信號，若當檢測到一缺陷且收到由邏輯組合單元270傳來的缺陷旗標信號時，伺服機控制裝置210將以FE_LPF信號及TE_LPF信號取代原本的聚焦伺服信號502與循軌伺服信號506以輸入至聚焦控制器510與循軌控制器520中，以產生聚焦輸出信號504與循軌輸出信號507。
以下通過圖5B來輔助說明圖5A伺服機控制裝置210及其相關信號。圖5B中RFLVL信號501于一時段506中顯示有兩個缺陷，使得前級放大器220傳來的聚焦誤差信號502產生變動。不過，由于兩個缺陷發(fā)生時間過于接近，聚焦誤差信號502來不及完全反應兩個缺陷。理想的聚焦誤差信號502應如聚焦誤差信號5021中之虛線所示，然而實際響應情形則如聚焦誤差信號5021中之實線所示。為迅速拉起反映緩慢的聚焦誤差信號5021，對應聚焦誤差信號502的聚焦輸出信號504將產生一尖波信號5041。當尖波信號5041補償聚焦輸出信號504的同時，亦將導致伺服機控制裝置210被干擾與不穩(wěn)定。簡言之，不論是尖波信號5041，或由缺陷所引起的或正或負的信號變化都將擾亂伺服機控制裝置210而使其不穩(wěn)定。若將聚焦誤差信號502與聚焦輸出信號504分別換成循軌誤差信號506與循軌輸出信號507，類似的情形同樣也會發(fā)生。
然而，伺服機控制裝置210檢測到于時段506中之兩個缺陷時，由邏輯組合單元270傳來的缺陷旗標信號會被設置(set)以指示伺服機控制裝置210改以FE_LPF信號及TE_LPF信號取代原本的聚焦伺服信號502與循軌伺服信號506以輸入至聚焦控制器510與循軌控制器520中，以產生聚焦輸出信號504與循軌輸出信號507。其中，FE_LPF信號與TE_LPF信號分別為聚焦誤差信號502與循軌誤差信號通過低通濾波器512與522所得的信號。通過上述方法可使得因缺陷而產生的尖波信號或由缺陷所引起的或正或負的信號變化相對的減少，并也可減少聚焦輸出信號504/循軌輸出信號507受缺陷的影響，如此也使得伺服機控制裝置210會更加穩(wěn)定而不受到干擾。
此外，伺服機控制裝置210亦能通過將聚焦/循軌誤差信號歸零(如圖5B中之聚焦誤差信號503)，或將聚焦控制器510或是循軌服務器520的輸出信號消去(mute)或部分消去(如圖5B中之聚焦輸出信號505)，或是將聚焦/循軌誤差信號于模擬/數字轉換后即歸零，以減少聚焦輸出信號/循軌輸出信號受缺陷的影響。伺服機控制裝置210亦可保留缺陷前的聚焦誤差信號、循軌誤差信號、聚焦輸出信號與循軌輸出信號，以俾于缺陷發(fā)生時取代受影響的聚焦誤差信號、循軌誤差信號。
本發(fā)明雖以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內，當可做各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明之保護范圍當視后附之申請專利范圍所界定者為準。
權利要求
1.一種伺服機保護裝置，用以保護伺服機于讀取缺陷盤片時不被干擾，該裝置包含一缺陷檢測裝置，接收多個缺陷檢測信號以設置多個缺陷旗標信號，其中該多個缺陷檢測信號至少包含一射頻信號之一封包(envelope)信號以及8至14個位調變(eight to fourteen modulation，EFM)信號；一邏輯組合單元，對該多個缺陷旗標信號執(zhí)行一邏輯運算以檢測一特定缺陷；以及一伺服機控制裝置，根據該多個缺陷旗標信號而產生對應的低通濾波輸出信號以控制多個機電裝置；其中該伺服機控制裝置更包含一聚焦控制器，依據一聚焦誤差信號以產生一聚焦輸出信號；一循軌控制器，依據一循軌誤差信號以產生一循軌輸出信號；一第一低通濾波器，用以低通濾波該聚焦誤差信號以產生一低通濾波聚焦誤差信號至該聚焦控制器；以及一第二低通濾波器，用以低通濾波該循軌誤差信號以產生一低通濾波循軌誤差信號至該循軌控制器。
2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，該伺服機控制裝置于檢測該特定缺陷時，該聚焦控制器與該循軌控制器分別系依據該低通濾波聚焦誤差信號與該低通濾波循軌誤差信號來產生對應的低通濾波輸出信號以控制該多個機電裝置。
3.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，當檢測到該特定缺陷時，該伺服機控制裝置將該聚焦誤差信號與循軌誤差信號歸零。
4.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，當檢測到該特定缺陷時，該伺服機控制裝置消除或部分消除該聚焦輸出信號與該循軌輸出信號。
5.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，當檢測到該特定缺陷時，該伺服機控制裝置保留該聚焦誤差信號、該循軌誤差信號、該聚焦輸出信號與該循軌輸出信號。
6.一種伺服機保護方法，用以保護伺服機于讀取缺陷盤片時不被干擾，該方法包含接收多個缺陷檢測信號以設置多個缺陷旗標信號，其中該多個缺陷檢測信號至少包含一射頻信號之一封包(envelope)信號以及8至14個位調變(eight to fourteenmodulation，EFM)信號；對該多個缺陷旗標信號執(zhí)行一邏輯運算以檢測一特定缺陷；以及根據該多個缺陷旗標信號而產生對應的低通濾波輸出信號以控制多個機電裝置。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，更包含依據一聚焦誤差信號以產生一聚焦輸出信號；依據一循軌誤差信號以產生一循軌輸出信號；低通濾波該聚焦誤差信號以產生一低通濾波聚焦誤差信號；以及低通濾波該循軌誤差信號以產生一低通濾波循軌誤差信號。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，更包含當檢測到該特定缺陷時，分別系依據該低通濾波聚焦誤差信號與該低通濾波循軌誤差信號來產生對應的低通濾波輸出信號以控制該多個機電裝置。
9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，更包含當檢測到該特定缺陷時，將該聚焦誤差信號與循軌誤差信號歸零。
10.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，更包含當檢測到該特定缺陷時，消除或部分消除該聚焦輸出信號與該循軌輸出信號。
11.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，更包含當檢測到該特定缺陷時，保留該聚焦誤差信號、該循軌誤差信號、該聚焦輸出信號與該循軌輸出信號。
全文摘要
本發(fā)明提出一種伺服機保護裝置，系用以保護伺服機于讀取缺陷盤片時不被干擾，該裝置包含一缺陷檢測裝置、一邏輯組合單元以及一伺服機控制裝置。該缺陷檢測裝置接收多個缺陷檢測信號以檢測不同種類的缺陷來設置多個缺陷旗標信號，其中該多個缺陷檢測信號至少包含一射頻信號之一封包(envelope)信號以及8至14個位調變(eight to fourteen modulation，EFM)信號。該邏輯組合單元對該多個缺陷旗標信號執(zhí)行一邏輯運算以檢測一特定缺陷。該伺服機控制裝置根據該多個缺陷旗標信號而產生對應的低通濾波輸出信號以控制多個機電裝置以避免伺服機被干擾與不穩(wěn)定。本發(fā)明亦提出一種伺服機保護方法。
文檔編號G11B20/18GK1848273SQ20051000351
公開日2006年10月18日 申請日期2005年12月28日 優(yōu)先權日2005年3月17日
發(fā)明者賴義麟, 湛益淞 申請人:威盛電子股份有限公司